Транзистор ж. дрейфовый

Транзистор дрейфовый — транзистор, в котором перенос неосновных носителей зарядов через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа к дрейфовым транзисторам относят некоторые типы выращенных транзисторов и диффузионно-сплавные транзисторы [4]. [c.157]

Транзистор диффузионно-сплавной — транзистор, изготовленный путем введения примесей с помощью процессов диффузии и сплавления относится по принципу действия к дрейфовым транзисторам [9]. [c.157]

Если рассматривать р — п — р-транзистор, через эмиттерный переход Я1 слева направо имеет место диффузия основных носителей — дырок. Справа налево проходит через тот же переход диффузионный ток основных носителей базы — электронов. Одновременно неосновные носители (дырки в п-слое и электроны в р-слое), ускоряемые возникшим электрическим полем р — п-перехода, создают так называемые дрейфовые токи дырочный, проходящий из слоя п в слой р, и электронный — из слоя р в слой п. Направления дрейфовых токов соответственно противоположны направлениям токов диффузионных. При отсутствии внешнего поля, т. е. внешнего источника напряжения, диффузионные и дрейфовые составляющие токов каждого вида носителей равны между собой и результирующий ток через переход П равен нулю. [c.61]

Приближенная эквивалентная электрическая схема изображена на рис. 18.30. Микросхема содержит два дрейфовых транзистора р-п-р типа в качестве переключаемых элементов со входом на базу и общую нагрузку в виде распределенного сопротивления р-типа. Микросхема Р12-2 выполняется в металлополимерном корпусе диаметром 3 мм и высотой 1,1 мм с мягкими выводами из золотой проволоки диаметром 50 мкм (рис. 18.31). Масса микросхемы не превышает 24 мг. [c.705]

Меза-транзистор (меза-триод) — дрейфовый транзистор своеобразной конструкции конической формы с малым расстоянием между [c.148]

Инжекция неосновных носителей происходит при подаче прямого смещення на р — п-переход, гетеропереход или контакт металл — полупроводник вследствие уменьшения разности потенциалов на контакте. Инжектированные неосновные носители проникают в полупроводник на глубину, определяемую рекомбинацией она по порядку величины совпадает с диффузионной длиной в слабых внеш. нолях и с дрейфовой длиной (см. Дрейф носителей заряда) в сильных полях. Инжекция неосновных носителей лежит в основе действия полупроводникового диода, транзистора и др, полупроводниковых приборов. Изучение стационарных и переходных процессов И. н. з. позволяет исследовать подвижности носителей, а также определить концентрации, энергетич. положения и сечения захвата примесных центров в высокоомных полупроводниках и диэлектриках. Прохождение инжекционных токов является одним из механизмов переноса заряда в тонких диэлектрич. плёнках. [c.148]

Высокочастотные дрейфовые П. т. различаются методами изготовления переходов и невыпрямляющих контактов [диффузионно-сплавные типа П401—П403 и др., микросплавные, меза-транзистор, планарный триод, конверсионный и др.]. Современные высокочастотные триоды имеют от ЮО до 1000 Мгц. [c.126]

Модель программы ПА-1 получается в случае, если область базы представить одной секцией модели Линвилла и пренебречь дрейфовыми составляющими токов перехода. Для статического режима получим распределение токов в базе (рис. 6.2,а). Здесь /э, /б, /к — токи через выводы эмиттера, базы и коллектора. Электроны, инжектируемые эмиттером и коллектором в базу, частично рекомбинируются в ней, образуя рекомбинационные токи, а частично достигают противоположного перехода. Здесь / э, /пк — общий электронный ток соответственно через эмиттерный и коллекторный переходы. Рекомбинация происходит во всей области базы. Параметры и переменные усредняются в пределах секции, поэтому рекомбинационный ток представляется в виде двух сосредоточенных составляющих /рек.э и /рек.к. Ток ПереНОСа /г = / э—/рек.э. Дырочная составляющая эмиттерного диффузионного тока /рэ не создает переноса носителей между эмиттером и коллектором, так как для основных носителей в базе р-типа переходы создают не пропускающий дырки потенциальный барьер. Поэтому ток /рэ полностью входит в ток базы. Сумму рекомбинационного /рек.э и дырочного тока /рэ обозначим /эд. Аналогично, /кд — сумма рекомбинационного /рек.к и дырочного тока /рк коллекторного перехода в зоне базы. Задачу получения математической модели транзистора можно сформулировать следующим образом — необходимо связать токи /г, /эд, /кд с напряжениями (по отношению к базе) на эмит-терном 7эб и коллекторном [/кб переходах. Представив эти токи как зависимые источники, можно от распределения токов в базе перейти к исходному варианту эквивалентной схемы. Дополнив статическую схему емкостями эмиттерного Сэ и коллекторного Ск переходов, сопротивлениями утечки переходов Яуэ, Яук и объемными сопротивлениями тел базы Гб и коллектора Гк, получим полную эквивалентную схему транзистора (рис. 6.4). [c.134]

Высокая частота преобразователя на дрейфовых транзисторах приводит к резкому увеличению скорости изменения токов при переключении, что влечет за собой увеличение влияния иидуктнвиостн рассеивания трансформаторов и индуктивности монтажа. Эти паразит ные индуктивности, в свою очередь, приводят к появлению коммутационных перенапряжений на транзисторах и резкому увеличению высокочастотных помех. Поэтому конструкция такого преобразователя напряжения должна быть симметричной относительно переключающегося трансформатора, монтаж должен быть компактным и выполняться короткими проводами, Кроме того, может возникнуть необходимость в установке дополнительных помехоподавляющих фильтров, проходных конденсаторов и экранов. [c.186]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...