Циклотронная масса

Рис. 3. Зависимость циклотронных масс дырок в Ge при 7=4,2 К для поля Н, лежащего в плоскости (110) кристалла от угла 9 между Я и осью [ПО].

Совершенно другой тип отклонения необходим в циклотронах, масс- и бета-спектрометрах, анализаторах энергии и т.д. В этом случае отклонение используется либо для управления пучками вдоль криволинейных траекторий, либо для разделения частиц с различными энергиями и (или) массами. В обоих случаях основная траектория пучка — кривая пучок имеет криволинейную ось, которая требует специального рассмотрения. [c.580]

Без микроскопа и телескопа, пузырьковой камеры и циклотрона, масс-спектрометра и компьютерного томографа мы не смогли бы проникнуть в тайны природы дальше Аристотеля. Если бы измерения совершались только с помощью наших органов чувств, не было бы телевидения, космических полетов, лазеров, микропроцессоров, волоконной оптики, голографии, генной инженерии и других технических чудес нашего времени. [c.6]

Введем так называемую циклотронную массу> ) [c.74]

Циклотронная масса на поверхности Ферми для изотропной модели совпадает с эффективной массой (см, соотношение (2.7)). Во избежание недоразумений напомним, что понятие эффективной массы мы применяем лишь для изотропной модели. В анизотропном случае т будет всегда обозначать циклотронную массу. [c.74]

Как было показано в 5.1, i = eHl(m ), где т —циклотронная масса [c.122]

Отсюда видно, что знак а существенно влияет на результат т. е. максимальная и минимальная циклотронные массы дают совершенно разного типа эффекты в импедансе. [c.124]

Так как т =(2л) д8/дг, то для эллиптических опорных точек циклотронная масса равна [c.125]

Однако такие предсказания отличаются от опытных данных на 30—40 %. Интересно отметить, что эта разница в данном конкретном металле мало зависит от направления. Поэтому, внеся поправку в свободную массу, можно затем уже с хорошей точностью получить все циклотронные массы для разных участков поверхности Ферми. Само происхождение отличия массы от свободной связано, по-видимому, со взаимодействием электронов с фононами ( 14.4). [c.269]

Центры проскальзывания фазы 48в Циклотронная масса 74 [c.520]

Эффективная циклотронная масса электрона проводимости [c.164]

ЭФФЕКТИВНАЯ ЦИКЛОТРОННАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНА [c.165]

Эффективная циклотронная масса имеет знак производной дЗ/дЕ, который зависит от того, будет ли энергия внутри изоэнергетической поверхности Е Щ = Ео меньше или больше Е . В первом случае производная д8 дЕ и эффективная масса тв положительна, во втором — отрицательна. [c.166]

Наряду с циклотронной массой (27.10) важное значение имеет и среднее смещение электрона за циклотронный период. Среднее смещение электрона вдоль магнитного поля В, направленного вдоль оси 2, определяется временным интегралом за циклотронный период [c.166]

Связь циклотронной массы с тензором обратной эффективной массы электрона. Эффективная циклотронная масса в каждой полосе а определяется законом дисперсии электронов ц (й). Изоэнергетические поверхности, лежащие вблизи центра (или другой экстремальной точки) зоны Бриллюэна, выражаются через компоненты тензора 1/т обратной эффективной массы. В этом случае циклотронную массу можно выразить через компоненты тензора обратной эффективной массы. [c.168]

Рассмотрим простейший пример вычисления эффективной циклотронной массы для случая, когда закон дисперсии определяется выражением [c.168]

Таким образом, если магнитное поле направлено вдоль оси г, то траектория движения электрона лежит в плоскости ху и циклотронная масса совпадает с эффективной поперечной массой т. Если же поле В направлено вдоль оси х, то траектория движения электрона лежит в плоскости уг и циклотронная масса т в равна У т т. [c.169]

В исследованном случае циклотронная масса зависит только от ориентации магнитного поля (угол 6) по отношению к изоэнергетической поверхности, а не от положения плоскости сечения кг- Это свойство является общим для всех изоэнергетических поверхностей, имеющих форму эллипсоида. Циклотронная частота одинакова для всех их параллельных сечений. [c.169]

Рассмотрим для простоты кубический кристалл со сферической поверхностью Ферми и циклотронной массой, совпадающей с эффективной массой электрона т. [c.198]

В реальной зонной структуре очень естественно приписать электронам, вращающимся по орбите с данной циклотронной частотой, некоторую эффективную или циклотронную массу, выбираемую таким образом, чтобы при замене в выражении (2.11) массы т циклотронной массой получалась наблюдаемая циклотронная частота. Это позволяет нам описывать циклотронные частоты с помощью безразмерного параметра порядка единицы, равного отношению циклотронной массы к истинной массе электрона. [c.83]

Циклотронная масса I 236, 243 в металлах I 278 в полупроводниках II 193 См. также Эффективная масса Циклотронная частота I 31 в полупроводниках II 193 численные формулы I 31, 372 Циклотронный резонанс в металлах I 278—280 в полупроводниках I 278 (с), II 193, 194 [c.414]

ЦИКЛОТРОННАЯ МАССА — величина, играющая роль массы в выражении для частоты периодич. движения носителей заряда в пост, магн. поле Н в импульсном пространстве периодич, движение происходит по плоской кривой, образуемой пересечением изоэнергетич. поверхности < (p) = onst с плоскостью p = onst, где рц — проекция квазиимпульса носителя на направление Н. Угл, частота этого движения наз, циклотронной, определяется выражением [c.429]

Здесь —константа, наз. циклотронной массой носителя заряда. Твёрдое тело, помещённое в магн. поле, интенсивно поглощает энергию излучения с частотой (см. Цик-яотронный резонанс). М. И. Каганов. [c.430]

Ооределеиие эффективной массы носителей. В простейшем случае изотропного квадратичного закона дисперсии носителей изоэнергетич. поверхность р)= = ( о — сфера (см. Зонная теори.ч). Определение частоты позволяет найти скалярную эффективную массу носителей W, к-рая совпадает с циклотронной массой т . В случае более сложных законов дисперсии эфф. масса отличается от циклотронной массы. Для эллипсоидальных изоэнергетич. поверхностей зависит только от направления //, что позволяет определить гл. значения тензора эфф. масс. Напр., для электронов в Ge (кубич. симметрия) изоэнергетич. поверхность—совокупность 4 сфероидов (двухосных эллипсоидов), оси вращения к-рых направлены вдоль диагоналей куба, т. е. кристаллографич. осей [111]. В этом случае циклотронная частота [c.430]

Рис. 2. Зависимость циклотронной массы электронов в Ge для магнитного поля Н, лежащего в плоскости (110J кристалла, от угла 9 между Н и осью [ПО], лежащей в той же плоскости (/По — масса свободного электрона) 7 =4,2 К.

В работе I960] сообщаются спектры магнитного кругового дихроизма для коллоидных частиц Na в Na l и Са в СаРг. Спектры интерпре- тируются на основе теории Ми, принимая во внимание действие магнитного поля. Теория хорошо объясняет наблюдаемые результаты и дает возможность определить циклотронную массу электронов, которая оказывается близкой к значению, получаемому из оптических измерений. Показано, что вклад в эти спектры межзонных переходов значителен для коллоидов Са и не играет роли в случае коллоидов Na. В соответствии с предсказаниями теории ]У1и в работе [961 найдено почти линейное смещение пика поглощения от Я 430 нм до X 820 нм при увеличении диаметра взвешенных в формвар п = 1,50) частиц Ag с 5 до 40 нм. [c.303]

Угловая частота Q = 2nlT=еНЦт с) называется ларморовской или циклотронной частотой. Циклотронная масса может быть определена лишь для замкнутых орбит. Если орбита е = onst окружает область меньшей энергии, то т положительно. Это случай, когда носители являются электронами . Сюда, в частности, относится случай с малым числом электронов в зоне, сосредоточенных вблизи ее дна. Наоборот, если контур окружает область большей энергии, то т будет отрицательно. Частным случаем является почти заполненная зона. В этом случае естественно перейти к представлению о едырках —носителях с положительной массой и зарядом, противоположным заряду электрона ( 2.3). [c.74]

Особенно заметным образом проявляются нелинейные эффекты тогда, когда в явлении участвует малая выделенная группа электронов. Не будучи в состоянии исказить функцию распределения всех электронов, падающая волна способна произвести заметное действие на малую группу. Примером является циклотронный резонанс, в котором главную роль играет малая группа электронов в окрестности точки пересечения плоского сечения = = onst, обладающего экстремальной циклотронной массой т, и контура t) = 0. [c.128]

Итак, мы имеем возможность иайти из опыта гауссову кривизну в опорной точке. Сравнивая это с формулой (7.59) для циклотронной массы, мы видим, что из эффекта Зондхеймера вместе с циклотронным резонансом мы можем определить скорость Ферми в опорной точке. Меняя направление магнитного поля, мы можем найти эту скорость почти для всей ферми-поверхности. Определим порядок осциллирующей добавки к проводимости. Для простоты ограничимся случаем, когда поле направлено перпендикулярно поверхности. [c.140]

Электрон, движущийся по незамкнутым (открытым) орбитам, т. е. совершающий инфинитное движение, имеет бесконечный период обращения. Поэтому понятие эффективной циклотронной массы, определяющей период обращения электрона по орбите, нельзя ввести для открытых траекторий. Однако и вдоль открытых траекторий электрон движется так, что справа от его направления движения в каждой точке траектории расположена область с меньшей энергией. [c.167]

ЭФФЕКТИВНАЯ ЦИКЛОТРОННАЯ МАССА ЭЛЕК Т РОНА [c.169]

Сравнивая (27.16) с (27.9), находим равейство, связывающее циклотронную массу с эффективными массами электрона [c.169]

Согласие с экспериментом в этих случаях оказывается не очень хорошим. Во многих металлах наблюдаемая циклотронная масса, как правило, больше рассчитанной примерно в 2 раза. На первый взгляд может показаться, что это расхождение связано с небесконечно слабой дифракцией, т. е. с эффектами зонной структуры. [c.147]

Этот метод также основан на исследовании затухания микроволнового поля при проникновении его в металл. Строго говоря, в эксперименте здесь определяется не геометрия поверхности Ферми, а циклотронная масса [см. (12.44)], пропорциональная дА1д . Для этого измеряют частоту, при которой возникает резонанс между электрическим полем волны и периодическим движением электронов в постоянном магнитном поле. Чтобы электроны могли совершать периодическое движение, необходимы большие значения сОсТ, поэтому условие резонанса со = со с выполняется в микроволновом диапазоне. [c.278]

В производной от поглощенной мощности по магнитному полю можво выделить вики, соответствующие четырем различным экстремальным циклотронным массам. (Пики, отвечающие одной экстремальной массе, расположены на равных расстояниях до 1/Н, в чем можно убедиться при внимательном вручении кривых.) [c.280]

Основы теории металлов (1987) -- [ c.74 ]

Физика твердого тела Т.2 (0) -- [ c.236 , c.243 ]

Магнитные осцилляции в металлах (1986) -- [ c.34 , c.40 , c.48 , c.56 , c.91 , c.166 , c.222 , c.228 , c.239 , c.254 , c.286 , c.561 ]

Физика твердого тела Т.1 (0) -- [ c.236 , c.243 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...