О ГС-лазеров от толщины n-слоя в лазерах

Исходя из сказанного, оптимальные результаты при воспроизведении изображения получают при съемке с криптоновым лазером на длине волны 0,568 мкм, самой близкой к оранжевой части спектра (0,578 мкм). При обработке фотоматериала, обеспечивающей нужную толщину слоя для воспроизведения изображения в оранжевых тонах, масштабные искажения имеют минимальную величину, а угол обзора восстановленного изображения — максимальную, около 2jt радиан. Однако использование излучения криптонового лазера на этой длине волны связано с рядом трудностей, так как это не основная линия излучения мощность на этой длине волны невелика, генерация происходит в узком диапазоне давлений криптона в трубке, и ее труднее получить. Максимальную мощность и стабильность излучения имеет аргоновый лазер на длине волны 0,514 мкм. Он более надежен в работе, чем криптоновый, менее подвержен влиянию изменения давления в трубке, и длина волны 0,514 мкм представляется наиболее применимой для работы. [c.88]

Следует учесть также следующее. Заводские голографические пластинки не сенсибилизированы к зеленой области и имеют пониженную чувствительность в оранжевой области спектра, поэтому их неэффективно использовать для работы с излучением на длинах волн 0,568 и 0,514 мкм. В большинстве случаев для получения изобразительных голограмм используют линию излучения 0,647 мкм (красная). Это объясняется не только достигнутыми результатами по сенсибилизации фотоматериалов к красной области спектра, но и некоторой традиционностью, обусловленной переходом от работы с первыми гелий-неоновыми лазерами к ионным. Кроме того, легче изменить толщину слоя в сторону уменьшения. [c.88]

Лазер в руках реставратора оказался идеальным инструментом для очистки мраморных статуй, подверженных губительному влиянию загрязненной атмосферы большого города. Об этом сообщалось в журнале Наука и жизнь в 1973 г. Метод опробован в Венеции и дал хорошие результаты. Толщина слоя загрязнений на статуях достигает иногда сантиметра, а все другие методы очистки либо малоэффективны, либо вместе с загрязнениями удаляют и слой мрамора. [c.104]

Для оценки увеличения температуры поверхности в предельном случае, представляющем практический интерес, предположим, что энергия лазера поглощается в слое, толщина которого мала по сравнению с диффузионной длиной теплообмена < (/) Тр) В этих условиях можно полагать, что поглощаемая энергия лазера нагревает слой толщиной Тогда со- [c.161]

Отличительной чертой всех полупроводниковых лазерных материалов, в том числе и арсенида галлия, является очень высокий по сравнению с другими лазерными материалами (кристаллы, стекла, жидкости, газы) коэффициент усиления электромагнитного излучения. Благодаря этому удается выполнить условие генерации для миниатюрных полупроводниковых образцов. Типичный лазер на арсениде галлия показан на рис. 35.24, а. Для получения генерации две противоположные поверхности полупроводника полируют и делают плоскопараллельными, а две другие оставляют грубо обработанными, чтобы предотвратить генерацию в нежелательных направлениях. Обычно обе отражающие поверхности не имеют отражающих покрытий, так как показатель преломления полупроводника достаточно большой и от полированных торцов отражается примерно 35 % падающего излучения. Активная область представляет собой слой толщиной около 1 мкм, т. е. немного больше запирающего слоя (примерно 0,2 мкм). В свою очередь поперечные размеры лазерного пучка гораздо больше (около 40 мкм) толщины активной области (рис. 35.24, б). Следовательно, лазерный пучок занимает довольно большое пространство в р- и п-областях. Однако поскольку поперечные размеры пучка все же относительно невелики, выходное излучение имеет большую расходимость (несколько градусов). [c.297]

Рассмотрим особенности действия излучения СО 2-лазера на тонкие металлические листы толщиной менее 1 мм. В настоящее время существуют две точки зрения на механизм их резки в присутствии струи кислорода. Согласно первой из них, основным процессом разрушения металла, в том числе в тонких слоях, является его горение в кислороде. Вторая точка зрения сводится к тому, что металл под действием излучения лишь расплавляется и в тонких слоях разрывается, а струя удаляет расплав из зоны реза. По-видимому, нельзя утверждать, что для всех металлов реализуется одинаковый механизм разрушения. В зависимости от теплофизических и оптических характеристик металлических слоев и их склонности к окислению и горению превалирует тот или иной механизм разрушения. Например, если для стали и титана вполне возможен механизм горения (из-за низкой температуры воспламенения), то для алюминия и меди более вероятен механизм проплавления листа [82). [c.117]

При сверлении отверстий в рубиновых камнях на боковой поверхности отверстия имеет место образование дефектного слоя вследствие застывания расплавленной массы, а на поверхности со стороны входа луча образуется кольцевой валик из застывшей жидкой фазы. В связи с этим представляет интерес выбор режима работы лазера, при котором дефектный слой имел бы минимальную толщину и не происходило бы образование валика. [c.147]

Для экспериментальных исследований использовались ДГС-лазеры, в которых толщина слоя N—Aio.sGaojAs превышала 3 мкм. Активный слой GaAs, легированный Si, имел толщину 2, не превышающую 0,15 мкм или меньшую 0,10 мкм, при типичном значении 0,12 мкм. Толщина слоя Р — Alo.sGao,tAs изменя- [c.218]

Направленность антистоксова рассеяния (см. рис. 41.14) объясняется фазовыми соотношениями между волнами, испускаемыми диполями pas, рэсположенными в различных точках рассеивающей среды, т. е. представляет собой интерференционный эффект, аналогичный эффектам, рассмотренным на примерах излучения лазера (см. 222), генерации гармоник (см. 236) и параметрической люминесценции и усиления (см. 238). Как и любой интерференционный эффект, результат сложения вторичных антистоксовых волн зависит от геометрических условий опыта. Примем, что усиление на толщине d рассеивающего слоя велико ( jd 1, это необходимо для наблюдения ВКР). Пусть, кроме того, радиус возбуждающего пучка а меньше радиуса зоны Френеля с номером, равным as[c.858]

Неравновесные носители можно локализовать в значительно меньшей области, чем световое поле. Так, в ДГС-лазерах толщину d узкозонного активного слоя удаётся довести до размеров длины волны де Бройля электрона с кинетич. энергией, близкой к высоте потенц. барьера на границах 8 нм). Ширина ак-тнБного слоя такого Г. порядка длины волны генерируемого излучения и контролируется независимо изменением показателя преломления п среды. Т. о., Г. можно рассматривать как планарный оптич. волновод со встроенным в него активным усиливающим слоем. Волновод образован за счёт изменения п в плоскости, перпендикулярной гетеропереходу, а локализация электронно-дырочной плазмы в слое заданной толщины обес- [c.445]

В основе че гвертой группы методов получения ударных волн лежит облучение поверхности преграды лазерным светом или потоком электронов. В зоне поглощения энергии излучения возникают высокие давления, амплитуда которых прямо пропорциональна концентрации поглощенной энергии и зависит от длительности импульса излучения io, уменьшаясь с ее увеличением [3]. На расстояниях, превышающих толщину слоя, в котором поглощается энергия излучения, распространяющиеся волны существенно нестационарны. При облучении лазером с модулированной добротностью свободной поверхности мишени зарегистрированные амплитуды одномерных волн напряжения, как правило, не превышают 1 ГПа [4]. [c.264]

В устройстве, показанном на рис. 5.9, частота излучения лазера непрерывно меняется настроечным элементом. Таким элементом может служить, например, фильтр Лио, эталон Фабри— Перо или интерференционный фильтр с клиновидными слоями. (Последний представляет собой четырехслойную диэлектрическую систему, в которой для некоторого направления толщина слоев меняется по линейному закону. Поэтому перемещение фильтра в этом направлении позволяет менять длину волны.) При применении призмы может быть использован резонатор V-образной формы. Применяя различные красители, можно при синхронной накачке лазера получать пикосекундные и субпико-секундные импульсы с возможностью плавной перестройки длины волны излучения оптическим фильтром в спектральном диапазоне примерно от 420 до 1000 нм. Особое внимание при этом следует обращать на относительно точную регулировку длины резонатора лазера на красителе и частоты следования импульсов лазера накачки. Это требует обеспечения высокой термической и механической стабильности лазерной системы. Следует подчеркнуть, что частота следования импульсов лазера накачки определяется частотой активного модулятора и может несколько отличаться от частоты прохода /(2L) соответствующего холодного резонатора (т. е. резонатора лазера без накачки активной среды). Поэтому необходимо подобрать длину резонатора лазера на красителе, согласовав ее с точностью порядка 10 с оптимальной частотой модуляции. Если не осуществляется постоянная подстройка частоты модуляции и длины резонатора лазера на красителе, то эти величины должны сохранять свои значения с точностью около Поэтому применяют высокочастотные генераторы с высокой стабильностью колебаний как по амплитуде, так и по фазе. Резонаторы монтируются на вибропоглощающих подставках и снабжаются стеклянными трубками, исключающими воздействие флуктуаций воздушных потоков. Осуществляется глубокая компенсация теплового расширения резонатора. Температура оптических элементов по возможности поддерживается постоянной, так чтобы изменение оптической длины не превышало 0,1 мкм. Для регулировки длины резонатора можно, например, поместить выходное зеркало резонатора лазера на красителе на микрометрический столик, позволяющий фиксировать изменение длины резонатора с точностью до 0,1 мкм. [c.177]

Для термометрии поверхности (110) кристалла серебра был применен метод резонансной генерации второй гармоники при облучении образца импульсами перестраиваемого лазера на красителе (длительность импульса 2 пс, энергия в импульсе 10 мкДж) под углом 55° в области спектра вблизи 600 нм [4.41]. Эксперимент проводился в высоком вакууме ( 10 ° Topp). В отраженном свете наблюдалось удвоение частоты, причем максимальная интенсивность второй гармоники была достигнута в интервале 315 -Ь 320 нм. При увеличении температуры образца от 94 К до 575 К интенсивность второй гармоники уменьшилась примерно на порядок. Показано, что температурная чувствительность сигнала изменяется с длиной волны возбуждающего света. Поскольку эффективность удвоения частоты мала, сигнал регистрировался в режиме счета фотонов. Для получения одной экспериментальной точки велось накопление сигнала за 200-ь500 импульсов. Существенным достоинством данного метода является то, что толщина слоя, в котором формируется отраженная волна на удвоенной частоте, составляет несколько атомных слоев, что гораздо меньше толщины слоя, в котором происходит формирование отраженной волны в случае линейного отражения (>10 нм). [c.107]

ТОЙ повторения. Излучение лазера освещает тонкий слой порошка исследуемого материала. Порошок спрессован в тонкой ячейке для того, чтобы задать толщину слоя. Ячейка установлена внутри оптической системы, собирающей все рассеянное образцом в угол 4л ср излучение второй гармоники сигнал второй гармоники регистрируется фотоумножителем. В эксперименте изучается зависимость мощности ВГ, генерируемой в порошковом образце, от размера частиц, из которых этот порошок состоит. В связи с этим порошок предварительно просеивается для разделения его на фракции, состоящие из чаотиц примерно одинаковых размеров. Для контроля необходимо также [c.109]

Учитывая, что Оопт = 6,594 й из выражения (6.13) оптимальное значение толщины активного слоя лазера составляет примерно 0,21 мкм [6]. [c.116]

Энергия лазера, Ed. МДж Радиус оболочки-аблятора, Л, мкм Толщина оболочки-аблятора, Да, МКМ Масса мишени Mt, мг Масса DT-топлива AIdt, мг Толщина слоя поглотителя ДаЬ, МКМ [c.45]

Первоначально поток света всегда взаимодействует с электронами материала. Поглощаемая электронами энергия, проявляющаяся в конце концов в виде возбуждения атомов, превращается в тепло. Почти при всех условиях трансформация электронного возбуждения в тепло происходит за времена порядка 1 пс и может считаться мгновенной. Поэтому основной процесс импульсного пучкового отжига заключается в поглощении энергии, достаточной для плавления слоя, толщина которого по крайней мере равна толщине слоя, повреждегаого имплантацией, с последующей жидкофазной эпитаксиальной рекристаллизацией. Вследствие этого критическим параметром процесса является энергия, которую необходимо сообщить поверхности образца, чтобы достичь температуры плавления. Для оценки пороговой энергии, необходимой для плавления поверхности, рассмотрим в качестве примера поврежденный имплантацией слой толщиной с оптическим коэффициентом поглощения находящийся над кристаллом с коэффициентом поглощения Пусть поверхность имплантированного образца освещается лазерным импульсом с интенсивностью /о и длительностью г , а коэффициент отражения поверхности равен К. Предполагается, что интенсивность излучения лазера достаточно низка, чтобы преобладало однофон-ное поглощение. [c.160]

Рис. 1.2.1. Лазер на гомоструктуре (а) сколотые грани полупроводникового кристалла действуют как зеркала резонатора Фабри —Перо типичные значения длины и ширины 400 и 100 мкм соответственно. Лазер на односторонней гетероструктуре (б) толщина слоя р-ОаАз составляет 2 мкм. Лазер на двусторонней гетероструктуре (в) толщина активного слоя р-ОаАз обычно меньще 0,5 мкм.

Энергетические зониые диаграммы N — p — P нлн Ы — п — Р ДГС получаются объединением обсужденных выше диаграмм анизотнпных и изотипных гетеропереходов. Значения концентраций носителей и молярной доли AIAs, для которых построены диаграммы на рис. 4.3.И—4.3.15, характерны для реальных лазерных структур. Для удобства изображения диаграмм толщины слоев взяты равными 0,1 мкм. В ДГС-лазерах толщины N- или Р-слоев должны быть равны 1,0—3,0 мкм, в то время как толщина я- или р-слоя для получения непрерывного режима работы прн комнатной температуре должна лежать в пределах от 0,1 до 0,3 мкм, [c.263]

При лазерной обработке используются как импульсные лазеры, так и лазеры с непрерывным потоком излучения. Для обработки отверстий чаще используют импульсные лазеры, постепенно испаряя слой за слоем материал заготовки. Лазером можно производить резку самых различных материалов, перемещая луч относительно заготовки по любому, сколь угодно сложному контуру. В настоящее время таким способом производят резку металлов толщиной до 10 мм, различных пластиков, ткапей, кожи и т.д. Метод также позволяет обрабатывать заготовки любой твердости. Так, с помощью лазерной обработки, получают алмазные волоки для производства проволоки, камни рубиновых подшипников (для часов). [c.101]

В конце 60-х годов в работе [204] была показана возможность применения лазера, установленного на борту летательного аппарата и работающего в сине-зеленом участке спектра электромагнитного излучения, для подводной топографической съемки при использовании временного интервала между принятыми обратными сигналами, отраженными от поверхности воды и поверхности подводного объекта, в качестве меры толщины слоя воды (рис. 10.2). С помощью импульсного неонового лазера (60 мкДж) в ночное время у берегов оз. Онтарио с высоты 150 м удалось зарегистрировать глубину 8 м. Длительность импульса лазера составляла 3 не, что позволило достигнуть пространственного разрешения 0,34 м. Авторы указали. [c.471]

Совершенно особые свойства имеют трехмерные голограммы, впервые полученные Ю. Н. Денисюком в толстослойных фото.эмульсиях, толщина которых существенно превышает расстояние между соседними интерференционными поверхностями. В этом случае интерференционная структура будет зафиксирована в фото.эмульсии в виде полупрозрачных отражающих слоев серебра, образующих трехмерную дифракционную решетку. Если такую голо- / грамму осветить белым светом, то из его широкого спектра голограмма сама выделит вet только одной длины волны и определенного направления. По.этому при восстановлении трехмерную голограмму не обязательно освещать лазером, а можно пользоваться обычным источником света. [c.27]

Поверхностная закалка при нагреве лазером. Является одним из широко применяемых видов лазерной обработки металлов и сплавов. Она основана на локальном нагреве участка поверхности световым лучом лазера и охлаждения этого участка со сверхк ритической скоростью за счет теплоотвода во внутренние слои металла. При этом не требуется применять охлаждающие среды, что существенно упрощает технологию термоупрочнения Толщина упрочненного слоя не превышает 1,5. 2,0 мм. [c.71]

Стереолитография. В процессе обработки данных STL-файла на стереолитографической установке геометрическая модель изделия последовательно представляется набором тонких слоев толщиной 50... 150 мкм. В основе процесса стереолитографии лежит принцип послойного наращивания изделия путем полимеризации жидкого фотополимера под воздействием УФ-излучения лазера. Послойное наращивание включает в себя следующие основные этапы (рис. 1.43) [c.78]

В современных эллипсометрах применяют газовые лазеры на гелиевонеоновой смеси (А. = 0,63 мкм) и СО2 (А = 10,6 мкм). Применение инфракрасного лазера позволяет расширить диапазон измерения в сторону больших толщин. ИК-эллипсометр УИТ — ТЭС (X = 10,6 мкм) измеряет толщины эпитаксиальных слоев в диапазоне 0,01—1,6 мкм с погрешностью [c.67]

Применение лазеров в эллипсометрах позволило получить интенсивные пучки монохроматического излучения и создало предпосылки для разработки техники эллипсометрической микроскопии [70, 122]. В настоящее время отечественной промышленностью выпускаются лазерные эллипсометрические микроскопы ЛЭМ-2 и ЛЭМ-3. Использование этих приборов дало возможность провести исследование микроструктур, имеющих линейные размеры до нескольких микрометров, и проконтролировать неоднородности как по толщине, так и по показателю преломления. Применение лазерных эллипсометрических микроскопов позволило также проводить контроль качества вскрытия окон в пленках окислов, определять загрязнения на поверхности пластин кремния и германия после физико-химической обработки, контролировать наличие и глубину нарушенного слоя после полировки и т. д. [c.207]

Одним из важных и перспективных направлений применения методов эллипсометрии является разработка новых технологических процессов в полупроводниковом и оптическом приборостроении. Высокая чувствительность поляризационно-оптических методов, а также возможность проведения измерений в защитных средах делают эллипсометрию совершенным средством исследования кинетики кристаллизации пленок на различных подложках. Особый интерес для технологии полупроводников эллипсометрия представляет в связи с возможностью исследования процесса эпитаксиального выращивания. Методы эллипсометрии позволяют проводить исследования влияния различных факторов (температуры подложки, качества ее механической обработки и химической чистоты и т. д.) на характер роста пленки, а также на ее толщину и значение показателя преломления. В работах [15, 166] приведены результаты измерения толщины эпитаксиальных слоев с помощью эллипсометров на основе СО 2-лазера и лазера на парах воды. При этом погрешность измерения составляла соответственно 0,01 и 0,1 мкм. [c.208]

Элементный анализ (исследования элементного состава твёрдых и жидких веществ, в первую очередь ме-таллич. сплавов, полупроводников, геологич. объектов земного и внеземного происхождения). В связи с малой летучестью большинства таких веществ их одновро.у . испарение и ионизация осуществляются в вакуумном искровом разряде с одноврем. регистрацией большого участка масс-спектра либо на фотопластинке, либо с помощью пространственно протяжённых детекторов. Чувствительность метода для большинства элементов порядка 10 —10 % (путём обогащения примесями добиваются чувствительности 10 % и лучше). Для элементного анализа наряду с вакуумной искрой применяют лазерную ионизацию, вторичную ионную эмиссию, а также жидкометаллич. ионные источники. G помощью М.-с. проводят как общий, так и локальный, и послойный элементные анализы. При этом толщина, подвергающаяся анализу, составляет неск, мономоле-кулярных слоёв, локальность — меньше 1 мкм. Для общего анализа наиб, удобно использовать -вакуумную искру, для послойного — ионно-ионную эмиссию, для локального — лазер. Масс-спектральный элементный анализ поверхностного слоя твёрдого тела получил особое значение в микроэлектронике. Для элементного анализа жидких растворов применяют ионизацию в индуктивно связанной плазме. [c.58]

Как хороший теплоноситель плазма позволяет производить термин, обработку поверхности и её закалку. При этом не изменяется хим. состав поверхности, но улучшаются её физ. параметры. При др. способе обработки поверхности активные частицы плазмы вступают в хим. реакцию с материалом поверхности. Напр., при проникновении ионов или активных атомов из плазмы в приповерхностный слой в нём образуются нитриды или карбиды металлов, что упрочняет поверхность. Плазма может не вступать в хим. реакцию с поверхностью, но образует на ней свои хим. соединения в виде плёнок, обладающих нек-рым набором механич., тепловых, электрич., оптич. и хим. свойств в зависимости от параметров плазмы. Толщина плёнки, напыляемой на поверхность из плазмы, пропорц. времени плазменного процесса. Изменяя через нек-рое время состав плазмы, можно создавать многослойную структуру. Обработка отда слоёв сфокусиров. излучением ртутной лампы или лазера позволяет создавать профилир. плёнки с мин. размером отд. элементов в неск. микрон (см. Плазменная технология). [c.354]

Так же, как и в случае гетероструктур SiGe/Si, использование техники формирования промежуточных буферных слоев в виде напряженных сверхрешеток, композиций с градиентом состава по толщине или слоев, выращиваемых при сравнительно низких температурах, в сочетании с многократными промежуточными термообработками позволяет, например, получать на подложках кремния эпитаксиальные слои GaAs с плотностью дислокаций = 10 см" . Этого еще недостаточно для создания эффективно работающих при комнатной температуре лазеров, но впол- [c.97]

Смотреть страницы где упоминается термин О ГС-лазеров от толщины n-слоя в лазерах : [c.258] [c.245] [c.59] [c.47] [c.150] [c.154] [c.165] [c.184] [c.218] [c.236] [c.107] [c.63] [c.294] [c.445] [c.325] [c.426] [c.54] [c.621] [c.226] [c.489] [c.118]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...