Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

К-захват (см. электронный захват)

К-за.хват (см. электронный захват) К-мезоны 340, 346 Камера Вильсона 46  [c.393]

Другим процессом радиоактивного распада является захват ядром орбитальных электронов атома, которому это ядро принадлежит. Хотя в некоторых случаях захватываются L-, М- и т. д. электроны, но чаще всего происходит захват наиболее глубоких, или К-электронов. Поэтому процесс часто называют К-захватом (см. фиг. 6).  [c.29]

С электронным захватом конкурирует Р -распад, если он не запрещен энергетически (см. п. 2). Если же энергетически разрешены оба конкурирующих процесса, то позитронный распад для легких и средних ядер обычно преобладает над электронным захватом и часто практически полностью его подавляет. Дело в том, что электронный захват сильно затруднен тем, что электрон даже из ближайшей к ядру АГ-оболочки с очень малой вероятностью может находиться внутри ядра. По порядку величины эта вероятность w равна отношению объема ядра к объему, занимаемому атомной оболочкой  [c.247]


К-ЗАХВАТ —вид бета-распада, при к-ром ядро спонтанно захватывает электрон с / -оболочки атома и одновременно испускает электронное нейтрино. Подробнее см. Электронный захват.  [c.350]

Здесь N означает концентрацию электронов в зоне проводимости п — концентрацию локализованных положительных дырок, v — Концентрацию электронов на уровнях захвата, vi — общее число электронных акцепторных уровней, отнесенное к 1 см . Коэффициенты р, Ai и Аз характеризуют соответственно вероятность высвобождения электрона с уровня захвата, вероятность рекомбинации,  [c.248]

Р+-распад и электронный захват приводят к образованию одного и того же ядра с числом протонов на единицу меньше исходного, поэтому они часто встречаются у одного и того же изобара. Из уравнений (59) и (60) следует, что электронный захват может идти при меньшей разности масс, чем позитронный распад. С другой стороны, 7(-захват сильно затруднен тем, что захватываемый электрон находится далеко от ядра (10 см). Поэтому он наиболее вероятен у тяжелых ядер, где оболочки расположены ближе к ядру (можно считать, что часть времени электроны находятся внутри ядра).  [c.114]

Структуры типа алмаза. Тип электропроводности определяется размерами и электроотрицательностью примесных атомов, внедряющихся в междуузлия решеток полупроводников IV группы периодической системы. Эксперимент показывает, что в противоречии с указанным выше правилом валентности литий (I группа), внедряясь в междуузлия решетки германия, будет донором, а кислород (VI группа) — акцептором. Внедрение большого по размерам атома лития в тесные междуузлия решетки германия оказывается возможным только после его ионизации вследствие слабой связи валентного электрона, легко отрывающегося от своего атома в среде с большой диэлектрической проницаемостью (е германия см. в табл. 8-4). Образовавшийся ион лития маленьких размеров может уже внедряться в тесные междуузлия решетки, а освободившийся электрон обусловливает электропроводность л-типа. Внедрение в междуузлия атомов кислорода, имеющих сравнительно небольшие размеры и большую электроотрицательность, приводит к захватам электронов из атомов полупроводника, вследствие чего возникает электропроводность р-тина.  [c.329]

ЛОВУШКИ (в полупроводниках) — нарушения периодичности решетки полупроводникового кристалла, на к-рых возможна локализация ( захват ) электронов из зоны проводимости или дырок из валентной зопы (см. Зонная теория). Л. могут быть различные по своей физической природе образования — чужеродные  [c.6]


Безызлучательная Р. через примесные центры описывается статистич. теорией Шокли — Рида. Изменения концентрации электронов и дырок в зонах и на примесях-ловушках определяется системой ур-вий, в к-рые входят концентрации ловушек, свободных (А) и занятых М) электронами А М — полная Концентрация ловушек), коэф. захвата на ловушки электронов (7э) и дырок (уд). Число актов в 1 с в 1 см можно по аналогии с (1), (2) записать в виде  [c.324]

Б его современном виде метод кривых термического высвечивания, как метод исследования спектра локальных уровней захвата, был применен впервые автором, что неоднократно отмечалось в советской научной печати (см., напр., (156—158, 181]). Работа была выполнена в Институте физики Одесского госуниверситета и была доложена на коллоквиуме института в мае 1941 года, но так как все материалы оставались в Одессе во время ее оккупации фашистскими войсками, то автор смог ими воспользоваться лишь после войны (см. [74] и примеч. на стр. 502). В упомянутой работе автор также впервые указал на возможность применения метода кривых термического высвечивания к исследованию не только электронных уровней, но и спектра дырочных уровней захвата.  [c.74]

Открытый Жолио и Кюри в 1934 г., этот распад явился первым примером искусственной радиоактивности [80]. В реакции (3) не испускается частицы, которую можно было бы обнаружить, а происходит только испускание рентгеновского кванта при замещении поглощенного орбитального электрона, поэтому почти всю энергию распада уносит нейтрино (см. [109]). Только если /С-за-хват приводит сначала к возбужденному результирующему ядру, в дальнейшем испускается также и у-квант. Состояние химической связи атома должно слегка влиять на выход / С-захвата [14, 87].  [c.38]

НЕЙТРОННО-ДЕФИЦИТНЫЕ ЯДРА — атомные ядра, имеющие меньшее число нейтронов (/V) по сравнению со стабильными ядрами с тем же Z (число протонов), наиболее распространёнными в природе. Н. я. нестабильны и испытывают бета-распад, сопровождающийся испусканием позитронов (р+-распад) или захватом электронов с внутр. электронных оболочек (см. Электронный захват). По мере уменьшения числа нейтронов Н. я. становятся всё менее устойчивыми энергия, выделяющаяся при их распаде, увеличивается, а период полураспада уменьшается. Н. я. получаются в ядерных реакциях, приводящих к уменьшению отношения Л /2, напр., в реакциях (у, л), (у, 2п), (р, п). (р, 2п). Ю. С. Зшиятнин.  [c.279]

МэВ, у Ке - 3,7 МэВ и т. д.). Необходимую энергию эл-ны могут приобретать, напр., в недрах звёзд на поздних стадиях их эволюции (при больших плотностях в-ва), когда газ эл-нов становится вырожденным газом (так, для превышения Ферми энергией эл-нов порогового значения у 2вГе нужна плотность ок. 10 г/см ). Электронный захват сопровождается уменьшением электронного давления и испусканием электронного нейтрино. Оба фактора способствуют развитию гравитационного коллапса. Н. в. интенсивно протекает при коллапсе и обусловливает переход звезды в нейтронное состояние, в к-ром число нейтронов прибл. в 10—100 раз превосходит число протонов (остаётся примесь сверх-тяжёлых ядер с избытком нейтронов).  [c.453]

РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ЦЕНТРЫ - дефекты или примесные атомы (ионы) в кристаллич. решётке, на к-рых происходит рекомбинация электроняо-дырочной пары (см. Рекомбинация носителей заряда). Процесс осуществляется путём последоват. захвата электрона и дырки центром. Энергетич. уровни Р. ц. лежат в запрещённой зоне, и центр обменивается носителями заряда с зоной проводимости (с) и валентной дырочной зоной (г) посредством процессов термич. испускания электронов из заполненного Р. ц. в зону I (с вероятностью в единицу времени g ) и дырки из пустого Р. ц. в зону V (с вероятностью д), а также обратных процессов захвата свободного электрона ва пустой Р. ц. (вероятность К ) и свободной дырки ва заполненный Р, ц. (Ад). Величины Д1 Ад, Ад определяются сечениями захвата электрона и дырки Од, Пд, их тепловыми скоростями Од, Уд, эяергетич. расположением уровня Р. ц. я краёв зон (/,., т,), кратностью вырождения уровня Р. ц. у, статистич. факторами с- и о-зон (Ас, Ас). Они являются ф-циями темп-ры Г и концентраций свободных электронов п и дырок р (при отсутствии вырождения)  [c.321]


Рассмотрим методику испытания и устройство для ее реализации. Конструкция приспособления, для реализации ударного растяжения цилиндрического образца с кольцевой трещиной показана на рис. 80 и состоит из следующих узлов [97] молота двух захватов 2 и 7, поперечной траверсы 5, цилиндрической пружины 4, кольца 5 и сферической гайки S. Образец б крепится с помощью захватов в отверстии, высверленном в корпусе молота. Для устранения перекосов и с целью самоцентровки образца захваты устанавливаются с некоторыми зазорами и предусмотрены сферические поверхности захватов. Образец с захватом 2 вставляют со стороны прорези молота в отверстие и закрепляют сферическим захватом 7. Между захватом 7 и корпусом молота может помещаться динамометр 9 (см. рис. 74), дающий возможность измерять нагрузку при ударном разрушении образца. В процессе пролета молота поперечная траверса ударяется об опоры копра, образец разрушается, а на шкале копра фиксируется работа, затраченная на его разрушение. Если подсоединить датчик нагрузки к электронно-осциллографической аппаратуре, можно измерить разрушающую нагрузку при ударном разрушении образца (см. параграф 1 настоящей главы).  [c.173]

Конструктивно машина УМЭ-1 ОТ состоит из следующих основных узлов (см. рис. 50,а) собственно машина 1, пульт управления с электронной и электроприводной аппаратурой 2 и нагревательные устройства, включающие шкаф управления 3 термостат (373—773 К) И печь (773—1273 К). Основание 15, колонны 9 и верхняя траверса 10 образуют жесткую раму машины (см. рис. 50,6). В верхней траверсе крепится силоизмерительный датчик (динамометр) И, представляющий собой полый цилиндр с наклеенными на него тензомет-рическими датчиками сопротивления. Верхний захват (для цилиндрических образцов с головками) выполнен как единое целое с корпусом динамометра. Если используются сменные захваты (например, для плоских образцов), то они крепятся к захватам для цилиндрических образцов. Нижний захват 12 центрируется при сборке машины относительно динамометра и крепится столу 13, который перемещается на направляющих втулках 8 по колоннам при движении грузового винта 16. Грузовой винт соединен с двухскоро1Стньш асинхронным электродвигателем 17 через электромагнитную муфту 7, коробку передач 6 и разрезную ганку 14. Коробка передач обеспечивает соотношение чисел оборотов выходного вала к входному 1 1,  [c.105]

ОТРИЦАТЕЛЬНЫЕ ИОНЫ в газах — атомы или молекулы га.за, захватившие добавочный электрон. Атомные О. и. обнаружены более чем у 30 хим. элементов атомы приблизительпо половины этих элементов обладают энергией электронного сродства 5 (см. Сродство к электрону), превышающей 1 эв. Наиболее изучены ионы С1 (/5 = 3,7 эв), Вг (3,5 эв),  [c.569]

Б.-р. наблюдается и у тяжёлых и у лёгких ядер. Устойчивость ядер зависит от соотношения чисел протонов X и нейтронов N. С ростом 2 увеличивается энергия кулоновского отталкивания протонов. Поэтому у средних и тяжёлых стабильных ядер значение М—2)>0 (см. Ядро атомное). Ядра, у к-рых N больше, чем требуется для их стабильности, радиоактивны и могут испытывать Р " -распад ядра, у к-рых N слишком мало, могут испытывать р +-распад или электронный захват. Полная энергия п, выделяющаяся при Б,-р., распределяется гл. обр. между двумя ч-цами, напр, между е и Уе. Нек-рую очень малую её долю ( УМс , где М — масса ядра) уносит остаточное ядро, испытывающее при Б.-р. отдачу . Распределение вылетающих эл-нов по энергиям N ( ) наз. Р-спектром. Общие св-ва р-спектров — непрерывность и наличие макс. энергии макс— верхней границы Р-спектра. Именно на основании этих св-в Р-спектров швейц. физик В. Паули в 1930 предсказал существование нейтрино.  [c.51]

К-ЗАХВАТ, захват ат. ядром эл-на с ближайшей к ядру орбиты—Я-оболочки. См. Электронный захват. КИКОИНА — НОСКОВА ЭФФЕКТ (фотомагнитоэлектрический эффект), возникновение электрич. поля в освещённом ПП, помещённом в магн. поле. Электрич. поле перпендикулярно магн. полю и потоку носителей тока (эл-нов проводимости, дырок), диффундирующих в ПП в направлении от освещённой стороны ПП, где поглощённые фотоны образуют электронно-дырочные пары, к неосвещенной. К.— Н. э. наблюдается при резко неоднородной концентрации неосновных носителей тока, что достигается при сильном поглощении света. Открыт в 1933 сов. физиками И. К. Ки-коиным и М. М. Носковым, ф См. лит. при ст. Фотоэдс.  [c.281]

Остановимся теперь на том, как наблюдается /С-захват. Нейтрино непосредственно зарегистрировать довольно трудно (см. гл. VII, 8) трудно также регистрировать и ядра отдачи. Непосредственно на опыте при /С-захвате наблюдается либо испускание атомами электронов, либо излучение характеристических рентгеновских квантов. Действительно, при поглощении электрона с /С-оболочки в ней образуется незанятое состояние, в которое могут спуститься электроны с более высоких оболочек. При таком переходе должен испуститься рентгеновский квант. Это заполнение вакантного места может произойти и с передачей энергии электрону последней оболочки. В этом случае из атома вылетит электрон с энергией, равной разности энергий последней оболочки и К -оболочки.  [c.248]

Действие Д. основано на разл. процессах взаимодействия частиц с веществом. Оси. процессами, к-рые вызываются заряж. частица.ми, являются ионизация и возбуждение атомов и молекул, а также (для релятивистских частиц) возбуждение черенковского и переходного излучений. Нейтральные частицы (напр., нейтроны, 7-кваиты) регистрируются по вторичным заряж-частицам, появляющимся в результате их взаимодействия с веществом. В случае -у-кваитов это электроны, возникающие в результате фотоэффекта, комптон-эф-фекта и рождения электрои-позитроииых пар (см. Гамма-излучение). Быстрые нейтроны регистрируются по заряж. продуктам взаимодействия (ядрам, протонам, мезонам и др.), медленные нейтроны — по излучению, сопровождающему их захват ядрами вещества (см. Нейтронные детектора).  [c.588]


Компактная система Z , для внеш. электронной оболочки эквивалентна ядру с зарядом Z — 1, т. е. при захвате мюона кулоновским полем к.-л. ядра, напр. Ne, образуется М. а. Zp с электронной оболочкой соседнего атома F. Взаимодействие спинов и электрона из оболочки атома фтора в маги, поле позволяет проследить судьбу этого атома и даёт способ измерить абс. скорость хим. реакции изолиров. атома F (см. Ме-аонная химия).  [c.229]

Однако на заключит, стадиях эволюции звёзд плотность вещества в их центр, областях сильно возрастает и электронный газ становится вырожденным (см. Вырожденный газ). Энергия вырожденных электронов достигает такой величины, что они уже могут, несмотря на энергетич. барьер, захватываться атомными ядрами. Начинаются процессы т. н. обратного бета-распада, посредством к-рых протоны превращаются внутри атомных ядер в нейтроны. Именно этот процесс множеств, захвата электронов атомными ядрами, соп-ровождаюпщйся испусканием нейтрино V, наз. н е й-тронизацией.  [c.270]

Характернствкн пропорциональных камер. Газовая смесь для П. к. должна обеспечивать достаточно высокие уд. ионизац. потерн энергии заряж. частиц ( 2 кэВ/см), мин. сечение захвата электронов атомами газа, гасящие свойства при развитии электрон-фотон-ной лавины вблизи сигнальных проволочек. Этим требованиям удовлетворяют смеси инертных газов и углеводородов (или СО-). В П. к. обычно используют смесь Аг (70—90%) и СНд или СаНв (10-30%).  [c.146]

РАДИАЦИОННЫЙ ЗАХВАТ ядерная реакция, в к-рой налетающая частнца захватывается ядром-мишенью, а энергия возбуждения образующегося составного ядра излучается в виде у-квангов (иногда — конверсионных электронов см. Конверсия внутренняя). Р. 3.— преобладающий процесс взаимодействия с ядрами для нейтронов, для др. частиц он играет существенно меньшую роль.  [c.207]

Ф. криапаллофосфоров возникает при рекомбинации электронов и дырок, образовавшихся в процессе возбуждения кристаллофосфора. Затягивание послесвечения связано С захватом электронов (или дырок) разл. ловушками (см. рис, 3 в ст. Люминесценция), из к-рых они могут освободиться, лишь получив дополнит, энергию. Ф. сложных органич. молекул связана с пребыванием их в метаста-бильном состоянии.  [c.341]

ЦЕНТРЫ ОКРАСКИ—дефекты кристаллич. решётки, поглощающие свет в спектральной области, в к-рой собств. поглощение кристалла отсутствует (см. Спектры кристаллов). Первоначально термин Ц. о. относили только к т. н. / -центрам (от нем. Farbenzentren), обнаруженным в 1930-х гг. в шёлочно-галоидных кристаллах Р. В. Полем (R. W. Pbhl) с сотрудниками и представляющим собой анионные вакансии, захватившие электрон. В дальнейшем под Ц. о. стали понимать любые точечные дефекты, поглощающие свет вне области собств. поглощения кристалла,— катионные и анионные вакансии, междо-узельные ионы (собственные Ц. о.), а также примесные атомы и ионы (примесные Ц. о.), Ц. о. обнаруживаются во мн. неорганич. кристаллах и стёклах, а также в природных минералах.  [c.426]

Реакции под действием пионов (л ), каонов (К ) и шти-протоиов (р). При взаимодействии этих частиц с кулонов-ским полем ядра атома происходят их захват и образование т, н. экзотических атомов (см. Адронные атомы), а затем поглощение ядром. Изучение рентг. спектров адронных атомов позволяет получить сведения как о распределении плотности заряда в ядре, так и о свойствах самих отрицательно заряженЕ ых частиц, заменивших электрон в атоме.  [c.669]

Этот процесс очень эффективен в случае рекомбинации свободных электронов при пороге термической ионизации, т. е. - 1 эв. Его можно представить как такое столкновение электрона с электроном в поле иона, при котором один электрон остается с кинетической энергией, недостаточной для выхода из поля иона [см. соотношение (4.93)]. Захваты на высшие п-уровни наиболее благоприятны и обусловлены геометрическими соображениями. Джио-ванелли [43] рассмотрел подробно этот процесс. Он получил для скорости рекомбинации к и-му водородному уровню величину  [c.165]

В]1емя возбуждения (см. Рекомбинационная люминесценция). Затягивание послесвечения в этом случае связано с захватом электронов и дырок ловушками , из К-])ЫХ они могут освободиться, лишь получив дополнит. энергню, определяемую глубиной ловушки. Ф. с. южных органич. молекул связана с пребыванием молекул в метастабильном возбужденном состоянии, вероятность перехода из к-рого в основное состояние достаточно мала.  [c.334]


Смотреть страницы где упоминается термин К-захват (см. электронный захват) : [c.208]    [c.221]    [c.221]    [c.247]    [c.375]    [c.323]    [c.134]    [c.164]    [c.543]    [c.276]    [c.400]    [c.124]    [c.218]    [c.220]    [c.152]    [c.435]    [c.233]    [c.359]    [c.131]    [c.543]    [c.32]   
Основы ядерной физики (1969) -- [ c.0 ]



ПОИСК



Адиабатический захват электронов

Безызлучательный захват электроно

Безызлучательный захват электроно Блнжнее поле излучения

Захваченные электроны

К-Захват

К-захват электронов (определение)

Механизмы диссипации энергии в актах захвата. Быстрые и медленные электронные состояния

Электронно колебательная модель захвата и рекомбинации

Электронно-колебательная модель захвата и рекомбинации носителей заряда

Электронный захват

Электронный захват

Эффективное сечение захвата электрона ионом с испусканием кванта . 5. Эффективное сечение связанно-свободного поглощения света атомами и ионами



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте