Транзистор лавинный

Транзистор лавинный типа МРМ 1 (Продолжение см. с. 382) [c.1158]

Транзистор лавинный — транзистор, в котором используется режим лавинного размножения носителей заряда (ударной ионизации) в коллекторном переходе для увеличения коэффициента усиления по току [10]. [c.158]

С1 собран выпрямитель с фильтром. В исходном состоянии при подаче напряжения питания транзистор Т1, работающий в лавинном режиме, заперт. От выпрямителя через резисторы / 2 и КЗ заряжается конденсатор С2. Когда напряжение на нем станет равно напряжению включения транзистора, конденсатор разряжается через резистор и переход эмиттер —коллектор транзистора. Напряжение на конденсаторе уменьшается до напряжения запирания транзистора, и далее процесс повторяется вновь. При этом на конденсаторе появляется переменное пилообразное напряжение, частоту которого в определенных [c.35]

Основные уравнения описывают внутреннее состояние полупроводниковых приборов. Однако для некоторых приборов эти уравнения можно упростить без сколько-нибудь заметного уменьшения точности. Так как в МОП-транзисторе ток определяется неосновными носителями, то он описывается, главным образом, уравнением непрерывности для одного типа носителей. Если пренебречь лавинными эффектами, то остальные процессы генерации в МОП-транзисторе незначительны. [c.395]

Для увеличения числа функциональных элементов на кристалле необходимо сокращать размеры приборов (т. е. длину и ширину канала МОП-транзисторов). Поскольку характеристики прибора чрезвычайно сильно зависят от его геометрии, то любое уменьшение параметров должно подчиняться некоторым правилам проектирования (см. [15.43] для МОП-приборов). Однако в последние годы размеры приборов сокращались без уменьшения рабочих напряжений, главным образом для того, чтобы поддержать конкурентоспособность с существующими ИС и сохранить достигнутое значение отношения сигнал-шум. К сожалению, вследствие уменьшения размеров возникли проблемы, связанные с лавинным пробоем и сквозным обеднением. Эффектом смыкания можно относительно легко управлять, соответствующим образом подбирая технологические параметры, как уже указывалось в предыдущей главе. Что касается эффекта пробоя, то здесь необходимо четкое понимание и описание физических явлений, приводящих к пробою. [c.432]

Рабочие частоты генераторов Ганна 10—120 ГГц, кцд 2—10%. Мощность, генерируемая в непрерывном режиме, 200 мВт, в импульспо.м рож име порядка 200 Вт на частоте 10 ГГц п 5 Вт на частоте СО ГГц. Уровень шума выше, чем у генераторов на полевых транзисторах, но суп ественно ниже, чем у генераторов па лавинно-пролётных диодах. [c.415]

Приём сигналов в видимой области спектра X = 0,4—0,7 мкм) обычно осуществляют фотоэлектронными умножителями, использование их в области X > 0,9 мкм нецелесообразно из-за резкого уменьшения квантовой эффективности фотокатода < %). В диапазоне 0,9—3 мкм применяются кремниевые фотодиоды pin-диоды, лавинные фотодиоды, МОП-диоды (см. Полевой транзистор) с квантовой эффективностью, достигающей 10%. Создание систем О. л. в диапазоне 10 мкм в значит, степени связано с разработкой высо-кочувствит. и быстродействующих фотодиодов на основе тройных соединений (Hg dTe), работающих при охлаждении жидким азотом (77 К). [c.433]

Наим, шумами обладают квантовые усилители, у к-рых в условиях глубокого охлаждения жидким гелием уровень тепловых шумов становится соизмеримым с шумами спонтанного излучения активного вещества в диапазоне частот 0,520 ГГц Т 5- 6 К при охлаждении до 4,2 К. Обычно применяемые трёхуровневые мазеры строятся как регенеративные У. э, к., реже как усилители бегущей волны. Наличие громоздких и дорогостоящих криогенной охлаждающей и магн. систем ограничивает область применения квантовых усилителей уникальными приёмными устройствами радиоастрономии и сверхдальней космич. связи. С мазерами сравнимы по шумовым свойствам полупроводниковые параметрич. усилители (ППУ) при глубоком охлаждении (до 20 К и ниже), однако необходимость системы охлаждения заставляет использовать их в осн. в наземных радиосистемах, где требуются высокочувствит. радиоприёмные устройства, а габариты, масса и потребляемая мощность менее существенны. ППУ, в к-рых в качестве изменяемого энергоёмкого параметра служит нелинейная ёмкость полупроводникового диода — варикапа, работают в диапазоне частот 0,3- -35 ГГц, имеют относит, полосы пропускания от долей до неск. %, АГ,о= 17-нЗО дБ на каскад, широкий динамич. диапазон. В качестве источников накачки применяются генераторы на транзисторах СВЧ без умножения и с умножением частоты, на Ihmia диодах и на лавинно-пролётных диодах. Неохлаждаемые ППУ превосходят по шумовым параметрам неохлаждаемые У. э. к. на транзисторах СВЧ, но значительно уступают последним по сложности, технологическим и массогабаритным показателям, в связи с чем вытесняются ими, прежде всего из бортовой аппаратуры. [c.242]

На основе германия выпускаются выпрямительные плоскостные диоды на прямые токи от 0,3 до 1000 А при падении напряжения не более 0,5 В лавинно-пролетные и туннельные диоды, варикапы, точечные высокочастотные, импульсные и СВЧ-диоды и сплавные биполярные транзисторы. Германий применяют для изготовления датчиков Холла и других магниточувствительных приборов, фототранзисторов и фотодиодов, оптических линз с большой светосилой (для инфракрасных лучей), оптических фильтров, модуляторов света и корютких радиоволн, а также счетчиков ядерных частиц. [c.336]

Область применения функциональных узлов в радиоаппаратуре практически не ограничена. Модульные, микромодульные и микроэлектронные узлы используют сейчас почти во всех видах аппаратуры. Некоторое отставание наблюдается лишь в мощных передающих трактах (блоках передатчиков, антенно-фидерных каналах, блоках питания передатчиков). Однако разработанные на основе новых принципов построения передающих трактов радиоустройства уже сейчас чаще всего используют интегральные микросхемы. Примером могут служить приемопередающие модули антенных фазированных активных решеток (АФАР). В этом немалую роль играют разработки более мощных транзисторов в гигагерцевом диапазоне и новые виды генераторов на основе лавинно-пролетных диодов (ЛПД) и диодов Ганна. [c.213]

Для формирования коротких электрических импульсов в современных ультразвуковых дефектоскопах использут генераторы на лавинных транзисторах. Длительность зондирующего импульса такого генератора составляет —10—15 наносекунд при аплитуде 100—400 В (в зависимости от типа транзисторов). Минимальная длительность развертки дефектоскопа при этом составляет — 1 мкс, вследствие чего резко падает яркость свечения 156 [c.156]

ДЛЯ дальнейшей обработки при меньших скоростях. В системе, предложенной в [3], эти функции осуш,ествлялись с помощью лавинных фотодиодов, подсоединенных к быстродействующим биполярным компараторам и последовательно-параллельному преобразователю. При скоростях более 1 ГВ/с эти элементы схемы потребуется заменить на более быстродействующие, и здесь технология GaAs могла бы поднять существующий потолок быстродействия. Матричные ПЗС-детекторы на арсениде галлия могли бы обеспечить детектирование, а их выходные сигналы — усиливаться и подаваться в компараторы, изготовленные на монолитной GaAs-подложке. Демультиплексирование могло бы быть выполнено преобразователем последовательного кода в параллельный на ПЗС илн быстродействующих полевых транзисторах. [c.80]

Следует заметить, что электроны, достигшие коллекторного перехода, могут ускориться его полем до энергий, яоспггочных для качала ударной ионизации и лавинного умножения носителей. В этом случае коэффициент усиления по тетд оказывается больще единицы транзисторы, в которых ис1юлыц тся этот эффект, называются лавинными. [c.178]

Если тёперь подставить в полученные выше выражения значения /у и Уу и предположить, что /С = 12, С = 5 пФ, а в качестве фотодетектора используется кремниевый лавинный фотодиод с Л1 = 1(Х) и Р — 6, то получим следующие значения для (А/) и (А/) для кремниевого канального транзистора — (А/)х = 20 Гц и (Л/)2 = 1ГГц для кремниевого биполярного транзистора — (Af) — 750 кГц и (А/)г = 4 ГГц. [c.358]

На ранней стадии развития моделирования характерной его чертой было разделение внутренней области прибора на различные подобласти, исследование которых можно было упростить, сделав различные допущения, такие, как специальный вид профиля распределения примесей, полное обеднение и квазинейтральность. Эти раздельно обрабатываемые области легко соединялись для получения полного решения. Для получения аналитического решения никакой другой подход и неприменим. Численные модели, основанные на уравнениях в частных производных, единым образом описывающих все области полупроводниковых приборов [15.172], впервые были предложены Гуммелем для одномерного биполярного транзистора [15.69]. Этот подход был далее развит и применен в теории р- -перехода [15,39, 15.40] и при изучении лавинно-пролетных диодов [15.132]. [c.390]

Область лавирного умножения. В эту область транзистор попадает при превышении допустимого коллекторного напряжения д п- Вследствие лавинного размножения носителей заряда под действием повышенного электрического ПОЛЯ в переходе ток коллектора самопроизвольно возрастает, причем распределение тока может стать резко неравномерным. Это приводит к сильному перегреву отдельных точек, перехода и к расплавлению кристалла. Происходит вторичный пробой перехода, являющийся основной причиной выхода из строя транзисторов в мощных каскадах радиопередатчиков. Поэтому принимаются специальные меры для защиты от вторичного пробоя в многоэмиттерных транзисторах последовательно с каждым эмиттером создается стабилизирующий резистор, что способствует равномерному распределению тока в структуре транзистора и снижает влияние температуры на ток перехода, повышает электрическую [c.126]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...