Полигонизация стабилизирующая

СТАБИЛИЗИРУЮЩАЯ ПОЛИГОНИЗАЦИЯ — процесс перераспределения дислокаций при нагреве де--формированного материала с однородной дислокационной структурой, образованной действием небольшого числа Систем скольжения, приводящий к аннигиляции дислокаций противоположных знаков и к образованию [c.308]

Деформация на малые степени (меньше екр) соответствует первой либо начальной части второй стадии кривой упрочнения. Нагрев после такой деформации приводит, как правило, к стабилизирующей полигонизации, затрудняющей последующие структурные изменения. В результате нагрев после таких степеней деформации не вызывает роста зерен. Процесс ограничивается протекающей в них полигонизацией. [c.332]

Уменьшение неоднородности деформации в локальных объемах может быть достигнуто за счет промежуточной операции полигонизации (между деформацией и ре-кристаллизационным отжигом). Действительно, предварительная стабилизирующая полигонизация резко уменьшает степень укрупнения структуры при рекристаллизации после 8кр и несколько увеличивает бкр (рис. 189). Но при этом температура нагрева под полигонизацию должна быть относительно велика (немного ниже температуры начала рекристаллизации). [c.334]

Механизм влияния стабилизирующей полигонизации заключается, видимо, в том, что полигонизация уменьшает дальнодействие упругих полей дислокационных сеток. Вследствие этого ослабевает способность дислокаций оттягивать на себя границы зерен. Образование же [c.334]

Увеличение скорости нагрева до десятков и сотен градусов в 1 с действует противоположно стабилизирующей полигонизации, т. е. смещает екр к меньшим значениям е, но при условии, если речь идет только о скорости -выхода на изотерму. [c.336]

Стабилизирующая полигонизация представляет собой формирование субзерен, разделенных плоскими дислокационными стенками (рис. 5.12). Стенки малоподвижны и весьма устойчивы, при дальнейшем нагреве они сохраняются почти до температур плавления металлов. После формирования субзеренной структуры рекристаллизации не происходит. Стабилизирующая полигонизация развивается лишь при определенных условиях отсутствие ячеистой дислокационной структуры, избыток краевых дислокаций одного знака и др. Такие условия выполняются в монокристаллах и крупнозернистых поликристаллах после небольших пластических деформаций. В подобных материалах результаты перераспределения дислокаций существенно зависят от температуры отжига. При сравнительно высоких температурах нагрева (выше 0,35 Гпл) вместо полигонизации развивается первичная рекристаллизация. Если стабилизирующая полигонизация успешно завершилась после отжига при (0,3 — 0,35)Гпл, то при дальнейшем нагреве даже при более высокой температуре рекристаллизация не развивается. [c.134]

Рис. 5.12. Схема стабилизирующей полигонизации

Одной из трудных задач теории является относительная устойчивость границ субзерен внутри кристалла, в противоположность границам полигонизации, в частности в условиях отжига и длительного нагружения. При длительном нагружении и высокой температуре размеры субзерен увеличиваются, однако границы их не исчезают и характер субструктуры не изменяется. Очевидно, система границ первичной субструктуры обладает преимуществом с точки зрения баланса внутренней энергии. Эти границы образуются путем соответствующей группировки и ориентировки дефектов кристаллической решетки и стабилизируются благодаря наличию атмосферы чужеродных атомов. С другой стороны, границы, вновь образующиеся, например, в процессе полигонизации при высокой температуре и большой длительности нагружения, значительно менее устойчивы, изменяются в результате диффузии и при высоких температурах могут даже исчезать. [c.163]

Исходя из этого, целесообразно дифференцировать виды полигонизации в зависимости от структуры деформированного состояния и структуры, образующейся при полигонизации, и ввести понятие о двух типах полигони-зации — стабилизирующей и предрекристаллизационной. [c.308]

Прерывно повышаются и стабилизируются при переходе к рекристаллизации аустенита. Силовые характеристики сплавов наиболее высоки после нагрева в нижней части интервала полигонизации, когда сохраняется очень высокое сопротивление деформации аустенита. Например, поли-гонизующий нагрев при 450...500 °С привел к генерации очень высокого реактивного напряжения (1000... 1200 МПа) по сравнению с рекрис-таллизованным состоянием (400...500 МПа). Такая же обработка приводит к повышению усталостной долговечности при термоциклировании через температурный интервал мартенситных превращений под нафуз-кой в 5-10 раз. [c.389]

Различают предрекристаллизационную и стабилизирующую полиго-низацию. Предрекристаллизационная полигонизация развивается в наклепанных металлах с ячеистой дислокационной структурой. Дислокационные стенки при нагреве уплотняются и ячейки превращаются в субзерна. [c.133]

Снятие микронапряжения и снижение стабилизирующего эффекта проявляются лишь при нагреве выше 400°, но полностью еще не заканчиваются даже после отжига при 800°. Полное снятие микронапряжени и разупрочнение легированного аустенита происходят при существенно более высоких температурах за счет рекристаллизации обработки [41, 42J. Ниже (>00 эти явления могут развиваться лишь частично и только за счет возврата и полигонизации [42, 5]. При этом снятие напряжений не всегда должно сопровождаться разупрочнением, если процесс ограничивается начальной стадией полигонизации, которая однако уже приводит к измольче [ию топкой структуры и образованию субзерен. Поскольку закалка с высоких температур и последующая пластическая деформация приводят к образованию новышештых избыточных концентраций вакансий, то полигонизация может развиваться и при относительно невысоких температурах. [c.21]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...