Схема «или» на диодах нет» на транзисторах

Схема интегральная (твердая) — микроминиатюрная радиоэлектронная схема, работа которой основана на использовании различных эффектов, имеющих место в твердом теле наиболее широкое распространение в качестве твердого тела для этой цели получили полупроводники на основе германия и кремния в виде пластин, на которых образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов, т. е. диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и катушек индуктивности [9]. [c.154]

Схема регулятора состоит из двух основных узлов управляемого выпрямителя на тиристорах и управляющей схемы на транзисторах. Управляемый выпрямитель выполнен по однофазной мостовой схеме на двух тиристорах Т1 п Т2 типа ТЛ-100-6 и трех неуправляемых полупроводниковых вентилях Д1, Д2, ДЗ типа ВК2-100-6. При этом неуправляемый вентиль ДЗ используется в качестве обратного диода, шунтирующего обмотку возбуждения генератора повышенной частоты. Питание управляемого выпрямителя осуществляется непосредственно от сети переменного тока напряжением 220 Б. [c.218]

Дискретная микроэлектроника — это направление, характеризующееся тем, что построение микроминиатюрных схем производится с помощью дискретных микроэлементов (отдельных резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов). [c.351]

Полупроводниковые, схемы представляют собой монолитные кремниевые структуры, в объеме которых методами полупроводниковой технологии сформированы отдельные элементы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы и т. п.) и соединения между ними, В основу этой технологии положена многократная диффузия примесей в кремниевую пластину, что позволяет за один технологический цикл образовать все элементы и соеди- [c.354]

Селекторы на статических логических элементах могут выполняться на любых элементах логики магнитных, транзисторных, полупроводниковых вентилях, без-накальных тиратронах, но чаще всего в лифтовых схемах применяют транзисторы в сочетании с диодами, конденсаторами и сопротивлениями (см. приложение I). [c.79]

Схема на транзисторах VT2 и УТЗ работает таким образом, что транзисторы могут быть открыты, когда напряжение на базах этих транзисторов больше напряжения на резисторе R8. Напряжение на базе транзистора УТЗ постоянно. Оно задается делителем на резисторах RJO, R12 и реостатом R1I. Напряжение на базе транзистора УТ2 равно разности между напряжением конденсатора С2 и падением напряжения на диоде У04. Когда конденсатор С2 разряжен, транзистор УТ2 закрыт, а транзистор 236 [c.236]

Наличие в схеме диода VD4 позволяет повысить стабильность частот /вкл и /откл за счет исключения паразитного подзаряда конденсатора С2 обратным током перехода эмиттер-база транзистора VT2. [c.238]

В аварийном режиме схема на транзисторе VT2 осуществляет защиту выходного составного транзистора VT4, УТЗ регулятора от перегрузки, В результате замыкания вывода Ш на массу понижается потенциал коллектора транзистора VT5 и, если транзистор в момент замыкания открыт, то он начинает- работать в линейном режиме. При этом конденсатор С2 заряжается, в цепи переход эмиттер — база транзистора VT2 — R9 — С2 появляется ток, транзистор VT2 открывается, следовательно, открывается транзистор УТЗ и запирается составной транзистор УТ4, VTS. После заряда конденсатора, ток в его цепи пропадает, транзисторы VT2, УТЗ закрываются, открывается составной транзистор VT4, УТЗ. Процесс повторяется, а выходной транзистор переходит в автоколебательный режим. Средняя сила тока через транзистор невелика и не может влиять на его отказ. Диод VD3 является в схеме регулятора гасящим диодом. Диод VD4 защищает регулятор от импульсов напряжения обратной полярности. Остальные элементы схемы обеспечивают нужный режим работы полупроводниковых элементов схемы. [c.98]

В аварийном режиме схема на транзисторе УТ2 защищает выходной транзистор УГ4, УТЪ регулятора от перегрузки. Замыкание вывода Ш на массу вызывает понижение потенциала коллектора транзистора УГ5 и, если транзистор в момент замыкания был открыт, рост напряжения на его переходе эмиттер — коллектор с переходом транзистора в линейный режим. При этом конденсатор С2 заряжается, в цепи переход эмиттер — база транзистора УТ2 — резистор R9 — конденсатор С2 появляется ток, транзистор УТ2 открывается, следовательно, открывается транзистор УТЗ и запирается транзистор УТА, УТЪ. После заряда конденсатора ток в его цепи пропадает, транзисторы УТ2 и УТЗ закрываются, открывается транзистор УТА, УТЪ. Конденсатор С2, быстро разрядившись через резистор i ll, диод У02 и переход эмиттер — коллектор транзистора УТЪ, вновь начинает заряжаться через базовую цепь транзистора УТ2, который при этом открывается. Процесс повторяется, а выходной транзистор переходит в автоколебательный режим. При этом средняя сила тока, проходящего через транзистор, невелика и не может вывести его из строя. Диод УОЗ является в схеме регулятора гасящим диодом. Диод VDA защищает регулятор от импульсов напряжения обратной полярности. Остальные элементы схемы обеспечивают нужный режим работы полупроводниковых элементов схемы. [c.38]

Основные неисправности бесконтактных реле-регуляторов связаны с выходом из строя таких элементов электрической схемы, как транзисторы, диоды, стабилитроны, резисторы и др. Эти элементы не подлежат восстановлению, поэтому ремонт реле-регуляторов сводится к определению и замене негодных элементов схемы новыми. [c.94]

Условные изображения на электрических схемах диода и транзистора приведены на рис. 82, а, б. [c.104]

В цепь возбуждения генератора включены транзистор, запирающий диод Лз и гасящий диод Д,. Транзистор является усилителем и служит для управления током возбуждения генератора совместно с регулятором напряжения. Установленный в схеме диод Др разрывает цепь контактов PH и Р3 диод замыкает ток самоиндукции в обмотках реле диод не пропускает ток самоиндукции в цепь. [c.251]

Минус Ын подается на базу ГУ, а плюс через диод Д39, систему контактов реле и один из резисторов Я34—ЯЗб (например, Я34) — на коллектор Г2. Транзисторы Т1 и Т2 соединены по схеме составного транзистора и могут рассматриваться как один транзистор с увеличенным коэффициентом усиления. На резисторы Я34—Я36 [c.360]

В таких схемах, помимо транзисторов, применяются четырехслойные диоды, к-рые в ключевом режиме работают подобно тиратронам. [c.118]

Типы диодов, транзисторов и тиристоров, номиналы и мощность рассеивания резисторов, номиналы и рабочие напряжения конденсаторов указаны в схемах. Резисторы Нз и Ri типа МОН, остальные [c.30]

Рис. 17. Логический элемент типа ИЛИ а — схематическое обозначение б — релейно-контактная схема в —схема на диодах г — схема на транзисторах

Силовой каскад состоит из регулирующего элемента УТ5, VT6, выполненного по схеме составного транзистора с дополнительной симметрией и VD—L -фильтра (коммутирующий диод VD3, дроссель L, конденсатор С4). [c.298]

ИС (интегральная схема (микросхема)) — устройство, состоящее из компонентов, таких как резисторы, диоды, транзисторы, расположенных на одном кристалле полупроводникового материала. [c.384]

В режиме АС сначала рассчитывается режим схемы по постоянному току, затем линеаризуются все нелинейные компоненты (пассивные компоненты с нелинейными параметрами, диоды, транзисторы, нелинейные управляемые источники) и выполняется расчет комплексных амплитуд узловых потенциалов и токов ветвей. При линеаризации цис )ровые компоненты заменяются их [c.143]

Она определяется на основании законов Кирхгофа и математических моделей элементов схемы (резисторов, конденсаторов, катущек индуктивности, диодов, транзисторов и др.). [c.159]

В настоящее время кремний является основным материалом для изготовления полупроводниковых приборов диодов, транзисторов, фотоэлементов, тензопреобразователен и твердых схем микроэлектроники. При использовании кремния верхний предел рабочей температуры приборов может составлять в зависимости от степени очистки материала 120—200 С, что значительно выше, чем для [c.257]

Использование компаундов позволило изготовлять бескорпус-ные дискретные приборы, масса и габариты которых мало отличаются от массы и габаритов их активных структур. Такие приборы представляют собой кристаллы с активными структурами диодов, транзисторов и др., защищенные тонким слоем специального полимерного компаунда. Размеры приборов, как и самих кристалликов, не превышают нескольких долей миллиметра, что позволяет использовать их в качестве активных элементов гибридных интегральных схем (ГИС). [c.94]

Ответ. Рядом стандартов ЕСКД определены традиционные" УГО дискретных элементов (резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов и др.) для электрических схем (черт. 100), эти УГО могут применяться и на схемах изделий вычислительной техники. [c.295]

За объективный показатель оценки степени сложности схем управления принято число элементов в структуре схемы независимо от объединения их в блоки, а в качестве учетного элемента принят любой входящий в схему элемент, требующий присоединения к схеме или к другому блоку. Так, например, однообмоточное этажное реле с пятью парами задействованных контактов принимают за шесть элементов, а при двух обмотках— за семь диоды, транзисторы, лампы считают как один элемент. [c.4]

Импульс напряжения положительной полярности от системы зажигания через диод VD и резисторы R, R% заряжает конденсатор С2. При прохождении тока заряда через переход база — эмиттер транзистора 1/73 он открывается на короткое время. При этом полностью разряжается конденсатор С5. Вследствие этого включается в работу схема преобразования частоты следования импульсов (частоты вращения вала двигателя) в напряжение. Схема содержит транзистор УТЗ, конденсатор С5 и резисторы R8, R9. После того как транзистор УТЗ закроется, конденсатор С5 заряжается через резисторы R8, R9. Напряжение на конденсаторе тем больше, чем больше пауза между импульсами системы зажигания, так как при следующем импульсе транзистор УТЗ вновь откроется и конденсатор С5 разрядится. Следовательно, напря-246 [c.246]

Элемент Т404 — выходной усилитель (см. Э16 на рис. 311,а). Содержит один четырехкаскадный усилитель. Транзисторы Т1 н Т2 двух первых каскадов включены по схеме с общим эмиттером, а вторых ТЗ и Т4) — по схеме составного транзистора. Диод Д1 также включается встречно-параллельно индуктивной нагрузке и при необходимости усиливается (диод Д26). [c.370]

Эта операция используется для обращения в библиотеку с целью вывода на экран стандартных элементов (диодов, транзисторов, конденсаторов и т. п.). Всякий сконструированный сператором элемент может быть занесен в библиотеку для использования в дальнейшем Операция, предназначенная для хранения и работы с ранее спроектированными схемами [c.183]

Многие дополнительные эффекты можно учесть путем добавления внешних по отношению к исходной модели схемных элементов. Например, при разработке БИС на сверхбыстродействующих, малосигнальных элементах эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) предъявляются повышенные требования к точности моделирования статических характеристик логических цепей каскадно включенных элементов. Эти требования учитываются с помощью модели транзистора (рис. 6.8). Модель транзистора программы ПА-1 без учета Гб и Гк обозначена Гь Достоинство модели состоит в том, что она включает стандартные элементы электронных схем (диоды, резисторы) и не требует непосредственной модификации модели ПА-1. Диод Оэ позволяет учесть зависимость коэффициента В от тока эмиттера /э, а диод Оп и источник тока / —влияние подложки. Параметры дополнительных элементов схемы определяются из условия наилучшего совпадения с соответствующими экспериментальными зависимостями. [c.137]

Остановимся на назначении некоторых элeмeнfoв схемы. Диоды У5, У9, VII, У15 устраняют выбросы напряжения, возникающие в обмотках дистанционных переключателей и реле при их отключении, тем самым предохраняя контакты коммутирующих элементов от обгораиия, а транзисторы от пробоя. Диоды VI, У2, У12, У16 предотвращают попадание плюса питания к элементам сторожа, минуя переключатмь 82, что нарушало бы нормальную работу схемы. [c.78]

Первичный источник — сеть переменного тока 220 В. 400 Гц. Напряжение первичного источника через помех о-подавляющий фильтр (конденсаторы I.,. 3) подается на первичную обмогку трансформатора, соединенных параллельно (вывода 5, 6 7 S 9, I0 I, 2) выпрямляется по мостовой схеме (диоды Д1...Д4), фильтруется П-образ1шм фильтром (конденсаторы С4 С5, дроссель Др ) и подается на вход компенсационного стабилизатора напряжения с непрерывным регулированием (транзисторы Т1..Л 5, резисторы RI..,R6, стабилитрон Д5, конденсаторы Сб, С7), Стабилизированным напряжением 24 В питается преобразователь напряжения мостового типа (транзисторы Тб.,,T9, резисторы R7..,R15, конденсаторы С8,,.СИу трансформаторы Тр2 ТрЗ). Переменное напряжение прямоугольной формы частотой 2 кГц преобразователя подается на первичную обмотку выход-нот высоковольтного трансформатора ТрЗ (выводы /. 2). [c.179]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...