Поле Перпендикулярности

Электромагнитная индукция. При движении проводника в однородном поле перпендикулярно его направлению в проводнике наводится э. д. с. (В) [c.111]

Между двумя любыми точками на эквипотенциальной поверхности разность потенциалов равна нулю, поэтому работа сил электрического поля при любом перемещении заряда по эквипотенциальной поверхности равна нулю. Это означает, что вектор силы F3 в любой точке траектории движения заряда по эквипотенциальной поверхности перпендикулярен вектору скорости. Следовательно, линии напряженности электростатического поля перпендикулярны эквипотенциальной поверхности. [c.139]

Сила - vX В. действующая на электрический заряд в магнитном поле, — это та сила, которая заставляет двигаться провод, с током в магнитном поле, перпендикулярном к проводу. Для единицы индукции магнитного поля имеется в гауссовой системе единиц СГС специальное название гаусс (Гс). [c.116]

На рис. 48 показана схема р-спектрометра, использованного советскими физиками А. И. Алихановым и др. для измерения энергетического спектра позитронов, испускаемых Ra и Th (С + С")-В этом приборе позитроны (или электроны), испускаемые источником И, проходят через отверстие в подвижной диафрагме Д, фокусируются однородным магнитным полем ( перпендикулярным плоскости чертежа) и регистрируются двумя счетчиками l и s, включенными в схему совпадений. [c.141]

Создавая в пространстве за анодом трубки электрическое и магнитное поля различной конфигурации, можно по характеру движения электронов определить испытываемые ими в этих полях ускорения и установить связь с силами, действующими на электроны со стороны этих полей. Одна из возможных конфигураций электрического и магнитного полей, пригодная для этих опытов, такова (рис. 44). Трубка располагается между полюсами электромагнита, создающего однородное магнитное поле. Это поле существует во всем пространстве за анодом (на рис. 44 это поле перпендикулярно к плоскости чертежа, точки — следы магнитных силовых линий). Внутри трубки непосредственно за отверстием в аноде располагается плоский конденсатор с очень малым расстоянием между пластинами, к которому подводится регулируемое постоянное напряжение U - Электрическое поле конденсатора [c.87]

Это можно осуществить, определив траектории движения электронов, когда на них действует только магнитное поле, перпендикулярное к скорости их движения (после того как электроны вылетели из конденсатора). Как уже указывалось, магнитное поле вызывает смещение пятна на экране от осевой линии. Величина этого смещения еще не дает представления о траектории движения электронов. Но, поместив на пути электронного пучка ряд диафрагм Dj, Da,... с малыми отверстиями, можно убедиться, что электроны движутся по дуге окружности, для которой скорость электронов и при выходе из конденсатора является касательной, а светящееся пятно С на экране — точкой пересечения этой дуги с экраном. Доказательством этого служит то, что пятно на экране не исчезает, только когда отверстия диафрагм расположены по такой дуге (при всяком другом расположении отверстий диафрагм пятно на экране исчезает). [c.89]

После того как установлено, что электроны в магнитном поле, перпендикулярном к направлению скорости, движутся по дуге окружности, радиус этой окружности R может быть определен по смещению светящегося пятна на экране. Уравнение окружности радиуса R, центр которой О лежит на оси у на расстоянии R от начала координат. [c.89]

Если в однородном поле перпендикулярно линиям напряженности расположена плоская поверхность площадью S, то поток напряженности через нее [c.109]

В этих уравнениях все параметры зависят только от х, причем скорость и х) направлена по оси х, а напряженности магнитного и электрического полей перпендикулярны между собой и к направлению движения Вг = В х), Ер = Е(х) будем считать функции Вг и Ер, а также функцию Е х), описывающую изменение площади поперечного сечения канала, заданными. [c.238]

Эффект Холла. В полупроводнике, который помещен в магнитное поле, перпендикулярное протекающему по нему току, возникает электрическое поле, перпендикулярное току и магнитному полю. Это — так называемый эффект Холла, описываемый соотношением [c.454]

Рис. 30.28. Анизотропия Лр/р монокристалла W [14] (RRR = 13 000 Г = 4,2 К fi = 0,9 Тл плоскость вращения магнитного поля перпендикулярна к оси [001] угол ф, определяющий направление поля в этой плоскости, отсчитывается от оси [010]) (а) и зависимость Ар/р для W от магнитной индукции (б) в направления.ч, соответствующих максимуму (ф = 37°) и минимуму (ф = 0°) угловой диаграммы на рис. а (см. п. 3, с. 738)

I — угол между направлением магнитного поля и тригональной осью 25, ток параллелен бинарной оси 2 — магнитное поле параллельно тригональной оси 3 — магнитное поле перпендикулярно тригональной оси В ц тригональной оси ц — В тригональной оси [c.758]

Рассмотрим только эффект Холла. Если полупроводник, вдоль которого течет электрический ток, поместить в магнитное поле, перпендикулярное направлению тока, то в полупроводнике возникнет поперечное электрическое поле, перпендикулярное току и магнитному полю. Это явление получило название эффекта Холла, а возникающая поперечная ЭДС — ЭДС Холла. [c.278]

Приведенные выше электроизоляционные параметры слюд относятся к случаю, когда электрическое поле перпендикулярно плоскостям спайности. Вдоль плоскостей спайности электроизоляционные свойства слюд значительно хуже р всего лишь 10 —10 Ом-м, от 11 до 16 (мусковит) и даже 23—46 (флогопит), tg б порядка десятых долей. Так же сильно анизотропна и теплопроводность слюд. Коэффициент теплопроводности составляет примерно 0,44 Вт/(м-К) для мусковита и 0,51 Вт/(м-К) для флогопита перпендикулярно плоскостям спайности, а параллельно плоскостям спайности он на порядок выше. Плотность слюд 2,7—2,9 Мг/м , удельная теплоем- [c.175]

Изменяя постоянные р, г, ш или Р, Я, Z, мы получим частные случаи, приводящие к изящным результатам. Если Л = 0, т. е. если электрическое поле перпендикулярно магнитному, то г=0 и точка совершает прямолинейное равномерное движение. Получающаяся в общем случае парабола заменяется сейчас прямой и в зависимости от начальных условий можно в частных случаях получить в качестве траектории винтовую линию, циклоиду и т. д. [c.318]

В заключение отметим еще одну характерную особенность проявления анизотропного магнитоупругого эффекта, связанную с тем, что с ростом величины магнитного поля перпендикулярная составляющая индукции уменьшается значительно медленнее, чем Вц. [c.206]

Рис. 60. Прямолинейное движение по инерции после наложения однородного магнитного поля, перпендикулярного плоскости, превращается в равномерное круговое движение траектории как бы закручиваются в одну и ту же сторону. Влияние магнитного поля тем сильнее, чем больше величина скорости. В пространственной задаче дополнительно возможно равномерное смещение в направлении поля (или против него)

Воздействие на лабиринтную доменную структуру внешнего (стороннего) магнитного поля, перпендикулярного к поверхности пленки, приводит к уменьшению площади доменов, имеющих обратную (по отношению к этому полю) намагниченность. По мере возрастания напряженности стороннего поля домены обратной намагниченности претерпевают разрывы, затем приобретают форму гантели и, нако- [c.482]

Давление воздуха при сварке должно быть 0,5 ата при расходе его 900 л/час. Сопло сварочного пистолета должно находиться на расстоянии 5—10 мм от места сварки и, продвигаясь по направлению шва, должно равномерно покачиваться, захватывая небольшой участок шва и сварочной проволоки. Угол раскрытия сварного шва для материала толщиной 1—5 мм следует брать 60°, а для листов свыше 5 мм 70°, Сварочная проволока полается перпендикулярно шву под слабым давлением от руки сварщика, обеспечивающим образование небольшой волны в направлении сварки. [c.604]

В частном случае, когда в равномерном магнитном поле, перпендикулярно к направлению его перемещается проводник, закон электромагнитной индукции выражается в преобразованном виде формулой [c.333]

Погрешность от изменения внешних магнитных полей зависит от вида воспроизводимой преобразователем функции. Для симметричной измерительной обмотки 3 (рис. 74) влияние внешних равномерных полей практически исключается за счет встречного направления возникающих э. д. с. Наиболее неблагоприятным является несимметричное расположение контура измерительной обмотки и направление магнитного поля перпендикулярно к плоскости размещения витков. В случае магнитных полей с напряженностью менее 400 А/м влияние их на индукцию Bg в зазоре пренебрежимо мало. Тогда часть контура измерительной обмотки, находящаяся в зазоре магнитопровода, не подвержена влиянию внешнего магнитного поля Ввн и в ней не наводится э. д. с. Внешнее магнитное поле наводит э. д. с. в той части контура измерительной обмотки, которая находится вне рабочего зазора [31, [c.206]

Если исследуемые ядра находятся в магн. или неоднородном электрич. полях, то корреляционная картина искажается происходит возмущение интегральной угл. корреляции. В случае маги, поля, перпендикулярного плоскости распространения наблюдаемых у квантов, это возмущение проявляется в повороте корреляционно картины на угол [c.413]

Рис. 2.16. Для плоской электромагнитной волны, распространяющейся в свободном пространстве, векторы электрического и магнитного полей перпендикулярны к направленик> распространения к. Таким образом, iT E = k B=0.

Закон qE = p движения частицы, несущей заряд q в электрическом поле Е, является неполным, пока мы не знаем зависимости заряда от скорости и ускорения частицы, имеющей импульс р. Лучшим свидетельством весьма точного соблюдения постоянства заряда протона или электрона является тот экспериментальный факт, что пучки атомов и молекул водорода не испытывают отклонения в однородном электрическом поле, перпендикулярном к пучку. Атом водорода состоит из электрона (е) и протона (р). Молекула водорода состоит из двух электронов и двух протонов. Даже при очень медленном движении протонов электроны движутся вокруг них со средней скоростью около 1Q-2 с. Неотклоняющаяся молекула имеет постоянный импульс, так что экспериментальный результат говорит о том, что рр + -f Ре = О = (ер + ве) Е. Таким образом, из экспериментов следует, что в атоме или молекуле ее = —вр, несмотря на то что только электроны обладают большой скоростью, которая притом различна в атомах и молекулах. Количественно заряд электрона оказывается независимым от скорости и равным заряду [c.394]

В системах магнитоэлектрического типа в последнем урав-пеиии вая ную роль играет ЭДС индукции. D частном случае, когда ироводппк длины I перемещается в равномерном магнитном поле перпендикулярно вектору пндукцни В, наведенная ЭДС индукции онределяется по формуле [c.284]

При включении магнитного поля на электрон начинает действовать добавочная сила Лоренца, равная егсоЯ/с, так как v = no и sin (v, Н) = 1, поскольку поле перпендикулярно к плоскости орбиты (со — угловая скорость электрона при наличии поля Я). Сила Лоренца действует вдоль радиуса круговой орбиты, т. е. изменяет центростремительную силу, а следовательно, и частоту обращения электрона. Уравнения левого и правого вращательного движения электрона запишутся соответственно В виде [c.106]

Наиболее надежные экспериментальные значения А были, по-видимомз , получены при исследовании структуры промежуточного состояния пластинки, помепденноп в поле, перпендикулярное ее поверхностп. Согласно теории Ландау, которая будет рассмотрена в п. 32, ширина доменов зависит от поверхностного натяжения и размеров образца. Измерения на олове, выполненные таким способом Шавловым [78] и Льюисом, дали хорошее согласие с теоретическими значениями, приведенными в табл. 3, и с предсказанным теорией температурным ходом. Однако аналогичные измерения, выполненные на ванадии, обнаружили аномально большую величину поверхностного натяжения. [c.739]

Работа этого прибора основана на известном законе физики — при пересечении магнитного поля проводником в нем возникает э. д. с., пропорционал1)Ная скорости движения проводника, его проводимости и напряженности магнитного поля. Значит, если в потоке создать постоянное магнитное поле, перпендикулярное [c.496]

Если в катушке электромагнита тока нет, то подвижный магнит устанавливается в нулевое положение под влиянием противодействующего момента. Этот момент образуется натяжением бронзовых растяжек и постоянным магнитным полем I зазоре между пермаллоевыми наконечниками, направленным вдоль оси подвижного магнита. При протекании переменного тока по катушке электромагнита между его полюсами появляется магнитное поле, перпендикулярное оси подвижного магнита в пулевом положении. Переменное поле вызывает вибрацию подвижного магнита световая линия на шкале, получающаяся при отражении луча от зеркала, связанного с подвижным магнитом, размывается в полосу тон или иной плфины в зависимости от значения измеряемого переменного напряжения. [c.56]

В ферромагнетиках, в отличие от парамагнитных тел, между неспаренными электронами внутренних недостроенных оболочек имеет место сильное обменное взаимодействие, вызывающее упорядоченное расположение их СПИновых магнитных моментов и спонтанное намагничивание доменов до насыщения Это приводит к существенным особенностям в протекании резонансного поглощения высокочастотной энергии ферромагнетиками, которое называют ферромагнитным резонансом. Физическая суть его состоит е том, что под действием внешнего магнитного поля Нд, намагничивающего ферромагнетик до насыщения, полный магнитный момент образца М начинает прецессировать вокруг этого поля с ларморовой частотой ojl, зависящей от Яо (11.25). Если на такой образец наложить высокочастотное электромагнитное поле, перпендикулярное Яо, и изменять его частоту ш, то при ю = i. наступает резкое (резонансное) усиление поглощения энергии поля. Резонанс наблюдается на частотах порядка 20-Г-30 ГГц в полях 4- 10 -А/м (л 5000 Э). Поглощение при этом на несколько порядкоз выше, чем при парамагнитном резонансе, так как магнитная восприимчивость ферромагнетиков (а следовательно, и магнитный момент насыщения М) у них много выше, чем у парамагнетиков. Кроме того, так как в формировании эффективного магнитного поля в ферромагнетиках участвуют размагничивающий фактор и поле магнитной анизотропии, то частота ферромагнитного резонанса оказывается зависящей от формы образца.и,направления поля относительно осей легкого намагничивания. [c.306]

Приложим теперь к размагниченному образцу внешнее магнитное поле, перпендикулярное плоскости пленки. При постепенном увеличении напряженности поля, как всегда при намагничивании ферромагнетика, происходит смещение стенок Блоха и домены с намагниченностью, направленной вдоль внешнего поля, расширяются за счет сужения доменов с противоположной намагниченностью рис. 11.2 б). В коне концов, при достаточно высокой напряженности внешнего поля (яоля смещения) дом ны с намагниченностью, противоположной этому полю, исчезают совсем и достигается полная намагниченность пленки вдоль поля. [c.313]

Для избежани суммирования электродвижущих сил противоположных знаков щётки необходимо сместить на угол р, поставив их на физическую нейтраль. При этом ампервитки обмотки якоря, лежащие внутри угла 2 0, называемые продольными ампервитками реакции якоря, будут размагничивать поле полюсов. Ампервитки, заключённые в пределах угла а, создают магнитное поле, перпендикулярное к силовым линиям поля полюсов и вызывают искажение магнитного поля полюсов и перемещение физической нейтрали (фиг 31). Эти ампервитки называются поперечными ампервитками реакции якоря. [c.528]

ЭФФЕКТ [тепловой стандартный характеризуется изменением изобарно-изотермного потенциала в процессе образования одного моля химического соединения из простых веществ при условии, что процесс является изотермическим (t = 25" С), а исходные простые вещества и образующиеся соединения находятся при давлении 98 кПа Фарадея состоит в том, что оптически неактивная среда приобретает под действием внешнего магнитного поля способность вращать плоскость поляризации света, распространяющегося вдоль направления поля Фуко состоит в том, что в течение времени плоскость качания сферического маятника поворачивается на определенный угол в сторону против вращения Земли Холла заключайся в том, что в металле или полупроводнике с током, помещенном в магнитное поле, перпендикулярное к вектору плотности тока, возникает поперечное поле и разность потенциалов фотопьезоэлектрическнй — возникновение ЭДС в однородном полупроводнике при одновременном одностороннем его сжатии и освещении Штарка состоит в расщеплении и сдвиге спектральных линий под действием на излучающее вещество внещнего электрического поля] [c.302]

В быстрой магнитозвуковой волне, в отличие от аль-венонской, отсутствуют возмущения компонент скорости и магн, поля, перпендикулярные Н . Скорость [c.329]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...