Транзистор у управляющим р—п переходом

Одноэлектронный транзистор, предложенный К. К.Лихаревым и Д. В. Авериным, состоит из двух последовательно включенных туннельных переходов. Туннелирование отдельных электронов контролируется кулоновской блокадой, которая управляется потенциалом, приложенным к активной области транзистора, расположенной между двумя прослойками тонкого диэлектрика. В перспективе такая структура может изменять свое состояние (О или 1) под действием одного электрона. Для квантовых структур с размерами порядка 10 нм количество электронов в активной области должно составлять около 10. [c.151]

Основной особенностью работы транзистора является возмон ность управлять величиной коллекторного тока. Действительно, если увеличить ток, проходящий через эмиттерный переход, т. е. чем больше дырок -как бы впрыснет эмиттер в базу, тем больше будет ток коллектора. Напряжение на переходах транзистора можно по желанию изменять, при этом транзистор может находиться в различных состояниях и его свойства будут различными. [c.135]

Транзистор (триод) имеет три вывода — эмиттер Э, база б и коллектор К (рис. 8.2)— и обладает таким свойством, что сопротивление между эмиттером и коллектором / эк зависит от тока, протекающего между эмиттером и базой (типа р-п-р). Когда этот ток, называемый базовым, отрицателен ( втекает в базу) или равен нулю, запирается эмиттерный переход и управлять током коллекторной цепи невозможно. Такому режиму, называемому режимом отсечки, соответствует запертое состояние триода (точка В на рис. 8.2, а). Через переход коллектор — база протекает весьма небольшой неуправляемый ток, составляющий единицы или десятки микроампер. [c.167]

Оба состояния транзистора характеризуются малыми значениями рассеиваемой мощности. В режиме отсечки ток близок к нулю, в режиме насыщения падение напряжения на переходе эмиттер — коллектор составляет десятые доли вольта. Поэтому транзисторы при работе в режиме ключа могут управлять большими мощностями, сами при этом выделяя малую мощность. У транзисторов типа п-р-п основными носителями тока в цепи эмиттера и коллектора будут электроны, а неосновными носителями, обусловливающими ток базы,— дырки. Характеристики таких транзисторов будут несколько другими из-за большей подвижности электронов. [c.169]

В обычной контактной схеме при размыкании управляющего контакта РЗ (рис. 40, й) катушка реле Р1 включится, а при замыкании (рис. 40, б) выключится. В аналоговой подобной схеме на транзисторе Т (рис. 40, в) таким контактом служит переход эмиттер—коллектор (Э—К), а база Б управляет током, протекающим через транзистор. [c.43]

Биполярные транзисторы управляются током, а не напряжением, поэтому они потребляют на входе существенную мощность, а их входное сопротивление в 10 —10 раз меньше, чем сопротивление радиоламп, и составляет единицы и даже доли ома. По мере увеличения возбуждающего сигнала входное сопротивление уменьшается, поэтому напряжение на участке база — эмиттер существенно искажается открытый эмиттерный переход работает как ограничитель). Входное сопротивление транзистора в реальных схемах меньше внутреннего сопротивления источника сигнала. Во входную цепь включают элементы, корректирующие частотную неравномерность усиления, что дополнительно увеличивает внутреннее сопротивление источника сигиала. Поэтому правильнее считать, что транзистор возбужается синусоидальным током, а не напряжением. [c.125]

Значение тока определяется резисторами R3, R4, R5 и состоянием транзистора Т2, который управляется по базе транзистором Т1. Транзисторы Т1 и Т2 включены по схеме составного транзистора. База транзистора Т1 застабилизирована, и его коллекторный ток изменяется нелинейно относительно приложенного напряжения U. Сопротивление коллекторно-эмиттерного перехода транзистора Т2 изменяется в зависимости оттока эмиттера транзистора Т/. В результате изменение тока оказывается существенно нелинейным относительно напряжения U. [c.107]

Переходя к элементам, построенным на более современной элементной базе, отметим, что при осуществлении моделирующей установки для исследования потокораспределений в принципе могут быть применены любые нелинейные сопротивления (некоторые из них рассмотрены в гл. VIII). В частности, на рис. 27 показана схема нелинейного элемента в транзисторном исполнении. Характеристика германиевого транзистора типа МП-42, используемого в этой схеме, носит параболический характер, соответствующий моделируемым нелинейностям, и может управляться резисторами R2, R3 и R5. Резистор базы R2 сдвигает функцию / = / (U) в направлении, параллельном оси /, резистор коллектора R3 изменяет кривизну начального участка функции, а резистор R5 поворачивает функцию относительно начала координат. Посторонний источник опорного напряжения Uon вместе со стабилитроном D (типа Д807), резистором диода R1 и резистором базы R2 обеспечивает необходимый ток базы транзистора. [c.221]

Т. к. тиристор может быть представлен в виде комбинации двух транзисторов с Г. типа р—п — р и п— р — п, между к-рыми существует положит, обратная связь по току, то всё сказанное о гетеротраизисторах применимо и к гетеротиристорам. Высокий т) по.зволя-ет управлять напряжением вк.1ючения путём преобразования электрич. сигнала в оптический в самой Г. и последующего его преобразования в электрический па коллекторном переходе. Это исключает ограничения на время включения, связанное с диффузией и дрейфом носителей заряда, а также с временем распространения включённого состояния. [c.449]

Измерительный узел собран по мостовой схеме первое плечо моста — резисторы Я 1, Я1 и часть потенциометра Я2 второе плечо — остальная часть потенциометра и резистор ЯЗ третье плечо — резистор Я4 и четвертое — стабилитрон ДЗ (Д6) и стабилитроны Д4, Д5. На одну диагональ моста подается напряжение от вспомогательного генератора, сглаженйое конденсатором С1, в другую диагональ моста включен переход эмиттер-база транзистора Т1. Когда напряжение вспомогательного генератора меньше 75 В, напряжение на втором плече моста, т.е. между движком потенциометра и минусом вспомогательного генератора (Я2) меньше напряжения стабилизации стабилитрона ДЗ. При этом потенциал базы транзистора Т1 выше потенциала эмиттера и транзистор закрыт закрыты также транзисторы Т2 и ТЗ, которые управляются током коллектора транзистора Г/. У закрытых транзисторов сопротивление между эмиттером и коллектором велико. Когда напряжение вспомогательного генератора превысит 75 В, напряжение на втором плече моста станет выше напряжения стабилизации ДЗ (Д6). При этом потенциал базы транзистора Т1 будет ниже потенциала эмиттера, и транзистор Т1 откроется. [c.191]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...