Транзистор силовой

Транзисторы силовых цепе й. К силовым цепям изделий автомо бильной электронной аппаратуры относятся цепи с токами нагрузки порядка нескольких ампер. При использовании транзисторов для коммутации таких токов нагрузки необходимо снизить до минимума мощность, рассеиваемую в транзисторе, во избежание недопустимого его перегрева, а также для уменьшения размеров охлаждающего радиатора. [c.25]

Характеристики транзисторов силовых цепей типа n-p-t [c.26]

В системах со спонтанной активацией следует применять защитную установку с потенциостатическим регулированием, работающую по схеме, показанной на рис. 20.13. Требуемое заданное напряжение Us сравнивается в блоке формирования разности D с напряжением между электродом сравнения и объектом защиты, т. е. с фактическим напряжением Ui. Разность ДС/=С/з—Vi усиливается в усилителе напряжения SV" до величины Ко-АУ. Эта усиленная разность напряжений управляет силовым усилителем L, который подводит необходимый защитный ток Is через катод системы анодной защиты. При работе защитных установок с регулированием при помощи управляющих дросселей или транзисторов иногда возникают возмущающие колебания в процессе регулирования. Для предотвращения этого можно применить более медленно работающие потенциостаты с механическими исполнительными механизмами. Это особенно целесообразно в системах, активация которых при прекращении подачи защитного тока происходит лишь сравнительно медленно. [c.393]

На рис. 8 приведена схема компенсационно-параметрического стабилизатора, в котором рабочие обмотки Wp магнитного усилителя подключены через дополнительные транзисторы Т5 и Тб, а базовые цепи силовых транзисторов XI и Т2 питаются от специальных обмоток обратной связи Wi магнитного усилителя. Начальное отпирание силовых транзисторов (через С и С" ) и переключение дополнительных осуществляется синфазно от магнитного мультивибратора, включенного на выход стабилизатора. Поскольку напряжение на рабочей обмотке W p магнитного усилителя равно , то здесь также образуется параметрический канал регулирования. Однако за счет того, что имеется положительная обратная связь между базовыми цепями силовых транзисторов и цепями рабочих [c.341]

Состав силовой цепи всех типов электронных систем зажигания одинаков включатель зажигания, добавочный резистор, катушка зажигания, транзистор-ный коммутатор. [c.23]

Реальные схемы бесконтактных схем зажигания более сложны по сравнению с рассмотренной, так как на пусковых режимах напряжение, вырабатываемое датчиком, мало и недостаточно для управления силовым транзистором. Поэтому между выходным коммутирующим каскадом и магнитоэлектрическим датчиком включаются дополнительные каскады, предназначенные для усиления и преобразования входного сигнала датчика. [c.28]

Размыкание контактов прерывателя приводит к размыканию цепи тока управления транзистором и его запиранию, так как сопротивление перехода силового участка транзистора (коллектор — эмиттер) повышается до нескольких сотен ом. [c.156]

В последнее время все большее распространение получают сварочные выпрямители с тиристорным и транзисторным управлением. Силовая схема данного выпрямителя представляет собой неуправляемый сварочный трансформатор в сочетании с управляемым блоком выпрямления, собранным по мостовой схеме из управляемых диодов — тиристоров или транзисторов. Формирование ВВАХ источника питания осуществляется посредством фазового управления работой блока выпрямления тиристорного выпрямителя и частотно- или широтно-импульсного управления работой вышеназванного блока транзисторного выпрямителя. При этом для тиристорного выпрямителя возможно управление как во вторичной цепи сварочного трансформатора, так и в первичной. [c.128]

Источники с постовыми полупроводниковыми устройствами могут быть выполнены с использованием силовых вентилей — тиристоров и транзисторов. Различают постовые выпрямительные блоки, подключенные к общему источнику переменного тока, и постовые регуляторы, питающиеся от выводов постоянного тока многопостового выпрямителя. Источник с постовыми выпрямительными блоками имеет общий понижающий трансформатор. Наличие в постовом блоке обратных связей по напряжению и току позволяет сформировать как жесткие стабилизированные, так и крутопадающие характеристики, т.е. такие источники питания могут использоваться для ручной и механизированной сварки, а также как универсальные. На рис. 5.19 приведена схема четырех- [c.135]

Наличие на границах соединений (и в прилегающих к ним областях) пластин тех или иных дефектов может оказывать существенное влияние на электрофизические свойства многослойных композиций и рабочие характеристики создаваемых на их основе дискретных приборов и интегральных схем. С присутствием на границах соединения пластин тонких окисных слоев связано появление дополнительных потенциальных барьеров, существенно влияющих на характер прохождения тока в создаваемых / - -структурах. Возможные загрязнения поверхности соединения пластин электрически активными примесями являются причиной появления в многослойных композициях паразитных /(- -переходов, а также ловушек для носителей заряда. Дисперсные кислородсодержащие преципитаты в значительной мере определяют генерационно-рекомбинационные характеристики высокоомных рабочих слоев в силовых приборах и приводят, например, к возрастанию величин остаточных токов в полевых транзисторах. С наличием в области границ раздела дислокаций связано существенное увеличение токов утечки в биполярных транзисторах. Такого рода примеры можно было бы продолжить, но уже и так ясно, что успех в широкомасштабном внедрении многослойных структур, создаваемых методом прямого соединения пластин, в кремниевую микроэлектронику и силовую технику напрямую связан с их качеством. [c.82]

Это свойство тиристора коренным образом отличает его от транзистора. В последнем величина тока силовой цепи постоянно зависит от величины тока цепи управления, и при отключении цепи управления силовая цепь транзистора отключается. Тиристор же включается при замыкании цепи управления, изменение тока и даже полное отключение ее при работе тиристора не сказывается иа величине тока силовой цепи отключение тиристора происходит только при снятии анодного напряжения [c.39]

Измерительный орган регулятора делитель на резисторах R1. R2 — соединен с его органом сравнения стабилитроном VDI. Электронное реле регулятора собрано на транзисторах VTI, VT2, УТЗ, причем силовым транзистором в выходной цепи регулятора является составной транзистор УТ2, УТЗ. Резисторы R3, R4 совместно с диодом У02 представляют собой цепь жесткой обратной связи. При закрытом транзисторе VTI одно из плеч измерительного делителя образуется параллельным включением резистора RI и цепочки резисторов R4 — R3. При переходе УТ1 в открытое состояние он шунтирует совместно с диодом У02 резистор R4, что способствует ускорению запирания транзистора УТ1 и, следовательно, повышает частоту переключения схемы. Гибкая обратная связь через конденсаторы С1 к С2 снижает влияние электромагнитных помех, в том числе пульсаций выпрямленного напряжения генератора на работу регулятора напряжения, и предотвращает возможность самовозбуждения его схемы на высокой частоте. [c.99]

На рнс. 7.23 представлена схема коммутатора БСЗ автомобиля ВАЗ-2108, выполненная на базе специализированной микросхемы (рис. 7.24). В микросхеме имеются, практически, те же функциональные блоки, что и в коммутаторе (см. рис. 7.20). Коммутатор содержат конденсаторы., являющиеся внешними компонентами функциональных узлов микросхемы, источник электроснабжения микросхемы и датчика Холла VTI, VD1, выходной транзистор. Процесс интеграции распространяется также на силовую часть коммутатора. Здесь используется транзистор, в котором на одном кристалле, кремния наряду с предварительным каскадом усиления выполнена схема защиты выходного транзистора. [c.236]

Til R2 — соединен с его элементом сравнения стабилитроном VD. Электронное реле регулятора собрано на транзисторах VT, VT2 и VT3, причем силовым транзистором в выходной цепи регулятора является составной транзистор VT2, VT3. Резисторы R3 и RA совместно с диодом VD2 представляют собой цепь жесткой обратной связи. При закрытом транзисторе VTI одно из плеч измерительного делителя образуется параллельным включением резистора / 1 и цепи резисторов R3 и / 4. При переходе транзистора VT в открытое состояние он шунтирует совместно с диодом VD2 резистор RA, Это приводит к резкому уменьшению напряжения на стабилитроне VD, что способствует ускорению запирания транзистора VTI. Следовательно, в схеме этого регулятора цепь жесткой обратной связи повышает частоту переключения регулятора напряжения. [c.39]

Транзистор VT4 открыт, если частота вращения вала двигателя ниже пороговой и двигатель находится в холодном состоянии. Открытый транзистор УТ4 препятствует включению электромагнитных клапанов, перекрывающих подачу топлива по каналам системы холостого хода. Ток его эмиттера через резистор R24 проходит в цепь базы транзистора УТЪ, и он открывается. Открытый транзистор УТЪ шунтирует силовой усилитель на транзисторах УТЬ, УТ7, управляющий электромагнитными клапанами. [c.248]

Для охлаждения силового транзистора VT7 к нему прижата пластина — теплоотвод 4. Плата расположена внутри пластмассового корпуса 1 в специальных направляющих пазах. Штекерная колодка выполнена заодно с крышкой 3 блока, имеющей шесть щелей для прохода штекеров. Крышка блока прикреплена к корпусу двумя шурупами. Блок крепится к автомобилю за два пластмассовых ушка, выполненных заодно с корпусом. [c.251]

Использование свойств р — п-пе-реходов позволяет изготовлять силовые полупроводниковые выпрямители, диоды, фотоэлементы, транзисторы и другие приборы. [c.336]

Стабилитрон У34 ограничивает амплитуду паразитного импульса, возникающего в обмотке трансформатора Т1 в момент запирания транзистора У32. Этот импульс появляется вследствие того, что время закрывания транзистора У32 типа КТ818Г (около 0,05 мкс) значительно меньше, чем постоянная времени трансформатора Т1 (примерно 0,3 мкс). Поэтому в течение интервала времени, равного примерно 0,25 мкс, накопительный конденсатор С14 как бы еще не подключен и амплитуда импульса ограничивается лишь паразитной емкостью обмотки wl и может достичь ПО—120 В. Естественно, что если не принять специальных мер защиты, транзисторы силового ключа могут выйти из строя. [c.24]

Выше уже отмечалось, что в бортовой сети автомобиля воз можны значительные неренанряжения. Поэтому для транзисторов силовых ценей весьма важным параметром является напряжение Пкэ, птах - Чем выше коэф фициент транзистора, тем меньший ток необходимо подавать в его базу для обеспечения режима насыщения транзистора при заданном токе нагрузки (токе коллектора). Соответственно уменьшается и мощность, рассеиваемая в элементах цепи управления силовым тра нзистором. Это позво ляет использовать в данной цепи управляющие элементы (в том числе транзисторы) меньшей мощности. [c.26]

Силовыми элементами могут служить электромагнитные контакторы и реле — при позиционном и импульсном регулировании, а также магнитные усилители и полупроводниковые управляемые элементы (транзисторы, тиристоры, симисторы) — при всех видах регулирования. [c.477]

Систему управления инвертором функционально и конструктивно можно разделить на три части задающий генератор, каскады предварительного усиления и оконечный каскад (выходная панель). Принцип работы задающего генератора основывается на заряде емкости через переменное сопротивление и разряде ее через динистор. В качестве переменного сопротивления используется переход коллектор — эмиттер строенного транзистора. Деление частоты задающего генератора и предварительное формирование импульсов управления осуществляются на логических элементах и блокинг-генерато-рах. Оконечные каскады обоих каналов управления собраны на силовых тиристорах. Нагрузка оконечных каскадов (управляющие переходы тиристоров инвертора) подключается через трансформаторы. Трансформаторы выполнены на ферритовых сердечниках. Каждому плечу инвертора соответствует один трансформатор. Первичная обмотка трансформатора намотана секциями, между которыми намотаны вторичные обмотки. Импульсы управления имеют передний фронт не более 2 мкс при амплитуде импульсов 3—3,5 А. Система управления инвертором, кроме оконечных каскадов, выполнена отдельным блоком. В этом же блоке расположены цепи защиты преобразователя от аварийных режимов. [c.215]

Кроме этого, элементы обратной связи служат для снижения частоты переключений до оптимальной величины. Без обратной связи частота переключений будет определяться пульсациями силового выпрямителя, которые воздействуют на чувствительный элемент регулятора даже при наличии дросселя, хотя и в сглаженном виде. Частота этих пульсащш велика - до нескольких килогерц. При работе с такой частотой мощность потерь в транзисторе повышается в несколько раз по сравнению с работой при наличии обраггной связи, когда частота не превышает 50...300 Гц. [c.10]

Наряду с этим в качестве силового транзистора применяют высоковольтные транзисторы с допустимым обратньш напряжением 120... 200 В. [c.25]

При включении зажигания транзистор VT1 находится в закрытом состоянии, так как к его базе не приложен управляющий сигнал, а транзистор VT2 открыт положительным потенциалом, приложенным к его базе через диод VD4 и резисторы R3 и R7. Ток перехода эмиттер - база транзистора VT2 вызывает отпирание силового транзистора VT3. Через открытый транзистор VT3 проходит ток первичной цепи системы зажигания + аккумуляторной батареи => амперметр => вьшпочатель зажигания 2 => дополнительный резистор 3 =3-фильтр радиопомех => первичная обмотка W1 катушки зажигания 7 => переход коллектор - эмиттер транзистора VT3 => корпус (масса) => - аккумуляторной батареи. [c.29]

Первые германиевые транзисторы имели почти такие же размеры, что и германиевые диоды, и отличались от них только наличием на германиевой пластинке двух проволочных контактов вместо одного. Это были так называемые точечные транзисторы. Позднее был разработан прибор другого Tiina. Этот прибор был изготовлен из тонкой пластинки монокристалличе-ского германия, обработанной таким образом, что ее поверхности обладали свойствами, отличающимися от свойств ее внутренней части. Это были так называемые плоскостные транзисторы. Германиевые транзисторы обоих типов при их применении имеют свои преимущества и недостатки. Уже первые из таких транзисторов имели очень небольшие размеры (около 0,3 гм ). Так же как и в случае Д1юдов, усовершенствование технологии их изготовления привело к уменьшению размеров и. значительному улучшению их эксплуатационных характеристик. Силовые транзисторы обычно имеют гораздо большие размеры. [c.213]

ГО что ведущие мировые производители приборов силовой электроники и прежде всего, мощных полевых транзисторов, тиристоров, биполярных транзисторов с изолированным затвором (JGBT-приборов), сделали ставку на использование в качестве базовой именно технологии прямого соединения пластин. При этом речь идет о широком использовании в промышленном производстве исходных кремниевых пластин диаметром 200 мм. Аналогичная ситуация складывается и в производстве низковольтных и маломощных высокочастотных У СБИС на основе структур кремния на диэлектрике. Подтверждением этому является го, что по имеющимся прогнозам в 2000 г. предполагалось поставить на мировой рынок около 2 млн штук структур кремния на диэлектрике циаметром 200 мм (этой цифрой оценивалась реальная потребность в гаких структурах). При этом 80 % от этого количества планировалось произвести методом прямого соединения пластин. [c.83]

Известно, что значительную часть в общем выпуске полупроводниковой продукции составляют дискретные приборы (диоды, транзисторы, тиристоры) для нужд силовой промыхпленной электроники и мощной преобразовательной техники. [c.157]

Применительно к машинам для контактной стыковой сварки оплавлением в ИЭС им. Е. О. Патона разработана система управления СУ282 на основе однокристальной микроЭВМ К1816 ВЕ48. Система имеет 24 дискретных входа с гальванической развязкой и 16 (с возможностью расширения до 32) дискретных выходов. Предусмотрены две модификации выходных силовых ключей — на транзисторах и тиристорах, обеспечивающих включение исполнительных устройств как постоянного, так и переменного тока. В системе два аналоговых входа и столько же выходов (0...10 В) для управления сварочным напряжением и перемещением подвижной плиты машины. [c.228]

Более совершенный источник питания И-176 представляет собой выпрямитель, преобразующий трехфазный переменный ток номинальным напряжением 380 В в постоянный. Управление процессом сварки осуществляется с помощью микропроцессорной системы на базе однокристальной микроЭВМ. Регулирование силы тока в сварочной цепи и выполнение заданной программы его изменения производится посредством блока силовых транзисторов (типа ТКД 165-250-1), включенного последовательно в сварочную цепь. Система управления допускает набор 16-ти программ, при необходимости их число может быть увеличено до 32. Пределы регулирования сварочного тока 10... 1000 А. [c.389]

Отличительные особенности генераторной установки следующие. Во-первых, интегральный регулятор Я112В имеет разделенные вход и ВЫХОД. Управление силовым транзистором УТ осуществляется от отдельного вывода Б регулятора, который является выводом генераторной установки и соединен через контакты выключателя 5 с положительными выводами генератора и акку- [c.54]

Управлять скоростью таких двигателей можно с помощью элек-тромашинных усилителей, магнитных усилителей и различных электронных схем управления. Они подразделяются на линейные и импульсные. В импульсных схемах используют транзисторы, работающие в ключевом режиме, либо тиристоры (которые позволяют управлять не только малыми, но и значительными мощностями). В частности, появление тиристорных схем управления упрощает и делает более надежным силовой каскад в двухобмоточном варианте двигателя с последовательным возбуждением, особенно при его использовании в роботах-манипуляторах. В роботах-манипуляторах повышаются требования к компактности привода, к к. п. д., к точности и динамическим качествам движения в широком диапазоне скоростей (в том числе и при очень малых — ползучих — скоростях), к точной и надежной фиксации положений руки и т. п. Это обусловило создание нового типа электропривода — в виде единого компактного модуля — электродвигателя, редуктора и части корректирующих устройств (по край- [c.319]

Один из наружных слоев транзистора называют эмиттером, другой наружный слой — коллектором, а промежуточный слой — базой. Эмиттер и коллектор могут рассматриваться как силовые электроды, а база — как электрод управления. Из рисунка видно, что транзистор и п — р — п и р — п — р типа имеет два р — и-перехода. В транзисторах действие каждого из двух переходов можно считать незэвисимым. Переходы TJi и Яг, вознпкаю- [c.60]

В отличие от аналогичных электрозащитных устройств в сигнальной цепи АКХ помимо обычного нсточника опорного напряжения, обеспечивающего получение обратной характеристики устройства управления (т. е. нарастание тока в исполнительной цепи при снижении сигнального напряжения), имеется второй дополнительный источник э.д.с. Он необходим для установки рабочих точек транзисторов Тх и Тг и осуществления первичного запуска схемы управления АКС. Этот источник представляет собой обычный нестабллизированный. выпрямитель, питающийся от одной из вторичных обмоток силового трансформатора. Выпрямитель выполнен по мостовой схеме на четырех кремниевых диодах типа Д226 (Дв—Дз) К выходу выпрямителя подключен конденсатор С4 и делитель напряжения Р7, с помощью которого выходное напряжение второго источника э.д.с. можно регулировать в пределах О—б в. Полярность подключения его к сигнальной цепи такова, что при снижении напряжения, снимаемого с потенциометра Ру (например, при падении напряжения в сети переменного тока), происходит нарастание тока на выходе УПТ. Таким образом, второй вспомогательный источник э.д.с., включаемый последовательно с сигнальным напряжением, поступающим на вход усилителя с защищаемого сооружения и электрода сравнения, выполняет одновременно роль следящего устройства, устраняющего нестабильность источников питания установки. Он обеспечивает автоматическую компенсацию выходного напряжения АКС, обусловленную различными колебаниями напряжения в сети переменного тока. [c.105]

Выходной транзистор кремниевый, V-P- V-пpoвoдимo ти. Катушка зажигания включена в цепь коллектора выходного транзистора (2Т808Б) Назначение конденбатора С7 и стабилитрона VD6 аналогично на значению подобных элементов в схеме на рис. 7.16. Конденсатор С8 имея емкость, равную 0,022 мкФ, шунтирует участок эмиттер-кол лектор выходного транзистора и защищает его су воздействия высоко частотных импульсов перенапряжения по бортовой сети автомобиля Диод VD7 предохраняет силовую часть схемы коммутатора от протекания обратного тока яри изменении полярности тока в эксплуатации. [c.227]

В этих системах применялись системы защиты выходного транзистора от импульсных перенапряжений, защиты силовой части и управляющей части электронной схемы от импульсных перенапряжений и изменении полярности бортовой сети автомобиля. Были,устранены некоторые частные недостатки схемы коммутатора ТК200, например была решена проблема автоматического отключения силовой части коммутатора и катушки зажигания от источника тока при включенном зажигании и невращающемся вале двигателя. [c.230]

Прямоугольный сигнал с датчика Холла поступает на вход интегратора А1.2 через инвертор VTI. Интегратор выполнен на одном из операционных усилителей микросхемы К1401Д1. Напряжение сигнала интегратора пропорционально углу поворота датчика-распределителя. Сигнал интегратора подается на вход схемы сравнения (компаратора) А 1.3. Напряжение опорного уровня компаратора А 1.3 определяется потенциалом делителя, подаваемым на вход усилителя. Выходной сигнал компаратора поступает на один из входов логической схемы ИЛИ — НЕ , выполнен 10й иа транзисторе VT2. Наличие на одном из входов положительного сигнала определяет выключенное состояние выходного транзистора VT4. Открытие транзистора VT4 возможно только при отсутствии на любом из выходов схемы ИЛИ — НЕ положительных единичных сигналов. Такая ситуация возникает непосредственно п х-ле того, как осуществляется выключение компара ixjpa. Наличие нулевого уровня на входах логической схемы ИЛИ — НЕ наблюдается до тех пор, пока ток в цепи силового транзистора VT4 не достигнет заданного значения ( 8 А). При этом на резисторах R36, R37, bk.w-ченных параллельно, возникает потенциал, соответствующий опорному уровню компаратора А 1.4. На выходе компаратора возникает единичный положительный уровень, который поступает на вход логической с.че.чы ИЛИ — НЕ . Изменение состояния на входе логической схемы приводит к отпиранию транзистора VT2, запиранию тран- [c.232]

Усилитель А 1.1 используется для обеспечения режима безыскровой отсечки силового тока при электроснабжении и невращающемся вале двигателя. Схема безыскровой отсечци представляет собой интегратор с постоянной времени интегрирования, значительно превышающей период следования искр при самой малой скорости вращения коленчатого вала двигателя. При работающем двигателе с выхода интегратора на схему ИЛИ — НЕ подается практически нулевой уровень (см. рис. 7.21, 6), который не оказывает влияния на состояние транзистора УТ2. Однако после остановки двигателя через 2...5 с напряжение на выходе интегратора А1.1 постепенно достигнет уровня, достаточного для отпирания УТ2. Соответственно медленно, без искрообразования закроется выходной транзистор УТ4, и прервется цепь катушки зажигания. [c.234]

Регулятор не регулирует напряжение наблюдается увеличение напряжения генератора и перезаряд аккумуляторной батареи, это фиксируется амперметром по постоянно большому току заряда. Наиболее типичной причиной подобного дефекта является пробой перехода эмиттер — коллектор или эмиттер — база силового транзистора ТЗ. При проверке отказавшего в работе транзистора, эти переходы показывают сопротивление, равное нулю. Менее вероятными являются пробой переходов транзистора П214В, обрыв цепи электродов транзистора П302, обрыв цепи стабилитрона. [c.59]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...