Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Высокочастотные характеристики транзисторов

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ  [c.341]

Электрическая схема динамического ограничителя шумов приведена на рис, 10.32. Полосовая фильтрация осуществляется с помощью цепи Г/, С2, R5, а высокочастотная фильтрация — через цепь Т2, СЗ, С4, R6, R8, R9 в сочетании с петлей обратной связи через резистор R7. Промежуточное усиление происходит с помощью транзистора ТЗ с симметричным ограничением через диоды Д1 и Д2. Переменное затухание производится диодами Д4, Д6, а диоды ДЗ, Д5 являются пиковыми детекторами, регулируемыми транзистором Т4. Постоянное затухание обеспечивается резисторами R17, R18, а высокочастотная характеристика для детекторных диодов — сочетанием С7 и R16.  [c.319]


Усилитель собран иа мощных высокочастотных транзисторах, включенных по двухтактной схеме с общей базой Схема усиления выполнена с коррекцией характеристики верхних частот фильтрами нижних частот На входе й выходе усилителя установлены согласующие трансформаторы, выполненные на высоко частотных ферритовых тороидах, связанных с помощью объемного витка. Эти трансформаторы обеспечивают хорошее согласование и высокую симметрию ва всем рабочем диапазоне частот  [c.475]

Преимущества мощных полевых транзисторов перед обычными мощными биполярными транзисторами состоят в общем улучшении высокочастотной характеристики, устранении искажений типа центральной отсечки , вызванных запасомз не-основных носителей зарядов, так как эти эффекты отсутствуют  [c.146]

Сварочные выпрямители с частотным преобразованием, или инверторы, появились относительно недавно. Это устройства, преобразующие постоянное напряжение в высокочастотное переменное. В настоящее время они производятся на базе тиристоров (тиристорные инверторы) и транзисторов (транзисторные инверторы). Технические характеристики сварочных инверторов приведены в табл. 5.3.  [c.130]

Следует отметить, что применение высокочастотных траизнсторов средней и ба ьшой мощности в схемах стабилизаторов часто приводит к возникновению высокочастотной генерации, причиной которой является не замкнутая система авторегулирования, а особенности коллекторной характеристики этих транзисторов. Дело в том, что при определенных режимах работы некоторые экземпляры высокочастотных транзисторов на коллекторной характеристике в области перегиба шеют небольшой участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, который и является причиной высокочастотной генерации. Характерным признаком этой причины является высокочастотная генерация в диапазоне МГц, в  [c.71]

Амплитуд но частотная характеристика уси лителей на транзисторах в области верхних частот определяется емкостями эмиттерного и коллекторного переходов в области ниж них частот — емкостью разделительных и блокировочных конденсаторов Чтобы рас ширить частотный диапазон в сторону верх них частот либо умеЕ1ьшают сопротивления на входе и выходе резистивного каскада либо используют более высокочастотный тран зистор Диапазон усиливаемых частот мо жет простираться до 100 кГц и более что приводит к исчезающе малым линеиным ис кажениям Однако без специальных мер это  [c.17]

Остановимся на назначении конденсаторов С1 и С2 (рис. 7.5, г). Несмотря на то, что схема регулирования представляет собою систему с отрицательной обратной связью, в которой самовозбуждение должно исключаться, тем не менее на некоторых частотах (обычно высоких) стабилизатор склонен к потере устойчивости. Этому способствует большой коэффициент усиления схемы управления и паразитные параметры всей схемы. Для повышения устойчивости стабилизатора применяют коррекцию его амплитудночастотной характеристики конденсатор С/ вносит отрицательную обратную связь в транзистор VT2, а конденсатор С2 практически закорачивает могущие возникнуть высокочастотные паразитные колебания. Обратная связь за счет конденсатора С/ приводит к частотнозависимому уменьшению коэффициента усиления (с повышением частоты усиление падает) и сужению частотной характеристики системы регулирования, а значит к повышению инерционности и ухудшению динамики. Поэтому значение С1 не должно быть большим нескольких тысяч пикофарад. Конденсатор С2 оказывает благоприятное влияние при импульсной нагрузке. В течение длительной паузы он заряжается малым током, а разряжается большим током за короткое время сигнала. Это позволяет существенно уменьшить мощность самого стабилизатора. Емкость С2 иногда выполняют в виде электролитического (работает до частот несколько сотен кГц) и слюдяного, или керамического, работающего на более высоких частотах.  [c.262]


Для получения большого и устойчивого коэффициента усиления на высокочастотных диапазонах и улучшения линейности характеристик усилителя иногда применяют каскодные схемы включения ламп и транзисторов. Схема каскод-ного усилителя на полевых транзисторах показана на рис. 1.17.- Избыточное усиление на низкочастотных диапазонах скомпенсировано частичным 1 ключе-нием входного контура в цепь затвора первого транзистора. Это повышает устойчивость усилите)1я и уменьшает уровень комбинационных искажений- Последовательный контур СфЬф подавляет нежелательные сигналы с частотой настройки контура. Для получения устойчивого усиления на высоких частотах в резонансных усилителях необходимо нейтрализовать влияние проходной емкости анод — сетка схок—затвор коллектор—база б- Наиболее часто применяют схемы нейтрализации, которые показаны на рис. 1.18.  [c.28]

Далее настраивают УПЧ приемника, т. е. подбирают режимы транзисторов в каскадах для получения максимального динамического диапазона и настраивают ФОС для получения требуемой полосы пропускания. Для этого на вход смесителя при отключенном гетеродине подают от ГСС сигнал ПЧ, а к выходу последнего УПЧ подключают высокочастотный водьтметр. Настраивают все контуры УПЧ, начиная с последнего, в резонанс. Элементами подстройки ФОС добиваются заданной частотной характеристики при максимально возможном коэффициенте передачи. После этого измеряют коэффициент усиления и снимают окончательную частотную и амплитудную характеристики УПЧ.  [c.87]


Смотреть страницы где упоминается термин Высокочастотные характеристики транзисторов : [c.146]    [c.289]    [c.160]    [c.65]    [c.315]    [c.326]    [c.91]    [c.46]   
Смотреть главы в:

Пособие по электротехническим материалам  -> Высокочастотные характеристики транзисторов



ПОИСК



МОП-транзистор —



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте