Транзистор г- диффузионный —

Транзистор диффузионно-сплавной — транзистор, изготовленный путем введения примесей с помощью процессов диффузии и сплавления относится по принципу действия к дрейфовым транзисторам [9]. [c.157]

Транзистор дрейфовый — транзистор, в котором перенос неосновных носителей зарядов через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа к дрейфовым транзисторам относят некоторые типы выращенных транзисторов и диффузионно-сплавные транзисторы [4]. [c.157]

Транзистор планарный — технологическая разновидность кремниевых диффузионных транзисторов, отличающаяся тем, что все области транзистора выходят на одну сторону пластины, т. е. на одну плоскость это позволяет получать на одной пластине одновременно ряд близких один к другому по параметрам транзисторов, а затем отделять один от другого посредством распиливания [9]. [c.158]

Транзистор сплавной — транзистор, в котором р—п переходы создаются путем сплавления примесных веществ с материалом исходной пластины полупроводника по принципу действия относится к диффузионным транзисторам граничная частота около 1 МГц [3,4]. [c.159]

Меза-транзистор средней мощности с двойной диффузионной базой Транзистор средней мощности с двойной диффузионной базой [c.289]

Выращенный плоскостной, средней мощности Меза-транзистор с диффузионной базой для сверхскоростной вычислительной техники [c.289]

Диффузионный меза-транзистор в режиме ненасыщенного ключа [c.289]

Сплавной диффузионный транзистор в режиме ненасыщенного ключа То же [c.289]

Эти опыты показали, что низкочастотные транзисторы могут работать после облучения интегральным потоком быстрых нейтронов 10 — 10 нейтрон см , если допустимо некоторое изменение параметров схемы. Нужно учесть, что для испытания были выбраны такие материалы и конструкции транзисторов, которые обеспечивают высокую радиационную-стойкость этих транзисторов, например германий с диффузионной базой, обеспечивающий высокое значение предельной частоты передачи тока. [c.290]

Воздействие лазерного луча на другие элементы МОП-схем показало, что с помощью лазерного зонда можно определять границы переходов и тем самым находить величину бокового пробега диффузионных областей, изменять сопротивление транзисторов, обнаруживать такую неисправность транзистора, как плохой контакт металлизации с о-областями, выявлять места загрязнения поверхности. [c.227]

Если рассматривать р — п — р-транзистор, через эмиттерный переход Я1 слева направо имеет место диффузия основных носителей — дырок. Справа налево проходит через тот же переход диффузионный ток основных носителей базы — электронов. Одновременно неосновные носители (дырки в п-слое и электроны в р-слое), ускоряемые возникшим электрическим полем р — п-перехода, создают так называемые дрейфовые токи дырочный, проходящий из слоя п в слой р, и электронный — из слоя р в слой п. Направления дрейфовых токов соответственно противоположны направлениям токов диффузионных. При отсутствии внешнего поля, т. е. внешнего источника напряжения, диффузионные и дрейфовые составляющие токов каждого вида носителей равны между собой и результирующий ток через переход П равен нулю. [c.61]

Том I, Б посвящен использованию волн большой амплитуды в жидкостях и твердых телах, а также целому ряду новых полупроводниковых устройств, которые получают широкое применение для измерения давлений, сил и деформаций. Высокочувствительные устройства для измерения давления, использующие транзисторы, позволяют превращать звуковые колебания в воздухе в электрические колебания в цепи и, следовательно, действуют как микрофоны. Они обладают большей чувствительностью, чем угольные микрофоны, и большей эффективностью преобразования постоянного напряжения на входе в переменное электрическое напряжение на выходе. Полупроводниковые преобразователи с запирающим, диффузионным и эпитаксиальным слоями позволяют создать сверхвысокочастотные устройства, способные генерировать сдвиговые и продольные волны в диапазоне тысяч мегагерц. Они применяются для прикладных целей и для фундаментального исследования очень быстрых движений в жидкостях и твердых телах. В заключительной главе рассматриваются новые способы получения больших деформаций в твердых образцах. [c.10]

DEF А S Диффузионная площадь истока МОП транзистора. По умолчанию = 0,0 [c.252]

Диффузионная площадь стока МОП-транзистора [c.62]

В некоторых работах [27, 30, 35, 58] предложены формулы для оценки радиационных нарушений в транзисторах с диффузионным переходом, в частности для получения зависимости усиления по току от изменений удельной электропроводности и времени жизни носителей. Для обычных конструкций транзисторов зависимость коэффициента усиления по току а от интегрального потока быстрых нейтронов Ф (Е > i кэв) сформулирована Эсли [27] в виде [c.284]

Германиевые транзисторы с диффузионной базой, характеризующиеся очень высоким значением предельной частоты передачи тока, обладают почти минимальной среди транзисторов с неосновными носителями чувствительностью к нейтронному облучению [13, 31]. Измерения электрических характеристик устройств в процессе облучения показали, что работа цепи возможна при интегральных потоках быстрых нейтронов больше 10 нейтрон 1см . Блер и др. [13] указывали, что при таких нейтронных потоках максимально допустимое время облучения для любой цепи будет зависеть от назначения транзистора. С этой целью было иссле- [c.288]

Инжекция неосновных носителей происходит при подаче прямого смещення на р — п-переход, гетеропереход или контакт металл — полупроводник вследствие уменьшения разности потенциалов на контакте. Инжектированные неосновные носители проникают в полупроводник на глубину, определяемую рекомбинацией она по порядку величины совпадает с диффузионной длиной в слабых внеш. нолях и с дрейфовой длиной (см. Дрейф носителей заряда) в сильных полях. Инжекция неосновных носителей лежит в основе действия полупроводникового диода, транзистора и др, полупроводниковых приборов. Изучение стационарных и переходных процессов И. н. з. позволяет исследовать подвижности носителей, а также определить концентрации, энергетич. положения и сечения захвата примесных центров в высокоомных полупроводниках и диэлектриках. Прохождение инжекционных токов является одним из механизмов переноса заряда в тонких диэлектрич. плёнках. [c.148]

В ЭП ПЗУ информация записывается на этапе изготовления П. у. (наличие или отсутствие ряда проводников схемы, или иеремычек). В ЭП на рис. 3, а перемычкой является цепь истока полевого транзистора. ЭП ПЗУ может также строиться на основе наличия или отсутствия диффузионных областей стока или истока (см. Прибор с зарядовой связью). Современные ПЗУ ёмкостью 1 Мбит состоят из ЭП площадью 30 мкм и с временем переключения 80 - 130 нс. [c.525]

Полупроводники. Индий — существенная составная часть германиевого транзистора, в котором он действует как присадка и как средство для прикрепления свинцовой проволоки к германиевому кристаллу 16 . В настоящее время в различных областях техники применяются германиевые транзисторы и выпрямители нескольких типов, в том числе с точечным контактом, с поверхностным барьером и с диффузионным сплавленным переходом. Для последнего типа германиевого транзистора, где используется примесный диффузионный р — п — р-переход, требуется значительно больший расход индия. Действие транзистора основано на р — -переходе, который осуществляется, когда происходит превращение германия /j-типа в германий п-типа в твердом состоянии. Германш п-типа образуется при введении в германий высокой степени чистоты специальных примесей, например сурьмы или мышьяка. Эти элементы, имеющие пять электронов на своей внешней орбите (германий имеет четыре электрона), дают избыточные электроны в решетку кристаллического германия. При введении в германий в качестве примеси индия образуется германий р-типа. Поскольку индий имеет на своей внешней орбите три электрона, а терма-ний — четыре, в кристаллической решетке германия наблюдается недостаток электронов, и недостающие электроны известны как дырки. Под влиянием электрического поля избыточные электроны в германии п-тппа движутся к положительному источнику в германии р-типа электроны могут перескакивать в дырки, и дырки появляются в направлении отрицательной клеммы. [c.239]

При моделировании интегрального п—р—п—р-тран-зистора необходимо учесть его отличия от двухпереходного транзистора, заключающиеся в том, что ширину коллекторной области уже нельзя считать заметно превышающей диффузионную длину дырок в коллекторе ток дырок, инжектированных из базы в коллектор, представляет собой две составляющие, одна из которых есть рекомбинационный ток, а другая — ток переноса дырок от базы к подложке. Очевидно, что анализ процессов в коллекторной области теперь должен быть проведен так же, как это делается для активной зоны базы с той лишь разницей, что распределение примесей в коллекторе обычно можно считать равномерным, поскольку коллекторная область представляет собой эпитаксиальную пленку, выращенную на поверхности подложки. [c.65]

Германий, применяемый в электронике, подразделяется на марки, отличаюн1иеся легирующими примесями, значениями удельного электросопротивления и диффузионной длины неосновных носителей заряда. Из германия производят диоды, транзисторы, фотодиоды и фоторезисторы, датчики Холла, линзы для приборов ИК-тех-ники, рентгеновской спектроскопии, детекторы ионизирующих излучений, термометры сопротивления, эксплуатируемые при температуре жидкого гелия. Рабочий диапазон температур для приборов на основе германия -60- -70 °С, что в 2 раза меньше, чем для кремния. Германиевые приборы нужно защищать от действия влажного воздуха. [c.651]

Релаксационные П. г. Наиболее распространены мультивибраторы и блокинг-генераторы на транзисторах, дающие импульсы напряжения, близкие по форме к прямоугольным. Блокинг-гене-ратор иа транзисторах (рис. 5) имеет особенности, связанные с диффузионным механизмом передачи тока в транзисторах накоплением заряда в базе в области насыщения видом вольтамнерных характеристик р — ге-переходов транзистора. Проводимость р — и-перехода в обратном направлении ограничивает макс. длительность паузы между импульсами и является причиной зависимости периода колебаний [c.118]

Высокочастотные дрейфовые П. т. различаются методами изготовления переходов и невыпрямляющих контактов [диффузионно-сплавные типа П401—П403 и др., микросплавные, меза-транзистор, планарный триод, конверсионный и др.]. Современные высокочастотные триоды имеют от ЮО до 1000 Мгц. [c.126]

Неизвестные функции этой системы — концентрация дырок и электронов р(х, у, z, t) и п х, у, z, t) и напряженность электрического поля Е(х, у, Z, t). Вместо Е может фигурировать электрический потенциал ф(д , у, z, t), так как Е=—gradf. Краевые условия состоят из начальных условий, характеризующих распределение зависимых переменных по объему кристалла в начальный момент времени, и граничных, задающих значения зависимых переменных на границах рассматриваемой полупроводниковой области. Геометрические размеры и конфигурация диффузионных областей и омических контактов транзистора также учитываются граничными условиями. Параметрами этой модели являются основные электрофизические параметры полупроводника. Дифференциальные уравнения в частных производных можно решать методами конечных разностей либо конечных элементов. С помощью физико-топологической модели можно с высокой степенью точности определить основные статические и динамические характеристики транзистора. Модель не учитывает влияния магнитного поля и возможных неоднородностей полупроводникового материала, что несущественно для моделирования реальных транзисторов, так как большее значение имеет точное определение параметров модели. Применение подобных моделей транзистора в задачах анализа электронных схем практически нереализуемо. Они применяются только для идентификации параметров более простых схемных моделей транзистора. [c.132]

Модель программы ПА-1 получается в случае, если область базы представить одной секцией модели Линвилла и пренебречь дрейфовыми составляющими токов перехода. Для статического режима получим распределение токов в базе (рис. 6.2,а). Здесь /э, /б, /к — токи через выводы эмиттера, базы и коллектора. Электроны, инжектируемые эмиттером и коллектором в базу, частично рекомбинируются в ней, образуя рекомбинационные токи, а частично достигают противоположного перехода. Здесь / э, /пк — общий электронный ток соответственно через эмиттерный и коллекторный переходы. Рекомбинация происходит во всей области базы. Параметры и переменные усредняются в пределах секции, поэтому рекомбинационный ток представляется в виде двух сосредоточенных составляющих /рек.э и /рек.к. Ток ПереНОСа /г = / э—/рек.э. Дырочная составляющая эмиттерного диффузионного тока /рэ не создает переноса носителей между эмиттером и коллектором, так как для основных носителей в базе р-типа переходы создают не пропускающий дырки потенциальный барьер. Поэтому ток /рэ полностью входит в ток базы. Сумму рекомбинационного /рек.э и дырочного тока /рэ обозначим /эд. Аналогично, /кд — сумма рекомбинационного /рек.к и дырочного тока /рк коллекторного перехода в зоне базы. Задачу получения математической модели транзистора можно сформулировать следующим образом — необходимо связать токи /г, /эд, /кд с напряжениями (по отношению к базе) на эмит-терном 7эб и коллекторном [/кб переходах. Представив эти токи как зависимые источники, можно от распределения токов в базе перейти к исходному варианту эквивалентной схемы. Дополнив статическую схему емкостями эмиттерного Сэ и коллекторного Ск переходов, сопротивлениями утечки переходов Яуэ, Яук и объемными сопротивлениями тел базы Гб и коллектора Гк, получим полную эквивалентную схему транзистора (рис. 6.4). [c.134]

Инерционные свойства р-п-перехода связаны с тем, что при переходных процессах помимо тока /эд (/кд) через переход должен протекать ток, обеспечивающий изменение заряда неосновных носителей в базе и обусловливаемый членом дn дt в уравнениях непрерывности, и ток, обеспечивающий изменение пространственного заряда ионизированных атомов примесей в области пространственного заряда. Первую составляющую можно отразить с помощью диффузионной емкости Сдиф, вторую — барьерной емкости Сб. Аналитическое решение уравнения непрерывности в одномерном приближении позволяет определить Сд ф, а аналитическое решение уравнения Пуассона — Са- Эти выражения для модели транзистора на рис. 6.4 имеют вид [c.135]

Топологические системы синтезируют топологию кристалла, имея на входе ее эскизное описание. Эскизное описание может быть представлено в виде условной матрицы (сетки) с фиксированными позициями, покрывающей площадь кристалла, причем для каждой позиции указан ее тип. Значениями типа могут быть металл , поликремний , диффузионный контакт и т. п. Возможны и другие формы задания эскиза топологии, более близкие к структурному описанию схем. Так, в КРК TopoIogizeг входное описание включает список фрагментов СБИС с именами входов и выходов списки транзисторов, составляемые для каждого фрагмента, в списках указываются тип, обозначения стока, затвора и истока сведения о ширине слоев, положении контактов и т. п. [c.321]

МОП-транзисторы с У-образной канавкой были разработаны для использования в однотранзисторных схемах памяти [16.28, 16,29]. Для обеспечения зарядки и разрядки накопителя со скрытым диффузионным слоем в ячейке ЗУ используются приборы, имеющие форму перевернутой пирамиды. Типичная структура ячейки представлена на рис. 16.19. Пороговое напряжение этого транзистора должно быть настолько большим, чтобы не допустить разрядки емкости при заземлении поверхностного диффузионного слоя, и в то же время настолько низким, чтобы емкость заряжалась в достаточной степени при положительном смещении поверхностного слоя и затвора. [c.483]

Полупроводниковые приборы с узлами, собранными диффузионной сваркой, лрошли комплексный контроль по техническим требованиям на тот или иной прибор. Новые полупроводниковые приборы показывают улучшение вольт-амперных характеристик на 10—30% по сравнению с серийными приборами. В ПНИЛДСВ была доказана принципиальная возможность получения соединения диффузионной сваркой полупроводниковых кристаллов с металлами и сплавами на площади до 700 мм". Были изготовлены кремниевые транзисторы и диоды, германиевые транзи- [c.237]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...