Топография поверхности

ПРИБОРЫ ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТОПОГРАФИИ ПОВЕРХНОСТЕЙ И ОБЪЕМНЫХ [c.67]

Изучение изменений топографии поверхности стали при трении в масляной ванне по стали с такими же химическим составом и твердостью при нагрузках до 147 Н показало, что поверхность вначале становится шероховатой из-за образования канавок, возникших вследствие схватывания, а затем выравнивается и достигает установившегося состояния. [c.17]

С использованием трансмиссионной стереоскопической фрактографии проанализирована топография поверхностей разрушения. [c.436]

Топографию поверхности образцов до и после облучения исследовали на электронном микроскопе методом одноступенчатых угольных реплик. Коэффициент эрозии при этом определяли по электронно-микроскопическим снимкам, измеряя гео- [c.75]

Кроме того, при продольном расположении ванн в корпусе ток, идущий вдоль длинной стороны ванны, образует высокую напряженность магнитного поля на выходном торце. Часто стояки соседних ванн (при двухстороннем токоподводе) размещаются близко друг к другу, образуя при этом сильные горизонтальные магнитные поля в торцах ванн, воздействуя на горизонтальное магнитное поле, создаваемое током анода. Поэтому при повышении тока выше 150 кА в зарубежной практике в основном используют поперечное расположение ванн с размещением стояков по длинным сторонам электролизера. Это позволяет за счет рационального расположения катодной ошиновки част№Шо компенсировать негативное влияние магнитных полей. Однако при таком положении ванн необходимо использовать комплексные мостовые краны, поскольку стояки, расположенные на длинных сторонах ванны, затрудняют обработку. О влиянии конструкции токоподвода на топографию поверхности расплавленного металла свидетельствуют данные на рис. 7.1. На электролизерах БТ при одностороннем токоподводе (см. рис. 7.1, а) перекос металла имеет место на выходном торце. Для этого типа ванн значение на [c.272]

Метод растровой электронной микроскопии Изображение в растровой электронной микроскопии (РЭМ) создается благодаря вторичной эмиссии электронов, излучаемых поверхностью, на которую падает непрерывно перемещающийся по этой поверхности поток первичных электронов. Растровая электронная микроскопия позволяет изучать непосредственно поверхность материалов и получать со сравнительно высоким разрешением как качественную, так и количественную информацию о химическом составе объекта во взаимосвязи с топографией поверхности. [c.69]

Наименьшее увеличение составляет 15, наибольшее полезное — около 50 ООО. В случае массивных объектов получают изображение в отраженных электронах, которые выходят из слоя толщиной до 10 мкм и позволяют получать информацию как о топографии поверхности, так и о содержании элементов с различными порядковыми номерами. [c.44]

Прибор служит для получения изображений и другой информации о топографии поверхности и локальном составе областей размером от 2 до 5 мкм. [c.160]

Из информации, получаемой с помощью РЭМ (табл. 3.5), основными являются сведения о локальных изменениях топографии и химического состава поверхности. Соответственно выделяют топографический и композиционный контрасты. Топографический контраст обусловлен изменением интенсивности эмиссии вторичных электронов и коэффициента отражения для отраженных электронов при изменении угла наклона элемента поверхности к первичному пучку. При этом коэффициент вторичной эмиссии меняется сильнее, чем коэффициент отражения, что определяет преимущества использования вторичных электронов для изучения топографии поверхности. [c.66]

Для того чтобы разделить эффекты, вызываемые изменением химического состава и топографии, используют парный детектор А-В (рис. 3.5). Интенсивность сигналов, возникающих в детекторах, расположенных симметрично над образцом 5, зависит от композиционного и топографического контраста. Сигналы, вызванные композиционным контрастом, в обоих детекторах эквивалентны, а вызванные топографическим — обратны, так как оба детектора видят поверхность с различных сторон. Суммирование сигналов от детекторов (А + В) увеличивает эффект композиционного контраста и уничтожает влияние топографии, а вычитание сигналов от этих детекторов (А—В) подавляет композиционный контраст и лучше выявляет топографию поверхности (см. рис. 3.5). [c.67]

Возможность изучения топографии поверхности [c.155]

Изучение топографии поверхности океана Анализ энергетического обмена поверхности [c.44]

Хорошо известна методика изучения топографии поверхности и измерения шероховатости, основанная на электронномикроскопическом исследовании углеродных реплик, оттененных для усиления контраста тяжелыми металлами [15]. Однако до недавнего времени метод реплик в просвечивающей электронной микроскопии не позволял получить разрешение лучше 2—3 нм по высотам микронеровностей не было разработано также точных количественных методик обработки микрофотографий. В последние 5 лет был достигнут значительный прогресс. Оттенение [c.240]

В общем случае топография поверхности определяется двумерной спектральной функцией распределения. Далее постулируется, что рассеяние в незеркальном направлении определяется Фурье-компонентой шероховатости е периодом определяемым уравнением решетки [31 [c.437]

Возможность получения информации 0 химической связи. . Возможность изучения топографии поверхности. ..... > Совместно +++ +-ь [c.124]

Метод ОЭС обладает наилучшим поверхностным разрешением, достигающим 50 нм. Это привело к развитию сканирующей Оже-микроскопии (SAM), использующей электронный пучок для изучения пространственного распределения элементов в поверхностном слое. В сочетании с растровым электронным изображением топографии поверхности SAM дает одновременную информацию [c.125]

На рис. 10.12 представлены результаты комплексного исследования участка полупроводникового прибора. Электронная микрофотография (а) дает информацию о топографии поверхности. Ее можно либо вывести на экран дисплея или на осциллограф, [c.126]

Для изучения влияния топографии поверхности на напряжённо-деформированное состояние приповерхностных слоёв тел, находящихся в условиях контактного взаимодействия, необходимо решать задачу дискретного контакта, т. е. смешанную задачу механики деформируемого твёрдого тела для системы пятен контакта. Следует отметить, что задача дискретного контакта возникает также при исследовании контактного взаимодействия неоднородных тел, имеющих различного рода включения [55], композиционных материалов, тел сложной конфигурации, системы тел, близко расположенных друг к другу (например, роликовые и шариковые подшипники, система резцов в инструменте [45]) и т. д. [c.11]

Для описания шероховатой поверхности широко используется теория случайного поля [127], в которой форма поверхности представляется скалярной случайной функцией, На основе её анализа определяются параметры поверхности, необходимые для расчёта контактных характеристик. Для изотропных поверхностей такой анализ осуществлён в [220], для анизотропных поверхностей - в работах [128, 129]. Использование теории случайного поля при решении контактных задач и статистические вопросы, связанные с описанием топографии поверхностей, обсуждаются также в [178]. [c.15]

При ионном легировании наблюдается некоторое изменение топографии покрытия. На рис. 4.16 показана топография поверхности образцов с покрытием из карбонитрида титана, легированного ионами В, из которой видно, что легирование приводит к сглаживанию поверхности и исчезновению мелких элементов рельефа. Уменьшается в некоторой степени и концентрация капельной фазы, хотя отдельные крупные частицы капельной фазы после ионной имплантации сохраняются. [c.151]

Блок-схема процессов, обусловливающих структурную приспособляемость, показана на рис. 83. Источником происходящих в поверхностном слое изменений является упруго пластическая деформация, возникающая при трении, что приводит к структурнотермической активации и к образованию вторичных структур. Вторичные структуры относятся либо к твердым растворам, либо к химическим соединениям. При установившихся условиях трения площадь, занимаемая защитными пленками, постоянна. Одновременно с образованием вторичных структур происходит измельчение структуры и ее ориентация, в результате чего образуется субмикрорельеф, обеспечивающий оптимальную топографию поверхности. [c.266]

В работе [81] проводилось оптическое и электронно-микроско-пическое исследование топографии поверхности монокристаллов меди, испытанных на трение при разных нагрузках и разном числ воздействий. Процесс трения осуществлялся скольжением стального ползуна по поверхности монокристаллов при нагрузках (0,2 — [c.31]

В процессе Р. могут происходить изменения состава, структуры и топографии поверхности. Под действием тяжёлых ИОВОВ образуются конусы и пирамиды размером порядка мкм, гребни, канавки и ямки. При облучении лёгкими ионами в приповерхностном слое могут появляться пузырьки газа, что приводит к вспучиванию поверхности (блистерингу), шелушению и отслаиванию. [c.265]

Для изучения топографии поверхности пленок и изломов рекомендуется применять сканирующий электронный микроскоп и атомно-силовой микроскоп. Планарные металлопроводящие наноструктуры типа приведенной на рис. 2.9 изготавливают и исследуют с помощью сканирующего туннельного микроскопа, который, с одной стороны, за счет приложенного потенциала позволяет вырывать и переносить атомы из одного места в другое, а, с другой стороны, используя характеристики туннельного тока, можно идентифицировать атомы разных элементов. [c.25]

Топография поверхности многих блок-сополимеров характеризуется правильной периодичностью, что используется для подготовки темплатов (шаблонов), предназначенных для получения полупроводниковых и металлических нанопроволок. На рис. 2.16 [c.35]

Для наполнения ПФО использовали стеклосферы, необработанные и обработанные кремнийорганическим аппретом для увеличения адгезионного взаимодействия полимера с наполнителем. При увеличении адгезии значительно повышается верхний предел пластичности при растяжении (рис. 2.31) и практически не изменяется энергия разрушения (рис. 2.32). И обработанные, и не обработанные стеклосферы уменьшают энергию разрушения с увеличением их объемной доли. Хотя обработка поверхности наполнителя мало сказывается на энергии разрушения наполненного ПФО, повышение адгезионной прочности снижает энергию разрушения, что проявляется в изменении топографии поверхности. Аналогичный эффект наблюдали при наполнении полиамидов 6 и 66 необработанными стеклосферами [51]. Полиамид 66 обладает большей адгезией к стеклу по сравнению с полиамидом 6, поэтому при [c.86]

Говорят, что субшероховатость определяет топографию поверхности на молекулярном масштабном уровне. Современные технологии позволяют получать рабочие поверхности со среднеквадратичной высотой неровностей меньшей, чем 10 нм. Своеобразие их контактирования заключается в совместном влиянии не только физико-механических и микротопографических, но и молекулярных свойств поверхности ). [c.164]

Подобные интегральные критерии, без дополнительных данных, как правило, не дают представления о характере неровностей, образующих топографию поверхности. Так, например, цилиндрический вал с зеркальной поверхностью, имеющей значительную седловидность при обобщенной оценке по интегральным критериям, может быть охарактеризован теми же значениями, что и шероховатая, но лишенная волнистости поверхность другого вала. Между тем эксплуатационные характеристики этих деталей будут совершенно различными. [c.110]

Топографию поверхности разрушения исследовали на сканирующем электронном микроскопе ISM-50A (фирма IEOL , Япония) в режиме вторичной электронной эмиссии. [c.193]

Для получения информации о рельефе поверхности используются различного вида щуповые приборы (профилометры, профилографы), оптические интерферометры, туннельные и сканирующие атомно-силовые микроскопы и т. д. Они позволяют с той или иной степенью точности воссоздать микрорельеф поверхности на заданном ее элементе, а также определить некоторые её характеристики (осреднённый высотный и шаговый параметры, средний наклон и радиус кривизны в вершине неровности, среднее количество неровностей на единицу площади и т.д.). Развитие измерительной техники приводит к изменению представлений о топографии, что стимулирует возникновение новых математических моделей, используемых для описания топографии поверхности. С другой стороны, при создании приборов для исследования топографии в конструкцию и программное обеспечение закладывается возможность измерения и расчёта характеристик, наиболее широко используемых при моделировании. Обзор экспериментальных методов исследования топографии поверхностей содержится в [59, 235]. [c.11]

Рис. 4.i6. Топография поверхности покрытия п ле ионного легирования иоиа и В ло дозы 10иок/см о-- до легирования о — после легирования

Топография поверхности и проницаемость УН. Реальная поверхность имеет отклонения от заданной (номинальной). Совокупность повторяющихся выступов и впадин с относительно малыми шагами между неровностями называют шероховатостью поверхности. Для оценки шероховатости ГОСТ 2789 — 73 устанавливает следующие параметры Ra, Rz, Rrasa, Sm, S и tp,— определяемые в пределах базовой длины I (рис. 3.1). Структуру стыка определяют также отклонения формы реальных поверхностей от формы номинальной поверхности (термины и определения см. ГОСТ 24642 — 81, числовые значения — ГОСТ 10356—63). Совокупность периодических, регулярно повторяющихся и близких по размерам неровностей (w ) с относительно большим шагом S , превышающим базовую длину I, называют волнистостью по- [c.108]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...