Безызлучательный захват электроно

Рис. 8.3.8. Схема, показывающая безызлучательный захват электрона [54]. Равновесные энергии и решеточные координаты до и носле захвата показаны штриховой линией. Затушеванные области в запрещенной зоне поясняют, как изменяется энергия уровня дефекта относительно краев зон прн колебаниях решетки. Стрелки меньшего размера показывают амплитуду тепловых колебаний до и после захвата электрона. Стрелка большего размера показывает амплитуду колебаний решетки около нового положения равновесия сразу

Безызлучательный захват электронов 341 [c.358]

Мюонные атомы имеют конечное время жизни, определяемое временем жизни х -мюона ( 2,2 мкс). Обычно наряду с мюоном в атомной оболочке присутствуют и электроны, но их роль пренебрежимо мала, потому что мюон в среднем находится значительно ближе к ядру, чем электроны. После захвата -мюона на сравнительно дальнюю орбиту (возбужденное состояние) мюонные атомы переходят в основное состояние с испусканием квантов электромагнитного излучения или безызлучательно с выбросом электронов из оболочки атома. [c.197]

М. а. образуются при захвате мюонов кулоновским полем ядра Z.Upn этом из электронной оболочки атома выбивается один или неск. электронов (обычно внешних). М. а. образуются вначале в возбуждённых состояниях и за время порядка —lO i с переходят в осн. состояние, освобождая энергию в виде рентгеновских и у-квантов или передавая её оже-электронам. Измеряя энергии радиац. переходов в тяжёлых М. а., можно получить информацию о распределении зарядов в ядре, а также о его размерах и форме. Иногда возможны безызлучательные переходы с передачей энергии на возбуждение ядра. [c.229]

Безызлучательная Р. через примесные центры описывается статистич. теорией Шокли — Рида. Изменения концентрации электронов и дырок в зонах и на примесях-ловушках определяется системой ур-вий, в к-рые входят концентрации ловушек, свободных (А) и занятых М) электронами А М — полная Концентрация ловушек), коэф. захвата на ловушки электронов (7э) и дырок (уд). Число актов в 1 с в 1 см можно по аналогии с (1), (2) записать в виде [c.324]

Обычно в процессе рекомби-национного излучения участвуют примесные (мелкие и глубокие) — уровни. Рекомбинация с участием двух мелких примесных уровней, когда захват электрона и дырки на локальные уровни происхо- > дит безызлучательно (переходы 7 и 2), а рекомбинация (переход 3) излучательпо, иллюстри- [c.89]

В большинстве случаев процессы излучательного захвата ) электронов или дырок на глубокие центры оказываются значительно менее вероятными, чем безызлучательная диссипация избыточной энергии. Передача энергии, освобождаюшейся в акте захвата одного носителя другому свободному носителю ("оже-процесс"), может происходить только при достаточно высоких концентрация.х свободных носителей. При обычных концентрациях (менее 10 -10 см ) основным механизмом диссипации энергии, как правило, является передача сс кристаллической решетке в виде фононоп. [c.90]

В соответствии с описанием Лэнга и Генри [53,54] безыз-лучательный захват неосновных носителей происходит иногда в результате изменения энергии глубокой ловушки при колебаниях кристаллической решетки. Таким образом, как показано на рис. 8.3.8, интервал энергий ловушки Et может простираться до перекрытия с краем зоны проводимости и безызлучательно захватывать инжектируемый электрон. После этого решетка ре-лаксирует так, что энергия уровня понижается. Непосредственно после захвата электрона решетка испытывает сильное иска- [c.338]

На основе полученных данных о рекомбинационном свечении щелочно-галоидных кристаллофосфоров казалось вполне естественным предположение о том, что в результате возбуждения происходит ионизация самих центров свечения. При этом мыслилось, что в случае селективного поглощения света самим активатором возбуждающий свет производит фотоионизацию центров свечения непосредственно. В случае же поглощения света основным веществом решетки ионизация центров свечения происходит в результате захвата положительных дырок ионами активатора. Излучение фосфора гриписыва-лось последующему процессу рекомбинации электронов с ионизованными центрами свечения. Для объяснения идентичности спектров флуоресценции и фосфоресценции пришлось ввести дополнительную гипотезу о двухстадийности этого процесса предполагалось, что сначала электрон безызлучательно переходит на уровень возбуждения ионизованного центра, после чего лишь переходит на основной уровень с испусканием света. [c.240]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...