Рассеяние, амплитуда свободного атома

Подвижность носителей в полупроводниках с атомной решеткой. В полупроводниках с атомной решеткой рассеяние носителей заряда происходит на тепловых колебаниях решетки и на ионизированных примесях. Эти два механизма рассеяния приводят к появлению двух участков в температурной зависимости подвижности. При рассеянии носителей на тепловых колебаниях решетки средняя длина свободного пробега одинакова для носителей заряда с различными скоростями и обратно []роиорциональна абсолютной температуре полупроводника. Это следует из того, что рассеяние носителей заряда должно быть прямо пропорционально поперечному сечению того объема, в котором шлеблется атом, а оно пропорционально квадрату амплитуды колебания атома, определяющему энергию решетки, которая с температурой растет, как известно, по линейному закону. Поэтому, так кап 3 формуле (8-11) /ср 1/7 , а УТ, то [c.241]

Рентг. излучение рассеивается эл-нами атома, поэтому рентгеновский А, ф. /р зависит от распределения в атоме электронной плотности. Величина /р монотонно возрастает с увеличением ат. номера Ъ элемента. Обычно /р выражается в относит, ед. амплитуды рассеяния рентг. излучения одним свободным эл-ном. Абс. величина /р 10-11 см. [c.42]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...