Транзисторы Применение

Цепь —С1 облегчает переходные процессы при появлении и прекращении тока в первичной обмотке катушки. Конденсатор С2 защищает транзистор от перенапряжений, которые могут возникнуть в цепи питания. Германиевый транзистор, примененный в транзисторном коммутаторе, должен работать при температуре окружающего воздуха не выше 65° С, поэтому коммутатор следует размещать не под капотом двигателя, а в кабине водителя и по возможности ближе к дверным проемам. [c.120]

Автором разработана опытная схема автоматического регулятора с усилителями на транзисторах, применение которых позволило создать малогабаритную конструкцию регулятора с достаточно высокой чувствительностью. Описываемый регулятор служит для поддержания силы тока в изделии на заранее заданном уровне. Он имеет диапазон регулирования от 400 до 1000 а и чувствительность срабатывания 50 а. Возможно выполнение регулятора с другим диапазоном регулирования силы сварочного тока при замене трансформатора тока или переключении его пределов. [c.136]

СНИЖЕНИЕ ПОТЕРЬ ПРИ КОММУТАЦИИ ТРАНЗИСТОРОВ Применение форсирующих цепочек [c.221]

Основные области применения полупроводниковых материалов 1) выпрямительные и усилительные приборы разной МОЩНОСТИ на разные частоты неуправляемые и управляемые — диоды, транзисторы, тиристоры 2) нелинейные резисторы-варисторы 3) терморезисторы 4) фоторезисторы 5) фотоэлементы 6) термоэлектрические генера,- [c.276]

Транзисторы (полупроводниковые триоды) предназначаются для усиления, генерирования и переключения токов. Использование транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре повышает ее к. п. д., экономичность, надежность и срок службы. Аппаратура на транзисторах малогабаритна. Однако значительный разброс параметров, а также зависимость параметров и режимов работы транзисторов от температуры, в некоторых случаях ограничивает область их применения. [c.247]

В практической схеме (фиг. 15, б) можно использовать транзисторы П13, П14, П15, П16 и им подобные в случае применения транзисторов п—р—и следует сменить полярность источников питания и электролитических конденсаторов на обратную. [c.251]

Реже возникают отказы из-за плохого присоединения контактов и неоднородности материалов. В лабораториях иногда обнаруживаются токовые перегрузки транзисторов, вызванные ошибками операторов. В таких случаях внутренние выводы оказываются отпаянными от внешних контактов и на их концах образуются шарики припоя. У мощных транзисторов наблюдаются отказы, обусловленные тепловыми перегрузками. Они могут быть предотвращены применением в конструкции хороших теплоотводов. [c.290]

Миниатюризация производится путем применения транзисторов, микромодулей, интегральных твердых схем и пленочно-гибридных схем. [c.137]

Зачастую рещаемая задача требует применения нелинейных элементов повышенной стабильности. Более подробно об этом будет идти речь в гл. XVI. Здесь рассмотрим схему такого элемента, в которой наряду с полупроводниковыми триодами используются операционные усилители в интегральном исполнении. Элемент обладает надежностью, минимальными габаритами, простотой перестройки функции и удобно согласуется с другими элементами моделирующих установок [203]. Устройство (рис. 29) состоит из операционных усилителей У/, У2, УЗ, транзисторов Т1, Т2 и резисторов, участвующих в управлении. [c.108]

Применение для моделирования нелинейностей нелинейных электрических сопротивлений ставит перед исследователем в числе других еще одну, достаточно важную проблему. Дело в том, что на характеристику нелинейного элемента обычно оказывает влияние ряд параметров (напряжения смещения, величины дополнительных сопротивлений, ток базы транзистора и т. п.). Подбор необходимого режима работы элемента является трудоемким процессом, так как требуется снятие большого количества характеристик. Для упрощения этого процесса разработан прибор, функциональная схема которого показана на рис. 30. В ней с генератора линейно-нарастающего напряжения ГЛН пилообразное напряжение подается на НС. Между катодом и сетками лампы включены регулируемые источники смещения E i и а параллельно лампе — магазин сопротивлений R типа РЗЗ. Между катодом лампы и землей включено калибровочное сопротивление R , на котором создается падение напряжения f/к, пропорциональное току, текущему через НС. Напряжение подается на вход У осциллографа ЭО типа С1-13, на экран которого нанесена эталонная парабола у = Поскольку ток /не яв- [c.109]

Применение в качестве нелинейных сопротивлений многоэлектродных электронных ламп, транзисторов и универсальных нелинейных элементов позволяет распространить метод нелинейных сопротивлений на нелинейные задачи нестационарной теплопроводности. При этом задача может быть решена на существующих аналоговых машинах (7 С-сетках) с использованием нелинейных сопротивлений и блоков, имеющихся в этих машинах. [c.127]

Наиболее широко используются диоды и транзисторы, имеются данные и о применении в качестве термодатчиков тиристоров и других полупроводниковых приборов. [c.251]

В последнее время разработаны системы зажигания с применением полупроводниковых элементов — транзисторов. Эта система сложнее рассмотренной, но имеет ряд [c.154]

В САУ нашли широкое применение также полупроводниковые усилители на базе триод-транзисторов, которые позволяют усиливать мощность и силу тока подаваемых сигналов, а также тиристорные преобразователи-усилители. Применение последних обеспечивает плавность пусковых режимов, повышение КПД, снижение массы и габаритов аппаратуры. [c.105]

Методики НК в зависимости от требуемого уровня надежности ЗРИ позволяют обеспечить проведение диагностического контроля подавляющего большинства изделий различных классов (микросхем, транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов, реле и т.д.). Эти методики разрабатывались, в первую очередь, для исследования тех ЭРИ, которые по опыту их применения в отрасли обладали пониженной надежностью и недостаточным ресурсом. Разработанные и внедренные индивидуальные методики устанавливают [c.461]

Коэффициентом усиления транзистора (Вот) называется отношение силы тока коллектора к силе тока базы. Для транзистора, примененного в РР382, [c.51]

Пользователь САПР может не знать этих эквивалентных схем, ему достаточно сведений об области применения моделей, их описания на входном языке программного комплекса анализа и значений параме7 ров. Описание транзистора может выглядеть так [c.91]

Спейсистор — транзистор, в котором носители заряда инжектируются из эмиттера в обедненный слой обратно-смещенного перехода управление током осуществляется электродом, введенным в пределы обедненного слоя так как в приборе не используется диффузия неосновных носителей, то его можно теоретически применять на частотах до 1 ГГц, однако практического применения спейсисторы не получили из-за несовершенства конструкций [9]. [c.153]

Естественно, что тот или иной конкретный прибор может не содержать некоторых из перечисленных узлов. Так, вместо МДМ-усилителя может быть применен иной усилитель постоянного тока, в этом случае будут отсутствовать модулятор и демодулятор. Приборы выполняются на лампах или транзисторах, а иногда сочетают те и друтие элементы. [c.46]

Из кремния изготавляются различные типы полупроводниковых диодов низкочастотные (высокочастотные), маломощные (мощные), полевые транзисторы стабилитроны тиристоры. Широкое применение в технике нашли кремниевые фотопреобразователь-ные приборы фотодиоды, фототранзисторы, фотоэлементы солнечных батарей. Подобно германию, кремний используется для изготовления датчиков Холла, тензодатчиков, детекторов ядерных излучений. [c.288]

Германий как полупроводник играет важную роль в полупроводниковой электронике. В этой области инфоко используют германий для изготовления кристаллических выпрямителей (диодов) и кристаллических усилителей (триодов или транзисторов]. Кристаллические выпрямители и усилители обладают рядом преимуществ перед электронными лампами потребляемая ими мощность значительно ниже, чем у вакуумных ламп, а poir их службы длительнее они отличаются большей механической устойчивостью по отношению к вибрациям и ударам, чем электронные лампы, и имеют по сравнению с ними значительно меньшие размеры. Это делает особенно перспективным их применение в сложных счетных машинах, телемеханике, радарных установках и т. п. [c.531]

В 50—60-х годах продолжались интенсивные разработки магнитных аналоговых элементов и усилителей. Разработанные принципы построения рядов сердечников обеспечили возможность создания оптимальных по чувствительности, коэффициенту усиления, весу, стоимости и к. п. д. магнитных элементов, работающих в широком диапазоне мощностей на основе ограниченного числа типоразмеров сердечников. Была создана общесоюзная нормаль на такие сердечники. Были разработаны новые принципы построения магнитных усилителей, модуляторов, зондов и бесконтактных реле, отличающихся повышенной чувствительностью и стабильностью на основе применения двойной (перекрестной) обратной связи, выпрямления четных гармоник нелинейными симметричными сопротивлениями, наложения взаимно перпендикулярных магнитных полей, применения двухфазных источников питания, выполнения условий минимальных искажений выходного напряжения и шумов и др. Созданные бесконтактные реле получили широкое применение в качестве измерительных элементов в системах автоматического контроля электротехнических изделий. Кроме того, были разработаны новые типы усилителей с повышенными к. п. д. и быстродействием на основе сочетания магнитных усилителей с транзисторами, устранения задержки в рабочей цепи усилителей с выходом на переменном токе и применения бестрансформаторных реверсивных схем постоянного тока. [c.265]

Наиболее ранними полупроводниковыми приборами, вошедшими в практику, были германиевые или кремниевые радиолокационные детекторы. Изучение их свойств, получение опыта их использования и достижения теории полупроводников создали условия для появления транзисторов и развития транзисторной электроники (1948 г.). Основными задачами ее были (да и продолжают оставаться) повышение рабочих частот транзисторов, увеличение отдаваемой ими мощности и увеличение рабочих напряжений для тех случаев, где в том встречается необходимость. В начале 50-х годов промышленностью уже были освоены высокочастотные маломощные транзисторы (рис. 71), и они сразу нашли себе применение в приемных устройствах. Вскоре появились смесительные диоды, используемые в сунергетеро- [c.382]

Чувствительность Р. у., особенно в СВЧ-диапазояе, решающим образом зависит от коэф. шума и усиления по мощности первых каскадов УТ. На рис. 3 приведены обобщённые шумовые характеристики МШУ и диодных смесителей. Наименьшим уровнем шумов обладают охлаждаемые квантовые парамагн. усилители, однако вследствие высокой сложности и стоимости, плохих массогабаритных показателей их использование ограничено практически радиоастрономическими Р. у. Весьма низким уровнем шумов обладают также охлаждаемые параметрич. усилители и усилители на полевых транзисторах с барьером Шоттки (УПТШ), причём массогабаритные показатели допускают их применение даже в бортовых Р. у. Оба типа устройств применяются препы. в наземных Р. у. систем космич. связи, причём вследствие большей простоты и технологичности полевых транзисторов они постепенно вытесняют пара мет- [c.233]

Применение. С., обладающие фоторефрактивным эффектом, используются для записи и обработки оптич. сигналов. Сегнетокерамика с эффектом ПТКС применяется для создания приборов в системах теплового контроля и в измерит, технике. Полупроводниковая сегнетокерамика с гонкими межзёренными прослойками испольэуетсп в конденсаторах большой ёмкости. Высокоомные С. применяются в гибридных структурах, где возможно управление проводимостью полевого транзистора в канале исток— сток путём переключения спонтанной поляризации в сегнетоэлектрич. затворе. Возможно использование переключения сегнетоэлектрич, доменов в плёнках для создания энергонезависимых устройств памяти с высокой ёмкостью и высоким быстродействием (технология таких устройств совместима с кремниевой технологией). [c.475]

Наим, шумами обладают квантовые усилители, у к-рых в условиях глубокого охлаждения жидким гелием уровень тепловых шумов становится соизмеримым с шумами спонтанного излучения активного вещества в диапазоне частот 0,520 ГГц Т 5- 6 К при охлаждении до 4,2 К. Обычно применяемые трёхуровневые мазеры строятся как регенеративные У. э, к., реже как усилители бегущей волны. Наличие громоздких и дорогостоящих криогенной охлаждающей и магн. систем ограничивает область применения квантовых усилителей уникальными приёмными устройствами радиоастрономии и сверхдальней космич. связи. С мазерами сравнимы по шумовым свойствам полупроводниковые параметрич. усилители (ППУ) при глубоком охлаждении (до 20 К и ниже), однако необходимость системы охлаждения заставляет использовать их в осн. в наземных радиосистемах, где требуются высокочувствит. радиоприёмные устройства, а габариты, масса и потребляемая мощность менее существенны. ППУ, в к-рых в качестве изменяемого энергоёмкого параметра служит нелинейная ёмкость полупроводникового диода — варикапа, работают в диапазоне частот 0,3- -35 ГГц, имеют относит, полосы пропускания от долей до неск. %, АГ,о= 17-нЗО дБ на каскад, широкий динамич. диапазон. В качестве источников накачки применяются генераторы на транзисторах СВЧ без умножения и с умножением частоты, на Ihmia диодах и на лавинно-пролётных диодах. Неохлаждаемые ППУ превосходят по шумовым параметрам неохлаждаемые У. э. к. на транзисторах СВЧ, но значительно уступают последним по сложности, технологическим и массогабаритным показателям, в связи с чем вытесняются ими, прежде всего из бортовой аппаратуры. [c.242]

Применение коммутатора облегчает работу контактов прерывателя, так как прерывание тока в первичной цепи осуществляется транзистором, а через контакты гфоходит уже не весь ток первичной цепи, а лишь малый по значению [c.22]

Первые германиевые транзисторы имели почти такие же размеры, что и германиевые диоды, и отличались от них только наличием на германиевой пластинке двух проволочных контактов вместо одного. Это были так называемые точечные транзисторы. Позднее был разработан прибор другого Tiina. Этот прибор был изготовлен из тонкой пластинки монокристалличе-ского германия, обработанной таким образом, что ее поверхности обладали свойствами, отличающимися от свойств ее внутренней части. Это были так называемые плоскостные транзисторы. Германиевые транзисторы обоих типов при их применении имеют свои преимущества и недостатки. Уже первые из таких транзисторов имели очень небольшие размеры (около 0,3 гм ). Так же как и в случае Д1юдов, усовершенствование технологии их изготовления привело к уменьшению размеров и. значительному улучшению их эксплуатационных характеристик. Силовые транзисторы обычно имеют гораздо большие размеры. [c.213]

Первые германиевые транзисторы применялись в качестве усилителей и осцилляторов. Новые открытия привели к столь йначите-пьному расширению областей их применения, что в одном только 19Г)9 г. было выпущено 125 млн. штук полупроводниковых приборов [ 161. В течение последних 4—5 лет были разработаны способы изготовления полупроводниковых приборов в массовом масштабе, благодаря чему эти приборы иашли широкпе применение в различных областях техники. Применение полупроводниковых приборов позволило усовершенствовать радиоаппаратуру, усилители для глухих, оборудование для проволочной связи и уменьшить [c.213]

MX габариты. Замена электронных ламп транзисторами привела к увеличению дальности действия телефонной связи. Устойчивость работы всех видов связи в значительной мере зависит от применения для этой цепи полупроводниковых приборов. Благодаря их применению были значительно уменьшены размеры и усовершонствонаны различные виды военной аппаратуры. Эти улучшения, столь важные для военных объектов, способствовали также их применению в бытовых и промышленных устройствах. Применение специальных германиевых приборов привело к большим успехам в технике управления ракетами и спутниками земли. [c.214]

Припои. Иидий и многие его сплавы хорошо прилипают к многим металлам II неметаллам [33]. Благодаря этому широкое применение находят специальные припои, содержащие индий. Разработаны некоторые низкотемпературные припои, содержащие иидий, в том числе сплавы индий — медь — серебро и индий — медь — золото. Большое количество нидийсодержащих припоев в таблетках применяется в производстве транзисторов. [c.240]

Эмиттеры, транзисторы, выключатели. Среди многочисленных потенциальных областей применения углеродных нанотрубок использование последних в электронной технике считается одним из самых перспективных. В связи с размерными особенностями (большое отношение длины к диаметру и малые размеры), возможностью изменения проводимости в широких пределах и химической устойчивостью углеродные нанотрубки рассматриваются как принципиально новый материал для электронных приборов нового поколения, в том числе и ультраминиатюрных [3, 13, 17]. [c.166]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...