Первый транзистор

Небольшое случайное приращение иа базе первого транзистора с усилением и в противофазе подается на базу второго транзистора, и с коллектора второго транзистора с еще большим усилением это напряжение, уже в фазе, подается на базу первого транзистора. Таким путем возникают лавинообразные изменения коллекторных и базовых напряжений. [c.273]

Когда первый транзистор Тх закрыт, второй открыт. Конденсатор разряжается через открытый транзистор Т . Ток разряда этого конденса- [c.273]

Сигнальное напряжение уменьшится, увеличится разностное напряжение, действующее в цепи базы первого транзистора, препятствуя дальнейшему уменьшению тока базы, а следовательно, и уменьшению тока нагрузки. При изменении напряжения сети несколько изменится ток нагрузки, что приводит к срабатыванию усилителя постоянного тока в результате при значительных изменениях напряжения сети ток нагрузки изменяется мало. Однако поскольку напряжение, подаваемое на выпрямительный мост 2Д-5Д через дроссель ДН, несколько изменится с изменением напряжения сети, а эталонное напряжение остается неизменным, то и напряжение, подаваемое на 1ГТ, и ток выхода выпрямителя будет изменяться с изменением напряжения питающей сети. Чтобы уменьшить это влияние, последовательно с 1Д включен резистор 5Я, который делает опорное напряжение также несколько зависимым от напряжения сети, что повышает стабилизацию тока при изменении напряжения сети. [c.316]

Первые массовые автоматические регуляторы, построенные на базе электронных усилителей, так же как и первые цифровые и аналоговые вычислительные машины, появились после второй мировой войны. Это были громоздкие и капризные сооружения. Основным активным элементом в них была электронная лампа, вакуумный прибор, созданный еще на рубеже XX в. и ведущий свое начало от Эдисона. Правда, технология производства и качество их резко улучшились за 50 лет. Возросла и долговечность, но сам по себе принцип вакуумного прибора несет в себе возможность быстрого старения, а необходимость в подогреваемых цепях накала (нужно создавать электронную эмиссию катода) — склонность к катастрофическим, т. е. мгновенным и полным отказам. Первые транзисторы, разрабатывавшиеся главным образом на основе германия, по своим параметрам выглядели слабыми конкурентами электронным лампам — и усиление, и частотные характеристики, и неустойчивость к температурным и радиационным воздействиям казались многим разработчикам непреодолимыми препятствиями. [c.78]

При включении выключателя РСт плюс источника питания через низкочастотный фильтр Е20, С4 и резистор К17 поступает к базе транзистора У13, который открывается, и система начинает работать в режиме трехкратного искрообразования. В момент первого размыкания контактов прерывателя положительный импульс сброса , сформированный дифференцирующей цепью С6, НЗВ, через резистор НЗб и диоды УЗ, У8 открывает левые по схеме транзисторы обоих триггеров (У1, Уб), устанавливая их в строго определенные состояния, которые условно назовем первыми. Транзисторы У1, У6 при этом открыты, а УБ, У9 закрыты. Транзистор У10 открыт по цепи К14, Н13, а транзистор У11 закрыт. [c.22]

Преобразователь частоты 4M сигналов выполнен на микросхеме 0А1 по схеме с отдельным гетеродином. Гетеродин собран на первом транзисторе микросхемы по схеме автогенератора с емкостной обратной связью по напряжению (Сбб), Контур гетеродина образован катушкой L35 и конденсаторами С45—С48, С51. С помощью варикапа V02 осуществляется автоматическая подстройка частоты гетеродина блока УКВ. [c.60]

В базу первого транзистора включена цепь К2 С1, определяющая время задержки срабатывания реле. Эта схема проста, но она имеет один существенный недостаток реле находится под током [c.58]

Полупроводниковые приборы, разработанные до 1964 г., продолжают маркироваться по старой системе, предусматривающей составление марки из трех элементов первый элемент — буква Д для диодов или П для транзисторов второй элемент — число, отличающее прибор данного типа от Других, причем сотня, в пределах которой оно выбрано, [c.138]

Кристадин — кристаллический детектор, изобретенный О. В. Лосевым в ]922 г. и явившийся первым полупроводниковым прибором—ч предшественником современных транзисторов 19]. [c.146]

Поскольку гальванометр магнитоэлектрической системы реагирует на внешние, возможно имеющиеся в грунте напряжения постоянного тока, перед ним включается конденсатор. Посторонние напряжения переменного тока с частотой 16% или 50 Гц тоже не могут повлиять на результат измерения, поскольку рабочая частота измерительных мостов переменного тока при схеме с вибропреобразователями составляет 108 Гц, а по схеме с транзисторами — около 135 Гц. Первая высшая гармоника в мостовой схеме выпрямителя станции катодной зашиты (100 Гц) обычно вызывает заметные биения. Однако при не слишком больших амплитудах и в этом случае еще возможно выявление нуля путем настройки одинаковых отклонений по обе стороны от нулевой точки. Некоторые характеристики приборов для измерения сопротивления представлены в табл. 3.2. В принципе все четырехполюсные приборы для измерения сопротивления могут быть использованы при закорачивании обеих клемм Ei и также и для измерения сопротивлений растеканию тока в грунт. [c.114]

На схему 44 сравнения через переключатель П2 может быть подан сигнал, пропорциональный амплитуде колебаний активного захвата, или сигнал, пропорциональный максимальной нагрузке за цикл. На другой вход схемы сравнения через переключатель ПЗ поступает сигнал программы. Этот сигнал в виде постоянного напряжения снимают либо с источника 52 опорного напряжения, либо с программатора 53. Балансировку схемы сравнения производят по показаниям иуль-индикатора 45. Алгебраическая сумма сигналов, действующих на входах схемы сравнения, пройдя через цепь 43 коррекции, является управляющим сигналом для потенциометра 42, который выполнен в виде делителя в коллекторной цепи транзистора. Одно плечо делителя образовано постоянным резистором, а другое — внутренним сопротивлением электронной лампы (или полевого транзистора). Управляющее напряжение действует на сетку электронной лампы (затвор транзистора). Эта схема отличается достаточной глубиной регулирования, обеспечивая программирование в пределах 10—100% измеряемого параметра с запасом 20 дБ, Кроме того, она позволяет простым переключением П2 проводить испытания в рел<нме заданных амплитуд колебаний активного захвата (жесткое нагружение) и режиме заданных нагрузок (эластичное нагружение). Автоматически выключается машина при разрушении испытуемого образца 18 или снижении частоты колебаний о заданного значения. В первом случае режим [c.125]

Усилитель ведущей дорожки (рис. 3) служит для усиления и формирования импульсов синхронизации, считываемых с ведущей дорожки перфоленты. Первый каскад на транзисторе работает в ключевом режиме. При отсутствии сигнала с фотопреобразователя ключ находится в режиме отсечки и напряжение на коллекторе стремится к напряжению питания (— 10 в), но из-за нагрузки следующим каскадом имеет величину — 0,5 ч- 0,6 в. [c.178]

Для получения импульсно-потенциального сигнала необходимо коллектор транзистора соединить с резистором Rs- Токовая нагрузка включается последовательно с резистором R . Первый каскад усилителя кодовой дорожки (рис. 4) на транзисторе Ti аналогичен первому каскаду усилителя ведущей дорожки. [c.179]

Маркировка транзисторов состоит из трех элементов. Первый элемент — буква П второй элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки и отличающее транзистор по частоте, мощности и классификационному параметру (табл. 14) третий элемент — буква, определяющая разновидность типа. [c.247]

Нужно ли еще что-то от робота Тем не менее ученые и изобретатели уже ломают голову над пятым поколением роботов, обладающих сенсорными способностями позволяющими выполнять инспектирование, сортировку и сборку сложных изделий. Если обычно первое поколение ЭВМ работает на электронных лампах, второе — на транзисторах, третье — на микросхемах и четвертое — на сверхбольших интегральных схемах, то на пятом поколении предполагается применить такое расположение сверхбольших интегральных схем, чтобы робот мог одновременно выполнять множество операций. Это дает значительное увеличение его эффективности. [c.44]

Цифровые вычислительные машины по мере развития элементной базы (электронные лампы, транзисторы, интегральные схемы, твердые схемы с большой степенью интеграции) прошли соответственно стадии машин первого, второго, третьего поколений и вступают в стадию четвертого поколения. Поколения машин отличаются друг от друга не только технической базой, но и возрастающим быстродействием и объемом памяти, а главное — функциональными возможностями и математическим обеспечением. [c.803]

Собраны командогенераторы на двух транзисторах. На первом транзисторе выполнен генератор, а второй — согласует с нагрузкой трансформаторный выход генератора и образует смесительный и усилительный каскады, так как управление с данного пульта можно производить одновременно двумя механизмами крана в любом сочетании. [c.10]

Регулятор напряжения 201.3702 (рис. 3.14) выпускается взамен регуляторов РР350, РР350-А. Чувствительный элемент здесь содержит делитель напряжения на резисторах Ri, R2, R3, Н4 и стабилитрон У01. Отличием регулятора 201.3702 является то, что стабилитрон ]/01 расположен не в базовой, а в эмиттерной цепи первого транзистора электронного реле УГ/, что увеличивает ток через него и повышает четкость его срабатывания. Электронное реле, кроме транзистора VII, включает в себя транзисторы УТЗ— УТ5. Транзисторы УТ4, УТ5 включены по схеме составного транзистора (схема Дарлингтона), при которой эти два транзистора могут рассматриваться как один с большим коэффициентом усиления. Схема, кроме гибких обратных [c.53]

Эта схема имеет следующие достоинства пеизменность фазы, большой коэффициент усиления по току, использование тока коллектора первого транзистора для управления генератором, простота схемы. [c.26]

Входная цепь радиоприемника в диапазоне КВ состоит из двух широкополосных контуров (неперестраивае-мых), настроенных на середину поддиапазона. Сигнал из антенны поступает на первый контур, настроенный на среднюю частоту поддиапазона. Второй контур, включенный последовательно в цепь передачи сигнала на вход первого транзистора приемника, настроен на частоту зеркального канала, Вторые контуры Ы-12, С1-12 Ы-14, С1-14 11-16, С1-16 являются фильтр-пробками для частот зеркальных каналов. Настройка на станции в этом случае осуществляется с помощью катушки ферроварнометра Ы-Ю, [c.50]

Для защиты от коротких замыканий стабилизатор содержит схему, состоящую из стабистора Д4, транзистора 77 и параллельно включенных резисторов Р,12, Транзистор схемы защиты включен между эмиттер ной цепью регулирующего транзистора и бззой первого транзистора, образующих составной. При номинальном токе нагрузки стабилизатора транзистор Т7 закрыт. С увеличением тока выше номинального транзистор Т7 открывается и запирает схему составного транзистора. Схема защиты хорошо работает при коротком замыкании выхода или когда ток нагрузки в несколько раз превышает номинальное значение. При перегрузке на 20.,.50% [c.60]

Для получения большого и устойчивого коэффициента усиления на высокочастотных диапазонах и улучшения линейности характеристик усилителя иногда применяют каскодные схемы включения ламп и транзисторов. Схема каскод-ного усилителя на полевых транзисторах показана на рис. 1.17.- Избыточное усиление на низкочастотных диапазонах скомпенсировано частичным 1 ключе-нием входного контура в цепь затвора первого транзистора. Это повышает устойчивость усилите)1я и уменьшает уровень комбинационных искажений- Последовательный контур СфЬф подавляет нежелательные сигналы с частотой настройки контура. Для получения устойчивого усиления на высоких частотах в резонансных усилителях необходимо нейтрализовать влияние проходной емкости анод — сетка схок—затвор коллектор—база б- Наиболее часто применяют схемы нейтрализации, которые показаны на рис. 1.18. [c.28]

Схема с одним силовым транзистором проста, но / учшим решением явпяется схема с двумя транзисторами. В этом случае первый транзистор получает сигнал от прерывателя и управляет вторым, силовым, транзистором, который прерывает ток в катушке. [c.123]

Выходной транзистор Т3 из предыдущей схемы включает и выключает управляющий транзистор Т (см. рис. 6.81). Ток в цепи эмиттера создает напряжение на первом транзисторе схемы Дарлингтона, которое заставляет силовой ключ быстро включиться при вкпючении Т . [c.135]

Элемент формализованного задания 1 содержит задания на выдачу справочном информации о первой группе геометрии элемента ТРАНЗИСТОР КТ3107Г. [c.131]

Арсенид галлия среди соединений А " В занимает особое положение. Большая ширина запрещенной зоны (1,4 эВ), высокая подвижность электронов [0,85 м /(В-с)] позволяют создавать на его основе приборы, работающие при высоких температурах и высоких частотах. Первым полупроводником являлся GaAs, на котором в 1962 г. был создан инжекционный лазер. Он используется для изготовления светодиодов, туннельных диодов, диодов Ганна, транзисторов, солнечных батарей и других приборов. Для изготовления детекторов в инфракрасной области спектра, датчиков Холла, термоэлектрических генераторов, тензометров применяется анти-монид индия, имеющий очень малую ширину запрещенной зоны [c.291]

Иногда по практическим соображениям оказывается целесообразнее использовать для транзисторов материалы, менее стойкие к облучению, например кремний, которые в специфических условиях, при повышенных температурах, обеспечивают оптимальную радиационную стойкость. С другой стороны, если по условиям работы требуются устройства с более широкой областью базы (т. е. более низкие значения предельной частоты передачи тока), то требования к радиационной стойкости снижаются. Это становится ясным после рассмотрения радиационных эффектов в мощных транзисторах. В Брукхейвене [33] испытывали мощные германиевые транзисторы типа 2N297 и 2N236B. Было получено хорошее согласие расчетных и экспериментальных значений снижения коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером. Однако если в качестве критерия разрушения принять состояние, в котором обратный ток коллектора увеличивается на порядок, а коэффициент усиления по току в схеме с заземленным эмиттером уменьшается в 2 раза, то оказывается, что изменение первой характеристики происходит при интегральном потоке быстрых нейтронов (5 8)-10 нейтрон 1см , а второй — между [c.290]

Как уже указывалось, тонкопленочные структуры позволяют создавать приборы с разнообразными нелинейными ВАХ. В качестве примера рассмотрим пятислойную МДМДМ-структуру, показанную на рис. 10.10, а. В этой структуре первая диэлектрическая пленка между электродами Mi и Mi делается достаточно тонкой для обеспечения туннелирования сквозь нее фермневских электронов, инжектируемых из первого металла. Она играет роль эмиттерного перехода транзистора. Вторая диэлектрическая пленка берется значительно толще с тем, чтобы электроны могли проходить через нее только вследствие надбарьерной инжекции. При приложении к ней смещения и в отсутствие смещения на эмиттерной пленке ток между электродами М а Мз может быть поэтому весьма малым. Эта пленка играет роль коллекторного перехода. Ток через пленку можно увеличить, подав соответствующее смещение на эмиттерную пленку (рис. 10.10, б). Если толщина базы (металлической пленки М ) мала по сравнению с длиной свободного пробега электронов, инжектируемых в нее через эмиттерную пленку, то ток коллектора (пленки Дг) можно сделать почти равным току эмиттера, т. е. сделать коэффициент усиления по току в схеме с общей базой близким к 1. [c.284]

Сигнал с релейного усилителя, имеющий скважность лг 2, дифференцируется / С-цепочкой и подается на формирователь на транзисторе Тработающий, как и первый каскад, в ключевом режиме. Формирователь открывается при поступлении на его вход отрицательного дифференцированного импульса, соответствующего заднему фронту сигнала. [c.179]

Развитие интегральной электроники. Ун е первые МИС изменили принцип проектирования радиоэлектронной аппаратуры, особенно ЭВМ. Вместо конструирования устройств, измерения характеристик приборов и их взаимного согласования синтез стал осуществляться на логич, уровне. Согласование характеристик транзисторов перешло к технологии. Поскольку И. с. (независимо от степепн интеграции) стоят примерно столько Ячс, сколько транзисторы домнкроэлектронного периода, то стоимость ЭВМ снижается (в среднем) пропорц. степени интеграции. [c.155]

Чувствительность Р. у., особенно в СВЧ-диапазояе, решающим образом зависит от коэф. шума и усиления по мощности первых каскадов УТ. На рис. 3 приведены обобщённые шумовые характеристики МШУ и диодных смесителей. Наименьшим уровнем шумов обладают охлаждаемые квантовые парамагн. усилители, однако вследствие высокой сложности и стоимости, плохих массогабаритных показателей их использование ограничено практически радиоастрономическими Р. у. Весьма низким уровнем шумов обладают также охлаждаемые параметрич. усилители и усилители на полевых транзисторах с барьером Шоттки (УПТШ), причём массогабаритные показатели допускают их применение даже в бортовых Р. у. Оба типа устройств применяются препы. в наземных Р. у. систем космич. связи, причём вследствие большей простоты и технологичности полевых транзисторов они постепенно вытесняют пара мет- [c.233]

В Р. у. первого типа усиливаемые колебания подводятся к управляющему электроду (транзистора, электронной лампы, ИС), резонансный контур включён в цепь выходного электрода и возбуждается его током. Используются пренм. на умеренно высоких частотах, на к-рых значительна развязка между выходной и входной цепями управляющего электрода, В качестве ра-эовансного контура применяют обычно простые одиночные контуры с сосредоточенными параметрами и малым собств. затуханием (d g 1), В режиме усиления малых колебаний макс. коэф. усиления напряжения лрп резонансе = SPg, где S — крутизна усилит, [c.315]

Измерительное устройство на стабилитроне не может быть использовано в качестве регулятора напряжения по двум причинам. Во-первых, рабочий ток стабилитрона значительно меньше тока обмотки возбуждения генератора, и, во-вторых, он не обеспечивает требуемое фазирование работы измерительного устройства и тока в обмотке возбуждения (ток в обмотке возбуждения должен быть максимальным, когда нагфяжение генератора меньше номинального, а стабилитрон начинает проводить ток при достижении генератором номинального напряжения, т.е. ток возбуждения н ток стабилитрона находятся в противофазе). Поэтому исполнительный элемент (транзистор) должен работать в противофазе с измерительным устройством и синфазно с током возбуждения. Для обеспечения требуемого фазирования между исполнительным элементом и измерительным устройством требуется еще один каскад усиления рассогласования, в связи с чем регулятор напряжения имеет как минимум два каскада на транзисторах. [c.7]

При появлении импульсов через резисторы R6 и R7 будет заряжаться конденсатор С4 и далее через диод VD6 - конденсатор С5. Напряжение от которого зарядятся конденсаторы С4 и С5 за один импульс напряжения, будет обратно пропорционально их емкости. Так как емкость конденсатора С5 больше емкости конденсатора С4, напряжение на конденсаторе С5 будет меньше. В период отсутствия импульсов f/к конденсатор С4 успевает полностью разрядиться через диод VD4, открытый транзистор VT1 и диод VD5. Конденсатор С5 за это время разрядится частично через резисторы R8 и R9. При появлении второго импульса ток заряда опять будет протекать через конденсаторы С4 и С5, но напряжение на конденсаторе С5 в конце импульса будет больше, чем в конце первого импульса. Противоположная картина наблюдается на конденсаторе С4. Процесс увеличения напряжения на конденсаторе С5 будет протекать до момента достижения им определенного значения, а затем остановится. Причем установившееся значение напряжения на конденсаторе С5 будет зависеть от частоты импульсов напряжения t4. Чем больше частота импульсов зависящая от частоты напряжения, вьфабатываемого одной фазой обмотки статора генератора, тем больше будет установившееся значение напряжения на конденсаторе С5. [c.49]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...