Расчет диффузного рассеяния

Фиг. 12.3. Схема, показывающая расчет диффузного рассеяния при динамической дифракции электронов.

Расчет диффузного рассеяния [c.384]

Рис. 5.9. Температурный сдвиг спектра отражения в методе спектроскопии диффузного рассеяния (расчет). Температура (°С) 20 (1), 100 (2), 200 (5), 300 (4) и 400 (5). Кристалл облучается со стороны полированной поверхности

Главная цель изучения этих эффектов — выяснение природы и свойств возбуждений в кристалле. Другой важной задачей является определение с достаточной точностью интенсивности диффузного рассеяния и поглощения, возникающих благодаря этим взаи модействиям, чтобы их можно было вычесть из измеренных дифракционных интенсивностей, используемых в кристаллографических расчетах. [c.256]

Недавно были проведены расчеты вклада диффузного рассеяния вдали от брэгговских отражений, обязанного различным точечным дефектам (см., например, [19]) наблюдения, проведенные для такого диффузного рассеяния рентгеновских лучей на точечных дефектах большой концентрации, описаны в работе [183]. [c.268]

Несмотря на то что электронная волна может терять энергию или становится некогерентной относительно упруго рассеянного пучка, она сохраняет когерентность, или способность интерферировать сама с собой. Если процесс диффузного рассеяния соответствует изменению вектора рассеяния q, как показано на фиг. 12.4, то между точками h q, где h— вектор обратной решетки, будет иметь место л-волновая динамическая дифракция, причем взаимодействие будет зависеть от структурных амплитуд Ф(Ь1 — hj) и соответствующих ошибок, связанных с возбуждением. Расчет для области III следует проводить отдельно для каждого вектора в пределах зоны Бриллюэна (или основной элементарной ячейки обратной решетки). [c.276]

Предварительные расчеты показали, однако, что, кроме общего уменьшения интенсивностей диффузного рассеяния, влияние указанного усложнения на дифракционные картины будет невелико. Для возможного интервала значений параметров многоатомной корреляции разности интенсивностей диффузного рассеяния едва можно измерить с помощью существующих экспериментальных методов, особенно если картину рассеяния усложняют эффекты динамического рассеяния. Следовательно, в ожидании усовершенствования методики измерений и проведения более детальных расчетов для типичных случаев, по-видимому, можно надеяться, что простое кинематическое приближение для послойного рассеяния дает качественно правильные результаты. [c.387]

Результаты расчетов эффективной поверхностной подвижности основных носителей заряда в потенциальной яме у поверхности, форма которой задается соотношением (1.6), в предположении диффузного рассеяния Р = 0), показаны на рис.2.4. [c.53]

Модель поверхности, построенная на основании данных эллипсометрии, является лишь усредненным оптическим эквивалентом реальной неоднородной поверхностной фазы. В действительности, в отраженном свете с интенсивностью /, помимо зеркальной компоненты всегда присутствует диффузная компонента 1 , связанная с рассеянием света на макроскопических неоднородностях (о > X)-, т.е. / = /, + 1 I = 5 при о = 0. Для теоретических оценок и Is используются скалярная теория рассеяния частиц на неоднородностях и формулы Френеля, соответственно. Из сравнения этих расчетов с экспериментальными данными по спектральной зависимости 1(Х) удается оценить эффективное значение о, характеризующее шероховатость — спектроскопия диффузного рассеяния. [c.131]

В табл. П1 приведены данные по дневным потокам суммарной и рассеянной (диффузной) солнечной энергии, поступающим на горизонтальную поверхность в течение года в наиболее крупных городах Советского Союза. Там же указаны среднемесячные значения температуры наружного воздуха в этих городах. Эти данные необходимы для выполнения расчетов солнечных установок. [c.15]

Одна из важных закономерностей, которая следует из численных экспериментов, состоит в устойчивой функциональной связи наклона заднего фронта отраженного импульса с оптической плотностью аэрозольного образования. На рис. 5.9 приведены результаты расчетов зависимости формы отраженного импульса в туманах от плотности последних для лазерного локатора к= = 0,69 мкм, угол зрения приемника 3 ). Аппаратная функция локатора С (г) также приведена на рисунке. Как видно из 5.9, с увеличением коэффициента рассеяния локационный (отраженный) импульс сужается и наклон заднего фронта становится круче. Физический смысл этих результатов вполне понятен в предельном случае очень плотного тумана экспериментальные условия эквивалентны плоскому диффузному отражателю, форма локационного импульса от которого практически не искажается и будет совпадать с формой посылаемого импульса. [c.167]

Результаты расчетов по теории Фукса представлены на рис.2.1. Видно, что при полностью зеркальном рассеянии размерного эффекта вообще нет, диффузное же рассеяние может приводить к возрастанию удельного сопротивления р на порядки. Размерный эффект по длине свободного пробега [c.47]

В случае бортовых лидаров, принимающих излучение снизу, при расчете Еь (X) следует учитывать отраженную и рассеянную солнечную радиацию, идущую снизу от земной поверхности. В работе [271] проведен расчет яркости поверхности океана с учетом солнечного блика, отраженной диффузной составляющей, а также восходящих потоков излучения, идущих с различных глубин океана. Стремясь максимально приблизить свою модель к реальным условиям, авторы упомянутой работы включили в нее эффекты поверхностных волн. Расчеты выполнены также для восходящих потоков излучения на верхней границе атмосферы. Эти данные могут быть полезными при проектировании и эксплуатации лидаров, установленных на космических платформах. [c.256]

Доля рассеянной энергии определяется главным образом отношением длины упругой волны к среднему размеру D кристаллита. При X = D рассеяние ультразвука очень велико, причем в интервале X/D =3...4 оно максимально. Это область диффузного рассеяния. При условии k/D < 2л, являющемся реальным при контроле ряда металлов и сварных соединений, Н. М Лившицем и Г. Д. Пархомовским получены формулы для расчета коэффициента затухания продольной и поперечной волн. Задавшись условием находим б,/б =7,14, Следовательно, затухание поперечной волны более существенно по сравнению с продольной. При 4 < X/D < 10 коэффициент рассеяния пропорционален произведению D/ а при K/D > 10 1ропорционален D [. Наименьшее затухание наблюдается при K/D > (20. .. 100). [c.22]

Несложный расчет (рте. 42) показывает, что для появления на зтапе восстановления пространственного промежутка между квазиоссиой и внеосевой волнами необходимо, чтобы при регистрации угловой размер экрана был больще углового размера более широкого из двух диффузно рассеянных пучков. В случае осесимметричного расположения экрана его угловой размер должен превышать третью часть угловой апертуры фокусирующей системы ). [c.79]

В случае запыленного зеркала высокая степень взаимной когерентности перекрывающихся диффузно рассеянных световых пучков достигается, можно сказать, автоматически, без преодоления каких-либо затруднений. Но как и все опыты, осуществляемые в отраженных лучах, опыты с запыленным зеркалом отличаются громоздкостью расположения приборов, что усложняет технику демонстрации, а в плане дидактическом лищает явление наглядности и не способствует упрощению расчетов. [c.62]

Такие решения, предполагающие асимптотическую форму поля напряжений, которые следуют из теории упругости для непрерывной среды, дают разумные результаты для рассеяния, весьма близкого к брэгговским пикам, но меньше подходят для описания смещений атомов вблизи дефектов и для рассмотрения диффузного рассеяния. Расчеты смещений ближайших соседей точечного дефекта в твердом аргоне, проведенные Канзаки [246], и моделирование на ЭВМ окружения точечных дефектов в меди, проведенное Тевордтом [372 ], дали результаты, сильно отличающиеся от рассмотренных. Вдоль некоторых направлений, таких, как оси куба для аргона, смещения могут действительно менять знак с увеличением расстояния от дефекта. Флокен и Харди [143] установили, что асимптотическое решение справедливо только для расстояний от дефекта, более чем в несколько раз превышающих размеры элементарной ячейки. [c.268]

Сложение амплитуд, подобное (12.35), послужило основой подробных расчетов Дойля [119], проведенных на основе л-волновой теории интенсивностей плазмонного рассеяния в тонких кристаллах А1, ориентированных так, что возбуждался только систематический набор отражений hhh. В согласии с экспериментальными наблюдениями Дойль показал, что при возбуждении сильного отражения 111 диффузное рассеяние обнаруживает тенденцию к исчезновению в области между сильными пучками ООО и 111 (см. также [214]). Кроме того, в согласии с экспериментом он рассчитал форму полос равной толщины, полученных с помощью пучков электронов [c.277]

Расчеты, проведенные Дойлем, также приводят к образованию кикучи-линий и полос при тепловом диффузном рассеянии, включая кикучи-линию нулевого порядка, которая часто наблюдается в центре кикучи-полосы и может возникнуть лишь при п-волновом динамическом рассеянии [238 ]Ч [c.278]

Возможность получения полезной информации о дефектах в кристалле, разупорядочении или возмущении на основе диффузного рассеяния на электронограммах рассматривалась несколькими авторами. В этой области существуют очевидные ограничения в связи с образованием кикучи-линий в любом распределении диффузного рассеяния, однако на практике эти эффекты можно в значительной степени устранить, проводя усреднение по малой области углов падения (или кристаллических ориентаций), поскольку ки-кучи-линии очень сильно зависят от ориентации. Начальные расчеты проведены Фишером [136] в предположении, что интенсивность диффузного рассеяния на электронограммах от сплавов Си—Аи, обусловленную ближним порядком, можно связать с интенсивностью кинематического рассеяния с помощью плавно изменяющегося динамического множителя . Однако было обнаружено, что модификацию диффузного рассеяния размерным эффектом от таких сплавов можно ослабить сильными двумерными динамическими взаимодействиями вблизи главных ориентаций (см.гл. 16). Все это, а также изучение теплового диффузного рассеяния плюс соображения, основанные на приближениях фазовой решетки, привели Каули [85а, 856] к мысли, что учет динамических эффектов может оказаться полезным, поскольку он позволит вы- [c.278]

В случае дифракции рентгеновских лучей и электронов, когда значительная часть теплового диффузного рассеяния может оказаться включенной в измерения интенсквностей брэгговских отра- жений, никакого эффекта поглош,ения не обнаруживается. Однако если эксперимент проводится таким образом, что резкие брэгговские пики можно отделить от ожидаемого теплового диффузного максимума, то при расчетах интенсивности брэгговских отражений следует использовать функцию поглощения. [c.279]

Определение значений Уц из экспериментальных дифракционных интенсивностей проводилось, в частности, для исследования вклада электронов проводимости в конфигурационную энергию сплавов. Было показано, что минимумы 1/(к) и, следовательно, максимумы (х(к) могут встречаться для значений k, соответствующих векторам к между плоскими областями поверхности Ферми сплава. Следовательно, < рма поверхности Ферми может сильно влиять на форму диффузного рассеяния и, таким образом, на тип образующейся сверхструктуры. Уилкинс в 1970 г. дал расчет значений V j. Связь с поверхностями Ферми рассмотрена Каули и Уилкинсом [101 ] более общее обсуждение с учетом образования некогерентных [c.383]

Фишер провел детальный расчет интенсивностей диффузного рассеяния для тонких кристаллов разупорядоченных сплавов Си—Ли, используя подход, сформулированный Йённесом [153,154 ] и обобщенный в /г-волновом методе Каули и Погани [340]. Рассматривая только диффузное рассеяние первого порядка, примем интенсивность общего диффузного рассеяния равной сумме интенсив- [c.384]

Результаты таких расчетов для двумерных дифракционных картин представляют значительный интерес. Похоже на то, что в общем отношение интенсивностей динамического и кинематического рассеяния для чисто диффузного рассеяния при наличии ближнего порядка можно представлять плавно изменяющейся функцией, возрастающей с расстоянием от начала координат. В связи с этим ожидается, что динамические эффекты не будут влиять на положение и форму максимумов диффузного рассеяния (за исключением случая почти совершенного кристалла, когда при прохождении через максимум появляется сильная кикучи-линия), но относительные интенсивности при переходе от одного участка электронограммы к другому в целом изменятся. [c.385]

Кроме того, расчеты показали, что если смещение пиков ближ него порядка, связанное с размерами атомов, внесет вклад в рас сеяние отдельных слоев, то такое смещение может быть скомпенси ровано почти полностью при наличии сильного двумерного динами ческого рассеяния. Этот результат согласуется с умозрительным основанным на грубых соображениях заключением Каули [85, 86] а именно сильное динамическое взаимодействие может устранить вклады в интенсивности диффузного рассеяния, обусловленные смещением атомов, но не повлияет на вклады в интенсивность диффузного рассеяния, обязанные перестановке, или изменениям рассеивающей способности атомов, о также согласуется с экспериментальными наблюдениями. Например, фиг. 17.3 показывает распределение интенсивностей вдоль прямой кОО в обратном простран- [c.385]

Дальнейгаее развитие метода последовательных приближений по кратности эассеяния для плоской геометрии с интегрированием но характеристикам и квадратурами на единичной сфере и создание комплекса программ АН (атмосфера плоская) [57-59] позволяет осуществлять численный расчет поляризационных характеристик излучения в неоднородных плоскостратифицированных слоях. Нри этом матрицы рассеяния частицами и матрицы отражения от подстилающей поверхности могут быть произвольными и состояния поляризации источников излучения (внеганего параллельного потока или диффузного источника на границе и внутри слоя) — любыми [60-62. [c.776]

Исходные данные для расчета гелиосистемы включают характеристики географического положения местности — широту ф, долготу I и высоту Я местности над уровнем моря, климатические данные — среднемесячное дневное количество суммарной Е и рассеяной (диффузной) Ef солнечной радиации, поступающей на горизонтальную поверхность, и температуру наружного воздуха Гв, принимаемые по Справочнику по климату СССР . [c.143]

Угловое раснределение отраженного света определяется видом матрицы рассеяния и меняется с изменением а/а и оптич. толщины слоя. Законы диффузного О. с. пока малоизучены. Поэтому на нрактике (напр., при светотехнич. расчетах) часто пользуются Ламберта законом, согласно к-рому яркость диффузно отражающего тела пропорциональна его освещенности и не зависит от направления, в к-ром она рассматривается (такие тела наз. ортотропными). На практике закон Ламберта выполняется очень плохо. Приближенно им можно пользоваться только для тел с очень высокой отражательной способностью и при не слишком больших (меньших 60°) углах облучения и наблюдения. Если известны оптич. характеристики рассеивающего вещества, расчет отражательной способности тела может быть выполнен путем решения ур-ния переноса излучения в мутной среде. [c.568]

Имеется определенный успех и в теории проводимости и рассеяния в режиме квантования в тонких пленках. Демиховский и Тавгер [126] рассмотрели случай невырожденной полупроводниковой пленки с зеркальными поверхностями. Они рассчитали деформационный потенциал рассеяния электронов в основном состоянии. Следуя этому расчету, Иогансен [127] рассмотрел электроны в ряде состояний в пленке (в которой осуществляется размерное квантование), рассеивающиеся на фононах (см. выше), на поверхностных неровностях и при электрон-электрон-ном взаимодействии. Во второй статье Безака [121] явление переноса рассматривается методом матрицы плотности при полностью диффузном или полностью зеркальном рассеянии на поверхности. Общий подход к теории явлений переноса в тонких пленках был развит Дьюком [102]. [c.146]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...