Шоттки транзистор

Рис. 3.7. Поперечное сечение 4-фазной Пзс-структуры на основе барьеров Шоттки с выходной регистрирующей схемой на полевых транзисторах.

В настоящей книге автор частично использует материал, содержавшийся в ранее изданных работах, но в то же время вводит много нового из статей, опубликованных им совместно с сотрудниками и учениками. Несмотря на относительно небольшой объем, книга содержит много ценных сведений об источниках шума в таких современных приборах усиления и преобразования сигналов, как мазеры, лазеры, полевые и биполярные транзисторы, туннельные диоды и диоды с барьером Шоттки. При рассмотрении вопросов расчета и измерения шумовых характеристик усилительных и смесительных каскадов автор основное внимание уделяет отысканию оптимальных решений. [c.5]

Транзистор полевой с затвором Шоттки [c.1160]

Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки [c.1160]

ЗАПОРНЫЙ СЛОЙ (обеднённый слой) — слой полупроводника с пониженной концентрацией осн. носителей заряда. Образуется около контакта с металлом, гетероперехода, моноперехода (р —п-перехода), свободной поверхности. Из-за ухода осн. носителей в 3. с. возникает заряд, противоположный им по знаку. Он скомпенсирован зарядом в металле, др. полупроводнике, в области с др. типом проводимости, на свободной поверхности (см. Контактные явлении в полупроводниках). Приложение прямого смещения обогащает 3. с. носителями, уменьшает в нём поле и сужает слой обратное смещение ещё сильнее обедняет 3. с. носителями, уве.ттичнвает соле и расширяет его. 3. с. с полностью ионизированными примесными атомами наз. слоем Шоттки. 3. с.—основной рабочий элемент полупроводникового диода, транзистора, варикапа и др. полупроводниковых приборов. [c.52]

В ИС нелинейные твердотельные приборы, детали структуры к-рых имеют микронные размеры (микроприборы), и линии связи между ними формируются в едином технол. процессе на общей пластине — подложке (интегральная технология). Важнейшие приборы, входящие в состав ИС транзисторы (биполярные, полевые), их комплементарные пары п-р-п — — р-п-р", п-канальные и р-канальные) энергозави-си.чые транзисторы (напр., с плавающим затвором) диоды твердотельные (на р — и-переходах, диоды Шоттки) приборы с зарядовой связью (передача заряда в цепях из тысяч МДП-элементов, см. МДЙ-структура), на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), на доменных стенках и линиях. Разрабатываются новые [c.152]

Действительно, входной сигнал в П. т. подаётся на затвор, сопротивление к-рого в П. т, с управляющим р — -переходом и ПТШ определяется сопротивлением обратно смещённого р — -перехода или сопротивлением барьера Шоттки, а в МДП-транзисторе — сопротивлением слоя диэлектрика. Величина в П. т. обычно превосходит, 10" Ом, в нек-рых конструкциях достигает 10 Ом. Входное сопротивление по перем. току практически определяется ёмкостью затвора В сверхвысокочастотных П. т. величина < 1 пФ, в мощных низкочастотных П. т. величина Свх й ЮО пФ. [c.9]

ГГц, однако ирактнч. использование в технике в оси. получили только МШУ до / 40 ГГц, причём наиб, эффективными по совокупности характеристик являются МШУ на ПТШ, к-рые повсеместно вытесняют др. виды МШУ, в т. ч. в миллиметровом диапазоне радиоволн. Охлаждение МШУ на этих транзисторах приводит к существенному снижению величины Гщ, Из разновидностей входных каскадов Р, СВЧ ближайший к МШУ на ПТШ по величине шумовых параметров смеситель на диодах Шоттки (СДШ), к-рый является самым распространённым малошуиящим входным каскадом Р. СВЧ н наиб, продвинутым в КВ-часть радводиапазо-ва. В своих диапазонах частот СДШ, как и др. функцио-вальные элементы и узлы Р., изготавливают методами микроэлектроники в виде гибридно-интегральных схем [c.229]

Преобразование частоты осуществляется в смесителе при подведении к нему мопщости гетеродина. Большинство гетеродинов, применяемых в СВЧ-диапазоне, создаются на основе полупроводниковых активных элементов — диодов и транзисторов. Для создания гетеродинов на частотах / > 10 ГГц используют в оси. 2 вида диодов — Ганна диоды (ДГ) и диоды Шоттки, а также ПТШ. На основе ДГ создают автогенераторы (см. Генератор электромагнитных колебаний), использующие отрицательное дифференциальное сопротивление, возникающее в ДГ. Гетеродины на диодах Ганна (ГДГ) также являются самым распространённым видом гетеродинного автогенератора в диапазоне 10—150 ГГц благодаря своей миниатюрности, экономичности и малым шумам. Они могут быть с фиксиров. настройкой (со стабилизацией частоты и без неё) и с механич. или электрич. перестройкой частоты, к-рая в последнем случае часто осуществляется с помощью нелинейной ёмкости, включаемой в колебательный контур (систему) генератора. Обьячно в качестве такой ёмкости применяют полупроводниковый диод (нанр., диод Шоттки). Для стабилизации частоты используют высокодобротный объёмный резонатор, чаще в виде диэлектрич. резонатора (рис. 6). Для создания гетеродинов на частотах / > 150 ГГц применяют умножение частоты на диодах Шоттки, Такие умножители частоты (удвоители, утроители) конструктивно сложны и содержат элементы СДШ. Транзисторные гетеродины на ПТШ в виде пере- [c.229]

Чувствительность Р. у., особенно в СВЧ-диапазояе, решающим образом зависит от коэф. шума и усиления по мощности первых каскадов УТ. На рис. 3 приведены обобщённые шумовые характеристики МШУ и диодных смесителей. Наименьшим уровнем шумов обладают охлаждаемые квантовые парамагн. усилители, однако вследствие высокой сложности и стоимости, плохих массогабаритных показателей их использование ограничено практически радиоастрономическими Р. у. Весьма низким уровнем шумов обладают также охлаждаемые параметрич. усилители и усилители на полевых транзисторах с барьером Шоттки (УПТШ), причём массогабаритные показатели допускают их применение даже в бортовых Р. у. Оба типа устройств применяются препы. в наземных Р. у. систем космич. связи, причём вследствие большей простоты и технологичности полевых транзисторов они постепенно вытесняют пара мет- [c.233]

Приведены теоретические и экспериментальные сведения об источниках шума в современных приборах лазерах, полевых и биполярных транзисторах, диодах с барьером Шоттки. Детально рассмотрены тепловые, генерационно-рекомбинационные, дробовые. флнккерные, взрывные шумы и шумы токораспределеиия этих приборов. Книга предназначена для инженерно-технических работников н студентов вузов, специализирующихся в области разработки и изготовлення полупроводниковых приборов и приемно-усилительных устройств. [c.4]

В латеральных структурах ускоряющее носители электрическое поле приложено на меж электродном промежутке. Его минимальная длина к.т1п определяется разрешением литографии. К планарным фотоприемникам с продольной структурой относятся МПМ-фоторезис-торы, в том числе работающие в режиме обеднения с модуляционно-легированным каналом фотодиоды Шоттки, р-п-, р-1-л-ФД, латеральные л-р-л-фото-транзисторы Для всех этих приборов быстродействие ограничивается временем пролета межэлектродного расстояния к. В случае материалов А В для обеспечения полосы детектирования Д/ 10 ГГц необходимо, чтобы 0,5... 0,3 мкм. Для получения таких малых межэлектродных расстояний необходимы методы субмикронной литографии. Это удорожает технологию скоростных продольных фотоприемников, которые в остальном проще коаксиальных фотоприемников с вертикальной топологией. [c.132]

NMESFET(Z) Полевой транзистор с барьером Шоттки с п-каналом [c.243]

Первый смеситель (рис. 4.20) собран на диодах УВ1—УВ4,по кольцевой схеме. При использовании диодов Шоттки чувствительность трансивера увеличивается в 2—3 раза, что существенно для высокочастотных диапазонов. Сигнал со смесителя через согласующий контур подается на УПЧ1 (транзистор УТ1), охваченный цепью АРУ УТ2). Катушки Ы—ГЗ и Гб—Г8 намотаны одновременно тремя проводами на кольцах 50ВЧ (.7 X 4 X 2 мм) и содержат, по 18 витков проезда ПЭВ-2 0,21. Катушка Г4 намотана на цилиндрическом каркасе 05 мм и содержит 25 витков провода ПЭВ-2 0,15 (сердечник с резьбой М4). С выхода усилителя сигнал поступает на кварцевый фильтр, выполненный в виде отдельного узла. [c.194]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...