Полевой транзистор л-типа

Название полевой этот тип транзисторов получил по механизму своей работы ширина токового канала определяется напряженностью электрического поля в р-и-переходе между затвором и каналом. [c.368]

Рис. 3.23. Характеристики полевого транзистора с изолированным затвором (МДП-транзистор), обедненного типа Ы-каналом

Полевой транзистор с каналом типа Р [c.476]

Полевой транзистор с изолированным затвором обедненного типа (МДП-транзистор) с Р-кана-лом с выводом от подложки [c.476]

Полевой транзистор с изолированным затвором без вывода от подложки обогащенного типа с Ы-каналом [c.476]

Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с внутренним соединением подложки и истока с Ы-каналом [c.476]

Исторически первоначально был создан промышленный образец полевого транзистора с р—п-переходом. Схематически его структура показана на рис. 16, а. Идея прибора заключается в том, что к тонкой и длинной пластине полупроводника—каналу — подведены i торцов электроды — вывод стока и истока. Через запертый р—п-переход в тело канала из затвора, имеющего другой тип про- [c.69]

Так как в полевых транзисторах с изолированным затвором нет опасности возникновения тока затвора, то они строятся в расчете на работу и в режиме обеднения (когда напряжение на затворе имеет потенциал, препятствующий движению носителей, подобно тому, что имеет место в транзисторах с р—га-переходом), и в расчете на режим обогащения, когда ток в канале возникает только при смещении затвора в ту же сторону, что и стока (для канала типа р — смещение в сторону отрицательных потенциалов). Транзисторы с изолированным затвором, работающие в режиме обеднения (обычно с каналом типа тг), могут работать и в режиме обогащения. Чтобы проиллюстрировать сказанное, на рис. 17, б показаны характеристики тока стока в зависимости от напряжения затвор— исток при фиксированном потенциале сток—исток двух транзисторов перечисленных типов одного — с р-каналом, другого — с ге-каналом. [c.73]

Разнообразие типов полевых транзисторов создает чрезвычайно богатые возможности для проектировщиков схем. Нельзя также не упомянуть, что благодаря изоляции затвора МОП-транзисторы могут быть весьма эффективными переключателями тока и напряжения, не имеющими практически связи между цепью управления и цепью сигнала. [c.73]

Так же, как и в случае биполярных триодов, полевые транзисторы могут быть двух полярностей — канал может быть р- или п-типа. [c.73]

Рис. 3.11. Соотношение между уровнем легирования N и толщиной Т в слое ге-типа на полубесконечной подложке быстродействующей ПЗС-структуры (линия В) и область широкополосного режима работы полевых транзисторов (область А).

Для полевого транзистора с р-п переходом и каналом п-типа теория показывает, что [33] [c.90]

Согласно (5.25) ток 1й в полевом транзисторе с каналом п-типа равен [c.103]

Вычислить значение составляющей шума V v, обусловленной сопротивлением канала, для следующих типов полевых транзисторов в предположении. что оно определяется соотношением каждом случае принять Т = 300 К. [c.367]

На рис. 15.9 приведена зависимость тока от скорости передачи информации В при К=12, соответствующ,ем теоретическому пределу, и /И = 1, что равносильно использованию р-1-п -фотодиода. Взяты те же значения шумовых параметров для кремниевого биполярного транзистора и кремниевого полевого транзистора, что и в гл. 14, т. е. Уу = = 2 нВ/ /Гц и 4 нВ/УГц, а /у = 2 пА/у"Гц и 10 фА/1/Тц. Чтобы показать важное значение входной емкости усилителя при высоких скоростях передачи данных, в расчетах были использованы два ее значения — 2 и 5 пФ. Из рисунка видно, что применение полевого транзистора имеет явные преимущества при скоростях передачи данных менее 50 Мбит/с. Для каждого типа транзистора при низких скоростях передачи данных минимально необходимый ток изменяется пропорционально В В таком случае он зависит от 1 и R (или R и [c.382]

КМОП ИС - комплементарные схемы, в которых МОП-транзисторы с каналами р- и н-типа используются парами. В типичной комплементарной схеме (рис. 2.17) р-и и-канальные полевые транзисторы включены последовательно. Выводы затворов соединены, так что входной сигнал подается на оба затвора. Если на вход подана 1, то транзистор Л открыт, а В - закрыт в результате уровень напряжения на выходе 1. Если на затворы подан О, то закрыт транзистор А, В открыт, так что на выходе 0. Сигнал на выходе этой схемы повторяет сигнал на входе. Эту схему можно назвать экспандером она обладает высокой нагрузкой способностью — позволяет подключать большое число нагрузок. [c.25]

Рис. 2.17. Типовая схема последовательного включения полевых транзисторов с различными типами проводимости. При подаче на вход цифрового сигнала один транзистор закрыт, другой - открыт

В балансных смесителях удобно применять сдвоенные транзисторы, выполненные на одной пластине полупроводникового материала, чем достигается практически полная идентичность их характеристик в диапазоне температур. К ним относятся полевые транзисторы типа КПС104, КПС202. - [c.36]

Унитрон — плоскостной униполярный транзистор, представляющий собой пластину полупроводника, у которой на торцах имеются омические контакты, а на больших гранях слои, образующие с пластиной р—п переходы выходная цепь образуется пластиной полупроводника одного типа, т. е. не включает р—п перехода к унитронам чаще всего относят различные разновидности полевых транзисторов, реже — двухбазовый диод [9. 10]. [c.162]

Рассмотрим полевой транзистор, в котором ток осуществляется электронами. У этого транзистора канал, по которому течет ток, состоит из -полупроводника (рис. 138). На рис. 138 канал расположен между электродом И, называемым истоком, и электродом m, называемым стоком. С боков канала имеются две области с -проводимостью. Совокупность этих двух полупроводников называется затвором. Между истоком и стоком прикладывается высокая разность потенциалов (Уст.и порядка 10-20 В. Между истоком и затвором прикладывается обратная разность потенциалов (7з меньшей абсолютной величины (от — 1 до — 3 В). Если 6epei -ся канал />-типа, а затворы- -типа, то полярность батарей необходимо изменить на обратную. [c.367]

Контроль 70ка в полевом транзисторе можно осуществлять не только с помощью затвора из полупроводника другого типа, как это было описано, но и с помощью подобранного соответствующим образом металлического затвора, изолированного от канала. В качестве изолирующего слоя используются оксиды. Такие транзисторы называются металлооксидными полевыми транзисторами. Принцип их работы аналогичен описанному выше. [c.368]

Из кремния изготавляются различные типы полупроводниковых диодов низкочастотные (высокочастотные), маломощные (мощные), полевые транзисторы стабилитроны тиристоры. Широкое применение в технике нашли кремниевые фотопреобразователь-ные приборы фотодиоды, фототранзисторы, фотоэлементы солнечных батарей. Подобно германию, кремний используется для изготовления датчиков Холла, тензодатчиков, детекторов ядерных излучений. [c.288]

В статье приводятся результаты исследования различных ключевых схем на полевых транзисторах (ПТ) и рекомендх -ются схемы, обеспечивающие минимальные погрешности преобразователей мощности модуляционного типа. [c.105]

Так, полевые транзисторы, основанные на селективно легированных гетероструктурах с двумерным электронным газом, обладают большим быстродействием (> 10 ПС при 7 =77К—ЗООК). Прибор представляет собой гетероструктуру указанного типа, выращенную на полуиаолирующсй подложке GaAs (рпс. 8). Напряжение приложенное к стоку н истоку, [c.326]

ЭП СЗУПВ строятся на базе триггеров. При этом могут использоваться как полевые транзисторы (рис. 3, д), так и транзисторы биполярные (рис. 3, е). По быстродействию биполярные СЗУПВ превосходят все остальные типы полупроводниковых П. у. Типичное время переключения биполярных СЗУПВ ёмкостью [c.525]

Чувствительность Р. у., особенно в СВЧ-диапазояе, решающим образом зависит от коэф. шума и усиления по мощности первых каскадов УТ. На рис. 3 приведены обобщённые шумовые характеристики МШУ и диодных смесителей. Наименьшим уровнем шумов обладают охлаждаемые квантовые парамагн. усилители, однако вследствие высокой сложности и стоимости, плохих массогабаритных показателей их использование ограничено практически радиоастрономическими Р. у. Весьма низким уровнем шумов обладают также охлаждаемые параметрич. усилители и усилители на полевых транзисторах с барьером Шоттки (УПТШ), причём массогабаритные показатели допускают их применение даже в бортовых Р. у. Оба типа устройств применяются препы. в наземных Р. у. систем космич. связи, причём вследствие большей простоты и технологичности полевых транзисторов они постепенно вытесняют пара мет- [c.233]

Наряду с вакуумными известны преобразователи твердотельного типа — полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы), в которых ВАХ является функцией механического напряжения, приложенного к активной области кристалла р—п-переходу, каналу [3]. Практически все известные типы полупроводниковых приборов могут использоваться в этих целях. Эффект здесь достигается за счет того, что при изменении размеров активной области изменяются коицеитрация и подвижность носителей заряда, а в полевом транзисторе с изолированным затвором возникает еще и пьезоэлектрическая поляризация в изолирующем слое. Полупроводниковые МЭП этого типа имеют значительно меньший механический импеданс, чем механотрон, и могут измерять малые силы, поскольку их чувствительность высока однако [c.204]

База данных КРЛ "VITUS" содержит информацию о параметрах моделей биполярных и полевых транзисторов, диодов, стабилитронов, операционных усилителей, ферромагнитных сердечников и макромоделей функциональных узлов РЭС. Благодаря наличию такой базы данных при описании элемента достаточно указать его тип, а информация о параметрах будет считана КРЛ из базы данных автоматически. [c.79]

Прибор предназначен для определения потенциала поверхности технологических аппаратов, заполненных агрессивными электропроводными средами. Он эксплуатируется в нолевых и стационарных условиях при температуре окружающей среды от —30 до 50°С атмосферном давлении 0,06—0,1 МПа, относительной влажности воздуха до 80%. Милливольтметр ПВМ-ЗБ1 работает в комплексе с датчиками потенциала (тип и конструкция датчиков выбираются в зависимости от конкретных условий эксплуатации). Прибор представляет собой истоковый повторитель на полевом транзисторе. Технические данные [c.119]

Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-транзистор) обедненного типа с Р-ка-налом [c.476]

Для регистрации зкзоэмиссии в схеме используется вторично-элсктро нный умножитель 12 с открытым входом типа ВЭУ-1А. Сигнал с выхода электронного умножителя. поступает на предусилитель 13 с коэффициентом усиления порядка 10 и полосой пропускания 1 МГц, выполненный на полевых транзисторах и обеспечивающий высокое входное сопротивление и низкий уровень шумов. С предусилителя сигнал поступает -на широ копо- [c.98]

Расчетпоказывает, что для полевого транзистора с р-п переходом и каналом и-типа при температуре Т [c.101]

Согласно Са (С. Т. Sali) [47] флуктуация числа занятых ловушек в области пространственного заряда модулирует ширину этой области и, следовательно, ширину канала. В результате флуктуирует сопротивление любого участка Лд канала, а это, в свою очередь, за счет постоянного тока, протекающего по каналу, приводит к флуктуирующей э. д. с. на участке Ах. Последняя вызывает флуктуации тока стока. Суммируя вклады всех участков Ах, получаем полный эффект флуктуации тока стока. Вычислим его для полевого транзистора с р-п переходом и каналом п-типа. (Сходный эффект имеет место в области пространственного заряда МОП-транзистора [48].) [c.107]

Наряду с ИЛ в качестве излучателей для ИОЭС определенный интерес представляют СИД [19]. На рис. 9.11 показа-х на схема, в которой СИД поверхностного типа интегрирован с усилительным каскадом из трех полевых транзисторов [19]. [c.165]

При подсоединении внешних цепей к вертикально отклоняющему входу из-за несогласования нагрузки может возникнуть помеха, искажающая входной сигнал. Эта помеха может быть уменьшена, если для подсоединения внешних цепей использовать коаксиальный кабель. Однако емкость используемого коаксиального кабеля и измерительного щупа, подсоединенного к этому кабелю, может быть достаточной, особенно на высоких частотах, для изменения входного импеданса осциллографа, что приведет к значительному влиянию нагрузочных цепей на измерительный тракт. Существует несколько разновидностей щупов для осциллографов, которые спроектированы так, чтобы увеличивать входной импеданс и, следовательно, уменьшать влияние нагрузки. Широко распространенный пассивный щуп для измерения напряжения является десятикратным аттенюатором (10 1). Этот щуп, как правило, состоит из резистора, равного 9 МОм, и конденсатора (Рис. 10.11). Такой измерительный щуп не только уменьшает емкость нагрузки, но понижает также и чувствительность по напряжению, так как такой щуп является К—С делителем напряжения (см. главу 9 и Рис. 9.28в). В состав активного щупа для измерения напряжения входит полевой транзистор, это позволяет решить проблему, связанную со снижением чувствительности по напряжению. Другой разновидностью щупов является щуп для измерения тока (Рис. 10.12). Такой измерительный щуп может быть укреплен вокруг проводника, по которому протекает ток. Физически такой щуп никак не влияет ни на один элемент, входящий в сосгав цепи, по которой протекает измеряемый ток. Такой тип щупа известен как токовый трансформатор. [c.151]

Приемники представляют собой многоканальные тепловые приемные устройства (ТПУ). Каждый канал ТПУ состоит из пироэлектрического приемника излучения поперечного типа с чувствительным элементом в виде полого клина и согласуюи его каскада, выполненного по схеме истокового повторителя на полевом транзисторе. [c.278]

Полевой транзистор с изопированным затвором обедненного типа с / -каналом [c.1154]

Полевой транзистор с двумя изопированными затворами обедненного типа с 7У-каналом и с выводом от подложки [c.1154]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...