Кристалл тетрагональный

В кристаллах тетрагональной, гексагональной и тригональной симметрии оптическая индикатриса представляет собой эллипсоид вращения [c.198]

Тетрагональная система. Во всех кристаллах тетрагональной системы, относящихся к классам 2 , имеется простая [c.256]

Соотношения между скоростями распространения ультразвуковых волн и модулями упругости кристаллов тетрагональной системы [c.261]

Рис. 52. Схемы рентгенограмм кристаллов тетрагональной системы.

Закон Вульфа — Брэгга для кристаллов тетрагональной системы может быть выражен в форме [c.258]

Графики, построенные по этому соотношению, позволяют проводить индицирование рентгенограмм кристаллов тетрагональной системы по известным d. [c.258]

Кристаллы тетрагональной системы [c.573]

Фазовый анализ проводится теми же методами, что и для кристаллов тетрагональной системы. [c.593]

Метод прецизионного определения периодов решетки кристаллов тетрагональной и гексагональной систем основан на том, что между величинами (а/с) и существует линейная зависимость [455]. Для тетрагональной системы эта зависимость имеет вид [c.656]

ВЫБОР ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ КРИСТАЛЛОВ ТЕТРАГОНАЛЬНОЙ СИСТЕМЫ [c.665]

В классических опытах Фойгта по теплопроводности анизотропных кристаллов (тетрагональной, гексагональной, тригональной систем) с тензором теплопроводности вида [c.69]

Пьезоэлектрические кристаллы тетрагональной сингонии [c.468]

Остальные преобразования, входящие в класс , ничего не добавляют к этим условиям. Таким образом, свободная энергия кристаллов тетрагональной системы имеет вид [c.680]

В анизотропных кристаллах диэлектрическая проницаемость различна в разных направлениях. (Например, в кристалле тита-ната бария, имеющего тетрагональную структуру, в направлении оси четвертого порядка, в переменном поле частоты 1 кГц е=200, тогда как в любом направлении, перпендикулярном этой оси, е— =4000). Анизотропия диэлектрической проницаемости описывается тензором второго ранга ец. Это следует из уравнения (8.12), в котором D и Е — векторы, т. е. тензоры первого ранга. В тензорной записи это уравнение имеет вид [c.277]

Таблица 7.19. Скорость звука в тетрагональных кристаллах гм 20 С)

ГЦК и ГПУ упаковки характерны для элементов с почти сферической симметрией межатомных связей кристаллов благородных газов, многих металлов. Так, ГЦК решетку имеют Ni, А1, u Pd, Ag, Au, Ne, Ar, Kr и др., ГПУ решетку —Mg, Be, Os и др. В некоторых случаях наблюдаются отклонения структуры от идеального типа (малые ромбоэдрические и тетрагональные искажения кубических кристаллов, отклонение с/а от идеального значения У 8/3 в гексагональных кристаллах ( d и Zn)). [c.164]

Найти матрицы коэффициентов Ср и Spq для кристаллов гексагональной и тетрагональной систем, для класса 4/т, 422, 622. [c.207]

Соединение LijO-TiO-SiOa образует кристаллы тетрагональной сингонии, одноосные, отрицательные, с показателями светопреломления iVe=1.81—1.82 и No=i.83—1.84. [c.255]

К оптически одноосным средам отно сятся все кристаллы тетрагональной, гексагональной и три-гональной (ромбоэдрической) систем оптическая ось совпадает здесь с осью симметрии соответственно четвертого, шестого или третьего порядка. Изотропное твердое тело (например, стекло), подверженное однородной деформации растяжения или сжатия в одном направлении, или жид- Е, в у кость из анизотропных молекул, помещенная в однородное электрическое поле, также будут оп-Векторы о и 1 ь одноосными. [c.182]

Ма рис. 117—120 приведены схемы рентгенограмм 40 структурных типов кристаллов тетрагональной системы и соответствующие участки графиков Хэлла для индицирования рентгенограмм. Графики Хэлла приведены для интервала с а, характерного для фаз данного структурного типа. [c.573]

Pile. 117. Графики для фазового анализа кристаллов тетрагонально системы (стру [c.574]

Plie. 120. Графики для фазового анализа кристаллов тетрагональной системы (структуры [c.577]

Рис. 140. График для выбора излучения при прецизиоппых определениях периодов решетки кристаллов тетрагональной системы.

Здесь знак 0 означает тензорное произведение, <] — единичный вектор вдоль так называемой оптической оси, еи и — два разных собственных значения тонзора е первое значение соответствует направлению <1, а второе — любому направлению, перпендикулярному оптической оси. К классу оптически одноосных кристаллов относятся кристаллы тетрагональной, ром-богедральной и гексагональной систем в их естественном состоянии. Наконец, когда все три собственных значения е равны, то говорят, что кристалл принадлежит к классу оптически кубических кристаллов. В последнем случае главные направления е могут быть выбраны произвольно, так что оптически кубические кристаллы в своем естественном состоянии фактически не отличаются по своим диэлектрическим и оптическим свойствам от изотропных материалов. [c.63]

Задача нахождения тех направлений в кристалле, по которым распространяются чисто продольные и чисто поперечные волны, рассматривалась Боргнисом [27], Это рассмотрение является в основном законченным для кристаллов трех классов тригональ-ной системы, которые имеют бинарные оси или плоскости симметрии, а также для кристаллов тетрагональной, гексагональной и кубической систем. Направления [110] в кубическом кристалле такл<е удовлетворяют уравнениям Боргииса, хотя он сам этого и не указал. [c.117]

Существует 14 типов решеток Бравэ. Они распределяются по семи кристаллографическим системам. Пусть а , — длины ребер элементарной ячейки, а qjf, фз, фз — углы между ребрами (рис. 6.2). Перечислим системы в порядке возрастания степени симметрии триклинная (а фа фйз, моноклинная фаз, фз= ф1=ф2=л/2) ромбическая а фа фаз, ф1=ф2=фз=я/2) тригональная а =а =аз, ф1=ф2=фз=5 л/2) гексагональная (ai= = а. фаз ф1=ф2=я/2 фз=2я/3) тетрагональная (а, = а. .Фаз ф = =Ф2=Фз = я/2) кубическая (а1=а2=аз ф1=ф2=фз=я/2). Тригональ-ные, гексагональные и тетрагональные кристаллы называют в оптике одноосными. Они обладают осью симметрии относительно высокого порядка (ось имеет порядок п, если объект совмещается сам [c.130]

Оси симметрии (Т и Т ) тетрагональных полей указанных днух ионов ]1араллельБЫ одной и той же плоскости, проходящей через ось Ь. Угол между этой плоскостью и осью с обозначается через ф. В проекции на эту плоскость тетрагональные оси образуют с плоскостью а, с равные углы а, как показано на фнг. 23. Углы 6 и а для различных туттовов-ских солей могут довольно сильно различаться. Очевидно, что главными осями намагничивания кристалла являются следующие оси Kj, которая представляет собой линию пересечения плоскости Т Д с плоскостью а, с A. j, которая расположена в плоскости а, с, перпендикулярно К , К , которая совпадает с осью Ь. [c.487]

С увеличением содержания углерода степень тетрагональности решетки (с/а) повышается. Отношение с/а =1 + 0,046С, где С - концетрация углерода в аустените, % по массе. Мартенситное преврашение протекает только в том случае, если быстрым охлаждением аустенит переохлажден ДО низких температур, при которых диффузионные процессы становятся невозможными. Мартенситное преврашение осуществляется путем сдвига и не сопровождается изменением состава твердого раствора. Отдельные атомь[ смещаются относительно друг друга на расстояния, не превышающие межатомные, сохраняя взаимное соседство. В процессе роста мартенситного кристалла [c.52]

Вольфрамат кальция. Кристалл aW04 имеет тетрагональную структуру. Вольфрамат кальция активируют неодимом и некоторыми другими редкоземельными элементами. Трехвалентные ионы замещают в решетке двухвалентные Са " для компенсации вводят одновалентные ионы Na" , К или Li , что приводит к снижению требуемой энергии накачки. Активные элементы имеют форму стержней с d sg 10 мм, / = 75 мм. Энергетическая диаграмма ионов неодима в вольфрамате кальция может быть сведена к четырехуровневой системе (рис. 16.4, б). Третий уровень содержит несколько полос поглощения, охватывающих интервал длин волн 590—880 мкм. Из полос поглощения возбужденные ионы переходят на верхний уровень 2 ( / 3/2) из-лучательного перехода 2- 4. Генерация возникает при переходе с уровня Рг/2 (2) на уровень Fm/2 (4) последний при нормальных условиях почти не населен, поэтому пороговая энергия генерации невелика. Переходы 2- 4 совершаются с излучением фотонов, переходы 4- 1 носят безызлучательный характер. Промежуточные уровни fi5/2 и / 13/2 характеризуются малой вероятностью перехода на них частиц. Излучение ионов наблюдается главным образом на волне [c.220]

Внедренные атомы являются точечными дефектами кристаллической решетки металла, вызывающими ее деформацию. Такая деформация, в частности, может иметь характер тетрагональных искажений, существенных для понимания свойств мартенситных фаз. Поля деформаций вызывают появление сил деформационного взаимодействия между внедренными атомами, важного для понимания ряда яв.лепий, происходящих в сплавах внедрения. В главе I, имеющей вводный характер, даетСуЧ обзор теорий точечных дефеютов кристаллической решетки металлов и сплавов, который мон ет иметь и самостоятельный интерес для специалистов, работающих в области физики неидеальных кристаллов. Точечные дефекты рассматриваются в рамках различных моделей (изотропный и анизотропный континуум, атомная модель, учет электронной подсистемы), причем эти модели применяются для определения смещений и объемных изменени1Г в кристалле, вызванных появлением дефекта, энергии дефекта, а также взаимодействия между точечными дефектами, приводящего к образованию их комплексов. [c.7]

НОМ СОСТОЯНИИ таких сплавов вызывается деформационным взаимодействием внедренных атомов (рассмотренным в 5). Если бы взаимодействие отсутствовало, то в равновесии атомы углерода были бы распределены равномерно по всем трем иодрешеткам. Наличие взаимодействия приводит к возможности унорядоченных равновесных состояний. Было установлено, что в наиболее упорядоченном состоянии, когда все атомы углерода находятся в одной подрешетке, отношение периодов решетки с 1а (см. рис. 45, а) тетрагонального кристалла мартенсита изменяется с атомным процентом Сс углерода согласно формуле [c.186]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...