МОП-транзистор —

МОП — транзистор — см. транзистор полевой. [c.149]

Транзистор МОП — транзистор МДП, в котором роль диэлектрика выполняет пленка окисла (О), обычно кремния [9]. [c.158]

Недостатками МОП-транзистора как ключевого элемента обусловлена величина /Сд АИМ, равная 0,3, так как МОП-транзистор управляется разностью напряжений затвора и истока. Эта разность (для того чтобы в закрытом состоянии сопротивление транзистора было приемлемо для устройств данного класса точности, то есть около Ом) должна быть не меньше 15—20 В. При напряжении затвора, равном —27 В, напряжение истока должно быть меньше 7—12 В, что и определяет Ks при проектном диапазоне входных напряжений МДУ 10В. [c.94]

Для нас существенно, что МОП-транзисторы обладают еще большими входными сопротивлениями, чем полевые транзисторы с р—и-переходами, и почти не имеют входных токов. Так, если для полевого транзистора с р—п-пе-реходом входной ток в 10 А и входное сопротивление в 10 —10 Ом являются очень хорошими параметрами, то типичный МОП-транзистор имеет входные токи затвора менее 10 Л,при входных сопротивлениях 10 —10 Ом, определяющихся обычно утечками по корпусу прибора. [c.71]

Разнообразие типов полевых транзисторов создает чрезвычайно богатые возможности для проектировщиков схем. Нельзя также не упомянуть, что благодаря изоляции затвора МОП-транзисторы могут быть весьма эффективными переключателями тока и напряжения, не имеющими практически связи между цепью управления и цепью сигнала. [c.73]

Основной недостаток таких переключателей — достаточно высокое сопротивление канала в проводящем состоянии (подробнее об этом будет сказано в гл. 8). Здесь стоит только упомянуть о том, что по технологии и с точки зрения физики процессов возможно несколько вариантов реализации МОП-транзисторов. В частности, эти приборы могут отличаться по принципу образования канала. Для нас этот вопрос второстепенен, но очень важно то, что канал всегда образуется в сравнительно массивном теле полупроводникового кристалла—подложки. Между каналом и подложкой образуется р—и-переход со всеми отсюда вытекающими последствиями. Поэтому проблема правильного подключения подложки к постоянному потенциалу всегда стоит перед разработчиком. [c.73]

Однако массовость и однородность продукции оправдывают эти усложнения. При необходимости введения изоляции соответствующие участки просто окисляются (об этом уже шла речь при описании МОП-транзисторов), но дополнительными ограничениями при разработке монолитных схем является строгая связь между предыдущими и последующими операциями. [c.77]

Гораздо более дешевым вариантом эффективного ключа является ключ на МОП-транзисторах, показанный [c.110]

Основной проблемой нри реализации подобных схем в виде монолитных узлов является изготовление биполярных выходных каскадов в одном кристалле с входными МОП-транзисторами усилителей, схемами генератора импульсов и ключами, также изготовленными на МОП-транзисторах. В 1973 г. появилось сразу несколько публикаций, сообщивших о решении этой задачи, в то время как в виде гибридных микросхем усилители таких типов были созданы несколькими годами раньше. Можно предложить целый ряд вариантов схем усилителей с модуляцией и очень малым дрейфом, однако практически все они в том или ином виде повторяют изложенный принцип. [c.117]

МОП-транзистора со слоеным затвором, используемого в качестве элемента памяти Ист. — исток [c.158]

Однако мультипликативный характер таких критериев приводит к нелепостям. Так, величина х оказывается минимальной (т. е. наилучшей ) для одиночного каскада на обедненном МОП-транзисторе за счет очень малых значений и большой крутизны таких приборов. [c.184]

Остановимся теперь вкратце на современном состоянии разработок в другом важнейшем классе схем — классе кодирующих и декодирующих преобразователей. Здесь проблема состоит не только в усовершенствовании монолитных операционных усилителей для компараторов, но и в получении монолитных структур цифровых схем — регистров, счетчиков, а также высококачественных ключевых элементов. При использовании МОП-транзисторов последние задачи могут решаться и решаются в единых кристаллах, включающих по существу только эти транзисторы в различных режимах. Поэтому имеет смысл проследить динамику качества переключающих схем, прежде всего логических элементов. [c.189]

Работа полевого транзистора осуществляется за счет модуляции сопротивления проводящего канала. Поэтому можно ожидать, что в этом канале будет генерироваться тепловой шум. Это утверждение вполне очевидно для полевых транзисторов с р-п переходом, где действительно существует проводящий канал (рис. 5.3,а), если только он не перекрыт обратным смещением на р-п переходе. Однако в МОП-транзисторах канал возникает только тогда, когда окисел дает начальный вклад или к затвору [c.89]

Рис. 5.3. Поперечные сечения полевого транзистора с р-п переходом (а) и МОП-транзистора (б).

Теория показывает [34], что для МОП-транзистора с каналом п-типа и высокоомной подложкой [c.91]

Эксперименты [38] в области частот с равномерным спектром Si(f) показали, что для МОП-транзисторов с высокоомной подложкой величина у согласуется с теоретическими предсказаниями. На рис. 5.4 приведены результаты измерений и расчета для подложки с большей проводимостью, свидетельствующие о присутствии [c.94]

Для полевого транзистора с р-п переходом при пренебрежении последовательными сопротивлениями и для МОП-транзистора с высокоомной подложкой макс=й 0, и в этом случае, [c.96]

Но для МОП-транзистора с подложкой более высокой проводимости [c.96]

Таким образом, МОП-транзистор, изготовленный на подложке с высокой проводимостью, имеет большее шумовое сопротивление Рп, чем МОП-транзистор, выполненный на подложке с меньшей проводимостью, если только оба прибора имеют сравнимые значения крутизны ё макс в режиме насыщения. [c.97]

Вычисления проводятся следующим образом. Канал и затвор в полевом транзисторе с р-п переходом либо канал, затвор и подложку в МОП-транзисторе можно рассматривать как активную распределенную РС-линию, возбуждаемую либо переменным напряжением затвора Vg, если требуется найти крутизну на высокой частоте, либо шумовой э. д. с. Шхо на участке между Хо и Xo-f - -Axq, если требуется определить шумовые характеристики. Роль исходного выполняет волновое уравнение активной распределенной РС-линии [см. [111] гл. 18], которое для МОП-транзистора с высокоомной подложкой может быть представлено в виде [c.97]

Некоторые недавние эксперименты пролили значительный свет на механизм возникновения шума типа 1// в этих приборах. Эксперименты с МОП-транзистора- [c.136]

Транзистор МДП — полевой транзистор с изолированным затвором, состоящий из трех слоев металлического (М), диалектричесКогО (Д) и полупроводникового (П) в качестве диэлектрика обычно используют пленку окисла кремния (МОП — транзистор) [9]. [c.158]

Моноскоп ( Лжетрубка ) 149 МОП-транзистор — см. Транзистор полевой 149 МРТУ 12Н 736 МРТУ 12Н № 88—64 739 МРТУ I2H № 118—64 739 МРТУ 12Н-120-64 739 МРТУ 38—1-150-64 738 Муфты — Выбор типа 451— 453 — Классификация 449. — Компенсирующая способность 450—451 [c.757]

Схемотехнический анализ может потребоваться также и внутри марщрута проектировагшя СБИС. Так, в случае МОП-схем появляется промежуточный уровень абстракции (swit h level) между схемотехническим и вентильным уровнями, на котором элементами моделей являются не вентили, а МОП-транзисторы. Благодаря [c.135]

Вторым свойством сегнетопол у проводников является сегнетоэлектрический эффект поля, заключающийся в изменении сопротивления полем спонтанной поляризации полевой эффект в обычных полупроводниках, используемый в полевых и МОП-транзисторах, заключается в изменении сопротивления канала внешним, перпеидикулярно приложенным полем, см. ч. П. [c.225]

Полевые транзисторы в отличие от биполярных имеют большее входное сопротивление, обладают значительно большей стабильностью при изменении температуры, создают меньшего уровня шум, обладают более высокой стойкостью к действию ионизирующего излучения. Разновидностью полевых транзисторов являются транзисторы с изолированным затвором, или МДП-транзисторы (металл — диэлектрик — полупроводник) или МОП-транзисторы (металл — оксид — полупроводник). Различают МДП-транзисторы с собственным каналом, характеристики которого представлены на рис. 3.23, и МДП-транзисторы с индуцированным каналом, характеристики которого даны на рис. 3.24. Параметры МДП-транзисторов аналогичны параметрам полевых транзисторов, транзисхоры имеют те же преимущества, что и биполярные. По сравнению с полевыми транзисторами МДП-транзисторы имеют большее входное сопротивление, достигающее 10 ...10 Ом, и меньшую входную ёмкость, что позволяет их использовать на частотах до сотен мегагерц. [c.472]

Принципиальные схемы разработанных и исследованных ШИМ, АИМ, ФНЧ приведены на рисунках 3, 4, 5. ШИМ (рис. 3) выполнен на двух ИМС, работающих в режиме пороговых устройств в противофазе. Входное напряжение поступает через резисторы ЯЗ и К7 на инвертирующий вход У1 и неинвертирующий У2, сравнивается с опорным напряжением с ГЛТИ ( /оп). Для установки при их=0 относительных длительностей выходных импульсов, равных 0,5, применена установка нуля с помощью напряжений, снимаемых со специальных стабилизаторов на термостабильных стабилитронах Д818Д. С выходов ИМС прямоугольные импульсы подаются через ускоряющие ЯС цепочки на базы транзисторов Т1 и Т2, обеспечивающих получение на выходе ШИМ сигнала О—27В, управляющего МОП-транзисторами АИМ. [c.91]

АИМ состоит из двух последовательно включенных масштабных инвертирующих усилителей, развязывающих модулятор от источника входного сигнала и служащих для получения противофазных напряжений. Усилитель У1 (рис. 4) работает с коэффициентом усиления /С1 0,3, второй с 2=1. Общий коэффициент передачи /сЕ АИМ определяется при надстройке МДУ в режимах Ьх и 1-у регулировкой Л5 в обратной связи У1. Установка нуля У1 производится резистором / 2, а У2 — с помощью стабилизаторов / 6, С4, Д1 и на 8, С5, Д2. Собственно модулятором являются два МОП-транзистора с изолированной базой (ИМС 1КТ682Б), используемые в ключевом режиме. Напряжение отрицательной полярности, подаваемое на затвор, выбрано близким к максимальному —27 В. [c.91]

Схема приставки приведена на рис. 50. Клеммы приставки - -Е и Пр соединяют с одноименными клеммами электронного блока. Роль контактов прерывателя выполняет транзистор Туправляемый релейным усилителем постоянного тока на транзисторах Тг и Гз. На входе приставки установлен полевой МОП-транзистор (Тг, включенный по схеме истокового повторителя, что обеспечивает высокое входное сопротивление приставки и, следовательно, эффективную работу фотодиода. Резистор Лз служит для ограничения тока, стабилитрон Дг —для защиты затвора полевого транзистора от перенапряжения, резистор Яг предотвращает отпирание транзистора Г) темновым током фотодиода. Стабилитрон Да и резистор Л образуют стабилизатор напряжения, от которого питается лампа накаливания фотодиодного датчика (Лг). Нормальная работа приставки сохраняется при изменении напряжения питания в пределах от 6,5 до 15 В, что позволяет применять приставку с электронным блоком со стабилизированным вторичным напряжением (см. рис. 29). [c.82]

Ключи на МОП-транзисторах получили значительно большее распространение, чем другие типы ключей. Это в особенности относится к коммутаторам с очень большим числом каналов. МОП-ключи могут управляться от логических и цифровых схем, целиком реализованных на таких же МОП-транзисторах, что и сами ключи. При этом логическая схема может принимать непосредственно двоичный или двоично-десятичный номер канала, дешифровывать его и включать нужный канал. [c.111]

Выход фиксирующей цепи КлЗ—соединен со входом еще одного усилителя с МОП-транзисторами на входах Д0У2. Приведенный ко входу дрейф этого усилителя [c.116]

Шума ЛУхо сосредоточена на участке от Хо до ХоЛ-Ахо, а исток и сток закорочены по высокой частоте, находим распределение потенциала (рис. 5.6). Для МОП-транзистора с высокоомной подложкой вычисления этого рас- [c.99]

Из расчетов, выполненных при принятых допущениях для полевого транзистора с р-п переходом, работающего в режиме насыщения, следует, что с ростом величины 2=(—Уй+Удиф)/Уоо 1 1 монотонно убывает от значения с =0,445 при 2 = 0 до с =0,395 при z=. Для МОП-транзистора с высокоомной подложкой с[ =0,395. Для МОП-транзистора с подложкой более высокой проводимости величина le] приблизительно та же самая [45]. [c.100]

Для МОП-транзистора с высокоомной подложкой всегда Тпд1Т=4/3. Для МОП-транзистора с подложкой, обладающей более высокой проводимостью, Тпв1Т имеет приблизительно то же самое значение. [c.101]

Согласно Са (С. Т. Sali) [47] флуктуация числа занятых ловушек в области пространственного заряда модулирует ширину этой области и, следовательно, ширину канала. В результате флуктуирует сопротивление любого участка Лд канала, а это, в свою очередь, за счет постоянного тока, протекающего по каналу, приводит к флуктуирующей э. д. с. на участке Ах. Последняя вызывает флуктуации тока стока. Суммируя вклады всех участков Ах, получаем полный эффект флуктуации тока стока. Вычислим его для полевого транзистора с р-п переходом и каналом п-типа. (Сходный эффект имеет место в области пространственного заряда МОП-транзистора [48].) [c.107]

В. Фликкер-шум в плоскостных диодах, МОП-транзисторах и биполярных транзисторах [c.136]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...