Метод вращающегося кристалла

Рис. 5.14. Метод вращающегося кристалла в представлении обратной решетки (А — ось вращения кристалла и связанной с ним обратной решетки, 1=0. 1, 2 — слоевые линии, соответствуют плоскостям обратной решетки кристалла, перпендикулярным оси вращения)

МЕТОД ВРАЩАЮЩЕГОСЯ КРИСТАЛЛА, ПОРОШКОВЫЙ МЕТОД ГЕОМЕТРИЧЕСКИЙ СТРУКТУРНЫЙ ФАКТОР АТОМНЫЙ ФОРМ-ФАКТОР [c.104]

Метод вращающегося кристалла. В этом методе используется монохроматическое рентгеновское излучение, но переменный угол падения. Практи- [c.110]

Фиг. 6.9. Построение Эвальда для метода вращающегося кристалла.

Металлы с почти свободными электронами ( простые ) 1 157, 306, 307 Метод Борна — Оппенгеймера см. Адиабатическое приближение Метод вращающегося кристалла 1110,111 [c.420]

В основу всех известных в настоящее время экспериментальных методов положен закон Брэгга. В методе вращающегося кристалла небольшой монокристалл с помощью соответствующего устройства для его вращения устанавливают на пути монохроматического пучка рентгеновских лучей. Вокруг кристалла укрепляется фотопленка, ее располагают в виде цилиндра относительно оси вращения. Всякий раз, когда в процессе вращения кристалла выполняется условие Брэгга, на пленке появляется линия. И для определения параметра решетки используют угол между направлением рентгеновского пучка и дифракционной линией. [c.26]

Метод рентгеновского гониометра. Рентгенограмма вращения не всегда позволяет получить полную информацию об интерференционной картине. Дело в том, что в некоторых случаях при исследовании методом вращения вследствие симметрии кристалла в одно и то же место фотопленки попадает несколько интерференционных лучей. Этого недостатка лишен метод рентгеновского гониометра. В этом методе используют монохроматическое излучение, кристалл вращают вокруг выбранной оси, кассета с цилиндрической пленкой движется возвратно-поступательно вдоль оси вращающегося кристалла, поэтому отражения разделяются по их третьей координате. Снимают не всю дифракционную картину, а с помощью определенного приспособления вырезают одну какую-нибудь слоевую линию, чаще всего нулевую (рис. 1,48). При таком методе съемки каждый интерференционный рефлекс попадает в определенное место на пленке и наложения рефлексов не происходит. С помощью такой развертки, используя сферы отражения, определяют индексы интерференции и по ним устанавливают законы погасания (см. выше). Затем по таблицам определяют федоровскую пространственную группу симметрии, т. е. полный набор элементов симметрии, присущий данной пространственной решетке, знание которого в дальнейшем облегчает расчеты проекций электронной плотности. Далее определяют интенсивности каждого рефлекса, по ним — значения структурных амплитуд и строят проекции электронной плотности. [c.52]

Поскольку межплоскостное расстояние d, длина волны X и угол Вульфа—Брэгга взаимосвязаны, причем d фиксировано, то для наблюдения дифракции необходимо либо фиксировать но варьировать А, либо фиксировать 1, но варьировать Это приводит к следующим основным методам дифракционного эксперимента [29, 40] метод неподвижного кристалла (Лауэ), вращающегося монокристалла, поликристалла (Дебая). Эти методы достаточно подробно описаны, например, в [40]. [c.186]

По сравнению с методом Фарадея метод вращающего момента имеет то преимущество, что не требуется неоднородного поля, и, кроме того, оборудование, используемое для измерения вращающего момента, обычно более простое и не столь деликатное, как для измерения силы. С другой стороны, у этого метода есть слепые пятна в тех случаях, когда поле направлено вдоль оси симметрии кристалла. При таких ориентациях вращающий момент исчезает, либо потому, что становится равной нулю производная йР/йв, либо потому, что вклады от симметрично расположенных частей ПФ взаимно уничтожаются. Практически это не очень серьезное препятствие, поскольку осцилляции обычно удается проследить вплоть до очень малых углов между полем и направлением симметрии, и достаточно небольшой интерполяции, чтобы перекрыть слепое пятно . Другой недостаток метода вращающего момента по сравнению с некоторыми описанными ниже методами состоит в том, что [из-за множителя Н в формуле (3.5)] амплитуда вращающего момента быстрее спадает с уменьшением Я, чем амплитуда самой величины М (хотя в этом отношении он и лучше метода измерения силы, где, как мы видели, , величина наблюдаемой амплитуды содержит множитель Я ). [c.121]

Чернов подробно останавливается на характерных особенностях каждого из этих способов. Для лучшего уплотнения стали наряду с применявшимся тогда способом прессования жидкой стали он разрабатывает метод отливки во вращающуюся изложницу. В самом деле,—говорит Чернов,— если при отливке стали в изложницу эту последнюю приводить в быстрое вращательное движение, тогда растущие нормально к поверхности изложницы разрывные кристаллы не в состоянии будут так сильно развиваться, как это имеет место при спокойном росте, и сталь будет нарастать гладкими, аморфного сложения слоями [c.90]

В промышленности для кристаллизации солей широкое применение находят методы, основанные на адиабатическом испарении растворителя (воды) из насыщенного солевого раствора. На этом принципе, в частности, основана работа вращающихся (барабанных) кристаллизаторов с воздушным охлаждением, грануляционных башен и вакуум-кристаллизаторов. Эффективность кристаллизации в таких аппаратах обусловливается тем, что в них одновременно с испарением растворителя (частичным в барабанных кристаллизаторах и более значительным в вакуум-кристаллизаторах) происходит и охлаждение раствора, что в свою очередь способствует выделению кристаллов из кристаллизуемого раствора. [c.341]

Съемка в характеристическом излучении (т. е. при постоянной длине волны Я) кристалла, вращающегося (или колеблющегося) вокруг определенной оси, обычно совпадающей с важным направлением в кристалле, — метод вращения (колебания или качания). Регистрация производится на плоскую или свернутую по цилиндру фотопленку в последнем случае ось цилиндра совпадает с осью вращения кристалла. Из схемы дифракции в представлении ОР (рис. 5.14) легко понять, что рефлексы на [c.113]

На рис. 19 показана схема установки для вытягивания кристаллов по методу Чохральского. В кварцевую камеру 2, наполненную водородом или инертным газом, помещают тигель 3, в котором индуктором 4 расплавляется металл 6. Температура измеряется с помощью термопары 5. На вращающемся штоке 1 в держателе 9 установлена затравка 8 в виде кристалла металла. Затравка соприкасается с расплавом и при вращении медленно вытягивает из расплава растущий кристалл 7. Кристалл рас- тет в форме правильного цилиндра с гладкой поверхностью. [c.67]

На образце из медной проволоки методом вращающегося кристалла Брэгга снять рентгенограмму структуры волокна и определить направление его оси. Для этого следует проинцидировать линии рентгеновских рефлексов и измерить на пленке места скоплений рефлексов [22, с. 177—184 23, с. 460—486 24, с. 346—358]. [c.156]

Порошковый метод (метод Дебая— Шеррера). Метод Дебая —Шеррера эквивалентен методу вращающегося кристалла, с тем отличием, что теперь ось вращения не фиксирована, а имеет все возможные направления. Практически изотропное усреднение по направлениям падения достигается за счет применения поликристаллического образца или же порошка, зерна которого все еще имеют огромные размеры по атомным масштабам и способны поэтому обусловливать дифракцию рентгеновских лучей. Поскольку кристаллические оси отдельных зерен ориентированы случайным образом, дифракционная картина для порошка совпадает с той, крторая получилась бы при объединении дифракционных картин, относящихся ко всем возможным ориентациям монокристалла. [c.111]

Дифракция рентгеновских лучей 1105—109, П 385, 386 атомный форм-фактор 1116 брэгговские максимумы 1105 брэгговское отражение 1109 влияние колебаний решетки П 49, 386 диффузный фон 1104 (с) и фононный спектр П 108 как рассеяние частиц II 100, 386 комптоновский фон II108 метод вращающегося кристалла 1110,111 метод Лауэ I ПО, 111 [c.408]

Решетка соединения oGe, по данным рентгеноструктурного анализа (с использованием метода порошка и вращающегося кристалла), является моноклинной базоцентрированной, изостпуктурной с NijSn а = 11,648 А, З.бО, А, [c.323]

В третьем методе используется также монохроматический рентгеновский луч, но вращающийся кристалл заменяется неподвижным кристаллическим порощком, в котором практически осуществляются все возможные расположения микрокристалла. Аналогичные принципы положены в основу методов злектронографического анализа. Последний, однако, в силу малой проницаемости электронных лучей в кристаллы нашёл широкое применение для исследования поверхностных слоёв и фольг. [c.317]

Рис. 2.6. Камера, используемая в. методе вращения кристалла, Монокристаллический образец укреплен на вращающейся оси. (Из книги К. Ба-ретта Структура металлов .)

Искривление фронта кристаллизации также оказывает значительное влияние на распределение примеси в кристалле. Изменение формы фронта кристаллизации может вызвать колебания скорости роста кристалла V, что приведет к возникновению в слитке примесных полос, воспроизводящих в каждый момент роста форму фронта кристаллизации. В этом случае распределение примесей в продольном сечении кристалла представляет собой полосы, воспроизводящие последовательные положения фронта кристаллизации, а в поперечном сечении монокристалла — полосы в виде колец, спиралей или фигур кольцеобразной формы. На поверхности растущего кристалла слоистая неоднородность проявляется в виде рельефных углублений (типа винтовой нарезки у кристаллов, выращенных методами Чохральского или вертикальной зонной плавки, или пилообразных выступов у кристаллов, полученных методами горизонтальной зонной плавки или Бриджмена). Например, в методе Чохральского нару-щение симметрии теплового поля вокруг растущего кристалла приводит к наклону фронта кристаллизации относительно поверхности расплава (рис. 6.и). В этом случае различные участки фронта кристаллизации вращающегося кристалла периодически проходят через области расплава в тигле с более высокой и более низкой температурами. В первом случае скорость роста замедляется (иногда части кристалла даже частично сплавляются), а во втором — ускоряется, то есть кристалл имеет флук- [c.246]

Показатели преломления являются осн. оптич. константами кристаллов и часто служат их диагностич. признаком. О методах измерения п см. в ст. Рефрактометрия, Рефрактометр, Ыммерсиоимый метод. Особую роль в К. играют исследования кристаллов в поляризац. микроскопе с помощью универсального вращающегося столика Фёдорова, к-рый позволяет наблюдать кристаллич. препарат в любом направлении и вращать его вокруг любой проходяш ей через него оси. Разработанная Фёдоровым методика позволяет, наблюдая погасания кристаллов при поворотах, определять ориентацию осей индикатрисы кристал.тгов относительно его граней, плоскостей спайности, двойниковых плоскостей, находить законы двойникования, из.мерять углы оптических осей, показатели преломления кристаллов (определяя смещение изображения при наклоннол прохождении света через кристаллич. пластинку известной толщины). [c.513]

Появление лазеров вызвало интенсивное развитие методов внутр. М, с., основанных на управлении когерентным излучением за счёт изменения параметров лазера. При этом мы. устройства, применяемые как внеш. модуляторы, номещаются внутри оптического резонатора лазера. Используя разл. способы внутр. модуляции, получают любой вид М. с. амплитудный, частотный, фазовый и поляризационный. Частотой излучения лазера управляют, изменяя добротность оптич. резонатора лазера, напр. менян оптич. длину резонатора. С этой целью одно из зеркал резонатора закрепляют либо на магнитострикционном стержне (см. Магнитострикционный преобразователь), либо на пьезоэлементе и изменяют длину резонатора синхронно с модулирующим напряжением. Тот же эффект достигается путём изменения показателя преломления среды, заполняющей резонатор, для чего используется электрооптич. кристалл. Частотную модуляцию излучения лазера можно получить также при наложении на активную среду магн. или электрич. полей (см. Зеемана эффект, Штарка эффект), под действием К-рых происходит расщепление и смещение рабочих уровней атомов, ответственных за генерацию когерентного излучения. Изменяя величину коэф. усиления, получают амплитудную модуляцию излучения лазера. Для этого воздействуют на разность населённостей активной среды, либо изменяя мощность её возбуждения, либо используя всцомогат. возбуждение, приводящее к-перераспределению населённостей. Амплитудная модуляция излучения может быть получена и при помощи модуляции тока разряда газовых или полупроводниковых лазеров, работающих в непрерывном режиме. Одним из методов управления когерентным излучением является модуляция величины обратной связи лазера, т. е. коэф. отражения зеркал резонатора. С этой целью используют резонатор, одно из зеркал к-рого вращается с большой скоростью, и потому условия генерации выполняются лить в короткие промежутки времени. Вместо зеркал часто используют вращающуюся призму полного внутр. отражения. Изменение величины обратной связи можно получить, заменяя одно из зеркал на систему зеркал, образующих интерферометр Фабри — Перо. Коэф. отражения такого резонатора зависит от расстояния между зеркалами, изменяя к-рое можно модулировать интенсивность излучения и получать т. н. гигантские импульсы, мощность излучения в к-рых существенно превосходит мощность непрерывной генерации. Наконец, излучение лазеров также модулируют, изменяя добротность оптич. резонатора путем введения потерь, величина к-рых управляется внеш. сигналом. Для этого используют модуляторы на основе элек- [c.184]

Методы обработки молекулярных кристаллов имеют некоторые особенности, связанные с мягкостью и хрупкостью последних. Наиболее прочные кристаллы разрезают проволокой или нитью, иногда смачивая ее растворителем, в котором обрабатьшаемый кристалл хорошо растворяется [117]. Этот способ неприменим к кристаллам, имеющим плоскости спайности. Такие кристаллы удобнее разрезать быстро вращающимися дисками, смоченными в растворителе. Однако и зтот способ не позволяет провести разрез по плоскости, составляющей меньше 20° с плоскостью спайности. Мягкие кристаллы режут тонким лезвием, смоченным в растворителе, или микротомом [117]. [c.80]

Переходные процессы в рубиновых лазерах широко изуЧй-лись при помощи развертывающих камер [40]. Изображение щели фокусировалось на катод ЭОП в развертывающей камере.-Времена регистрации составляли от 5 10" до 10" сек. Коэффициент усиления света между фотокатодом и фотоанодом был более 50, т. е. светосила была значительно больше, чем у камеры с вращающимся зеркалом. Иногда при таком методе можно выявить фотобиения и продемонстрировать временную зависимость лазерного действия для различных частей кристалла. [c.65]

Вскоре после этой работы Кембридж посетил К. С. Кришнан, который рассказал о нескольких разработанных им оригинальных методах исследования магнитной анизотропии с помощью измерения механического момента сил, действующего на кристалл, подвешенный в однородном магнитном поле (см., например, [243]). Мне пришло в голову, что с помощью этого метода можно наблюдать 0сщ1лляции дГвА гораздо лучше, чем методом Фарадея, которым я пользовался раньше. Для метода Фарадея нужно, чтобы поле изменялось на размере образца, а это неизбежно сглаживает осцилляции ( размытие фазы ), особенно при малых полях, когда вариация поля на размере образца (пропорциональная Н) становится сравнимой с интервалом поля одного периода осцилляций (пропорциональным Н ), При крутильном же методе используется однородное поле, так что такого размытия фазы не происходит. Чтобы возник вращающий момент, у металла должна быть, конечно, магнитная анизотропия (позже мы увидим, что точное требование заключается в анизотропии поверхно- [c.29]

Малые листы ПФ поливалентных металлов имеют сложную форму, что приводит к сильной анизотропии, и величина /Г) дГ/( ) становится сравнима с единицей. Это означает, что величина Мможет быть порядка М . Один из методов измерения величины М , который щироко применялся для изучения поверхностей Ферми, заключается в измерении вращающего момента, действующего на кристалл (равного НМ для единицы объема), и в некоторых случаях этот метод даже теперь может соперничать с методом модуляции поля. [c.118]

При выращивании методом Чохральского некоторых кристаллов (например, боратов) из раствор-расплавов, обладающих высокими значениями динамической вязкости, конвективное течение расплава в тигле очень слабое. Вследствие недостаточного перемешивания может нарушиться однородность раствор-расплава, появиться термогравитационное и концентрационное расслоение расплава. Концентрационное переохлаждение и ячеистый рост очень часты для таких систем. Получение качественного кристалла становится проблематичным или даже невозможным. Необходимое в таких случаях принудительное перемешивание раствор-расплава может быть достигнуто при использовании формообразователя - мешалки, расположенной соосно с тиглем внутри него [1-3], вращением тигля [4], действием на расплав вращающихся перегородок, выступов, мешалок [5-6]. Этим контактным методам, как правило, сопутствуют вибрации вращательных механизмов, необходимость создания зазоров и/или уплотнений, усложняющих установки и, главное, вносящих случайные возмущения в процесс роста кристалла и являющихся источником загрязнения расплава. В работах [7-9] предложен новый подход, основанный на бесконтактном возбуждении азимутальных течений в расплаве путем вращения неоднородного теплового поля на стенке тигля. Тепловое поле формируется нагревательной печью, состоящей из равномерно расположенных по окружности вертикальных нагревательных элементов (фиг. 1, а). При поочередном подключении двух противоположных нагревателей 7-2, затем 1 -2 и т.д. (фиг. 1, б) на стенке тигля по ф создается распределение температуры, похожее на двухлопастной пропеллер. [c.36]

Смотреть страницы где упоминается термин Метод вращающегося кристалла : [c.276] [c.111] [c.395] [c.401] [c.406] [c.410] [c.49] [c.49] [c.420] [c.268] [c.208] [c.356] [c.456] [c.564] [c.214] [c.309] [c.310] [c.381] [c.100] [c.134] [c.430]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...