Материалы для транзисторов

Материалы для транзисторов — материалы, в которых проявляется транзисторный эффект. [c.367]

Опережающая стандартизация (ОС) [16]. Темпы научно-технической революции XX в. привели к резкому сокращению времени между появлением научной идеи п ее реализацией. Так, для радио пе шод воплощения идеи в практику был равен приблизительно 35 годам (1867—1902 гг.), для телевидения 14 (1922—1936 гг.), а для транзисторов только 5 годам (1948—1953 гг.). Этот процесс ускоренного развития касается как конструкций машин и других изделий, так и методов, средств производства, новых материалов. Срок морального старения оборудования, приборов и механизмов сократился, что вызвало более быструю их смену. Критерием снятия с производства выпускаемого изделия являются экономические преимущества производства и эксплуатации нового изделия того же назначения, его большие технические возможности, лучшие эргономические и другие показатели качества. [c.62]

В общем случае для транзисторов, указанных в табл. 6.12, переходные величины 1со меньше для кремниевых устройств, чем для германиевых. В случае устройств с одинаковыми начальными характеристиками (особенно в отношении Ах) из теории следует, что для германия переходные величины тока /ео должны бы быть примерно в 2,5 раза больше, чем для кремния. Однако, не имея обширных данных о германиевых и кремниевых полупроводниковых приборах, можно предполагать, что основные различия между величинами /со для приборов из этих двух материалов являются следствием различий в технологии изготовления и свойствах материалов базы. [c.318]

Кремний является основным материалом для производства полупроводниковых приборов выпрямительных, мощных и маломощных биполярных транзисторов, полевых транзисторов и приборов с зарядовой связью. Кремний применяют также для создания детекторов ядерных излучений, датчиков Холла и тензодатчиков. Достаточно большое значение ширины запрещенной зоны позволяет кремниевым приборам работать при температурах до 180...200 С. [c.379]

Материалы для диодов с запирающим слоем и транзисторов Ge, 81, ОаАз, Си О. [c.315]

Полупроводниковые материалы используются для получения проводимости, управляемой внешними факторами, например, напряжение, температура, освещенность. Из них изготавливаются диоды, транзисторы, фоторезисторы и тому подобные элементы. [c.5]

Эти опыты показали, что низкочастотные транзисторы могут работать после облучения интегральным потоком быстрых нейтронов 10 — 10 нейтрон см , если допустимо некоторое изменение параметров схемы. Нужно учесть, что для испытания были выбраны такие материалы и конструкции транзисторов, которые обеспечивают высокую радиационную-стойкость этих транзисторов, например германий с диффузионной базой, обеспечивающий высокое значение предельной частоты передачи тока. [c.290]

В качестве легирующей добавки к конструкционным материалам, повышающей их прочность и твердость и увеличивающей износо- и коррозионную устойчивость. В виде нитей используется в термосопротивлениях, термоэлементах, гальванометрах. В качестве легирующей добавки при изготовлении ферромагнитных сплавов систем медь—марганец, медь-магний и марганец—углерод. В полупроводниковой технике и радиоэлектронных устройствах (германиевые транзисторы, кристаллические выпрямители и усилители). Изготовление сплавов для электрических контактов [c.345]

Серьезную конкуренцию наноэлектронике, основанной на использовании традиционных неорганических полупроводниковых материалов, в решении задач создания сверхминиатюрных и сверхбыстродействующих электронных устройств может составить молекулярная электроника. Как показывают исследования последних лет, индивидуальные молекулы ряда ароматических органических веществ, биомолекулы и углеродные нанотрубки обладают электрическими свойствами, которые, как считалось ранее, характерны только для объемных полупроводников. Они являются прекрасными проводниками электрического тока и могут использоваться в качестве переключателей при плотностях тока в миллионы раз больших, чем традиционная медная проволока. На их основе можно создавать мономолекулярные диодные переключатели, молекулярные полевые транзисторы и ряд других приборов. С использованием явлений самоорганизации на основе такого рода молекул можно формировать логические интегральные схемы и схемы памяти, рабочие напряжения в которых намного меньше, чем в традиционных полупроводниковых аналогах. [c.113]

Германий является одним из первых полупроводниковых материалов, получивших широкое практическое применение в серийном производстве различных полупроводниковых приборов. Его используют для изготовления выпрямительных и импульсных диодов, самых различных видов транзисторов, фотодиодов, фоторезисторов, фототранзисторов, детекторов инфракрасного излучения, тиристоров, счетчиков ядерных частиц, тензометров и т. д. Диапазон рабочих температур этих приборов от —60 до +80° С. [c.94]

Термостойкость транзистора ограничена меньшей из температур, вызывающих собственную проводимость или приводящих к явлению пробоя [4]. При отрицательных температурах термостойкость транзистора может быть ограничена механическими повреждениями (нарушение термопрочности) из-за различных температурных деформаций отдельных частей прибора, а также уменьшением коэффициента усиления по току. С термостойкостью связано другое важное понятие допустимые температуры для материалов и элементов. В некоторых случаях величина допустимой температуры [c.10]

Хорошо известна зависимость многих физических свойств полупроводников от состояния их поверхности [3—5]. В случае плёнок поверхностные эффекты могут полностью определять все характеристики материала. Именно это послужило Шокли и Пирсону [6] основанием для исследования эффекта поля в напыленных германиевых пленках, что впоследствии привело к созданию полевого транзистора [7]. Как показали дальнейшие исследования, и другие полупроводниковые материалы, например напыленные поликристаллические пленки сульфида кадмия, тоже могут быть применены в таких приборах [8]. Однако этот материал не оправдал надежд из-за недостаточной долговременной стабильности Одной из причин широкого изучения [c.317]

В последние годы наметился существенный прогресс в использовании этих материалов в разных областях техники, например, для создания транзисторов и оптоэлектронных приборов. [c.15]

В настоящее время кремний является основным материалом для изготовления полупроводниковых приборов диодов, транзисторов, фотоэлементов, тензопреобразователен и твердых схем микроэлектроники. При использовании кремния верхний предел рабочей температуры приборов может составлять в зависимости от степени очистки материала 120—200 С, что значительно выше, чем для [c.257]

Иногда по практическим соображениям оказывается целесообразнее использовать для транзисторов материалы, менее стойкие к облучению, например кремний, которые в специфических условиях, при повышенных температурах, обеспечивают оптимальную радиационную стойкость. С другой стороны, если по условиям работы требуются устройства с более широкой областью базы (т. е. более низкие значения предельной частоты передачи тока), то требования к радиационной стойкости снижаются. Это становится ясным после рассмотрения радиационных эффектов в мощных транзисторах. В Брукхейвене [33] испытывали мощные германиевые транзисторы типа 2N297 и 2N236B. Было получено хорошее согласие расчетных и экспериментальных значений снижения коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером. Однако если в качестве критерия разрушения принять состояние, в котором обратный ток коллектора увеличивается на порядок, а коэффициент усиления по току в схеме с заземленным эмиттером уменьшается в 2 раза, то оказывается, что изменение первой характеристики происходит при интегральном потоке быстрых нейтронов (5 8)-10 нейтрон 1см , а второй — между [c.290]

В зависимости от примесей кремний приобретает электронную проводимость п или, наоборот, пропускает заряды с недостатком электронов, где места отсутствующих электронов условно называют дырками, то есть приобретает дырочную проводимость р. С целью получения локальных областей для элементов микросхемы формируют разделительные области р" -типа - области дырочной проводимости с повышенной концентрацией носителей. Создание элементов в полупроводниковом материале требует наличия р-и-переходов - границы между областями с электронной (и-типа) и дырочной (р-типа) проводимостью. На рис. 25.2 показана последовательность основных технологических операций изготовления ПИМС на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии (эпитаксия - процесс ориентированного наращивания атомов одного кристаллического вещества на другом). Изготовление ПИМС на биполярных транзисторах включает [c.539]

В табл. 6.6 приведены значения коэффициента усиления по постоянному току hpE (при /с, равном 0,25 и 1,0 а) для нескольких транзисторов L5446, облученных быстрыми нейтронами последовательно в несколько приемов до 5-101 нейтрон/см . При указанных двух значениях коллекторного тока и начальных значениях удельного электросопротивления области базы в пределах 2,9—25 ом-см коэффициент уменьшается с увеличением интегрального потока. Эти результаты качественно подтвердили, что материалы с меньшим удельным электросопротивлением отличаются более высокой радиационной стойкостью. [c.292]

Некоторые эксперименты были проведены с помощью линейного ускорителя. Тормозное уизлучение, вызванное торможением электронов в материале мишени, было источником ионизирующего излучения [14]. Линейный ускоритель на 6 Мэе выдавал либо один, либо серию импульсов излучения различной длительности вплоть до 1,8-10-в сек. Для описания величин максимального переходного тока 1со в этом случае нужно пользоваться уравнением (6.17). Регистрация изменений I o производилась во время подачи отдельных импульсов излучения от ускорителя, причем изменение обратного тока транзисторов носило почти целиком переходный характер. [c.317]

Кроме того, материалы должны иметь определенные значения коэффициентов теплопроводности и электрической проводимости — высокие значения для проводников, низкие или близкие к нулю значения для изоляционных материлов и строго заданные значения для резисторов, полупроводников и транзисторов коэффициент теплового расширения, который, исключая некоторые специальные случаи, должен быть по возможности низким хорошие фрикционные свойства для материалов, которые будут работать на износ или будут использованы для таких конструкций и частей, как оси, подшипники, шпонки и ползуны. [c.7]

Метод жидкокристаллической термографии не является универсальным, однако есть области, где только этот метод может дать быструю и достаточнуто информацию о поле температур. Это прежде всего области, где требуется панорамное изображение температур без нарушения исследуемой поверхности, когда исслед> емая область настолько мала, что не представляется возможным препарирование ее термодатчиками, сенсорами и другими приборами. К таким областям можно отнести неразрушакзщий контроль качества различных материалов. Это быстрый и дешевый метод отбраковки изделий электронной техники, выпрямителей, интегральных и печатных плат, транзисторов. ЖКК с холестериками широко используются для визуализации невидимых излучений (контроль ИК - лазеров, визуализация аэродинамического нагрева при изучении перехода от ламинарного течения в турбулентное и др.). [c.154]

Как предсказывают материаловеды, нанокомпозиты, вютючающие пластмассы и другие органические материалы, в XXI веке станут чуть ли не основными для производства лазеров, транзисторов, магнитов. Эпохальное открытие, которое будет способствовать стремительному развитию органической электроники, отмечено Нобелевской премией по химии 2000года. Американским и японским ученым впервые удалось гфевратить пластмассу, которая обычно состоит из миллионов идентичных молек>л, связанных в длинные полимерные цепи не проводящие электричество в электрический проводник. [c.172]

Весьма заманчивые перспективы сулит твердотельной электронике и недавнее открытие полупроводниковых и металлических полимеров. В настоящее время химики научились делать полупроводниковые полимеры с различной шириной запрещенной зоны. Это создало предпосылки для развития дешевых технологий производства разнообразных, прежде всего, оптоэлектронных приборов. Сегодня на основе полимерных полупроводников создаются светодиоды, перекрывающие диапазон излучения от ИК- до УФ-области спектра полноцветные гибкие светоизлучающие дисплеи фотодетекторы, солнечные батареи и полевые транзисторы с параметрами на уровне соответствующих аналогов на основе аморфного гидрированного кремния. С умеренным оптимизмом оцениваются перспективы создания на основе металлических и полупроводниковых полимеров интегральных схем. Все это стимулирует расширение фронта работ по синтезу и исследованию свойств этих многообещающих материалов. [c.114]

Электрич. св-ва П. позволяют производить приборы, применяемые для генерации и усиления электрич. сигналов (транзисторы), детектирования и выпрямления порем, тока (диоды). Используя оптич. св-ва П., изготовляют фотосопротивлепия, фотодиоды и фототранзисторы. П. служит активной средой генераторов (усилителей) колебаний оптич. диапазона волн — полупроводниковых лазеров, к-рые сравнительно с другими (иапр.,рубиновыми) обладают более высоким кпд (см. Лазерные материалы). На основе термоэлектрич. св-в разрабатывают и выпускают термосопротивления, термоэлементы и батареи, термоэлектрич. генераторы и холодильники, термостабилизаторы. Перспективно изготовление [c.35]

В латеральных структурах ускоряющее носители электрическое поле приложено на меж электродном промежутке. Его минимальная длина к.т1п определяется разрешением литографии. К планарным фотоприемникам с продольной структурой относятся МПМ-фоторезис-торы, в том числе работающие в режиме обеднения с модуляционно-легированным каналом фотодиоды Шоттки, р-п-, р-1-л-ФД, латеральные л-р-л-фото-транзисторы Для всех этих приборов быстродействие ограничивается временем пролета межэлектродного расстояния к. В случае материалов А В для обеспечения полосы детектирования Д/ 10 ГГц необходимо, чтобы 0,5... 0,3 мкм. Для получения таких малых межэлектродных расстояний необходимы методы субмикронной литографии. Это удорожает технологию скоростных продольных фотоприемников, которые в остальном проще коаксиальных фотоприемников с вертикальной топологией. [c.132]

Элементная база ИОЭС развивается главным образом на основе полупроводниковых материалов А В — базовых для источников и приемников излучения. На основе этих материалов в ИОЭС создают также электронные компоненты оптоэлектронных схем — высокодобротные, широкополосные и низкошумящие полевые и биполярные транзисторы, диоды, образующие управляющие цепи источников излучения и фотопреобразователей. [c.158]

Базовым элементом современньпс компьютеров является полупроводниковый (п/п) транзистор. Этот прибор так бы и остался научным курьезом, если бы не оказалось, что управляемость его переключений резко растет с улучшением технологии изготовления, т.е. чистоты материалов, воспроизводимости условий производства, контроля качества и т.д. Более того, У повыщалась гораздо быстрее, чем требования к технологии производства. Так, рост управляемости переключения от 10 для первых п/п триодов до Ю [см. формулу (4)] [c.272]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...