Биполярные транзисторы моделирование

Библиотеки элементов принципиальных схем 109 Библиотечные поля компонентов 114 Биполярные транзисторы моделирование 234 Битовыеполя [c.678]

Рассмотрим применение этого принципа при моделировании схем на биполярных транзисторах и диодах. На рис. 12, а, б показаны СЭСК, транзистора и диода, соответствующие моделям ПАЭС этих компонентов. Емкости этих схем суть емкости р— -переходов, и их компонентные уравнения вместо (3.8 а) — (3.8 6) должны иметь вид (3.1а), (3.16). Величина /акт при этом будет вычисляться в подпрограмме транзистора или диода по уравнениям модели, наравне с вычислением величины С. [c.76]

На ранней стадии развития моделирования характерной его чертой было разделение внутренней области прибора на различные подобласти, исследование которых можно было упростить, сделав различные допущения, такие, как специальный вид профиля распределения примесей, полное обеднение и квазинейтральность. Эти раздельно обрабатываемые области легко соединялись для получения полного решения. Для получения аналитического решения никакой другой подход и неприменим. Численные модели, основанные на уравнениях в частных производных, единым образом описывающих все области полупроводниковых приборов [15.172], впервые были предложены Гуммелем для одномерного биполярного транзистора [15.69]. Этот подход был далее развит и применен в теории р- -перехода [15,39, 15.40] и при изучении лавинно-пролетных диодов [15.132]. [c.390]

Во многих случаях работу и функционирование ПТИЗ можно предсказать исходя из поведения стационарных характеристик. Характерная скорость переключения этих приборов обычно превышает скорость, с которой могут функционировать реальные интегральные схемы на ПТИЗ. Такое быстродействие обусловлено тем, что ПТИЗ является прибором на основных носителях без существенной инжекции неосновных носителей в отличие от биполярных транзисторов, являющихся приборами на неосновных носителях. Быстродействие интегральных схем на биполярных транзисторах определяется временем отклика каждого отдельного прибора. Таким образом, представляется важным нестационарное моделирование биполярных приборов. [c.486]

Возможности нестационарного трехмерного моделирования с помощью программы FIELDAY демонстрируются на примере обратносмешенного р-и-перехода эллипсоидальной формы [16.32]. Структуру, подобную изображенной на рис. 16.23, можно обнаружить в любом из четырех углов биполярного транзистора. По мере уменьшения размеров области эмиттера обратное смещение такой структуры будет играть все более важную роль в работе биполярных приборов. Результаты расчетов приводятся на рис. 16.23. В первом приближении время отклика согласуется с оценкой, полученной на основе классической теории транзисторов. [c.486]

С помощью программы FIELDAY было проведено численное моделирование двумерной структуры биполярного и-р-и-транзистора [16.31]. Измерялось и моделировалось поведение тока коллектора при быстром увеличении напряжения на базе. На рис. 16.22 приводятся рассчитанная и измеренная нестационарные характеристики при изменении напряжения на коллекторе. Наблюдается хорошая корреляция между экспериментальными и расчетными характеристиками. [c.486]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...