ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Возможное изменение механических свойств кристалла на глубине дебаевского радиуса экранирования также предполагалось рядом авторов, например, М.Г. Мильвидским с сотр. [423] при анализе условий проявления фотомеханического, электромеханического и концентрационного эффектов (уменьшение микротвердости при пропускании тока, освещении и увеличении концентрации носителей при легировании соответственно), Т.А. Конторовой [430] при объяснении концентрационного эффекта [431], а также в ряде наших работ [108, 109, 309-312]. При этом Т.А. Конторовой [430] было введено понятие о частичной металлизации исходных ковалентных связей при легировании кристалла донорной смесью, что косвенно подтверждается данными по снижению упругой постоянной С44 [432] и температуры Дебая [433] при легировании. [Выходные данные]