Транзистор канальный —

Транзистор канальный — см. транзистор полевой. [c.157]

КМОП ИС - комплементарные схемы, в которых МОП-транзисторы с каналами р- и н-типа используются парами. В типичной комплементарной схеме (рис. 2.17) р-и и-канальные полевые транзисторы включены последовательно. Выводы затворов соединены, так что входной сигнал подается на оба затвора. Если на вход подана 1, то транзистор Л открыт, а В - закрыт в результате уровень напряжения на выходе 1. Если на затворы подан О, то закрыт транзистор А, В открыт, так что на выходе 0. Сигнал на выходе этой схемы повторяет сигнал на входе. Эту схему можно назвать экспандером она обладает высокой нагрузкой способностью — позволяет подключать большое число нагрузок. [c.25]

В этом разделе уравнения непрерывности тока исключены из рассмотрения. Поэтому необходимо, чтобы потенциалы Ферми электронов и дырок, Ф/г и Рр, были выбраны независимо. Точное решение уравнения Пуассона в квазиравновесном случае можно получить, полагая и Ф/г локально постоянными в различных областях структуры. Например, в -канальном МОП-транзисторе в областях истока и стока используются постоянные значения Ф ., согласующиеся с напряжениями смещения истока и стока соответственно. Постоянное значение Ф , согласованное с напряжением смещения подложки, используется во всей области подложки. Применение локально постоянных значений Ф и Ф г в некоторой области эквивалентно предположению, что в этой области нет переноса заряда. Любое [c.354]

Базовая схема КМОП-инвертора и его принципиальная технологическая структура воспроизводятся на рис. 15.40. При использовании данных, приведенных в табл. 15.6, достигаются пороговые напряжения около 1,2 В (для и-канального транзистора) и -1,2В (для р-канального транзистора). Поскольку эти значения довольно велики, можно ожидать лучшего отношения сигнал-шум по сравнению с этой характеристикой рассмотренного в предьщущем параграфе инвертора. [c.441]

Полное время /у, определяемое как время, за которое на выходе достигается нижний уровень, можно найти численным интегрированием обратной выходной характеристики для = 5 В (рис. 15.43 ). Значение /у, пропорциональное выходной емкости, равно 4,3 не для = 1 пФ. При сдвиге входного сигнала в сторону верхнего уровня задержка 6/цет больше из-за меньшей емкости р-канального транзистора (Гу= 7,6 не). [c.444]

Канал — 1) область между двумя базисными ячейками в канальной вентильной матрице. 2) Зазор между истоком и стоком полевого транзистора с КМОП-структурой. [c.384]

Транзистор канальный — см. транзистор полевой. Транзистор кремниевый — транзистор, изготовленный на основе кремния отличается от германиевого транзистора способностью работать при волее высоких температурах — до 120—150 С (4, 9]. [c.157]

В ИС нелинейные твердотельные приборы, детали структуры к-рых имеют микронные размеры (микроприборы), и линии связи между ними формируются в едином технол. процессе на общей пластине — подложке (интегральная технология). Важнейшие приборы, входящие в состав ИС транзисторы (биполярные, полевые), их комплементарные пары п-р-п — — р-п-р", п-канальные и р-канальные) энергозави-си.чые транзисторы (напр., с плавающим затвором) диоды твердотельные (на р — и-переходах, диоды Шоттки) приборы с зарядовой связью (передача заряда в цепях из тысяч МДП-элементов, см. МДЙ-структура), на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), на доменных стенках и линиях. Разрабатываются новые [c.152]

Два противоположных значения спонтанной поляризации сег-нетоэлектрика (+Рс и —Рс) в сегнетоэлектрических кристаллах могут длительно сохраняться, обеспечивая тем самым в запоминающих устройствах ЭВМ запись и хранение информации по двоичному коду. Например, импульс положительной полярности ориентирует домены и приводит к остаточной поляризации, примерно равной +Рс- Последующий положительный считывающий импульс в этом случае не приводит к переполяризации и ток через сегнетоэлектрический элемент памяти оказывается ничтожно малым. Если же записан отрицательный импульс, то при считывании происходит переполяризация — скачок поляризации от —Рс до +Рс, что приводит к импульсу тока через сегнетоконден-сатор. Аналогичным образом сегнетоэлектрическая пленка может управлять током канального транзистора, если сегнетоэлектрик используется в качестве подзатворного диэлектрика (напыляется в ходе изготовления микросхемы). [c.188]

Ясно, что при больших скоростях работы носители в канале ПЗС-структур должны испытывать влияние значительной компоненты поля Е, параллельной направлению переноса. Численные расчеты показывают, что максимум поля, переносящего заряд, возникает на расстоянии около 0,4 L в глубь канала, где L — длина затвора [25]. Наоборот, это поле стремится иметь низкие значения под центром затвора вблизи поверхности полупроводника из-за закорачивающего действия металла. Это предполагает, что при работе с большими скоростями канальный слой должен быть довольно толстым, обычно микрон или более. Однако использование толстого слоя вступает в противоречие с двумя другими аспектами конструкции устройства. Во-первых, толстый слой будет иметь в соответствии с уравнением (3.2) высокое напряжение отсечки, и это сделает необходимым соответственно высокий размах тактовых напр5Гжений. Напряжение отсечки может быть уменьшено при снижении N, но за счет приносимой в жертву емкости, определяемой зарядом (пропорциональной NT) и, следовательно, динамического диапазона. Вторая проблема состоит в том, что для работы с большой скоростью размещенные на чипе вспомогательные цепи, такие как выходные полевые транзисторы или формирователи тактовых импульсов, требуют применения тонких канальных слоев. На рис. 3.11 изображены эти противоречивые требования к п-слою с концентрацией доноров N на полубесконечной подложке. Кривая В — это линия постоянного напряжения отсечки, составляющего 3,5 В. Это значение выбрано потому, что для применений при гигагерцевых тактовых частотах максимальный размах тактового напряжения не должен выходить за пределы от 5 до 7 В. Кривые постоянной, определяемой зарядом емкости NT, показаны пунктирными линиями, и ясно, что динамический диапазон быстро уменьшается для толстых слоев. Участок, обозначенный Л, однако, является типичной областью параметров для конструкций полевых транзисторов на широкозонном GaAs и, следовательно, является желательной областью режимов для вспомогательных электронных цепей- на полевых транзисторах. Таким образом, требования к ПЗС-струк- [c.90]

Следует ожидать, что в данном случае спектральная плотность шума будет возрастать на низких частотах из-за составляющ,ей I// или фликер-шума. Третий тип транзистора, упомянутый в 14.3, а именно, полевой канальный транзистор иа арсенйде галлия, может быть сделан с высокой проводимостью g , 50 мСм) и очень малой емкостью затвора (меньше 0,5 пФ) при превосходной ширине полосы усиления (больше 1 ГГц). Эквивалентное шумовое напряжение такое же ил даже меньше, чем у кремниевого биполярного транзистора (приблизи. тельно 1 нB/ Гц, а значение эквивалентного шумового тока, вероятно, находится межау значениями, характерными для биполярного и полевого кремниевых транзисторов (не более 0,1 пЛ/уГц). [c.357]

Если тёперь подставить в полученные выше выражения значения /у и Уу и предположить, что /С = 12, С = 5 пФ, а в качестве фотодетектора используется кремниевый лавинный фотодиод с Л1 = 1(Х) и Р — 6, то получим следующие значения для (А/) и (А/) для кремниевого канального транзистора — (А/)х = 20 Гц и (Л/)2 = 1ГГц для кремниевого биполярного транзистора — (Af) — 750 кГц и (А/)г = 4 ГГц. [c.358]

В шуме конкретного оптического прнемника с полевым транзистором на входе преобладает слагаемое б выражения (14.4.10).. Можно предположить, что в шумовом напряжении, создаваемом полевым транзистором, Vy преобладает шум канального сопротивления, определяемый выражением 4A7 /g ) Показать, что при этих условиях отношение (входная емкость) /крутизна характернстикн (С / для полевого транзистора является мерой качества и должно быть минимизировано. [c.367]

Сравнение результатов моделирования с экспериментально измеренными электрическими характеристиками короткоканального МОП-транзистора убедительно показывает, что метод расчета тока на основе уравнения Пуассона с приемлемой точностью предсказывает поведение характеристик прибора [14.12]. Приборы изготавливались на кремниевых подложках р-типа с ориентацией <100) по стандартной л-канальной технологии. Толщина слоя подзатворного окисла в приборах составляла 500 А, концентрация примесей в подложке была равна 2,8 10 см" , ширина канала составляла 10 мкм, адлины скрытого канала бьши равны 10,2 5,1 3,8 2,6 и 1,3 мкм. Значения эффективной длины канала, толщины слоя окисла и поверхностной подвижности определялись экспериментально. [c.384]

Для получения ярко выраженного порога и исключения эффекта смыкания был выбран процесс кремниевой технологии изготовления -канального транзистора с легированными мышьяком областями истока и стока и двойным имплантированнным слоем в канале. На рис. 15.18 показано ква-зитрехмерное распределение примеси в логарифмическом масштабе для 1-мкм транзистора. Имплантация в канале осуществлена бором с дозой 3,0 10 см и энергией 35 кэВ для поверхностного слоя и 160 кэВ для скрытого слоя. В результате такого процесса получается глубина р- -пере- [c.424]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...