Транзисторы высокой частоты

Генераторы электроимпульсных станков часто выполняют на транзисторах (полупроводниковых триодах). Они могут работать на высоких напряжениях (до 150 В), больших токах (до 5—10 А на один транзистор). Преимуществом таких генераторов является высокая частота следования импульсов, малая их продолжительность и низкая скважность. Все это обеспечивает высокую производительность при достаточной точности и малой шероховатости поверхности. [c.152]

Регулятор напряжения предназначен для поддержания постоянного напряжения, создаваемого генератором, при изменении частоты вращения коленчатого вала двигателя. Без регулятора при высокой частоте вращения вала двигателя напряжение генератора достигнет нескольких десятков вольт, что может вызвать перегорание ламп и обмоток, выход из строя диодов, транзисторов и других приборов электрооборудования. При увеличении напряжения генератора выше нормы на 10 % срок службы аккумуляторной батареи сокращается на 10 %, а ламп в 2...2,5 раза. [c.72]

Сетевой выпрямительный блок VI преобразует переменное напряжение сети в постоянное, которое сглаживается с помощью низкочастотного фильтра L1 - С1. Затем выпрямленное напряжение преобразуется в однофазное переменное щ высокой частоты с помощью инвертора на транзисторах VT1 и VT2. Далее напряжение понижается трансформатором Тр до 1/2, выпрямляется блоком вентилей V2, проходит через высокочастотный фильтр L2 - С2 и подается на дугу в виде сглаженного напряжения и . [c.261]

Схема выпрямителя с транзисторным инвертором (рис. 5.16) более удобна для объяснения процесса инвертирования. Сетевой выпрямительный блок F1 преобразует переменное напряжение сети в постоянное, которое сглаживается с помощью низкочастотного фильтра II — С1. Затем выпрямленное напряжение преобразуется в однофазное переменное высокой частоты (20... 160 кГц) с помощью инвертора на двух транзисторах — VT и VT2. Далее на- [c.130]

Следует отметить, что включение в схему контактной системы зажигания транзистора не полностью исключает присущие ей недостатки. В частности, у многоцилиндровых двигателей возможно возникновение такого весьма вредного эффекта, присущего механическим прерывателям, как вибрации рычажка прерывателя при высоких частотах вращения, которые приводят к многократному замыканию и размыканию контактов на протяжении одного цикла. При этом вместо одной появляются несколько искр, но значительно меньшей мощности. Нарушается также установленный момент искрообразования. Рассмотренное явление получило название дребезга контактов. [c.93]

Измерительный орган регулятора делитель на резисторах R1. R2 — соединен с его органом сравнения стабилитроном VDI. Электронное реле регулятора собрано на транзисторах VTI, VT2, УТЗ, причем силовым транзистором в выходной цепи регулятора является составной транзистор УТ2, УТЗ. Резисторы R3, R4 совместно с диодом У02 представляют собой цепь жесткой обратной связи. При закрытом транзисторе VTI одно из плеч измерительного делителя образуется параллельным включением резистора RI и цепочки резисторов R4 — R3. При переходе УТ1 в открытое состояние он шунтирует совместно с диодом У02 резистор R4, что способствует ускорению запирания транзистора УТ1 и, следовательно, повышает частоту переключения схемы. Гибкая обратная связь через конденсаторы С1 к С2 снижает влияние электромагнитных помех, в том числе пульсаций выпрямленного напряжения генератора на работу регулятора напряжения, и предотвращает возможность самовозбуждения его схемы на высокой частоте. [c.99]

Сортировка транзисторов с односторонним токопроводящим немагнитным слоем осуществляется в магнитном поле высокой частоты, создаваемом в межполюсном зазоре С-образного магнита 2 (рис. 29, б). При движении детали 1 через переменное магнитное поле благодаря смещению слоя с более высокой электрической проводимостью относительно максимума поля возникает электродинамическая сила действующая в ту или иную сторону в зависимости от исходного положения детали. Механизм возникновения сил основан иа взаимодействии внешнего поля с индуцированным (наведенным) полем, создаваемым самим телом. Для удлиненных токопроводящих деталей мгновенное значение момента силы [c.355]

Как видно из рис. 3, наибольшим усилением по мощности (30 дб) низкочастотный транзистор П15 обладает на частоте ниже 100 кгц, а высокочастотные транзисторы — на частотах ниже 1—3 Мгц. На более высоких частотах усиление падает, и на некоторой максимальной частоте /макс становится равным единице (О дб). При дальнейшем росте частоты сигаала транзистор полностью теряет свои усилительные свойства. [c.7]

Для выработки высоких частот используются ламповые генераторы или преобразователи частоты, работающие на мощных транзисторах. Транзисторные преобразователи имеют более высокий КПД (90...92%) и возможность получать переменные токи как высоких, так и средних частот. [c.373]

В частных случаях источники шума могут быть некоррелированными, и при определенных условиях ii может равняться кулю. Таково, например, положение с полевыми транзисторами (ПТ) в схеме с общим истоком и с вакуумными лампами на относительно низких частотах, поскольку на эти приборы подается смещение, при котором токи затвора в ПТ и сетки в лампе равны нулю и они не могут содержать никаких флуктуаций на низких частотах. На более высоких частотах, как будет показано в гл. 5 и 6, это уже неверно. [c.38]

Вычисления проводятся следующим образом. Канал и затвор в полевом транзисторе с р-п переходом либо канал, затвор и подложку в МОП-транзисторе можно рассматривать как активную распределенную РС-линию, возбуждаемую либо переменным напряжением затвора Vg, если требуется найти крутизну на высокой частоте, либо шумовой э. д. с. Шхо на участке между Хо и Xo-f - -Axq, если требуется определить шумовые характеристики. Роль исходного выполняет волновое уравнение активной распределенной РС-линии [см. [111] гл. 18], которое для МОП-транзистора с высокоомной подложкой может быть представлено в виде [c.97]

На очень высоких частотах, порядка 1 ГГц, целесообразно использовать во входном каскаде полевой транзистор из арсенида галлия. В этом случае очень существенной является компоновка модуля, содержащего фото детектор и предварительный усилитель приемника, чтобы минимизировать общую входную емкость. [c.369]

Предел усиления для полевого транзистора на низких частотах и предел усиления для биполярного транзистора на высоких частотах лежат за границами диапазонов, указанных на графике [c.386]

Напряжение высокой частоты, вырабатываемое автогенератором, посредством катушки Ь2 и конденсатора С5 подается на базу транзистора Т2. Нагрузкой этого транзистора служит первичная обмотка выходного трансформатора ТрЗ. Конденсатор С6 предназначен для оптимального согласования магни- [c.24]

Ламповые генераторы высокой частоты обладают тем существенным преимуществом перед транзисторными, что они при более простой принципиальной схеме обеспечивают получение ультразвука, частота которого значительно превышает 50 кГц. В принципе и на транзисторах можно собрать ультразвуковые генераторы высокой частоты. Однако пригодные для этого транзисторы пока мало распространены и трудно доступны. Поэтому мы и рекомендуем наряду с транзисторным изготовить простой и достаточно мощный ламповый генератор. [c.43]

Недостатком КМОП ИС первых выпусков является низкое быстродействие. КМОП ИС требуют защиты от воздействия статического электричества. Скорости передачи данных для старых типов КМОП ИС составляют 100-200 не — в 10 раз больше, чем в среднем для ТТЛ. Для многих практических применений это несущественно в частности, для карманных калькуляторов это время не слишком велико. Скорости старых КМОП ИС недостаточны для больших систем с последовательной обработкой данных. Необходимость использования высоких частот посылок тактирующих импульсов составляет известную проблему цифровой звукозаписи. Современные КМОП ИС рассчитаны на повышенные скорости обработки данных. Нужда в повышенном быстродействии КМОП ИС обостряется необходимостью создания экономичных схем памяти, сохраняющих информацию при питании от низковольтных батарей. Можно использовать отдельные МОП-транзисторы с р- и н-каналами, обладающие большим быстродействием, чем КМОП ИС. [c.26]

Получить равномерную частотную характеристику в диапазоне от 30 Гц до 20 кГц не очень сложно. Действительно, недавно разработанные транзисторы с большой величиной /т (произведение усиления на ширину полосы, измеренное в схеме с общим эмиттером) позволяют расширить частотный диапазон отдельных каскадов предварительного усиления или общий диапазон до очень высоких частот. Таким образом, сужение диапазона необходимо для того, чтобы избежать проникновения радио- и телевизионных сигналов и уменьшить до минимума чувствительность каскадов предварительного усиления к импульсным (т. е. электрическим) помехам. [c.51]

Арсенид галлия среди соединений А " В занимает особое положение. Большая ширина запрещенной зоны (1,4 эВ), высокая подвижность электронов [0,85 м /(В-с)] позволяют создавать на его основе приборы, работающие при высоких температурах и высоких частотах. Первым полупроводником являлся GaAs, на котором в 1962 г. был создан инжекционный лазер. Он используется для изготовления светодиодов, туннельных диодов, диодов Ганна, транзисторов, солнечных батарей и других приборов. Для изготовления детекторов в инфракрасной области спектра, датчиков Холла, термоэлектрических генераторов, тензометров применяется анти-монид индия, имеющий очень малую ширину запрещенной зоны [c.291]

Анализ конструкций акустических течеискателей показал, что, в основном, они изготовлены примерно по одинаковым принципиальным схемам. Приемник течеискате-ля улавливает ультразвуковые колебания газа, истекаю-щего через течи, и преобразует их в электрические колебания. В качестве приемника обычно используют пьезоэлектрический микрофон, который либо размещают в корпусе течеискателя (ТУЗ-2, ТУЗ-5М), либо выполняют в виде выносного щупа (АТ-1, АТ-2), в котором смонтирован микрофон и предварительный усилитель высокой частоты, усиливающий электрические колебания по мощности и напряжению. В нем есть несколько каскадов усиления, собранных на транзисторах, поэтому коэффициент усиления можно регулировать. В преобразователе электрические сигналы детектируются по амплитуде, фильтруются и проходят согласующий каскад. Усилитель низкой час ТОТЫ усиливает электрические колебания до величины, необходимой для нормальной работы индикаторного прибора и головных телефонов. В усилителе предусмотрена регулировка коэффициента усиления. Блок питания осуществляет электроснабжение всех узлов течеискателя. В нем есть аккумуляторные батареи, для подзарядки которых служит зарядное устройство. [c.119]

Осн. требование к сверхвысокочастотным П, т. состоит в достижении макс, мопщости или коэф. усиления на предельно высокой частоте. Продвижение в область высоких частот требует уменьшения длины затвора и макс, использования баллистич. эффектов для достижения высокой скорости носителей. Для изготовления сверхвысокочастотных П. т. в наст, время используется в осн. GaAs, в к-ром баллистич. превышение скорости над максимально возможным равновесным значением выражено значительно сильнее, чем в Si. Серийные СВЧ П. т. работают на частотах до 40 ГГц. Лаб. разработки проводятся на частотах 90—110 ГГц. Предельная частота генерации (230 ГГц) получена в ГСЛ-транзисторах на основе GaAs/InGaAs, изготовленных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. [c.9]

В Р. у. первого типа усиливаемые колебания подводятся к управляющему электроду (транзистора, электронной лампы, ИС), резонансный контур включён в цепь выходного электрода и возбуждается его током. Используются пренм. на умеренно высоких частотах, на к-рых значительна развязка между выходной и входной цепями управляющего электрода, В качестве ра-эовансного контура применяют обычно простые одиночные контуры с сосредоточенными параметрами и малым собств. затуханием (d g 1), В режиме усиления малых колебаний макс. коэф. усиления напряжения лрп резонансе = SPg, где S — крутизна усилит, [c.315]

В широкополосных У. э. к. умеренно высоких частот, в т. ч. в усилителях видеочастот и в импульсных при дискретном исполнении, в качестве предварительных обычно используются резисторные каскады с разделит, конденсаторами и высокочастотной эмиттерной коррекцией, выполненные на ВЧ-транзисторах при включении с общим эмиттером (истокам), В интегральном исполнении применяются разнообразные высокочастотные усилительные ИС, в частности ОУ. Оконечные каскады широкополосных У. э. к., как правило, резисторные со сравнительно высоким выходным напряжением, в них используются цепи высокочастотной коррекции, часто применяется включение усилит, элемента (УЭ) по схеме эмиттерного, истокового или катодного повторителя. Др. принцип достижения шнрокополосности реализуется в У. э. к. с распределённым усилением к управляющим и выходным электродам ряда транзисторов или ламп подключаются две цепи с распределёнными параметрами, в к-рых обеспечивается режим бегущей волны. При одинаковых скоростях распространения волн в этих цепях усилит, возможности элементов складываются, а их межэлектродные ёмкости, являющиеся осн. фактором, ограничивающим сверху полосу пропускания обычных усилителей, оказываются распределёнными по указанным цепям и не увеличивают ёмкостей на входе и на выходе У. э. к. [c.241]

Как видно из описания работы устройства, в течение всего времени медленной разрядки времязадающего конденсатора сравнивающий орган (блокинг-генератор) вырабатывает им пульсы с высокой частотой, т. е. форма аналогового сигнала с Св преобразуется в импульсную. При воздействии импульсной помехи на сравнивающий орган как на наиболее чувствительный узел блокинг-генератор выдает дополнительный импульс, который, сложившись с основными импульсами частоты заполнения, не изменит общей картины процессов в схеме дополнительный импульс вызовет еще более сильное запирание транзистора Т5, что является положительным фактором. В распространенных генераторах обычно отсутствует преобразование сигнала с времязадающего конденсатора, поэтому каждый импульс помехи может вызвать преждевременное срабатывание сравнивающего органа и сбой в работе всего устройства. В одинаковых условиях генератор с преобразованием сигнала практически не чувствует помех, а в других генераторах с каждым импульсом помехи наблюдается сбой. [c.78]

Явление рассматривается в литературе, посвященной исследованию схем автогенераторов высокой частоты. При определенном подборе режима работы генератора зависимость между изменением расстояния от колебательного контура генератора до металлического предмета и изменением потребляемого генератором тока становится линейной, что соответствует мягкому режиму самовозбуждения генератора. Из схемы видно, что датчик (схема обведена пунктиром) выполнен по схеме ВЧ-генератора с индуктивной связью на транзисторе Гь Колебательный контур генератора состоит пз катушки и конденсатора С. Начальный режим работы генератора определяется сопротивлением резисторов Н, Я2, напряжением стабилизации диода включенного в прямом направлении. Конденсатор Сг служит для блокировки переменной составляющей тока генератора. Транзистор Га работает в режиме усиления постоянного тока по схеме с общим коллектором. Коэффициент усиления и режим работы транзистора Га определяется резистором Рз. Применение схемы с общим коллектором позволяет снизить выходное сопротивление схемы. Последо-ва 1 ельпо с датчиком включен переменный резистор / 4, служащий для выбора режима работы датчика и являющийся одним из плеч моста. Таким образом, резистор и датчик представляют собой два плеча моста, два другие плеча составлены резистором и стабилитроном Дз(Д815Л). Применение стабилитрона обусловлено необходимостью снижения выходного сопротивления схемы. В одну из диагоналей моста включается сопротивление нагрузки Яц, последовательно с которым включаются резисторы Ят, Величина их зависит от Яп и требуемого предела измерения, выбираемого переключателем Пь Во вторую диагональ подается питание, стабилизированное стабилитро- [c.115]

На рис. 3.13 показаны расчетные зависимости времен, необходимых для переноса заряда с эффективностью в 99,99%, от толщины Т п-слоя. Представлены данные для двух структур с проводящими затворами и одной структуры с резистивными затворами. Заштрихованная область указывает диапазон величин Т, желательный для обеспечения работы полевых транзисторов на высоких частотах. Видно, что устройства с резистивным затвором имеют лучшие характеристики, особенно при меньших толщинах слоя. Заметим, что четырехфазное устройство с 7 = 0,25 мкм могло бы иметь время переноса менее 250 пс для тактовых частот более 1 ГГц. Эта цифра также учитывает фактор заполнения QF, представляющий отношение фактической емкости заряда, деленной на полный заряд донорных центров под двумя затворами, и показывающий, что устройства с резистивным затвором также имеют более высокую емкость заряда для тонких слоев. Недавно полученные экспериментальные результаты для этих устройств дали значение эффективности переноса заряда более 0,99 при 2,5 ГГц [27]. [c.91]

Шума ЛУхо сосредоточена на участке от Хо до ХоЛ-Ахо, а исток и сток закорочены по высокой частоте, находим распределение потенциала (рис. 5.6). Для МОП-транзистора с высокоомной подложкой вычисления этого рас- [c.99]

Полевые тетроды представляют значительный интерес для усилителей высокой частоты, поскольку отпадает необходимость в нейтрализации. Поэтому следует дать точное выражение для их коэффициента шума. Соответствующее рассмотрение справедливо также для каскодных схем на полевых транзисторах и вакуумных триодах. Проблема состоит в том, чтобы выяснить, сколь значителен вклад второй половины полевого тетрода в коэффициент щума прибора. В качестве характеристик этого вклада введем второе эквивалентное шумовое сопротивление. [c.160]

Преобразователь частоты выполнен на транзисторах VT1 и VT2 по схеме с отдельным гетеродином. Ге+еродин выполнен на транзисторе VT1 по емкостной трехточечной схеме. Контуры гетеродина образованы катушками индуктивности L2, L5, L8 и L11 и конденсаторами С8—СЮ. С помощью катушек индуктивностей L1, L4, L7 и L10 гетеродин связан со смесителем. Смеситель собран на транзисторе VT2. Напряжение сигнала высокой частоты с антенны через конденсатор С4 поступаем в цепь базы транзистора VT2, а напряжение гетеродина — в цепь эмиттера с помощью катушек связи L1, L4, L7 и LIO. Все катушки — неперестраиваемые. Напряжение сигнала после преобразования с емкостного делителя С13, С14 через разделительный конденсатор С5 поступает на вход радиоприемника. [c.66]

При подсоединении внешних цепей к вертикально отклоняющему входу из-за несогласования нагрузки может возникнуть помеха, искажающая входной сигнал. Эта помеха может быть уменьшена, если для подсоединения внешних цепей использовать коаксиальный кабель. Однако емкость используемого коаксиального кабеля и измерительного щупа, подсоединенного к этому кабелю, может быть достаточной, особенно на высоких частотах, для изменения входного импеданса осциллографа, что приведет к значительному влиянию нагрузочных цепей на измерительный тракт. Существует несколько разновидностей щупов для осциллографов, которые спроектированы так, чтобы увеличивать входной импеданс и, следовательно, уменьшать влияние нагрузки. Широко распространенный пассивный щуп для измерения напряжения является десятикратным аттенюатором (10 1). Этот щуп, как правило, состоит из резистора, равного 9 МОм, и конденсатора (Рис. 10.11). Такой измерительный щуп не только уменьшает емкость нагрузки, но понижает также и чувствительность по напряжению, так как такой щуп является К—С делителем напряжения (см. главу 9 и Рис. 9.28в). В состав активного щупа для измерения напряжения входит полевой транзистор, это позволяет решить проблему, связанную со снижением чувствительности по напряжению. Другой разновидностью щупов является щуп для измерения тока (Рис. 10.12). Такой измерительный щуп может быть укреплен вокруг проводника, по которому протекает ток. Физически такой щуп никак не влияет ни на один элемент, входящий в сосгав цепи, по которой протекает измеряемый ток. Такой тип щупа известен как токовый трансформатор. [c.151]

Высокая частота преобразователя на дрейфовых транзисторах приводит к резкому увеличению скорости изменения токов при переключении, что влечет за собой увеличение влияния иидуктнвиостн рассеивания трансформаторов и индуктивности монтажа. Эти паразит ные индуктивности, в свою очередь, приводят к появлению коммутационных перенапряжений на транзисторах и резкому увеличению высокочастотных помех. Поэтому конструкция такого преобразователя напряжения должна быть симметричной относительно переключающегося трансформатора, монтаж должен быть компактным и выполняться короткими проводами, Кроме того, может возникнуть необходимость в установке дополнительных помехоподавляющих фильтров, проходных конденсаторов и экранов. [c.186]

На практике скорость передачи данных обычно определяется иа ранней стадии разработки системы связи, а лишь затем требуется оптимально спроектировать приемник, удовлетворяющий этим требованиям. Выше было показано, что можно использовать входной каскад иа кремниевом полевом транзисторе, если скорость передачи данных меньше 50 Мбит/с, или на кремниевом биполярном транзисторе при более высоких частотах. Далее, если необходимо использовать ЛФД, получаем свободу выбора наиболее подходящего коэффициента умножения. Если коэффициент шума ЛФД подчиняется простому закону, например (13.4.1) — (13.4.3), можно найти оптимальное значение коэффициента усиления, которое минимизирует общий шум. Однако при определенном уровне обратного напряжения, когда развивается микроплазма, эти законы нарушаются. При этом резко возрастают темновой ток и коэффициент шума при попытке дальнейшего увеличения М. Если оптимальный коэ ициент усиления не был превышен, будет иметь место порог для разрушения микроплазмы. На рис. 15.11 при- [c.387]

Остановимся на назначении конденсаторов С1 и С2 (рис. 7.5, г). Несмотря на то, что схема регулирования представляет собою систему с отрицательной обратной связью, в которой самовозбуждение должно исключаться, тем не менее на некоторых частотах (обычно высоких) стабилизатор склонен к потере устойчивости. Этому способствует большой коэффициент усиления схемы управления и паразитные параметры всей схемы. Для повышения устойчивости стабилизатора применяют коррекцию его амплитудночастотной характеристики конденсатор С/ вносит отрицательную обратную связь в транзистор VT2, а конденсатор С2 практически закорачивает могущие возникнуть высокочастотные паразитные колебания. Обратная связь за счет конденсатора С/ приводит к частотнозависимому уменьшению коэффициента усиления (с повышением частоты усиление падает) и сужению частотной характеристики системы регулирования, а значит к повышению инерционности и ухудшению динамики. Поэтому значение С1 не должно быть большим нескольких тысяч пикофарад. Конденсатор С2 оказывает благоприятное влияние при импульсной нагрузке. В течение длительной паузы он заряжается малым током, а разряжается большим током за короткое время сигнала. Это позволяет существенно уменьшить мощность самого стабилизатора. Емкость С2 иногда выполняют в виде электролитического (работает до частот несколько сотен кГц) и слюдяного, или керамического, работающего на более высоких частотах. [c.262]

Отрицательная обратная связь подается с коллектора транзистора Т2 на эмиттер транзистора Т1 через цепочку R2, R3, С2 и СЗ, которая обеспечивает требуемую частотную коррекцию в соответствии со стандартом RIAA за счет обратной связи, избирательной по частоте. Цепочку можно рассматривать как два звена фильтра, одно из которых дает характеристику с ограничением высоких частот с частотой разделения 2 кГц, другое— характеристику с повышением низких частот на 20 дБ при частоте разделения 500 Гц. [c.70]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...