Схема время» (В) на транзисторах

Выполнение схемы время (В) на транзисторах [c.768]

При подключении тахометра в цепь транзистор VT2 переключается в состояние насыщения ток базы протекает по цепи резистор RIO — транзистор — резистор R5. Конденсаторы С6 и С5 заряжаются током, протекающим по цепи R7—pV—R4—С5—VT2—R5. При этом транзистор VT находится в состоянии насыщения, так как напряжение между эмиттером и коллектором меньше падения напряжения на резисторе R8. В момент размыкания контактов прерывателя образуется стартовый импульс, который переключает транзистор VTI в состояние насыщения, и через вольтметр проходит импульс с длительностью, определяемой параметрами разрядной цепи конденсатора С5 и резистора RIO. Транзистор VT2 под действием обратных связей переключается в состояние отсечки. Время отсечки транзистора VT2 зависит от длительности разряда конденсатора С. э через открытый транзистор VTI—R5—VD3—RIO. Частота импульсов, подаваемых мультивибратором на измерительный прибор, равна частоте срабатывания прерывателя, а время разряда конденсатора выбирается меньшим, чем время между последовательными его размыканиями при максимальном значении п. Таким образом, измерительный прибор показывает силу среднего эффективного тока, которая пропорциональна частоте импульсов, получаемых на мультивибраторе. Амплитуда силы тока, подаваемого мультивибратором, регулируется с помощью резистора R7 в процессе настройки тахометра. Для уменьшения погрешности при изменении температуры окружающей среды в схеме предусмотрен терморезистор R3. Защита транзистора VTI осуществляется диодом VD2. Основные параметры отечественных тахометров приведены в табл. 11.19. [c.336]

Применение в схемах нескольких транзисторов связано с тем, что на входе регулятора обычно коммутируется ток силой в десятки миллиампер в то время, как на выходе сила тока современных регуляторов напряжения достигает 5 А. При этом коэффициент усиления схемы регулятора по току лежит в пределах 300—800. При использовании одного транзистора такого усиления достичь невозможно. [c.29]

Схема реле наибольшего напряжения вырабатывает сигнал на срабатывание электромеханического реле РМН в случае, когда повышенное сверх допустимого значение напряжения контактной сети действует достаточно длительное время. До получения сигнала от канала КОН схема (рис. 305) находится в исходном состоянии транзисторы T9—Т4 закрыты, а транзистор Т5 открыт базовым током по цепи 0 —Т5—Д38—к35 и шунтирует катушку реле РМН. Конденсатор С17 заряжен. В качестве входного сигнала используется падение напряжения на резисторе R67 (см. рис. 304), которое появляется при срабатывании канала КОН. Это напряжение открывает составной транзистор T9—Т4, что приводит к запиранию диода Д38. Конденсатор С17 начнет разряжаться по цепи С17, эмиттер — база Т5 и R59, поддерживая открытое состояние транзистора Т5. Когда напряжение конденсатора С17 сравняется с напряжением смешения, подаваемого на базу Т5 через резистор R57, транзистор Т5 закроется. На катушке РМН появится напряжение и реле сработает. Если же опасное повышение было кратковременным (отрыв токоприемника и др.) и транзисторы T9—Т4 закроются раньше, чем закроется Т5, то схема придет в исходное состояние, т. е. транзистор Т5 останется открытым, ибо на его базу будет подаваться отрицательный потенциал по цепи R55, Д38, а конденсатор С17 вновь зарядится. [c.362]

На рис. 24. 26 показаны схемы и временные диаграммы ждущих мультивибраторов на лампах (а) и транзисторах (б). Нормально транзистор Гг открыт, а закрыт, так как падение напряжения на сопротивлении от тока триода Т% создает на базе Тх положительный запирающий потенциал (сопротивление приблизительно 1—5 ком). При подаче на базу Т% положительного запускающего импульса этот триод закрывается, а триод Т открывается. Это состояние длится некоторое время, определяемое главным образом постоянной времени цепи г С, после чего схема возвращается в исходное состояние. Ламповая схема работает аналогично. [c.762]

На уровне ламповой техники и даже второго поколения (транзисторных схем) такое массовое использование автоматики было бы неосуществимо. Действительно, среднее время наработки на отказ (т. е. время непрерывной работы до момента выхода из строя) у лампового усилителя постоянного тока составляло несколько сот часов. Даже несколько десятков усилителей в системе сделало бы ее неработоспособной. По мере развития транзисторной техники появились сравнительно небольшие и достаточно надежные схемы второго поколения, способные безотказно работать в течение десятков тысяч часов. Однако такие характеристики, как собственный шум, температурная нестабильность параметров, малое по сравнению с лампами усиление на один транзистор не позволяли этим схемам вытеснить ламповые во всех измерительных системах и автоматике. [c.8]

Схемы измерительного элемента на стабилитроне (см. рис. 5,а и 6,а) не могут одновременно выполнять функции управляющего элемента, так как стабилитроны по достижении входного напряжения 1/ном отпираются и начинают проводить ток, в то время как для регулирования напряжения генератора нужно иметь максимальный ток в обмотке возбуждения при напряжении генератора ниже номинального и уменьшать ток по достижении номинального значения напряжения. Поэтому управляющим элементом в электронных регуляторах обычно служит транзистор. [c.16]

В это время напряжение на вторичной обмотке трансформатора Тр2 растет и по достижении 26—35 В в зависимости от степени заря-женности аккумуляторной батареи, что соответствует 250—300 об/мин коленчатого вала дизеля, усилитель на транзисторах Т7, Т8 срабатывает, тиристор ВУЗ открывается и включает реле РУ9. Реле РУ9 своим размыкающим контактом разрывает цепь питания катушки контактора КМН, схема пуска дизеля разбирается. [c.241]

Эмпирический метод анализа схем, основанный на использовании статистических способов решения уравнения регрессии, описывающего выходные флуктуации как функции изменений входных сигналов и параметров, позволяет определить рабочие характеристики схемы, если известны характеристики ее элементов. При этом могут также учитываться время нарастания и спада сигнала в транзисторе, распределенная емкость, шум и другие переходные эффекты, поддающиеся измерению. Ограничивающее уело- [c.41]

Основным объектом анализа является исследование нагрузок, которым подвергаются элементы схемы во время работы. Уравнения изменений нагрузок, выраженные через параметры элементов и решения матриц, вводятся в вычислительную машину и решаются ею. Максимальные значения каждой нагрузки (запоминаемые машиной и выводимые на печать после завершения программы вычислений, а также в каждом случае отказа в процессе анализа) анализируются после выполнения программы, чтобы определить, не будут ли перегружаться элементы во время работы при изменении различных параметров. Например, перегрузка транзистора может быть определена при анализе мощности рассеяния на его коллекторе (фиг. 1.17) [c.47]

Узел защиты от протекания тока в катушке зажигания при замкнутых контактах 5 и неработающем двигателе выполнен с использованием усилителя А1.1, являющегося интегратором. Если в состоянии покоя с датчика Холла поступает импульс, то в точке б импульс отсутствует, и конденсатор С4 узла защиты начинает заряжаться внутренними паразитными токами схемы, что достигается специальным включением схемы усилителя. Через 2—5 с на выходе усилителя формируется напряжение, которое, поступая через резистор Я25 на вход транзистора УТ2, приводит к его открытию и, как следствие, к выключению выходного каскада, который обесточивает первичную цепь катушки зажигания. Время заряда конденсатора С4 выбирается таким большим, что при минимальной частоте двигателя напряжение на выходе интегратора не превышает 0,15 В за время отсутствия сигнала в точке б, что не влияет на работу логической схемы. Когда же появляется нарастающий фронт нового импульса б, конденсатор начинает разряжаться по цепи резисторы НО—ЯП — диод У02. Параметры цепи разряда подбираются так, что конденсатор С4 разряжается очень быстро. [c.110]

Если на выходе интегратора напряжение меньше опорного, то на выходе компаратора напряжение отсутствует (логический 0). Сигнал с компаратора Л13 подается на выходной каскад /V схемы совпадения Я1, управляющей работой выходного транзистора УТ. При переходе компаратора Л1.3 из состояния логической 1 в состояние логического О схе.ма совпадения открывает выходной транзистор УТ и в первичной обмотке 1 катушки зажигания Т (27.3705) появляется ток /5. При поступлении на вход схемы совпадения И сигнала логической / с выхода компаратора Л 1.3 транзистор УТ закрывается и ток х исчезает, а во вторичной обмотке 2 катушки зажигания возникает высокое напряжение. Нормирование времени протекания тока - в первичной обмотке катушки зажигания осуществляется задержкой включения выходного транзистора УТ относительно управляемого сигнала датчика. Величина задержки зависит от разности между максимальным напряжением на конденсаторе С1 и опорным напряжением 0112- Чем выше частота вращения коленчатого вала двигателя, тем меньше напряжение на конденсаторе С и, следовательно, время накопления энергии при этом будет уменьшаться. [c.142]

Регулятор напряжения проверяют и регулируют по схеме, приведенной на рис. 50,0 в такой последовательности. Вариатором стенда устанавливают требуемую частоту вращения якоря генератора, а реостатом — ток нагрузки. Ток и частота вращения якоря должны соответствовать данным табл. 20. Вольтметром РУ контролируют напряжение на зажимах В п М реле-регулятора К1. При правильной регулировке напряжение должно соответствовать данным табл. 20. При необходимости напряжение регулируют путем изменения натяжения пружины якоря регулятора (рис. 50,6). Во время регулировки не допускается случайное прикосновение токопроводящего инструмента на корпус во избежание короткого замыкания, что может вывести из строя транзистор. [c.87]

Нерегулируемый инвертор выполнен по схеме полумостового автогенератора на транзисторах VT5, VT6, конденсаторах С18, С19 с насыщающимся дросселем L3 в цепи обратной связи. Элементы в базовых цепях VT5 и VT6 предназначены, как и у транзистора VT2, для уменьшения времени коммутации. Диоды VD23, VD24 предназначены для обеспечения коэффициента форсирования после замыкания транзисторов, равного /, что уменьшает время их последующего размыкания. [c.305]

Первое поколение — ламповые схемы, второе — на дискретных, отдельных транзисторах и других компонентах и, наконец, третье — поколение интегральных схем малой степени интеграции (20—30 компонент в схеме), которые в свою очередь уже вытесняются большими интегральными схемами (БИСами, имеющими в настоящее время до нескольких тысяч компонент в схеме) и схемами со средней степенью интеграции (100—200 компонент). [c.78]

Для подачи импульсов тока в силовой магнит используется простая, но остроумная цепь, схема которой приведена на рис. В.5. Когда нижний маятник колеблется, магнитное поле в притягивающем магните создает напряжение в обмотке, входящей в состав цепи, скрытой в подставке. Это напряжение приложено к транзистору, который начинает проводить, когда индуцированное движением напряжение достигает критического значения. За время проводящ фазы ток из батареи напряжением 9 В течет по второй обмотке магнита, создавая действующий на маятник импульсный вращательный момент. В большинстве случаев колебания первичного маятника почти периодические, тогда как вторичный маятник совершает хаотические колебания. Профессор Алан Вулф из Куперовско-го объединения, Нью-Йорк, и его коллеги проанализировали действие этой игрушки и показали, что движение вторичного маятника действительно хаотично (к сожалению, их работа не была опубликована к тому времени, когда была написана эта книга). [c.294]

В период действия первой выдержки времени параллельные время-задающие цепи второй выдержки времени Р7, С6 и третьей Я6, С5 будут заблокированы и участвовать в работе не будут. Произойдет это следующим образом. До момента включения тиристор ВУ1 обладает очень большим сопротивлением, поэтому полный плюс источника питания через обмотку реле Р1, фильтр на резисторах R14 и RI7 и емкости си поступает на анод диода Д// и открывает его. Падение напряжения на этом диоде примерно 0,7—1,0 В прикладывается к нижним по схеме обкладкам конденсаторов С5 и С6 с одной стороны и через диоды Д6, Д8 с другой стороны. Конденсаторы находятся в разреженном состоянии, поскольку потенциалы их обкладок примерно одинаковы. Релейный усилитель собран на транзисторах разного типа проводимостей с положительной обратной связью. В исходном состоянии и в момент отсчета выдержек времени при запертом диоде Д7 транзисторы заперты и тока не потребляют. По окончании выдержки времени через переход эмиттер-база транзистора Т2 и диод Д7 начинает идти ток управления, вызывающий открытие транзистора Т2. Открытие транзистора Т2 ведет к увеличению тока коллектора, а следовательно, и управляющего тока базы транзистора ТЗ. Транзистор ТЗ начинает открываться, 4ипряжение на его коллекторе падает и это падение напряжения через цепочку положительной обратной связи С10, R15, ДП, С7, Д7 прикладывается к базе транзистора Т2, что вызывает дальнейший рост управляющего тока транзистора. Процесс переключения нарастает лавинообразно и происходит в течение нескольких микросекунд. Резистор Rl6 коллекторной нагрузки транзистора ТЗ служит также для ограничения тока управления тиристора ВУ1. [c.240]

Применение триггеров связано с потреблением значительной мощности. Это обстоятельство привело к созданию памяти другого типа — динамической, и хотя статическая КМОП-память потребляет небольшую мощность, динамическая память щироко применяется, в частности, в малых компьютерах. В динамической памяти уровни логических состояний хранятся в виде электрических зарядов в емкостях, сконструированных подобно затворам МОП-транзисторов. Хотя сопротивление между выводами конденсаторов велико, утечки в цепях схемы ограничивают время хранения информации несколькими миллисекундами. Это означает, что конденсатор, хранящий 1, должен перезаряжаться примерно каждую миллисекунду. Это не очень сложно. Современные динамические ЗУПВ имеют схемы регенерации зарядов, изготавливаемые на том же кристалле, что и память, а контроль регенерации осуществляется специальными схемами или в некоторых случаях самим мик- [c.29]

Схема инвертора выполняется на основе модели инвертора (п. 5.3, рис. 5.3, а) заменой ключей 81 и 82 транзисторами УТ1ц УТ2, на азы которых (рис. 5.12) поступает сигнал от обмоток обратной связи. Точками отмечены отводы обмоток, имеющие один и тот же знак потенциала. В наиболее широко применяемой модификации рассматриваемой схемы обмотки обратной связи соединяются последовательно, от делителя входного напряжения Н1 —Я2 подается напряжение начального смещения с полярностью, необходимой для замыкания транзисторов. Конденсатор С во время включения инвертора позволяет получить повышенное значение напряжения на резисторе Я1 [по сравнению с установившимся значением и НП Н1 + что обеспечивает более надежный запуск, благодаря возрастанию базовых токов транзисторов. [c.202]

В настоящее время разработан и внедряется генератор со штепсельным разъемом тина ГКШ. Генератор ГКШ (рис. 58) имеет задающий каскад на транзисторе Т1, который через согласующий трансформатор Тр1 связан с усилительным каскадом на транзисторах Т2 и ТЗ, мультивибратор на транзисторах Т4, Т5 и управляющий транзистор Тб. Мультивибратор вырабатывает частотные кодовые сигналы для передачи информации о неисправности объектов контроля. Он может включаться по симметричной пли несимметричной схеме. При симметричной схеме вырабатываются имп>льсы и интервалы одинаковой длительности, а при несимметричной — различной длительности [c.112]

В настоящее время основным типом транзистора для высокочастотного усиления мощности является биполярный кремниевый многоэмиттерный транзистор со структурой п-р-п. Его эмиттер разделен на отдельные полоски или квадратики, размеры которых измеряются микрометрами, а- число—сотнями, поэтому по сложности изготовления они- подобны большим интегральным схемам. Уже созданы транзисторы, отдающие мощность до 250 Вт на частоте,30 МГц, 100 Вт — на 500 МГц,- 50 Вт — на 1000 МГц, причем КПД 60 % сохраняется до 1000 МГц. Дальнейшего большого роста мощности единичного транзистора ожидать трудно, так как при этом падает надежность прибора. По существу он представляет собой параллельное соединение десятков илн сотен микроскопических транзисторов на одном кристалле, поэтому пробой одного элементарного транзистора выводит из строя весь прибор. [c.124]

Кроме трех типов кристаллических полосовых фильтров, схемы которых показаны на рис. 5.58, в настоящее время донольно часто используются их эквиваленты с дифференциальным трансформатором (рис. 5.61). Полосовые фильтры, вьшолиенные по такой схеме, позволяют понизить тре-бонания, предъявляемые к используемым в них пьезоэлектрическим резонаторам, и легче достичь требуемой симметрии. В последнее нремя появились фильтры (см. работу [154]), в которых дифференциальный трансформатор заменен активной схемой на транзисторах, например, операционным усилителем (рис. 5.62). Эти схемы называют иногда активными фильтрами с пьезоэлектрическими резонаторами, хотя принцип их работы отличен от принципа работы других активных фильтров. [c.236]

Весьма заманчивые перспективы сулит твердотельной электронике и недавнее открытие полупроводниковых и металлических полимеров. В настоящее время химики научились делать полупроводниковые полимеры с различной шириной запрещенной зоны. Это создало предпосылки для развития дешевых технологий производства разнообразных, прежде всего, оптоэлектронных приборов. Сегодня на основе полимерных полупроводников создаются светодиоды, перекрывающие диапазон излучения от ИК- до УФ-области спектра полноцветные гибкие светоизлучающие дисплеи фотодетекторы, солнечные батареи и полевые транзисторы с параметрами на уровне соответствующих аналогов на основе аморфного гидрированного кремния. С умеренным оптимизмом оцениваются перспективы создания на основе металлических и полупроводниковых полимеров интегральных схем. Все это стимулирует расширение фронта работ по синтезу и исследованию свойств этих многообещающих материалов. [c.114]

В принципе, наводка может воздействовать на схему рассматриваемого генератора, когда им пульсы с блокинг-генератора прекращаются, т. е. во время быстрой зарядки конденсатора Св. Однако время зарядки Св существенно меньше периода следования выходных импульсов с устройства (большая скважность), поэтому вероятность воздействия помехи здесь очень мала и будет выражаться в незначительном мгновенном изменении периода следования. Но и в этом случае вероятность воздействия помехи можно еще более уменьшить за счет перевода транзистора блокинг-генератора из линейного в насыщенный режим. В схеме МТ-1ГТИ это осуществляется следующим образом. [c.78]

Измерения параметров проводились при напряжении на коллекторе транзистора 7 — — 5 В и при токе эмиттера /д = 1 мА. Контроль осуществлялся измерителем параметров маломощных транзисторов Л2-2 по схеме с общим эмиттером. Время испытаии составляло 60—140 ч. Контроль параметров осуществлялся через-8-12 ч. [c.138]

В последнее время реле-регулятор РР362 подвергся модернизации (рис. 79). Регулятор напряжения PH имеет две пары контактов— нормально разомкнутую РНх и нормально замкнутую РЯг — и по устройству напоминает двухступенчатый регулятор. Реле защиты вместо трех имеет только одну обмотку РЗо, которая через нормально замкнутую пару контактов регулятора напряжения РЯг присоединена к выводу ВЗ. Другой конец обмотки РЗо присоединен к коллектору транзистора Т. В схему реле-регулятора введен резистор обратной связи Рк, который включен между точкой соединения нормально замкнутых контактов регулятора напряжения РЯг с обмоткой реле защиты РЗо и точкой соединения обмотки регулятора напряжения РНо с резистором термокомпенсации Ртв-Второй конец резистора >Ртк присоединен на массу. [c.155]

Электронные коммутаторы. В настоящее время различия в конструкциях коммутаторов зажигания определяются технологией их изготовления. Коммутаторы первого поколения и частично второго выпускаются по технолот ии, предусматривающей установку активных и пассивных компонентов электрической схемы на печатную плату. Мощные выходные элементы транзистора К ГМ48А устанавливают либо непосредственно на корпус коммутатора, выполняющего функцию теплоотводящего радиатора, либо на промежуточный радиатор, установленный на печатной плате, и присоединены к корпусу коммутатора при окончательной сборке коммутатора. Серьезной проблемой является электрическая изоляция корпуса транзистора (его коллектора) от корпуса коммутатора. Применяемая изоляция с помощью слюдяной прокладки ненадежна. Перспективной является использование керамических или полимерных изоляторов. Одной из проблем, требующей решения, является защита элементов печатной платы от проникновения влаги через резиновые уплотнители крышки корпуса. [c.259]

Импульс напряжения положительной полярности от системы зажигания через диод VD и резисторы R, R% заряжает конденсатор С2. При прохождении тока заряда через переход база — эмиттер транзистора 1/73 он открывается на короткое время. При этом полностью разряжается конденсатор С5. Вследствие этого включается в работу схема преобразования частоты следования импульсов (частоты вращения вала двигателя) в напряжение. Схема содержит транзистор УТЗ, конденсатор С5 и резисторы R8, R9. После того как транзистор УТЗ закроется, конденсатор С5 заряжается через резисторы R8, R9. Напряжение на конденсаторе тем больше, чем больше пауза между импульсами системы зажигания, так как при следующем импульсе транзистор УТЗ вновь откроется и конденсатор С5 разрядится. Следовательно, напря-246 [c.246]

Сопоставим по экономичности наиболее распространенные модели биполярного транзистора ЫЕТ-, ПАЭС и ПАЭС-1. Характерные показатели экономичности Птр, Му, тр для ЭТИХ моделей соответственно равны 24 и 46, 18 и 32, 28 и 62, где Птр — количество электрических параметров модели, Му,ч — количество операций типа умножения при однократном вычислении производных Ыэ и к по времени без учета операций, затрачиваемых на вычисление Сб.э и Сб.к. Последнее связано с тем, что в системах команд не всех ЦВМ имеется команда извлечения квадратного корня, что при типичном значении Иэ=0,5 делает оценку Уу.тр зависящей от типа ЦВМ. С другой стороны, во всех названных моделях затраты на подсчет Сб.э и Сб.к примерно одинаковы. В оценку Птр не включены температурные коэффициенты параметров. Из приведенных данных видно, что модель транзистора программы ПАЭС является наиболее экономичной как по затратам машинных времени и памяти, так и по трудоемкости измерений параметров модели. В то же время модель ПАЭС обеспечивает точность машинного анализа, соизмеримую с точностью экспериментального анализа переключательных электронных схем. [c.64]

Современной тенденцией является применение микропроцессорной системы управления. В электроприводе подачи вся информация по положению, скорости и току обрабатывается в быстродействующем процессоре, что обеспечивает высокую точность обработки на станке (до 0,1 мкм) и минимальные параметры шероховатости обработанной поверхности. В электроприводе главного движения микропроцессорный регулятор реализует нелинейное управление, обеспечивая оптимальные характеристики разгона и торможения. В конструкции преобразователей используются силовые транзисторные модули и транзисторные сборки. Транзисторы обладают высокой запирающей способностью, выполнены по схеме Дарлиггона. Обратный диод, встроенный в модуль, имеет сверхвысокое быстродействие (время спада коллекторного тока 3 мкс). На базе указанных модулей возможно создание инверторов с переключающей часготой 20 кГц. [c.242]

Задачи анализа цифровых схем связаны с исследованием схем невысокой степени сложности (до 100 транзисторов)—цифровых микросхем малой степени интеграции, фраг.ментов БИС и др., и сложных схем БИС с учето.м распределенных параметров электрических цепей, связывающих фрагменты БИС между собой. Основным методом анализа в первом случае является численное решение системы (6.12) на заданном интервале времени при заданном наборе входных импульсов или уровней напряжения. Обычно используются неявные методы интегрирования невысокого порядка точности с переменным шагом. В ходе интегрирования рассчитываются выходные статические и дина.мические параметры — функционалы, характеризующие цифровые схемы уровни логической 1 и О , времена задержек и длительности фронтов выходных сигналов и т. п. Во втором случае необходима разработка специальных быстродействующих алгоритмов анализа БИС. [c.146]

Смотреть страницы где упоминается термин Схема время» (В) на транзисторах : [c.342] [c.145] [c.145] [c.41] [c.119] [c.35] [c.81] [c.280] [c.5] [c.123] [c.32] [c.126] [c.68] [c.44] [c.47] [c.103] [c.111] [c.219] [c.101] [c.248]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...