Транзисторы для усиления мощности низкой частот

Германиевые транзисторы д я усиления мощности низкой частоты [c.724]

Усилители напряжения низкой частоты на транзисторах по сравнению с усилителями на электронных лампах отличаются некоторыми особенностями. Транзистор управляется не напряжением, как радиолампа, а током его параметры и усилительные свойства — функции рабочих токов, а токи эти зависят от температуры транзистора. Поэтому стабилизация режима транзистора по постоянному току (стабилизация тока коллектора) — непременное условие хорошей работы схемы. В зависимости от того, какой электрод транзистора является общим для входной и выходной цепей усилителя, различают три схемы включения транзистора с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Параметры транзистора и усилителя для каждой из этих схем различны. Схема с ОЭ, имеющая наибольшее усиление по мощности и средние значения величин входного и выходного сопротивлений, применяют в усилителях чаще других. [c.251]

В схемах УРЧ можно применять полевые транзисторы с двумя затворами (например,, КП350). В этом случае напряжение регулировки усиления (1 У) подается на второй затвор. В УРЧ современных приемников все чаще применяют иизкошумящие усилительные элементы с линейными характеристиками при больших уровнях входных сигналов, например, биполярные и полевые транзисторы средней и большой мощности-с граничными частотами, равными сотням мегагерц, что обеспечивает равномерность усиления и стабильность усилителя во всем коротковолновом диапазоне. Более того, для удлинения линейной части характеристик часто применяют двухтактные схемы УРЧ подобно тому, как это делают иа низких частотах. [c.77]

Если на выходной характеристике транзистора (рис. 3.15, отложить значения /к.крпри различных напряжениях коллектора и полученные точки соединить, мы получим линию ОВ, которую можно считать границей области с достаточно высокими усилительными свойствами. Крутизна этой линии значительно меньше, чем крутизна линии ОА, принадлежащей статическим xapaктepи т -кам. По ее наклону можно вычислить ВЧ сопротивление насыщения, которое получается в 2—З.раза больше, чем на низкой частоте Попытка выйти за пределы ЛИВИИ ОВ на высоких частотах и использовать всю область характеристик, чтобы добиться дальнейшего повышения КПД, требует значительного повышения мощности возбуждения, т. е. снижает Кр (коэффициент усиления по мощности). [c.128]

Линейные усилители мощности на транзисторах. На транзисторах труднее построить линейный усилитель с малым уровнем комбинационных искажений, чем на лампах. У большинства транзисторов коэффициент усиления зависит от коллекторного тока, т. е. от уровня усиливаемого сигнала. По мере увеличения тока коллектора усиление вначале растет, затем падает. Поэтому транзисторы общего назначения могут обеспечить линейный режим работы прн меньших уровнях мощности и знааительно более низких частотах, чем предельные. Например, транзистор, отдающий в телеграфном режиме 50 Вт на частотах 150 МГц, на этой частоте не может быть эффективно использован для линейного усиления. Даже прн снижении частоты до 30 МГц ои отдает в линейном режиме-только 30—40 Вт. Для линейных усилителей конструируют специальные транзисторы, у которых зависимость коэффициент усиления от тока ослаблена. Иногда длй линеаризации нагрузки на предыдущий каскад и снижения образуемых в нем комбинационных искажений в цепь базы мощного усилителя включают последовательно резистор небольшого сопротивления, но при этом уменьшается усиление. [c.137]

Мощные полевые транзисторы (КП901, КП904, КП907) можно с успехом применять в линейных усилителях. Кроме высокой линейности они имеют большой коэф(1)ициент усиления по мощности, высокое входное сопротивление, лучшую температурную стабильность, стойки к перенапряжениям в выходной и особенно входной цепях. В то же время мощные полевые транзисторы имеют низкий КПД (40—50 %) и меньшую единичную мощность, чем биполярные Разработаны полевые транзисторы, имеющие мощность 50 Вт на частоте 100 МГц. [c.138]

Анализ конструкций акустических течеискателей показал, что, в основном, они изготовлены примерно по одинаковым принципиальным схемам. Приемник течеискате-ля улавливает ультразвуковые колебания газа, истекаю-щего через течи, и преобразует их в электрические колебания. В качестве приемника обычно используют пьезоэлектрический микрофон, который либо размещают в корпусе течеискателя (ТУЗ-2, ТУЗ-5М), либо выполняют в виде выносного щупа (АТ-1, АТ-2), в котором смонтирован микрофон и предварительный усилитель высокой частоты, усиливающий электрические колебания по мощности и напряжению. В нем есть несколько каскадов усиления, собранных на транзисторах, поэтому коэффициент усиления можно регулировать. В преобразователе электрические сигналы детектируются по амплитуде, фильтруются и проходят согласующий каскад. Усилитель низкой час ТОТЫ усиливает электрические колебания до величины, необходимой для нормальной работы индикаторного прибора и головных телефонов. В усилителе предусмотрена регулировка коэффициента усиления. Блок питания осуществляет электроснабжение всех узлов течеискателя. В нем есть аккумуляторные батареи, для подзарядки которых служит зарядное устройство. [c.119]

Посмотрим, что произойдет, если увеличивать отношение /Г (см. рис. 9.2, где показана зависимость интенсивности прошедшего света от интенсивности падающего). Как мы видим, наклон кривой может стать больше единицы, иными словами, дифференциальное усиление сИ2-/сП может быть больше единицы. Если при этом медленно модулировать интенсивность падающего света, то на интенсивность прошедшего модуляция будет передана в соответствии с нелинейным соотношением /7- = /7- (/ ) и окажется усиленной. Таким образом, система действует как оптический транзистор. Если увеличивать отношение аЫТ еще сильнее, то кривая /7 = /7 (/ ), отвечающая стационарным условиям, становится 5-об-разной. В то время как участки с положительным наклоном являются устойчивыми, участок с отрицательным наклоном неустойчив. Таким образом, имеется определенный интервал значений / , в котором система бистабильна. Если медленно увеличивать мощность падающего света от нуля до величины, лежащей за областью бистабильности, а затем изменять ее в обратном направлении, то мы получим петлю гистерезиса, содержащую ветви с низким и высоким пропусканием. Такое бистабильное поведение системы обусловлено как нелинейностью взаимодействия атом — поле, так и обратной связью, создаваемой зеркалами оно и составит предмет нашего дальнейшего изучения. Пороговое значение аЫТ, при котором возникает бистабильность, зависит от ряда параметров отстройки резонатора (относительно частоты поля), отстройки атома, неоднородного уширения линии и т. Д. Когда поле падающего света находится в точном резонансе с атомной линией, дисперсия не проявляется и можно говорить о чисто абсорбционной биста- [c.232]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...