К-захват электронов (определение)

К-захват электронов (определение) 344 Калибры 77 Калория 29 [c.773]

Рассмотрим способность вакантных галоидных узлов к захвату электронов. По аналогии с галогенидами щелочных металлов такие дефекты определенно должны обладать способностью к улавливанию электронов с образованием /-центров. Несмотря на исчерпывающие исследования, проведенные Полем и его сотрудниками в Геттингене [24, 25], при работе с крупными монокристаллами чистого галоидного серебра никогда не удавалось наблюдать полосу поглощения, которую можно было бы приписать [c.119]

Потенциалы ионизации измеряются методом фотоионизации и спектроскопическими методами. Обычно потенциал ионизации выражают в электрон-вольтах (эВ), отнесенных к одному атому. Для экспериментального определения величины сродства атома к электрону существуют такие прямые методы, как метод фотоэлектронной эмиссии, метод захвата электронов и др кроме того, ее можно вычислить из известных энергий решеток ионных кристаллов. Выражается энергия сродства атома к электрону, как правило, также в эВ. [c.58]

Изолированный атом селена имеет конфигурацию валентных электронов и в соединениях стремится к захвату электронов и достройке до наиболее стабильной электронной конфигурации Однако в определенных условиях возможна отдача атомом халькогена части электронов с образованием квазистабильной конфигурации 5р [15]. [c.13]

Поверхностная р е к о м б и н а ц,и я. В большинстве полупроводников рекомбинация электронов и дырок происходит гл. обр. через примесные центры, поэтому на поверхности, где сконцентрировано большое число поверхностных состояний, она происходит более интенсивно. При не очень большой высоте потенциального барьера и невысокой концентрации поверхностных центров рекомбинации скорость поверхностной рекомбинации S зависит только от состояния поверхности, в частности от фз. Поэтому, изменяя ф8, напр, с номон1ью эффекта ноля, можно изменять S. Совместное определение S (ф ) и Qs (9s) помощью эффекта ноля дает возможность определить все параметры поверхностных центров рекомбинации (энергию, концентрацию, сечения захвата электронов и дырок). [c.62]

Из множества процессов, ведущих к ионизации, наиболее значимыми являются ионизация при столкновении, передача электрона, ионизация при передаче энергии возбуждения и хемоионизация. При горении углеводородных топлив имеют место все названные виды ионизации. Кроме того, многие возникающие в процессе сгорания частицы, способны образовывать отрицательные ионы. Поскольку реакции захвата электрона носят экзотермический характер, то имеет место диссипация энергии, что накладывает определенные ограничения на механизм реакций такого типа. Сходным с захватом электрона является процесс передачи заряда, который в случае реакции между ионами и молекулами может сопровождаться химической перегруппировкой. [c.90]

Для ряда элементов, особенно легких, активация медленными нейтронами либо слишком мала, либо приводит к образованию слишком короткоживущих ядер, что делает невозможным активационный анализ по крайней мере в его традиционной форме. В таких случаях для активации используют быстрые нейтроны, быстрые заряженные частицы (протоны, дейтроны, а-частицы, ядра аНе ), а также у-кванты с энергией свыше 10—15 МэВ из электронных ускорителей. Нейтронный пучок с энергией 14 МэВ из d — t-разрядной трубки используется, например, для определения концентрации празеодима. Празеодим имеет единственный стабильный изотоп 5вРг , который обладает замкнутой нейтронной оболочкой (N =82). Сечение захвата нейтрона этим ядром мало, так что оно практически не активируется тепловыми нейтронами. Быстрые же нейтроны вступают с празеодимом в реакцию (п, 2п) с образованием пози-тронно-активного изотопа (Г , = 3,4 мин). По активности [c.687]

Таким образом, центры захвата позитронов в Ре при изменении К характеризуются практически неизменной электронной плотностью, но калщому значению РС соответствует определенное распределение ее, т. е. уменьшению К соответствует уменьшение плотности электронов проводимости и увеличение остовной электронной плотности. [c.145]

При более высоком содержании примеси внедрения ее атомы, захватывая коллективизированные электроны металла, превращаются в анионы X" (С , N ", с внешней р -оболочкой, занимающие те же октаэдрические позиции, но они уже образуют короткие, сильные ковалентные связи с шестью соседними атомами металла, также имеющими р -оболочки. Решетка тугоплавкого ОЦК металла находится в определенном ориентационном соответствии с решеткой образующегося соединения (рис. 55, б). Образование комплексов МевХ приводит к дальнейшему увеличению параметра решетки, но вследствие захвата коллективизированных электронов металла атомами примеси внедрения электронная концентрация и энергия металлической решетки, т. е. связей Me—Me, понижаются. [c.164]

При такой неопределенности представлений о структуреЛ -иентров трудно приписывать определенные полосы свечения к определенным электронным переходам. Однако можно считать несомненно доказанным, что люминесценция фотохимически окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений обусловлена рекомбинацией электронов и положительных дырок, образующихся в кристалле в процессе фотолиза и локализующихся на электронных и дырочных уровнях захвата. [c.147]

Предположение о том, что нарушения кристаллической решетки, создаваемые активирующей примесью, должны играть существенную роль в образовании электронных уровней захвата, в самой общей форме высказывалос ранее рядом авторов [319—3211. Однако только проведенные в последние годы комплексные исследования изменений, возникающих в спектрах поглощения и люминесценции щелочно-галоидных кристаллофосфоров под действием рентгеновых лучей и при аддитивном окрашивании, изучение их термического высвечивания и других оптических и термических характеристик центров свечения и центров захвата приводят к определенным представлениям о механизме явлений, связанных с переходом активирующей примеси из ионного состояния в атомарное. Полученные данные позволяют также высказать обоснованные предположения о структуре активаторных центров свечения и активаторных центров захвата. [c.226]

В задачи Я. а. входит гл. обр. определение вероятности разных яд. процессов и их энергетич. эффекта. Эти данные используются в теории эволюции звёзд и в теории нуклеосинтеза. Для теории эволюции звёзд наи- более важны яД- реакции между заряженными ч-цами, включая протоны, йльфа-частицы и т. д. Они происходят внутри звёзд в условиях термодинамич. равновесия при максвелловском распределении ч-ц по скоростям. Поэтому скорость таких термояд, реакций пропорц. вероятности преодоления кулоновского барьера, усреднённой по равновесному распределению относит. скоростей ч-ц. В результате интенсивность термояд, реакций и их энерговыделение резко возрастают с темп-рой. Весьма важен учёт электронного экранирования в плазме, к-рое снижает высоту барьера и облегчает протекание яд. реакций. Для вычисления скоростей реакций используются наряду с эксперим. данными разл. теоретич, модели ядер. Процессы слабых вз-ствий часто входят в цепочку яд. процессов, в частности в первую реакцию водородного цикла Н4- Н-)-В+е + -1-г, где е+—позитрон, V — нейтрино. На поздних стадиях эволюции звёзд, когда эл-ны становятся вырожденными, для слабых вз-ствий характерен запрет на радиоактивный бета-распад ядер. Для этих же условий характерны электронные захваты (при непрерывном энергетическом спектре электронов, в отличие от обычного в земных условиях К-за-хвата). [c.910]

В полупроводниках имеются также примесные уровни, значительно удаленные и от начала зоны проводимости и от конца валентной зоны. Эти глубокие уровни могут быть как донорами, так и акцепторами электронов. Поскольку нх энергия ионизации велика, они не вносят существенного вклада в концентрацию носителей за счет обычной термической ионизации, но могут служить ловушками (такими же, как неглубокие уровни обычных примесей) при компенсации избыточных доноров и акцепторов или же центрами рекомбинации в полупроводниках. Иногда, например при поглощении света, электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости, что приводит к избыточной, неравновесной концентрации носителей, электронов и дырок, которые в конечном итоге рекомбинируют. При малых избыточных концентрациях скорость рекомбинации пропорциональна концентрации носителей, и их число убывает во времени по закону ег 1 , где X —константа, называемая врелшВремя жизни при прямой рекомбинации может быть довольно большим вследствие необходимости одновременного выполнения двух законов сохранения энергии и импульса. Поэтому часто рекомбинация протекает с большей скоростью путем захвата носителей одного знака атомами примесей с более глубокими уровнями и последующей рекомбинацией носителями противоположного знака. Примером примесных уровней, которые служат центрами рекомбинации, являются уровни меди и никеля в германии. Процесс рекомбинации чрезвычайно чувствителен к наличию определенных примесей одна часть никеля на миллиард частей германия уменьшает время жизни носителей на один-два порядка. [c.74]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...