Квазиимпульс

Чтобы подчеркнуть сходство и одновременно отметить отличие фигурирующей в (7.37) величины hk от истинного импульса, эту величину называют квазиимпульсом электрона. [c.217]

Если какая-либо физическая величина сохраняется, то оператор этой величины коммутирует с оператором Гамильтона. Таким образом, квазиимпульсу Р должен соответствовать некоторый оператор Р, коммутирующий с гамильтонианом кристаллической решетки [c.217]

Это означает, что энергия электрона должна быть функцией квазиимпульса. [c.217]

С другой стороны, ясно и то, что между оператором квазиимпульса Р и оператором импульса /5 должна быть связь. Предположим, что потенциальная энергия решетки становится некоторой константой, т. е. VV->0. В этом случае квазиимпульс тождественно переходит в импульс. [c.218]

Представим оператор квазиимпульса з виде [c.218]

Если VV"(r)- 0, то t/jjr) в функции Блоха (7.22) стремится к некоторой константе. При этом ->0 и квазиимпульс тождественно обращается в обычный импульс. [c.218]

Заметим, что Р в (7.74) — это не квазиимпульс. Параметр Р представляет собой меру эффективной площади каждого барьера. Он характеризует степень прозрачности барьера для электрона, [c.224]

Пусть электрон, имеющий квазиимпульс Pi (или волновой вектор ki), движется по кристаллу. В какой-то момент времени он возбудит колебание решетки (т. е. испустит фонон), а сам при этом перейдет в другое состояние с квазиимпульсом P l (или волновым вектором k l). В процессе испускания электроном [c.267]

Пусть границы энергетических зон в к-пространстве соответствуют рис. 9.2,а. В этом случае переходы электронов через запрещенную зону происходят прежде всего между энергетическими состояниями, соответствующими экстремумам разрешенных зон, т. е. при значениях волнового вектора к или квазиимпульса Р, близких к нулю. Для переходов должно выполняться квантово-механи-ческое правило отбора [c.308]

Эти соотношения показывают, что электроны с определенным волновым вектором в процессе взаимодействия с фотонами переходят в состояния, расположенные в более высокой зоне, и при этом волновой вектор (или квазиимпульс) сохраняется. Такие переходы получили название прямых или вертикальных. Для полупроводника, имеющего энергетические зоны, подобные изображенным на рис. 9.2,а, поглощение должно быть сильным при hv>Eg и достаточно резко спадать при hv<.Eg. [c.308]

В полупроводниках, имеющих сложные энергетические зоны (рис. 9.2,6), возможны не только прямые переходы, но и переходы, для которых к —к=7 0. Они получили название непрямых переходов. В случае непрямых переходов требуется участие фононов, обеспечивающих сохранение квазиимпульса при изменении волнового вектора электрона. В процессе оптического поглощения фононы могут поглощаться или испускаться. Правило отбора в этом случае имеет вид [c.309]

В полупроводниках со сложным строением энергетических зон возможны непрямые переходы электронов из зоны проводимости в валентную зону, сопровождающиеся излучением фотона. В этом случае рекомбинация свободного электрона и дырки идет с участием фонона, что обеспечивает сохранение квазиимпульса. Наиболее вероятно излучение фонона. Если в полупроводнике протекают как прямые, так и непрямые процессы межзонной рекомбинации, то в спектре излучения наблюдается две полосы люминесценции. [c.315]

Квазиимпульс 217 Класс симметрии 15 [c.382]

Процессы переброса — процессы рассеяния частиц (квазичастиц), при которых изменение их квазиимпульса выводит его за пределы первой зоны Бриллюэна. [c.285]

Дискретность спектра волнового вектора (или квазиимпульса) следует непосредственно из циклических граничных условий [c.75]

Получается, что для ограниченного кристалла волновой вектор (квазиимпульс) дискретен. Эта дискретность для кристаллов больших размеров часто несущественна. Так как [c.76]

Но это условие необходимо для того, чтобы можно было рассматривать состояния с данным квазиимпульсом как поч- [c.122]

Структура зон и эффективные массы. Эффективная масса носителя характеризует его движение в кристаллической решетке. Обратная эффективная масса (т )- — тензорная величина, определяемая зависимостью (р) энергии носителя от его квазиимпульса [c.455]

Итак, мы получили, что в кристалле скорость изменения квазиимпульса равна действующей на электрон внешней силы. Если [c.88]

Выражение (5.5), которое может быть также получено с помощью строгого анализа [4, 5], показывает, что величина Йк лри рассмотрении вопросов динамики электронов играет роль классического импульса. Тем не менее, хотя формула (5.5) выглядит как второй закон Ньютона, она ему не эквивалентна, поскольку в выражение для силы F не включена сила, связанная с периодическим полем кристалла, а Як определено неоднозначно и представляет собой не импульс, а квазиимпульс. [c.89]

Было показано, что энергетический спектр квантово - акустических автовозбуждений ограничен предельными значениями квазиимпульса и частоты генерации АЭ, которые определяются из квантово - механических законов пе- [c.201]

Закон сохранения квазиимпульса требует участия фононов в решеточ"Ном поглощении. Действительно, поглощаться могут только такие фотоны, импульс которых равен квазиимпульсу фононов. Импульс фотона /гД пренебрежимо мал по сравнению с квазиимпульсом фонона, который может достигать значения hja. Закон сохранения квазиимпульса выполняется только в случае, если испущены два или более фонона. Все это приводит к весьма сложной структуре спектра решеточного поглощения. [c.312]

Прямые междузонные оптические переходы — переходы электрона из валентной зоны в зону проводимости без изменения квазиимпульса электрона. [c.285]

В связи с тем, что квазиимпульс меняется под действием непернсдической части иотенциального поля, при любых нарушениях идеальности (периодичности) поля кристаллической решетки происходит изменение квазиимпульса Р и, следовательно, на любых нарушениях идеальной структуры решетки должно осуществляться рассеяние электронных волн. Это и является физической причиной электрического сопротивления. В качестве нарущений периодичности потенциального поля и(г) могут выступать тепловые колебания узлов решетки и ее дефекты (примесные атомы, вакансии). [c.71]

Величина N(E) тесно связана с. формой изоэнергетичес-ких новерхностей. Построим в зоне Бриллюэна две изоэнер-гетические посерхности Е и Е+бЕ. Они выделяют некоторый слой пространства квазиимпульса (рис. 37). Если объем [c.102]

В полупроводниковых лазерах, в отличие от лазеров на примесных кристаллах, активным веществом служит сама кристаллическая матрица полупроводника, а примеси лишь служат источником носителей заряда электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. При создании с помощью накачки избыточного (по сравнению с равновесным) числа электронов и дырок позможно возвращение к состоянию равновесия посредством оптического межзонного перехода — фоторекомбинации. Вероятность фоторекомбинации велика лишь для прямозонных полупроводников, таких, у которых максимум энергии.в валентной зоне и минимум энергии в зоне проводимости соответствуют одному и тому же значению квазиимпульса. По этой причине все полупроводники, на которых получена генерация, являются прямозонными. Перечислим важнейшие свойства полупроводниковых лазеров [c.946]

Полученный результат означает, что к любому вектору к, характеризующему состояние электронов в среде с периодическим потенциалом, всегда можно добавить любой вектор g обратно решетки, причем это изменение к не приводит к изменению состояния электрона. Мы еще раз показали, что вектор к в рассматриваемом случае определяется с точностью до вектора g. Итак, состояния электронов с векторами к, различающимися на вектора g, эквивалентны. Поскольку вектор к, характеризующий поведение, например, электронов при их взаимодействии с периодическим потенциальным полем, оказывается определенным несовсем однозначно, он приобретает свойства, которые отличают его от волновых векторов тех же электронов, но свободных, не взаимодействующих с периодическим полем. По этой причине к часто называют не волновым, а квазиволновым вектором. Соответственно связанный с ним импульс р называют квазиимпульсом, а частицы в твердых телах, распространяющиеся в периодическом, поле и характеризуемые векторами к, р и т. п., называют квазичастицами (эту приставку иногда все же опускают). [c.61]

Смотреть страницы где упоминается термин Квазиимпульс : [c.189] [c.219] [c.232] [c.268] [c.268] [c.356] [c.378] [c.281] [c.281] [c.283] [c.71] [c.71] [c.71] [c.76] [c.100] [c.102] [c.122] [c.158] [c.158] [c.56] [c.44] [c.216] [c.228]

Физические величины (1990) -- [ c.281 ]

Основы теории металлов (1987) -- [ c.12 ]

Динамика твёрдого тела (2001) -- [ c.36 ]

Теория твёрдого тела (0) -- [ c.23 ]

Теория твёрдого тела (1980) -- [ c.90 ]

Физика твердого тела Т.2 (0) -- [ c.0 ]

Физика твердого тела Т.1 (0) -- [ c.0 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...