Транзистор с р-п переходом

Исторически первоначально был создан промышленный образец полевого транзистора с р—п-переходом. Схематически его структура показана на рис. 16, а. Идея прибора заключается в том, что к тонкой и длинной пластине полупроводника—каналу — подведены i торцов электроды — вывод стока и истока. Через запертый р—п-переход в тело канала из затвора, имеющего другой тип про- [c.69]

Работа полевого транзистора осуществляется за счет модуляции сопротивления проводящего канала. Поэтому можно ожидать, что в этом канале будет генерироваться тепловой шум. Это утверждение вполне очевидно для полевых транзисторов с р-п переходом, где действительно существует проводящий канал (рис. 5.3,а), если только он не перекрыт обратным смещением на р-п переходе. Однако в МОП-транзисторах канал возникает только тогда, когда окисел дает начальный вклад или к затвору [c.89]

Рис. 5.3. Поперечные сечения полевого транзистора с р-п переходом (а) и МОП-транзистора (б).

Для полевого транзистора с р-п переходом и каналом п-типа теория показывает, что [33] [c.90]

Для полевых транзисторов с р-п переходом подобные расчеты показывают [36], что [c.94]

На рис. 5.5 показаны сходные результаты для полевого транзистора с р-п переходом. Здесь приведена зависимость тока /экв от напряжения стока Уа и две теоретические кривые, одна из которых (А) не учитывает влияния последовательных сопротивлений канала, а при построении второй Б) этот эффект принят во внимание. Кривая Б хорошо совпадает с экспериментальными данными, свидетельствуя о том, что тепловой шум ка- [c.95]

Для полевого транзистора с р-п переходом при пренебрежении последовательными сопротивлениями и для МОП-транзистора с высокоомной подложкой макс=й 0, и в этом случае, [c.96]

Вычисления проводятся следующим образом. Канал и затвор в полевом транзисторе с р-п переходом либо канал, затвор и подложку в МОП-транзисторе можно рассматривать как активную распределенную РС-линию, возбуждаемую либо переменным напряжением затвора Vg, если требуется найти крутизну на высокой частоте, либо шумовой э. д. с. Шхо на участке между Хо и Xo-f - -Axq, если требуется определить шумовые характеристики. Роль исходного выполняет волновое уравнение активной распределенной РС-линии [см. [111] гл. 18], которое для МОП-транзистора с высокоомной подложкой может быть представлено в виде [c.97]

Из предыдущего анализа следует, что (5.46) и (5.46а) справедливы также для полевого транзистора с р-п переходом. [c.99]

А. Шум генерации — рекомбинации в канале полевых транзисторов с р-п переходом [46] [c.103]

Полевой транзистор с р — п-переходом Униполярный транзистор с затвором в виде р — п-перехода [c.568]

Для нас существенно, что МОП-транзисторы обладают еще большими входными сопротивлениями, чем полевые транзисторы с р—и-переходами, и почти не имеют входных токов. Так, если для полевого транзистора с р—п-пе-реходом входной ток в 10 А и входное сопротивление в 10 —10 Ом являются очень хорошими параметрами, то типичный МОП-транзистор имеет входные токи затвора менее 10 Л,при входных сопротивлениях 10 —10 Ом, определяющихся обычно утечками по корпусу прибора. [c.71]

Она справедлива для любого тока, состоящего из последовательности независимых случайных импульсов, каждый из которых несет заряд (—д). Следовательно, ее можно распространить не только на насыщенные (или с ограничением тока температурой катода) вакуумные диоды, но также и на диоды с р-п переходом или биполярные транзисторы, в которых носители пересекают потенциальные барьеры (см. п. Б 6.1). [c.25]

Транзистор сплавной — транзистор, в котором р—п переходы создаются путем сплавления примесных веществ с материалом исходной пластины полупроводника по принципу действия относится к диффузионным транзисторам граничная частота около 1 МГц [3,4]. [c.159]

Др. способ управления током р — п-П.— инжекция неосновных носителей в одну из образующих переход областей полупроводника с помощью др. р — п-П. или иного инжектирующего контакта. Этот способ управления током р — п-П.— коллектора путём инжекции р — п-П.— эмиттером лежит в основе работы транзисторов. Ток р — п-П. можно также изменять разогревом носителей эл.-магн. излучением СВЧ-или ИК-диапазона. [c.643]

Несмотря на сравнительно небольшую рассеиваемую мощность, которая присуща подавляющему числу современных полупроводниковых приборов, из-за малых габаритов последних удельная рассеиваемая мощность может быть достаточно велика. Если не принять специальных мер по отводу тепла от прибора, то перегрев р-п перехода приводит либо к отказу прибора, либо к резкому снижению его долговечности. Наиболее распространенным типом индивидуального теплоотводящего устройства для полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов) является радиатор, представляющий собой металлическую теплопроводную пластину с гладкой или развитой поверхностью (рис. 22.7). [c.835]

Указанные трудности не оставляют больших надежд на промышленное производство интегральных пленочных микросхем с транзисторами на основе р—п-переходов на поликристаллических полупроводниковых пленках. [c.165]

Полупроводниковый прибор с р-я-переходом работает как выпрямитель (диод). На практике большое применение нашли также многие другие, более сложные полупроводниковые приборы, в том числе транзисторы (полупроводниковые триоды), которые состоят из двух участков га-Ое, между которыми расположен р-Ое, или, наоборот, из двух участков р-Ое, между которыми расположен п-Се. Обычно р-ге-переходы в полупроводниковых диодах и триодах получают внутри одного и того же монокристалла. [c.41]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТРИОД (транзистор) — трехэлектродный полупроводниковый прибор, по назначению и характеристикам сходный с усилительной электронной лампой. П. т. представляет собой систему двух близко расположенных друг от друга р—п-переходов в одном монокристалле полупроводника, на один из к-рых подано смещение в запорном, на другой — в прямом направлениях. [c.123]

Из расчетов, выполненных при принятых допущениях для полевого транзистора с р-п переходом, работающего в режиме насыщения, следует, что с ростом величины 2=(—Уй+Удиф)/Уоо 1 1 монотонно убывает от значения с =0,445 при 2 = 0 до с =0,395 при z=. Для МОП-транзистора с высокоомной подложкой с[ =0,395. Для МОП-транзистора с подложкой более высокой проводимости величина le] приблизительно та же самая [45]. [c.100]

Расчетпоказывает, что для полевого транзистора с р-п переходом и каналом и-типа при температуре Т [c.101]

Согласно Са (С. Т. Sali) [47] флуктуация числа занятых ловушек в области пространственного заряда модулирует ширину этой области и, следовательно, ширину канала. В результате флуктуирует сопротивление любого участка Лд канала, а это, в свою очередь, за счет постоянного тока, протекающего по каналу, приводит к флуктуирующей э. д. с. на участке Ах. Последняя вызывает флуктуации тока стока. Суммируя вклады всех участков Ах, получаем полный эффект флуктуации тока стока. Вычислим его для полевого транзистора с р-п переходом и каналом п-типа. (Сходный эффект имеет место в области пространственного заряда МОП-транзистора [48].) [c.107]

Рис. 5.13. Зависимость /экв//экао от ( / ( 0 ДЛЯ не-скольких полевых транзисторов с р-п переходом, изготовленным методом диффузии.

Для полевого транзистора с р-п переходом / п = = а/ то, причем а == 2/3, а ёто — низкочастотное значение крутизны. Кроме того, а Гкор относительно мало [c.156]

В нормальном транзисторе с р — п — р-череходом индий в форме шайбы HjiH круга наплавляется с каждой стороны вафли (облатки) из германия п-тнпа. При охлаждении германий в примесной области рекристалли-з ется в р-тип, давая р—п—р-переход. [c.239]

Гл. 2 содержит ряд теоретических предпосылок, которые полезны для оценки основных источников шума приборов. В гл. 3 обсуждаются способы описания шума двух- и трехполюсных приборов с приложением результатов к вычислению коэффициента шума многокаскадных усилителей (в частности усилителей, включающих в себя приборы с отрицательной проводимостью). В гл. 4 показано, как можно точно выполнить шумовые измерения. Теоретический материал гл. 2 используется в гл. 5 и 6. В гл. 5 рассматриваются тепловой шум и шум генерации — рекомбинации применительно к мазерам и полевым транзисторам. Гл. 6 посвящена обсуждению дробового шума в диодах с р-п переходом, транзисторах и вакуумных лампах, а также фликкер- и взрывного шума в диодах, биполярных и полевых транзисторах. [c.6]

В нормальном транзисторе с р — п р-иереходом индии в форме шайбы или круга наплавляется с каж ои стороны вафли (облатки) из германия типа. При охлаждении германий в примеснои области рекристалли зуется в р тип, давая р п р-переход. [c.239]

Эквивалентная схема биполярного транзисто-р а представлена на рис. 2.17,6. Так как транзистор состоит из двух р-и-переходов эмиттер-база и коллектор-база, то элементы /э. Со, Ryo, С , / ук — элементы соответствующих р-п-переходов, h — Blg—BJk — источник тока, отражающий пролет неосновных носителей через базу и определяющий усилительные свойства транзистора В и — нормальный и инверсный коэффициенты усиления тока), Гэ, и гв — объемные сопротивления областей соответственно эмиттера, коллектора и базы. [c.91]

Унитрон — плоскостной униполярный транзистор, представляющий собой пластину полупроводника, у которой на торцах имеются омические контакты, а на больших гранях слои, образующие с пластиной р—п переходы выходная цепь образуется пластиной полупроводника одного типа, т. е. не включает р—п перехода к унитронам чаще всего относят различные разновидности полевых транзисторов, реже — двухбазовый диод [9. 10]. [c.162]

ЗАПОРНЫЙ СЛОЙ (обеднённый слой) — слой полупроводника с пониженной концентрацией осн. носителей заряда. Образуется около контакта с металлом, гетероперехода, моноперехода (р —п-перехода), свободной поверхности. Из-за ухода осн. носителей в 3. с. возникает заряд, противоположный им по знаку. Он скомпенсирован зарядом в металле, др. полупроводнике, в области с др. типом проводимости, на свободной поверхности (см. Контактные явлении в полупроводниках). Приложение прямого смещения обогащает 3. с. носителями, уменьшает в нём поле и сужает слой обратное смещение ещё сильнее обедняет 3. с. носителями, уве.ттичнвает соле и расширяет его. 3. с. с полностью ионизированными примесными атомами наз. слоем Шоттки. 3. с.—основной рабочий элемент полупроводникового диода, транзистора, варикапа и др. полупроводниковых приборов. [c.52]

Инжекция неосновных носителей происходит при подаче прямого смещення на р — п-переход, гетеропереход или контакт металл — полупроводник вследствие уменьшения разности потенциалов на контакте. Инжектированные неосновные носители проникают в полупроводник на глубину, определяемую рекомбинацией она по порядку величины совпадает с диффузионной длиной в слабых внеш. нолях и с дрейфовой длиной (см. Дрейф носителей заряда) в сильных полях. Инжекция неосновных носителей лежит в основе действия полупроводникового диода, транзистора и др, полупроводниковых приборов. Изучение стационарных и переходных процессов И. н. з. позволяет исследовать подвижности носителей, а также определить концентрации, энергетич. положения и сечения захвата примесных центров в высокоомных полупроводниках и диэлектриках. Прохождение инжекционных токов является одним из механизмов переноса заряда в тонких диэлектрич. плёнках. [c.148]

Если в базе транзистора протекает ток / , то в базовую область каждую секунду входят N, = If,je электронов. Ни в эмиттер, ни в коллектор электроны из базы практически уйти не могут. Следовательно, в стационарном состоянии все ЛГ электронов должны рекомбинировать в базе. В диоде с длинной базой и с коэф. инжекции дырок р п-перехода удля того, чтобы обеспечить рекомбинацию электронов, из эмиттера должно инжектироваться дырок. Если же р—л-переход обладает коэф. инжекции 7р<1, то для обеспечения рекомбинации электронов в базе должно ежесекундно инжектироваться М = УрЫ дырок. Однако в транзисторе с шириной базы Wкоэффициентом переноса. Естественно, эта доля тем больше, чем меньше отношение WjL . Во многих практически важных случаях можно считать, что аяЕ I — W jlLh В зависимости от типа и назначения Т. б. отношение лежит обычно в пределах от 0,5 до 0,05, [c.156]

Наряду с вакуумными известны преобразователи твердотельного типа — полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы), в которых ВАХ является функцией механического напряжения, приложенного к активной области кристалла р—п-переходу, каналу [3]. Практически все известные типы полупроводниковых приборов могут использоваться в этих целях. Эффект здесь достигается за счет того, что при изменении размеров активной области изменяются коицеитрация и подвижность носителей заряда, а в полевом транзисторе с изолированным затвором возникает еще и пьезоэлектрическая поляризация в изолирующем слое. Полупроводниковые МЭП этого типа имеют значительно меньший механический импеданс, чем механотрон, и могут измерять малые силы, поскольку их чувствительность высока однако [c.204]

При моделировании МДП-транзисторов общепринятой эквивалентной схемой является схема на рис. 7 [22], [23], где Сз.и и Сз.с — емкости затвора на исток и сток, диоды Ди.п и Дс.п отображают наличие р—п-перехода в подложке, а и / с — сопротивления тела полупроводника между выводами истока и каналом и выводом стока и каналом. Различия в моделях МДП-транзисторов обусловливаются видом аппроксимирующих выражений для зависимости тока источника /<г от падений напряжения Мз.и и з.с на емкостях Сз.п и Сз.с и от падений напря- [c.63]

Релаксационные П. г. Наиболее распространены мультивибраторы и блокинг-генераторы на транзисторах, дающие импульсы напряжения, близкие по форме к прямоугольным. Блокинг-гене-ратор иа транзисторах (рис. 5) имеет особенности, связанные с диффузионным механизмом передачи тока в транзисторах накоплением заряда в базе в области насыщения видом вольтамнерных характеристик р — ге-переходов транзистора. Проводимость р — и-перехода в обратном направлении ограничивает макс. длительность паузы между импульсами и является причиной зависимости периода колебаний [c.118]

Инерционные свойства р-п-перехода связаны с тем, что при переходных процессах помимо тока /эд (/кд) через переход должен протекать ток, обеспечивающий изменение заряда неосновных носителей в базе и обусловливаемый членом дn дt в уравнениях непрерывности, и ток, обеспечивающий изменение пространственного заряда ионизированных атомов примесей в области пространственного заряда. Первую составляющую можно отразить с помощью диффузионной емкости Сдиф, вторую — барьерной емкости Сб. Аналитическое решение уравнения непрерывности в одномерном приближении позволяет определить Сд ф, а аналитическое решение уравнения Пуассона — Са- Эти выражения для модели транзистора на рис. 6.4 имеют вид [c.135]

Основная идея здесь заключается в следующем р—п-переход сам по себе есть вполне приемлемый датчик для измерения температуры. В одном кристалле с дифференциальным усилителем создают такой р—п-переход — датчик температуры, простой одпокаскадный (на одном транзисторе) усилитель его показаний и транзистор помощнее остальных, управляемый этим датчиком и служащий нагревательным элементом для всего кристалла. Датчик на р—ге-переходе, усилитель и мощный транзистор служат регулятором температуры кристалла когда его температура падает, усилитель увеличивает ток через мощный транзистор, он подогревается и нагревает весь кристалл. Благодаря малому объему всего устройства — весь кристалл около 1 мм — и теплоизоляции его от корпуса (внешне обычного корпуса микросхемы) разогрев всего кристалла до температуры 90° С происходит через 10—15 с после включения источника питания. [c.95]

В рассмотренных транзисторах используются два р-п-перехода, одако, существуют транзисторы, соде мсащие лишь один р-Пг переход. К их числу относятся так называемые полевые транзисторы с управляемым р-п-переходом. [c.178]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...