Снижение рекомбинации

Таким образом, исследованные КСФ воздействуют на механизм перенапряжения водорода, приводя к инверсии стадий замедленной рекомбинации и разряда, что способствует снижению окклюзии водорода и сохранению запаса пластичности стали. [c.273]

В H l лимитирующей катодный процесс стадией является замедленная рекомбинация ионов водорода, в то время как при введении ингибитора ИКУ-1 происходит инверсия лимитирующих стадий с преобладанием замедленного разряда ионов водорода. На практике это приводит к снижению окклюзии водорода вглубь металла, а следовательно, к подавлению его охрупчивания. [c.287]

Эти результаты указывают на необходимость учета конечной скорости рекомбинации и на возможность уменьшения теплопередачи путем применения обшивки из некаталитического материала. При такой обшивке малые скорости рекомбинации, свойственные воздушной среде, изменяются незначительно, что обусловливает большое поглощение теплоты за счет диссоциации и, как следствие, снижение теплового потока к стенке. [c.704]

При коррозионном растрескивании под напряжением в слабо кислых средах, которое вызывается выделяющимся водородом, электрохимическая защита в общем случае не может дать эффекта [2]. Для пояснения этого на рис. 2.20 представлены кривые срок службы — потенциал для углеродистой стали в среде, содержащей сероводород [75]. При pH = 4 стойкость при катодной поляризации действительно заметно повышается (в некотором узком диапазоне потенциалов в результате образования поверхностного слоя FeS). Однако для длительного защитного действия этот эффект не может быть использован. По результатам измерений видно также, что по мере снижения потенциала, стойкость (по времени до разрушения) уменьшается. Анодная защита от коррозионного растрескивания под напряжением, вызываемого водородом, теоретически возможна, но нерациональна, поскольку при этом усилится равномерная поверхностная коррозия. Коррозионное растрескивание под напряжением под влиянием водорода в углеродистых и низколегированных сталях обычно может развиваться только в присутствии стимуляторов, которые не допускают рекомбинации выделившихся на катоде атомов водорода в молекулы Hj, вследствие чего в структуру материала может внедриться (диффундировать) повышенное количество водорода (см. рис. 2.1). К числу таких стимуляторов могут быть отнесены, например, гидриды элементов 5 и 6 групп Пери- [c.75]

Таким образом, деформация металла может служить причиной, деформационного сдвига не только анодной, но и катодной поляризационной кривой в результате деформационной локализации анодных процессов. Вместе с тем при этом не исключена возможность увеличения WKa обмена катодной реакции, например, в кислом электролите вследствие деформационного снижения энергии активации рекомбинации водородных атомов (по аналогии с ускорением каталитических реакций) [2]. Например, установлено, [c.164]

В связи с протеканием реакции рекомбинации состав химически неравновесной смеси по паровому тракту изменяется со снижением концентрации N0 и О2. Изменение концентрации N0 при перемещении смеси за промежуток времени Тг от нулевого сечения до i-того определяется из формул [c.192]

Отсутствие влияния содержания в смеси N0 и О2 на интенсивность теплообмена при конденсации объясняется двумя факторами снижением концентрации этих компонентов у поверхности раздела фаз в связи с протеканием реакции рекомбинации, так как химические реакции сглаживают профили концентраций, а также выделяющейся теплотой реакции. [c.194]

Примеси тяжёлых и благородных металлов (Fe, Ni, Сг, Nb, W, Си, Ag, Au и др.) образуют глубокие уровни в запрещённой зоне, имеют большие сечения захвата носителей и являются эффективными центрами рекомбинации, что приводит к значит, снижению времени жизни носителей. Эти примеси обладают малой И ярко выраженной ретроградной растворимостью. Их используют для получения полупроводников с [c.579]

Поскольку энергия активации для движения дислокации, согласно [531], равняется энергии активации, необходимой для образования двойного перегиба на расщепленной дислокации t/(r) = U . + RX, где энергия стягивания, R - энергия рекомбинации и X - критическая длина рекомбинирующего сегмента, то вполне естественно ожидать значительно меньшее значение энергии активации вблизи свободной поверхности кристалла (/ (г) < U" (т)) вследствие наличия эффекта уменьшения ширины расщепления, показанного на рис. 94. Тогда и в этом случае свободная поверхность в энергетическом отношении будет являться областью наиболее легкого зарождения перегибов с последующим их стоком по дислокации в глубинные слои кристалла. Кроме того, если даже рассматривать другой возможный вариант локальное повышение электронной плотности и соответствующее снижение барьера Пайерлса вблизи атомов легирующей примеси [519, 520], то и в этом случае максимальное проявление эффекта, по-видимому, следует ожидать вблизи поверхности, так как на глубине дебаевского радиуса экранирования концентрация примеси будет максимальна. [c.162]

Время жизни плазмы свободных носителей определяется целым рядом релаксационных процессов. При сравнительно малой концентрации носителей это процессы линейной или квадратичной рекомбинации. Увеличение плотности плазмы приводит к росту вклада других процессов, например оже-рекомбинации. Все эти процессы ведут к снижению плотности свободных носителей, т.е. к уменьшению наведенного изменения [c.58]

Характер соотношения между водородным перенапряжением и внедрением водорода в сталь диаметрально противоположен в зависимости от того, с изменением скорости какой стадии связано повышение или понижение перенапряжения. Если перенапряжение растет за счет снижения скорости рекомбинации — внедрение водорода увеличивается. Если рост перенапряжения обусловлен торможением разряда — внедрение ослабевает или даже совсем прекращается. Если же перенапряжение падает вследствие облегчения разряда (скорость которого при этом увеличивается до такой сте- [c.41]

Вышедшие из катода электроны, обладая весьма малой массой, проносятся в направлении к аноду с очень большой скоростью мимо положительных ионов, практически почти не соединяясь (не рекомбинируя) с последними. Ионы фтора по своей массе соизмеримы с положительными ионами газа. Поэтому рекомбинация отрицательных ионов фтора с положительными ионами газа (отдача электронов ионами фтора последним) в катодной области происходит во много раз больше (по литературным данным в 10" раза), чем рекомбинация (соединение) свободных электронов с положительными ионами. Уменьшение количества положительных ионов вследствие рекомбинации их с фтор-ионами приводит к повышению градиента потенциала в катодной области (С/к) и в столбе дуги. В результате этого наряду с некоторой деионизацией и, следовательно, снижением стабильности горения дуги возрастает кинетическая энергия положительных ионов, бомбардирующих катод, вследствие чего соответственно повышаются выделение тепла на катоде и скорость его плавления. [c.21]

Можно также предположить и другую причину тормозящего действия водорода. Изучение прокаливания нефтяного кокса в среде водорода показало [2-1] снижение скорости рекомбинации парамагнитных центров, среди которых, по-видимо-му, важное место занимают свободные радикалы. Следовательно, водород замедляет эти реакции, препятствуя тем самым возникновению углеводородных молекул, способных к конденсации на горячих поверхностях. [c.120]

Кроме отмеченного влияния снижения скорости нагревания на разложение связующего, увеличение времени выдержки при 600— 700°С способствует рекомбинации парамагнитных центров (рис. 13-13). [c.254]

Если стенка некаталитическая (например, некоторые стекловидные материалы), т. е. стенка препятствует рекомбинации атомов, тогда может быть достигнуто значительное снижение величины теплопередачи, если обеспечить малые значения скорости химической реакции в газе. Мы еще вернемся к этому вопросу в п. 4.7. [c.123]

Противоположный результат дает введение в зону дуги фтора, что имеет место при сварке сталей под флюсами и большинством покрытых электродов. Из всех элементов, способных образовывать отрицательные ионы, фтор обладает наибольшим сродством к электрону (i/ = 4,25В [60]). При попадании фтора в зону дуги основную массу отрицательных ионов в катодной области составляют ионы фтора (F ). На пути от катода к аноду электроны, обладая весьма малой массой и очень большой скоростью, практически почти не соединяются (не рекомбинируют) с положительными ионами газа. Рекомбинация (соединение) отрицательных ионов фтора, масса которых соизмерима с массой положительных ионов газа, с последними в катодной области происходит во много раз (по литературным данным, в 10 ) чаще, чем рекомбинация свободных электронов с положительными ионами. Уменьшение количества положительных ионов вследствие рекомбинации их с ионами фтора приводит к повышению градиента потенциала в катодной области и столбе дуги. В результате этого наряду с некоторой деионизацией и, следовательно, снижением стабильности дуги возрастает кинетическая энергия положительных ионов, бомбардирующих катод, повышаются выделение тепла на нем и скорость его плавления. [c.224]

Из табл. 44 следует, что значения критериев в среде NA E ближе к требованиям теории замедленной рекомбинации. Напротив, при дозировании ингибиторов в коррозионной среде величины критериев больше соответствуют расчетным значениям теории замедленного разряда, то есть в данном случае катодное выделение водорода лимитирует стадия разряда. Таким образом, в присутствии ингибиторов наблюдается выгодная с точки зрения снижения скорости коррозии и наводорожи-вания металла инверсия лимитирующей стадии катодного выделения водорода, которая способствует снижению его окклюзии и, соответственно, охрупчиванию металла. [c.300]

Многие авторы предполагают, что адсорбция сероводорода на поверхности металла влияет на кинетику выделения водорода, снижая скорость стадии рекомбинации [73-75] или облегчая стадию переноса заряда [41,48, 62,67,77]. В обоих случаях поверхностная концентрация атомов водорода, а следовательно и вероятность его проникновения в глубь металла долзкны возрастать. Снижение энергии связи Рв-Н в присутствии сероводорода, например вследствие изменения электроноакцепторчой способности металла, должно приводить, по мнению некоторых авторов [78-79], к облегчению перехода атомов водорода с поверхности металла в его толщу. Поверхностная концентрация водорода должна при этом уменьшаться, что было установлено не только для железа, но и для ряда других переходных металлов [80, 1]. [c.55]

Газ неравновесного состава поступает в конденсатор одноконтурной установки в случае недостаточного времени пребывания на участке контура между реактором и конденсатором, где происходит снижение температуры и давления. Химически неравновесная система в условиях охлаждения содержит избыточное по сравнению с равновесным содержание N0 и О2, которые являются неконден-сирующимися примесями. Однако в отличие от обычных парогазовых смесей при достаточном для завершения рекомбинации времени пребывания в объеме конденсатора неравновесная система N2O4 полностью конденсируется. Очевидно, что наравне с процессами диффузии и конвективного тепло- и массопереноса большое влияние оказывает кинетика химических реакций, протекающих со значительным тепловыделением. [c.185]

Таким образом, конечность скорости рекомбинации N0 обусловливает некоторое снижение тепла регенерации и рост поверхности теплообмена, что приводит к ухудшению весогабаритных характеристик регенератора. [c.187]

ЛОМ С ТОЧКИ Зрения влияния фокусирующих столкновений на степень радиационного повреждения материалов следует отметить, что их роль является двоякой. Во-первых, на фокусировку столкновений расходуется часть энергии каскада и, следовательно, эта энергия не используется для образования смещений, в связи с чем число пар Френкеля будет меньше по сравнению с оценками для модели аморфной среды. Во-вторых, поскольку в результате образования динамического кроудиона вакансии и смещенный атом, составляющие пару Френкеля, оказываются на значительном удалении друг от друга, вероятность последующего уменьшения числа дефектов за счет взаимной аннигиляции должна быть меньше. Таким образом, предполагается, что фокусировка увеличивает степень радиационного повреждения в условиях, облегчающих взаимную рекомбинацию дефектов (высокие температуры облучения, отсутствие стоков), и, напротив, способствует снижению уровня повреждения, если точечные дефекты заморожены в решетке (низкая температура, наличие примесных атомов, большая плотность стоков и т. д.). [c.201]

В проточной части турбины высокого давления газ расширяется от 150 до 21 бар, а температура газа понижается с 450 до 300 — 350 " С. При таких параметрах газа рабочее тело состоит из NO2, N0 и О2. Как известно, при расширении газа состав рабочего тела определяется двумя факторами уменьшение температуры газа вызывает процесс рекомбинации 2N0-f02 =i 2N02, а снижение давления смещает химическое равновесие в сторону более легких компонент. Указанные процессы зависят от времени пребывания газа в канале (геометрические и термодинамические факторы) и его соотношения со временем химической релаксации. В результате в проточной части турбины высокого давления протекает процесс рекомбинации 2N0 + 02=f 2N02 с 15 до 8—9%. Таким образом, в турбине высокого давления 40% теплопере-иада, превращаемого в эффективную работу турбины, образуется за счет выделяющегося тепла химических реакций. [c.31]

Управляющие свойства сетки Т но сравнению с элек-тронными приборами ограничены. При положит, потенциале анода, но отрицат. (8-н10 В) потенциале сетки она не пропускает электроны в прианодное пространство, препятствует возникновению разряда — Т заперт . При уменьшении по модулю потенциала сотки электроны, эмитированные катодом, проникают сквозь сетку, ионизуют газ и Т отпирается . При этом потенциал сетки нейтрализуется окружающим её облаком ионов и она теряет управляющие свойства — анодный ток определяется параметрами аиодпой цепи и монсет быть прекращён только снижением анодного напряжения ниже напряжения горения разряда. После гашения разряда концентрация электронов и ионов в плазме постепенно уменьтиается в результате рекомбинации ионов и электронов, ионная оболочка сетки рассасывается и через нек-рое время управляющие свойства сетки восстанавливаются. Время восстановления управляющих свойств сетки определяет предельную частоту работы Т 0,5—1 кГц. В табл. 1 приведены параметры нек-рых типов выпрямит. Т. [c.203]

С. на основе гомопереходов в прямозонных полупроводниках, легированных т. в. мелкими примесями (см. Примесные уровни), имеют существ, недостаток — сильное поглощение излучения внутри кристалла (коэф. поглощения а — 10 см Ч. Снижение потерь па межзонное поглощение достигается уменьшением энергии излучения за счёт Компенсации примесей в активной области (напр., в эпитаксиальной р — л-структуре GaAs, легированной Si). При сильном легировавии и компенсации хаотически расположенный в пространстве заряд примесей создаёт искривление границ зон, при к-ром локальная ширина запрещённой зоны остаётся постоянной (см. Сильнолегированный полупроводник). Это приводит к тому, что в распределении плотности состояний появляются участки при энергиях ниже зоны Проводимости и выше валентной зоны — т. н. хвосты плотности состояний, пространственно разделённые в обеих зонах. В С. с такой структурой в излучат, рекомбинации принимают участие глубокие и удалённые группы состояний, При этом излучаемые фотоны характери- [c.466]

Увеличению числа разрывов макромолекул и усиление фотоокисления покрытий под влиянием внутренних напряжений способствует снижение энергии активации разрыиа связей С—С в скелетах макромолекул и уменьшение вероятности рекомбинации радикалов по разорванным связям [30]. [c.46]

Аналогичные результаты получены при исследовании нелегированной стали [53]. Так, в присутствии 1 моль/л хлорида, бромида и иодида калия в 0,5 М Н2804 скорость коррозии с водородной деполяризацией уменьшается в 2, 4,4 и 17,5 раз. Одновременно скорость проникновения водорода через сталь снижается в том же ряду добавок в 1,6, 2,3 и 3,1 раза. Таким образом, общее снижение скорости коррозии в присутствии С , Вг и 1 намного выше, чем снижение наводороживания. Эти данные подтверждают способность анионов галогенида тормозить стадию удаления Яадс, т. е. тормозить процесс рекомбинации. [c.43]

Течение материала, вызванное прежде всего перемещением макрорадикалов, как более мелких частиц по сравнению с макромолекулами, за которым следует их рекомбинация, не только облегчает сварку, но и способствует повышению прочности сварного соединения при условии, что при механокрекинге не происходит окисление материала в результате реакции макрорадикалов с кислородом воздуха. Процесс окисления, опережая рекомбинацию макрорадикалов, приводит к снижению молекулярного веса полимера, а следовательно, к ослаблению материала в зоне шва. [c.197]

При совместном виброизмельчении композиции печная сажа — каменноугольный пек снижение концентрации ПМЦ идет медленнее, чем при виброизмельчении сажи (рис. 3-5). Это свидетельствует о затруднении рекомбинации осколков сажевых частичек и, возможно, об интенсивном образовании парамагнитных центров в измельчаемом пеке. По данным анализа кривых ЭПР поглощения при совместном виброизмельчении сажи и высокотемпературного пека взаимная рекомбинация ПМЦ сажи и пека отсутствует. [c.79]

Высокочастотные (имнульс пые) ГГ. д. распространены в радиотехнике и в вычислит, технике и выполняют те я е ф-ции, что и высокочастотные вакуумные диоды (детекторы, смесители, элементы импульсных схем и т. н.). Их действие также основано на нелинейности вольтамперной характеристики р— -перехода. Они работают в области более высоких частот, чем выпрямпт. диоды (до сотеи Мгц), или в импульсном режиме нри длительности импульсов до 10 8 — 10 сск. Это определяет основные особенности р— -переходов высокочастотных П. д. малые величины С. , Сд и Для уменьшения Сц применяют Се и Si с примесями элементов Ан, Ni, Сн, являющимися эффективными центрами рекомбинации, уменьшающими эффективное время кп пп1 неравновесных носителей в диоде т,,ф. Снижение т ф достигается также уменьшением толщины базы в -области до величины < Ьр-, в этом случае т.,ф равно времеш диффузии дырок через базу. При толщинах базы в неск. х, х, ф 10 сек. Спшке-ние толщины базы одновременно уменьшает г у Сокращение площади р— -перехода уменьшает Сд и [c.121]

Такие полупроводники, как кремний, германий и фосфид галлия— это непрямозонные полупроводники. В общих чертах это означает, что электрон, находящийся вблнзн дна зоны проводимости, имеет импульс, отличающийся от нмпульса электрона, находящегося вблизи потолка валентной зоны. Это иллюстрируется рис. 8.6, а, из которого видно, что в этом случае зона — зонный переход возможен только при условии компенсации различия импульсов . Это может происходить, если при рекомбинации излучается нон высокой энергии. В таком процессе удается устранить избыточный момент, однако при этом поглощается и энергия рекомбинации до 0,5 эВ. Еще более серьезной оказывается необходимость одновременности этих двух событий фож-дение фотона и фонона), что приводит к снижению вероятности такого рекомбинационного перехода. В результате безызлучательные про- [c.218]

Потери, обусловленные механизмом самопоглощения, не могут быть так легко определены количественно. Это предел, обратный процессу излучательной зона — зонной рекомбинации. Внутри полупроводника излучение с энергией фотона больше ширины запрещенной зоны (hf > Sg) может взаимодействовать с электроном валентной зоны и возбудить его в зону проводимости. При этом образуется электрон-дырочная пара, а фотон поглощается. Этот процесс лежит в основе работы полупроводниковых детекторов, поэтому будет подробно рассматриваться в гл. 12. Здесь же только отметим, что появляющийся при зона — зонной рекомбинации фотон имеет энергию, достаточную для самопоглощения. Поэтому расстояние между областью генерации и излучающей поверхностью должно быть по возможности сокращено. При этом появляется опасность, что поверхность с ее высокой концентрацией ловушечных уровней может оказаться в пределах одной-двух диффузионных длин от перехода, что вызовет изменение безызлуча-тельного времени жизни и снижение внутренней квантовой эффективности. Ясно, что необходимо принимать компромиссное решение. [c.226]

Обычно время жизни носителей значительно превышает время перехода носителей через обедненный слой, так что можно пренебречь потерей носителей вследствие рекомбинации. Носители, рожденные в пределах диффузионной длины от краев обедненного слоя, собираются за время, по порядку ве,тичины совпадающее с рекомбйнационным временем.жизни. Если эта доля значительна, то уменьшается квантовый выход и ухудшается частотная характеристика диода. В таком случае становится необходимым снижение Xi и увеличение Xj. Переход должен быть сформирован близко к поверхности, а протяженность обедненного слоя должна быть много больше интервала затухания. Таким образом, в соответствии с рис. 12.5 необходимо [c.314]

По, мере повышения частоты сигнала усилительные свойства транзистора ухудшаются, и на некоторой частоте/ р, называемой граничной (для схемы ОЭ), Р снижается до 0,707 Ро (т. е. низкочастотного значения). Это снижение объясняется тем, что период усиливаемого колебания становится соизмеримым с тр— временем рекомбинации носителей в базе, ограничивающим скорость измене ния потенциала- базы = 1/(2яТр). [c.127]

Дробленое топливо шнековыми питателями по-д-чется в индивидуальные дробилки, обеспечивающие размер частиц топлива не более 25—30 мм. Затем дробленое топливо поступает в нредвклю-ченные горелки для соответствующей термической подготовки топлива, необходимой для разрушения крупных частиц топлива и снижения образования оксидов азота. Пониженные избытки воздуха в зоне подготовки приводят к рекомбинации активных атомов азота топлива, выделяющихся при термической деструкции органической массы топлива в нейтральную молекулу азота. Сочетание термиче- [c.13]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...