Схем ы включения транзисторов

На рис. 8.36, б приведена схема включения транзистора в цепь к истоку подается плюс, к стоку—минус источника напряжения Уст, к затвору — минус источника Vg-Для простоты рассмотрения будем считать, что поверхностные состояния отсутствуют. Тогда свойства [c.252]

Усилители напряжения низкой частоты на транзисторах по сравнению с усилителями на электронных лампах отличаются некоторыми особенностями. Транзистор управляется не напряжением, как радиолампа, а током его параметры и усилительные свойства — функции рабочих токов, а токи эти зависят от температуры транзистора. Поэтому стабилизация режима транзистора по постоянному току (стабилизация тока коллектора) — непременное условие хорошей работы схемы. В зависимости от того, какой электрод транзистора является общим для входной и выходной цепей усилителя, различают три схемы включения транзистора с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Параметры транзистора и усилителя для каждой из этих схем различны. Схема с ОЭ, имеющая наибольшее усиление по мощности и средние значения величин входного и выходного сопротивлений, применяют в усилителях чаще других. [c.251]

Рис. 90. Схема включения транзистора тппа р—п—р

Рис. 39. Принципиальная схема включения транзистора в цепь зажигания

Рис. 40. Схема включения транзистора

Биполярные транзисторы — полупроводниковые приборы, используемые для усиления сигналов. В зависимости от силы тока, проходящего через переход база — эмиттер, меняется сопротивление перехода коллектор -г- эмиттер. Наиболее распространенной является схема включения транзистора с общим эмиттером, где входное напряжение подается на переход база — эмиттер, а выходное напряжение снимается с перехода коллектор — эмиттер (рис. 3.20). Параметры транзисторов описываются семейством входных характеристик /б = /( /бз) и семейством выходных характеристик /к = Я Укэ). Используя эти характеристики, можно установить связь между силой токов через переходы транзистора и приложенными к ним напряжениями, рассчитать коэффициент усиления транзистора / 21=/к//б, определить, в каком состоянии находится транзистор, и оценить, не произошло ли превышение предельно допустимых значений его параметров. [c.470]

Рис. 4. Схемы включения транзистора с общим эмиттером (а), с общей базой (б) и с общим коллектором (е)

Передача (усиление) тока транзисторами либо полностью, либо частично связана с процессом диффузии поэтому верхняя граничная частота усиливаемого сигнала в П. у., как правило, определяется пе величинами паразитных емкостей и паразитных индуктивностей, как в обычном ламповом усилителе, а временем пролета т,-,р носителей тока (дырок или электронов) в базовой области транзистора Т ,р определяет т. н. критич. частоту транзистора /ц. В П. у. обычно /ц s /ц, к-рая лежит в интервале 108—108 гц (/ц обычных ламповых усилителей — 10 гц) и существенно зависит от схемы включения транзистора. Последнее связано с тем, что в различных схемах П. у. (рис. 1) усиливаемый сигнал тока изменяет эмиттерный или базовый токи транзистора, обусловленные различными носителями (основными или неосновными). Напр., в случае транзистора типа р—п р в П. у. с общей базой приходящий сигнал изменяет эмиттерный ток, т. е. количество дырок (неосновных носителей), инжектируемых в базовую область. Дырки диффундируют через базу со средним временем пролета tj,p, определяющим /ц г l T jp. В этом случае = / . В П. у. с общим эмиттером усиливаемый сигнал изменяет ток базы 1 , обусловленный гл. обр. процессом рекомбинации. [c.127]

Из трех возможных схем включения транзисторов в усилителях наиболее широко используется схема с общим эмиттером. При таком включении транзистор обеспечивает наибольший ко фициент усиления и имеет в десять раз большее входное сопротивление, чем при включении по схеме с общей базой. [c.142]

Схемы включения транзисторов р-п-р и п-р-п отличаются полярностью подключения источников питания. [c.170]

Схемы включения транзисторов [c.171]

Недостатков, присущих фильтрам ФК (малый к. п. д. и большое гвых), нет в схемах фильтров ФЭ на основе эмиттерного повторителя, приведенных на рис. 3.7, а и б. Эмиттерный повторитель в качестве фильтра имеет два важных преимущества его выходное сопротивление меньше, чем у всех других схем включения транзистора, и составляет величину от десятых до единиц ома, а его коэффициент усиления по напряжению немного меньше единицы. Из этого ясно, что в фильтре ФЭ легче ослабить влияние зависимой э. д. с. а/эгк- Кроме того, автоматическое смещение на базу уменьшает влияние изменения температуры окружающей среды и смены транзисторов на режим работы фильтра. [c.141]

Из трех схем включения транзистора с общей базой ОБ, общим эмиттером ОЭ и общим коллектором ОК — для коммутации мощных цепей наиболее приемлемой является схема включения с общим эмиттером (в схеме ОБ сила тока управления больше нагрузочного тока, в схеме ОК амплитуда управляющего напряжения должна превышать выходное). [c.188]

Рис. П7. Схема включения транзистора

Усилители на транзисторах. В диапазоне СВЧ так же, как и на более низких частотах, в усилителях используются три схемы включения транзистора с общим эмиттером, с общей базой и с общим коллектором. Усиление на каскад, как правило, получается малым, поэтому используются многокаскадные схемы. Выполняются усилители в гибридно-интегральных конструкциях. [c.96]

Транзистор симметричный — транзистор, электрические характеристики которого практически не изменяются при перемене местами (в схеме включения) коллекторного и эмиттерного выводов. [c.159]

При включении транзистора по схеме, представленной на рисунке 162 (схема с общим эмиттером), отношение изменения тока коллектора к изменению тока базы Л/ является отношением изменения выходного тока А/дых к изменению входного тока A/jj. Это отношение называется коэффициентом усиления по току [c.161]

Включение транзистора по схеме с общим эмиттером [c.364]

В обычных условиях для коэффициента усиления р удается получить значения около 50 и больше. При включении транзистора по схеме с общим эмиттером он действует как усилитель тока. [c.365]

Включение транзистора по схеме с общей базой [c.366]

Схема полевою транзистора а) и его включение в схемы (б) [c.366]

Параметры транзисторов зависят от схем включения и режимов работы. Наиболее распространены две схемы включения с общей базой (ОБ) и с общим эмиттером (ОЭ). Основными параметрами транзисторов. в этих схемах являются коэффициенты усиления по току а (для схемы ОБ) и (для схемы ОЭ), граничная чистота усиления по току а также предельно- [c.151]

В отличие от рассмотренных схем в генераторной установке применена принципиально отличающаяся схема включения цепи питания обмотки возбуждения и регулятора напряжения. Обмотка возбуждения и выходной транзистор УТ вместе с гасящим диодом У0 выключены между нулевой точкой обмотки статора и корпусом. Питание обмотки возбуждения от аккумуляторной батареи при замкнутых контактах выключателя 5 и неработающем двигателе осуществляется через подпиточный резистор / под- Ток при этом не превышает 0,3 А. При разомкнутых контактах выключателя 5 выходной транзистор закрыт и ток в обмотку возбуждения не поступает. [c.55]

Применение такой схемы питания обмотки возбуждения позволило применить такой же ротор, как у 14-вольтовых генераторов. Кроме того, такая схема включения обеспечивает уменьшение перенапряжения на выходном транзисторе, когда он находится в закрытом состоянии, за счет уменьшения более чем в 2 раза напряжения питания [c.56]

Контроль ряда параметров бесконтактных систем зажигания имеет свои особенности. Так как в этих системах отсутствуют контакты, а-их функцию выполняет выходной транзистор, угол замкнутого состояния будет относиться к выходному транзистору. Для определения угла замкнутого состояния, асинхронизма искрообразования и характеристик центробежного и вакуумного регуляторов на стенде собирается схема (рис. 7.5), аналогичная схеме включения системы зажигания на автомобиле, но вместо катушки зажигания устанавливают резистор Я. Затем с помощью привода стенда устанавливают заданную частоту вращения валика датчика-распределителя. При этом падение напряжения на резисторе Я, которое пропорционально углу замкнутого состояния, подают на схему измерения. Стенд СПЗ-12 содержит также синхроноскоп, конструкция которого отличается от рассмотренной выше. Вместо неоновой лампы, расположенной под щелью, в данном случае на вращающемся диске закреплены светодиоды. В зависимости от числа коммутаций, которое должен обеспечить выходной транзистор (четыре, шесть или восемь) за один оборот валика датчика-распределителя, в схему подключается такое же число светодиодов. Каждый из светодиодов коммутируется последовательно один за другим и излучает свет в периоды, когда вы- [c.124]

Третий вариант схемы предусматривает включение нагрузочного сопротивления в эмиттерный участок цепи. Общим электродом является коллектор. Эта схема обеспечивает усиление тока и мощности, но без увеличения напряжения. Третий вариант включения транзистора час- [c.62]

На рис. 7.11 приведена принципиальная электрическая схема универсального усилителя, предназначенного для работы в устройствах, допускающих включение транзисторов по схеме с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором в цветных и черно-белых телевизионных приемниках. [c.317]

При переключении S/1 в положение II или III на выводе / реле 52.3747, соединенному с входом операционного усилителя DA, появляется напряжение. Операционный усилитель обеспечивает периодический заряд конденсаторов С2 и СЗ, разряд которых на цепь база — эмиттер транзистора VTI открывает его и транзистор VT2, обмотка реле KV через переход эмиттер — коллектор VT2 и вывод 15 подключается к бортовой сети, реле срабатывает, замыкает контакты KV.1, включая через вывод S электродвигатель стеклоочистителя в работу на малой скорости. После разряда конденсаторов С2 и СЗ цепь базы транзистора VTI обесточивается и закрывается транзистор VT2, стеклоочиститель отключается. Появление напряжения на выводе S реле 52.3747 происходит с частотой 14 циклов в 1 мин. Реле 52.3747 при включении стеклоомывателя одновременно включает в работу и двигатель стеклоочистителя на малой скорости. Это обеспечивается схемой на транзисторах УТЗ, VT4. При переводе выключателя в положение VI (стеклоочиститель включен) через вывод 86 происходит смещение в прямом направлении перехода база — эмиттер транзистора VT4. Следствием этого является переход в открытое состояние транзисторов VT4, УТЗ, VTI и УТ2. Реле КУ замыкает контакты КУЛ, и стеклоочиститель вступает в работу. [c.295]

Ослабление температурного дрейфа может быть достигнуто соответотвующим выбором схем включения транзисторов в последующих каскадах усилителя. Если собственный тепловой ток коллекторной цепи последующего каскада меет направление, встречное тепловому току предыдущего каскада, суммарный тепловой дрейф усилителя существенно уменьшается. Подобный метод возможен в схемах, где транзисторы включены с общим эмиттером. [c.67]

Принципиальная схема приемника приведена на рис. 25. Она представляет собой однодиапазаиный вариангг схемы рис. 18, в которой упрощена входная цепь, изменена схема включения транзистора Тз УПЧ, УНЧ выполнен по бестрансформаторной схеме и понижено начальное напряжение питания с 9 до 4,5 в. [c.44]

Основнрле параметры транзистора входное и выходное сопротивление, коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности — зависят не только от схемы включения, но и от состояния и режима его работы Из приведенных схем наибольшее применение в аппаратах и системах автоматики получила схема включения транзистора с общим эмиттером. Эта схема дает возможность получить наибольший коэффициент усиления по мощности, достигающий нескольких тысяч, в то время как в двух других схемах (см. рис. 4, б и в) он измеряется десятками или сотнями. [c.12]

На рис. в.8 приведена схема включения транзистора тина р-п-р с дырочной проводимостью, используемого в качестве элеит-роматнитного реле. Если напряжение в проводах входной цепи 1 (эмиттер—база у транзистора) неодинаково (рис. 6.8а) и на базу [c.66]

Т ранзисторы — представляют собой трехэлектродные полупроводниковые элементы. Возможны три схемы включения транзистора [c.35]

Наибольшее распространение получили УРЧ с включением транзистора по схеме р общим эмиттером, что позволяет получать большее усиление по сравнению со схемой включения транзистора с общей базой. Однахо для получения устойчивого коэффициента усиления В блоках УКВ транзистор в УРЧ включают по схеме с общей базой. [c.5]

Рис. 4Л, Схема включения транзистора IRG4PII50LID нри анализе но постоянному ток

Измерение статических характеристик производится для маломощного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, в режиме анализа по постоянному току (Апа1уз1з>0С). Сначала измерения проводятся при стандартной температуре +27°С, а затем в интервале температур. Схема включения транзистора показана на рис. П7. [c.357]

Благодаря использованию транзисторов с высоким коэффициентом усиления и каскодных схем включения удается исключить дополнительный источник питания, а питание базовой цепи производить от напряжения на данном элементе. Опорный сигнал для питания базы в такой схеме снимается с кремниевого диода в прямом включении (рис. 27). Нелинейные элементы, построенные по такой схеме, имеют вольт-амперные характеристики, которые образуют семейство параболических кривых. Для настройки этих характеристик служат резисторы R2, R3, R4 и R5. Проведены испытания схемы с различными типами транзисторов, цель которых — исследование погрешности элементов от временного дрейфа и температуры, изучение стабильности нелинейной характеристики и точности аппроксимации заданных кривых вольт-амперными характеристиками нелинейного элемента [206]. [c.106]

Часть схемы на транзисторах VTI, УТЗ, УГ4 и УТБ является регулирующим элементом. Интерес представляют транзисторы УТ4 и УТ5, включенные по схеме составного транзистора (схема Дарлингтона). При такой схеме включения два транзистора рассматриваются как один с большим коэффициентом усиления. Применение составного транзистора в выходной цепи регулятора напряжения позволило снизить силу его базового тока, а следовательно, исключить применение в базовой цепи резистора большого [c.36]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...