Методы туннельный

Сварные швы в сплаве Ni—Сг—Fe Х-750, сделанные методом TIQ с использованием добавочного металла 69, подверглись травлению после 402 сут экспозиции на глубине 760 м, однако после 54,0 сут экспозиции у поверхности сварные швы и зоны термического влияния подверглись язвенной коррозии. Сварные швы в сплаве Ni—Сг—Fe Х-750, сделанные ручной электросваркой в атмосфере инертных газов, были перфорированы, а зона термического влияния подверглась туннельной коррозии после 402 сут экспозиции на глубине 760 м. Зона термического влияния была перфорирована язвенной коррозией после 540 сут экспозиции у поверхности. [c.308]

Сварные швы в сплаве Ni—Fe—Сг 800, выполненные методом TIG с присадочным металлом 82, были перфорированы по линии сплавления после 402 сут экспозиции на глубине 760 м. Как сварные швы, так и зоны термического влияния подверглись туннельной коррозии после 540 сут экспозиции у поверхности. [c.308]

Тип моечной машины зависит от средств и метода очистки, вида, размеров и материала обрабатываемых деталей и требуемой производительности. Моечные машины выполняют из унифицированных узлов и элементов, обеспечивающих широкие возможности при компоновке. Наибольшее распространение получили туннельные и барабанные моечные машины проходного типа. Выпускаются однозонные и многозонные моечные машины. В однозонных выполняется только одна операция (обезжиривание или удаление стружки и других частиц и т. д.) в многозонных моечных машинах осуществляется последовательная обработка детали в несколько переходов. Внутри моечной машины кроме транспортной системы и рабочих органов расположены бак для моющих растворов, система очистки и фильтрации моющего раствора и система подачи чистого раствора к рабочим органам. Длина многозонных моечных машин для крупных деталей достигает 30 м, ширина 5—7м, высота 4 м. [c.10]

Формование изделий производят по литейной технологии с отливкой в земляные холодные и подогретые формы, металлические кокили, в формы по выплавленным моделям, а также применяют центробежный метод отливки. В процессе отливки их иногда армируют металлом. Для термической обработки используют туннельные печи с тележечным подвижным подом или с поддонами, а также печи периодического действия. Рабочая температура в термических печах 950° С с постепенным понижением до 50° С. [c.489]

Методы ускоренных и граничных испытаний были показаны на выставке, а в статье инженеров Ю. Т. Шевчука, О. С. Иванова и А. Я. Малкова описана методика испытаний для получения интенсивности отказов на примере туннельных диодов. [c.138]

Данные рентгеновского структурного анализа кристал-лич. образцов белка РЦ, а также данные, полученные на разл. мутантах методами генной инженерии, дают полное представление о ближайшем белковом окружении активных групп переносчиков РЦ и позволяют оценить расстояния между ними, к-рые составляют 0,5—1,5 нм. Эфф, механизм, обеспечивающий транспорт электрона в РЦ,— туннельный перенос, при к-ром часть электронной энергии воспринимается акцептирующей модой, к-рой служат колебания водорода в группах О—Н, С—Н, и рассеивается по колебат. степеням свободы молекулы. Низкотемпературные процессы переноса электрона в РЦ действительно наблюдаются при 100—4 К, что свидетельствует об их туннельной природе. В ряде случаев (реакция восстановления от цитохрома /) наблюдаются нек-рое снижение скорости переноса при понижении темп-ры от комнатной до 80—100 К и её независимость от темп-ры при дальнейшем охлаждении образца. В др, случаях (реакция Р 1- Р+1 в бактериальном фотосинтезе) скорость переноса не меняется во всём диапазоне изменения темп-р. [c.360]

Развиваются также методы Э. м. с использованием туннельного тока (см. Сканирующий туннельный микроскоп). [c.551]

Такой способ получения ВФХ и ВАХ характеристик, в рамках одного метода, позволил контролировать параметры зарядовой деградации сразу после туннельной инжекции, снизив влияние релаксационных процессов. Последующая реализация предложенного алгоритма при противоположной полярности токовых воздействий позволяет определить плотность, сечение захвата зарядовых ловушек и положение центроида заряда в диэлектрике. [c.127]

В данной книге на основе метода сингулярных интегральных уравнений предложен единый подход к решению плоских задач теории упругости, теплопроводности и термоупругости для тел, ослабленных системой криволинейных трещин. Этим же методом решаются задачи о продольном сдвиге цилиндрических тел с туннельными разрезами, а также задачи об изгибе пластин п пологих оболочек с трещинами. [c.5]

В данной книге метод сингулярных интегральных уравнений применяется при решении плоских задач математической теории трещин, т. е, задач об упругом равновесии тонких пластин с трещинами при плоском напряженном состоянии или цилиндрических тел с туннельными разрезами, находящихся в условиях плоской деформации. Конструктивные элементы таких тел часто используются в технике. [c.3]

Описанный метод дискретно-двоичного измерения времени может найти широкое применение в тех случаях, когда диапазон измеряемых интервалов меняется незначительно (например, в амплитудных анализаторах, работающих по принципу предварительного преобразования амплитуды импульса в интервал времени). Запоминающие триггеры на туннельных диодах могут одновременно выполнять и функцию схем совпадения, и функцию адресных триггеров цифрового спектрометра. [c.166]

Положения энергетических уровней размерного квантования (границ подзон) в тонкой полуметаллической или полупроводниковой пленке определяют методом туннельной спектроскопии по зависимостям величины туннельного тока между квантовой пленкой и массивным металлическим электродом от приложенного напряжения Рис.1.12. а — энергетическая диаграмма системы см. рис. 1.12,Я. В качест- квантовая пленка (1), тонкий диэлектрик (2), ве туннельно-прозрач- массивный металл (3) б — зависимость второй ной диэлектрической производной туннельного тока от напряжения, по-прокладки между прово- ваемого на структуру [c.43]

Исследование квазистохастического режима автогенератора на туннельном диоде. В сб. Методы качественной теории дифференциальных уравнений . Горький, 1983, 95—117 [c.214]

С углублением знаний в области фрактогра-фии, введением новых методов анализа изломов, увеличением номенклатуры конструкционных материалов выявляются новые параметры рельефа излома и углубляются представления о связи морфологии рельефа с механизмами их формирования. Так, например, введены новые представления о процессе ротационной пластической деформации [21-23] и разработан новый подход к количественному описанию параметров рельефа изломов на основе определения их фрактальной размерности [24-26]. Наконец, используется туннельный микроскоп в анализе рельефа излома, что обеспечивает получение информации на микроуровне с разрешением на уровне межатомного расстояния [27]. Все это требует использования в анализе эксплуатационных разрушений не только новых представлений о развитии треш ин, но и подразумевает уточнение уже сформированных подходов к оценке причин зарождения и роста трещин. [c.81]

Предметом частных теорий тепловой работы печей является приложение положений общей теории к печам конкретного технологического назначения, когда полностью учитываются все технологические процессы, совершающиеся в печи данного типа, и конкретный метод расчета тепловой работы печи данного технологического назначения. Таким образом, теории тепловой работы мартеновских печей, нагревательных колодцев, туннельных печел для обжига, кирпича и т. д. представляют собой частные теории печей. [c.13]

Методы всследования. Для определения периода поверхностной структуры используется метод дифракции Медленных электронов. Положения атомов на перестроенной поверхности измеряются с помощью сканирующего туннельного микроскопа, а также по рассеянию ионов. Тип и концентрация адсорбиров. атомов Определяются методами ож -спектроскопии. Сочетание туннельной микроскопии с одноврем. снятием вольт-амперных характеристик туннельного зонда дала возможность определить по отдельности распределение пространственной плотности электронов на П. с., соответствующих заполненным и пустым зона.ч. [c.652]

Экспериментальные методы, дающие информацию о поверхностных явлениях на атомном уровне, разнообразны. Это автоэмиссионная микроскопия (см. Ионный проектор), дифракция электронов, инфракрасная спектроскопия, ионная спектроскопия, комбинационное рассеяние света, оже-спектроскопия, сканирующая туннельная микроскопия, термодесорбц. спектроскопия, фотоэлектронная спектроскопия, электронная микроскопия, электрон-фотонная спектроскопия, ал-липсометрия и др. Эти методы позволяют решать мн. практически важные задачи в области электроники, роста кристаллов, вакуумной техники, катализа, повышения прочности материалов и их обработки, борьбы с коррозией и трением и т. д. Т. к. роль П. особенно велика для частиц малых размеров и тонких плёнок, то исследование поверхностных явлений приобрело особо важное значение для развития микроэлектроники. [c.655]

Физ. методы исследования получили решающее значение для всех естеств. наук. Электронный и туннельный микроскопы на неск. порядков превысили границы оптич. методов исследований и дали возможность наблюдать отд. атомы и молекулы. С помощью рентг. структурного анализа изучена и продолжает изучаться структура сложнейших биол. молекул и живых тканей. Революция в биологии, связанная с возникновением молекулярной биологии и генетики, была бы невозможна без Ф. [c.321]

Требования к технологическим свойствам резиновой смеси вытекают из особенностей метода вулканизации данного вида изделий, заключающихся в следующем. Между заготовками, предварительно вырубленными из каландрованного листа резиновой смеси, помещается вещество, образующее газообразные продукты при температуре 80—100 С (чаще всего вода, этанол). Полученная конструкция укладывается в форму с замками, которая далее по транспортеру поступает в туннельный вулканизатор, где происходят формование изделия за счет внутреннего давления, развиваемого газообразными продуктами, и его вулканизация. Следовательно, резиновая смесь должна обладать хорошей ка-ландруемостью, каркасностью и конфекционной клейкостью. [c.48]

Обсуждаются теоретические основы спектроскопии одиночных молекул. Проводится анализ достоинств и недостатков одно- и двухфотонных методов счета, применяемых в спектроскопии одиночного примесного центра. Представлены теоретические основы традиционных методов селективной спектроскопии примесных центров в полимерах и стеклах, таких как выжигание спектральных провалов и селективно возбуждг1емой флуоресценции. Излагается динамическая теория спектральной диффузии, обусловленной туннельными переходами в низкотемпературных полимерах и стеклах, а также теория сверхбыстрой фазовой релаксации примесных центров, проявляющейся в неэкспоненцигшьном двух- и трехимпульсном фемтосекундном фотонном эхе. Рассмотрены многочисленные примеры применения теоретических формул, выведенных в книге, для обработки конкретных экспериментальных данных, добытых методами селективной лазерной спектроскопии. [c.2]

Для технологии наноматериалов в соответствии с многообразием последних характерно сочетание, с одной стороны, металлургических, физических, химических и биологических методов, а с другой стороны, традиционных и принципиально новых приемов. Так, если подавляющее большинство методов получения консолидированных наноматериалов (см. табл. 2.2) достаточно тра-диционны, то такие операции, как изготовление, например, квантовых загонов с помощью сканирующего туннельного микроскопа (см. рис. 2.9), формирование квантовых точек самосборкой атомов, получение ДНК-нанокомпозитов (см. рис. 2.19) или использование ионно-трековой технологии для создания пористых структур в полимерных материалах основаны на принципиально иных технологических приемах. [c.115]

Еще одним важным фактором, контролирующим сверхпроводимость, является величина энергетической щели До. Величина энергетической щели определялась в туннельных экспериментах на сплавах, полученных методами криозакалки и напыления [37]. Коэффициент энергетической щели (2До/ в7с), как видно из табл. 7.2, составляет 3,5. Это значение очень близко к величине 3,52, полученной по теории БКШ. [c.216]

Серьезные новые задачи возникают и в оснащении все усложняющихся производств методами контроля качества продукции, особенно в применении к пластинам. По мере увеличения степени интеграции твердотельных электронных устройств все острее ощущается потребность в новых высокоразрешающих, экспрессных, высокоинформативных и автоматизированных бесконтактных методах контроля, объективно характеризующих пригодность монокристаллов и пластин для решения новых задач. Требования по количеству и размерам присутствующих в монокристаллах и на поверхности пластин дефектов ужесточаются с каждым годом, и возможности традиционных оптических и электрофизических методов контроля уже практически исчерпаны. Необходим переход на метрологию нового уровня, с использованием возможностей сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии, а также других современных методов контроля структуры и свойств с субмикрон-ным и нанометровым разрешением. При этом новые средства контроля должны хорошо вписываться в идеологию создания гибких, непрерывных, высокопроизводительных автоматизированных технологических линий. Весьма актуальной становится и проблема экспрессного контроля загрязнения поверхности пластин металлическими примесями с чувствительностью на уровне -10 ат/см . [c.46]

ГИИ и материаловедения полупроводниковых наноструктур вряд ли возможно без глубокого проникновения в природу явлений, разыгрывающихся в традиционных полупроводниковых средах на атомном (молекулярном) уровне. Это, в свою очередь, требует разработки новых нестандартных методов исследования с использованием сканирующей атомно-силовой и туннельной микроскопии, электронной микроскопии высокого разрешения, рентгеновской спектрометрии с применением син-хротронного излучения и ряда других современных подходов. [c.113]

Далее основное внимание при рассмотрении проблем повышения качества материалов, структур и технологических процессов МДП-БИС будет отведено физическим процессам и явлениям, протекающим в сильных электрических полях, в том числе и при инжекции носителей, а также будут систематизированы основные данные о сильнополевой туннельной инжекции в МДП-структурах, о процессах зарядовой нестабильности, о дефектности и механизмах накопления зарядов в диэлектрических слоях МДП-структур, применительно к инжекционным методам модификации, исследования и контроля, что позволило бы более объективно показать их возможности, особенности применения и интерпретации получаемых результатов. [c.117]

При осуществлении сильнополевой туннельной инжекции происходит заполнение электронных и дырочных ловушек, локализованных в диэлектрической пленке. По изменению напряжения на МДП-структуре в процессе инжекции или прерывая процесс инжекции, используя методы вольт-фарадных характеристик или ВАХ-фотоинжекции, определяют заряд диэлектрика и получают зависимость заряда, захваченного на ловушки в диэлектрической пленке 0 , от величины заряда, инжектиро- [c.122]

В качестве такого метода применяется сильнополевая туннельная ин-жекция заряда в диэлектрик, проводимая в режиме постоянного тока. В отличие от лавинной, режимы туннельной инжекции не зависят от характеристик области пространственного заряда полупроводника и определяются только параметрами границ раздела и самого диэлектрика. Использование туннельной инжекции позволяет точно дозировать ин-жекционную нагрузку структур и не требует создания специальных структур с инжекторами, т.е. она может проводиться в процессе формирования подзатворного диэлектрика до проведения металлизации. [c.124]

МДП-структуры позволил значительно расширить возможности метода постоянного тока. Из зависимости напряжения на структуре от времени определяются временные зависимости заряда, инжектированного в диэлектрик, и туннельного тока на всех этапах инжекции от стадии заряда емкости МДП-структуры до пробоя образца. Из временных зависимостей тока инжекции и напряжения на образце может быть получена ВАХ на участке туннельной инжекции, из которой при построении ее в координатах Фаулера-Нордгейма можно определить высоту потенциального барьера на инжектирующей границе раздела и толщину диэлектрика. Минимальный уровень тока полученной ВАХ ограничен точностью измерений, а максимальный - значением /q. Из временных зависимостей напряжения на МДП-структуре на стадии инжекции, когда весь ток, пропускаемый через образец, является током инжекции, определяют сечения захвата зарядовых ловушек, изменение эффективного заряда диэлектрика, заряд, инжектированный до пробоя. В области высоких полей определяется также напряжение микропробоя. [c.126]

При применении метода сильнополевой туннельной инжекции в режиме постоянного тока подзатворный диэлектрик характеризуется совмещенными гистограммами распределения структур по напряжению микропробоя и по заряду, инжектированному в диэлектрик (рис. 2.9). [c.127]

Создание полевых приборов на основе МДП-структур, параметрами которых можно было бы управлять после их изготовления, открывает новые возможности для применения их в микроэлектронике. Одним из перспективных методов управления пороговым напряжением МДП-транзисторов является изменение зарядового состояния подзатворной системы, включающей в себя подзатворный диэлектрик с электронными ловушками, заполнение которых производится с использованием сильнополевой туннельной инжекции. [c.142]

ПЭМ ВР становится важным инструментом и в исследовании поверхности твердых тел, особенно наноструктурных материалов, где возможности традиционных методов анализа поверхности, таких как сканирующая электронная микроскопия (СЭМ), сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) и др., ограничены. Совсем недавно ПЭМ ВР хорошо себя зарекомендовала для локального анализа тонкого приповерхностного слоя наноматериалов. Так, в основе субплантационной модели роста -BN лежит гипотеза о том, что на поверхности растущего -BN образуется монослой л/ -связанного BN. Для проверки этой гипотезы были выполнены исследования структуры приповерхностного слоя -BN с помощью ПЭМ ВР на поперечных срезах [3]. Установлено, что верхний слой пленки содержит чистый -BN, что свидетельствует о послойном гомоэпитаксиальном росте -BN. [c.502]

Стандарт ASTМ D635 разработан на метод измерения скорости, степени и времени горения пластиков в горизонтальном положении. Стандарт ASTM Е-84 описывает метод определения поверхностной горючести материалов в туннельной печи диаметром [c.464]

Кастино [85] считает, что наиболее достоверные данные о поведении полимерных материалов в реальных условиях горения получаются туннельным методом. Полученные им данные при испытаниях таких материалов, как полистирол, полиуретаны, поли-изоцианураты и полиэфирные стеклопластики, подтверждают это мнение. [c.358]

Для получения информации о рельефе поверхности используются различного вида щуповые приборы (профилометры, профилографы), оптические интерферометры, туннельные и сканирующие атомно-силовые микроскопы и т. д. Они позволяют с той или иной степенью точности воссоздать микрорельеф поверхности на заданном ее элементе, а также определить некоторые её характеристики (осреднённый высотный и шаговый параметры, средний наклон и радиус кривизны в вершине неровности, среднее количество неровностей на единицу площади и т.д.). Развитие измерительной техники приводит к изменению представлений о топографии, что стимулирует возникновение новых математических моделей, используемых для описания топографии поверхности. С другой стороны, при создании приборов для исследования топографии в конструкцию и программное обеспечение закладывается возможность измерения и расчёта характеристик, наиболее широко используемых при моделировании. Обзор экспериментальных методов исследования топографии поверхностей содержится в [59, 235]. [c.11]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...