Растворимость ретроградная

Как видно, растворимость ретроградная с максимумом при 650° С. [c.17]

Примеси тяжёлых и благородных металлов (Fe, Ni, Сг, Nb, W, Си, Ag, Au и др.) образуют глубокие уровни в запрещённой зоне, имеют большие сечения захвата носителей и являются эффективными центрами рекомбинации, что приводит к значит, снижению времени жизни носителей. Эти примеси обладают малой И ярко выраженной ретроградной растворимостью. Их используют для получения полупроводников с [c.579]

Ретроградный характер линии солидуса со стороны Со был установлен в работе [3]. Максимальная растворимость Си в (аСо) достигается при температуре 1367 °С и составляет 19,7 % (ат.) [3]. Растворимость в интервале температур 1100—900 °С приведе а в табл. 5. [c.15]

Растворимость Со в (Si) весьма мала при температуре 1200 °С она составляет 10 см (ретроградный максимум) [1, 2]. Растворимость Si в (Со) требует уточнения. [c.80]

По расчетным данным работы [7] растворимость Сг в (аТ1) при температуре 737 °С составляет 0,23 % (ат,). Результаты измерения электросопротивления, приведенные в работе [10], указывают на ретроградный характер кривой растворимости Сг в (aTi) при 720 С растворимость составляет 0,336 % (ат.), а при 675 °С — 0,304 % (ат.). Растворимость Ti в (Сг) составляет -15,5 8 и 4 % (ат.) при 1300, 1200 и 1000 °С соответственно [4, 5]. [c.194]

Кривая солидус (PZr) носит ретроградный характер. Максимальная растворимость Rh в (PZr) наблюдается при температурах 1200-1400 °С. При температуре эвтектики растворимость Rh в (pZr) составляет -Ю % (ат.). Растворимость Rh в (aZr) равна -1 % (ат.). Растворимость Zr в (Rh) при температуре эвтектики 1740 С достигает 12 % (ат.) [1. [c.180]

Растворимость S в (Si) имеет ретроградный характер и составляет по данным справочника Р] [c.208]

В системе имеется небольшая растворимость Sb в (Si) твердом состоянии. Солидус имеет ретроградный характер [Э, 1, 2] и показан на вставке диаграммы состояния согласно работе [1], в которой использовался метод микротвердости. Максимальная растворимость Sb в твердом Si имеет место при 850 °С и составляет 0,22 % (ат.) [1].Теоретические расчеты, выполненные в работе [2], дали максимальную растворимость Sb в твердом Si -0,4 % (ат.) при температуре -1325 °С. Согласно другим экспериментальным работам, максимальная растворимость Sb в твердом Si составляет -0,14 % (ат.) при температуре -1325 °С р]. В работе [3] в приближении теории регулярных растворов рассчитаны ликвидус системы Sb-Si и растворимость Sb в Si. Получено хорошее совпадение расчетных данных с экспериментальными результатами. [c.231]

Оптимальная версия диаграммы состояния системы с ретроградной растворимостью Та в (aTi) представлена на рис. 625 [5]. С увеличением [c.354]

На рис. 3.3.4, д представлена диаграмма состояния с ретроградной растворимостью. В этом случае растворимость компонента В с повышением температуры от точки сперва падает до точки /д, затем снова растет. При нагревании от t m I кристаллы компонента В выпадают, а при дальнейшем нагревании снова растворяются. [c.202]

Нами разработана методика, которая описывает идеальную растворимость при низких давлениях, а в области высоких давлений передает ретроградные явления вплоть до критической точки. Методика представлена в следующем аналитическом виде [c.52]

Оценки соответствуют случаю идеальной растворимости и реальной растворимости в ретроградных областях состояний. [c.53]

Равновесия фаз а, Р и V тщательно изучены методами рентгеноструктурного анализа на образцах, отожженных в течение более чем 6 месяцев при 200— 430° С [5,6]. Ретроградная растворимость, отмеченная М. Хансеном и К. Андерко (см. т. II [35]), подтверждена данными работ [5, 6], при этом она определена более строго по сравнению с ранними работами. Фаза 3 распадается по эвтектоидной реакции при температуре —-255° С с образованием смеси а + V [6]. Диаграмма на рис. 190 приведена по данным работы [6], возможно, она является результатом более строгого рассмотрения данных работы [5]. Граница между фазовыми областями а и (а + (3 ) [5, 6] хорошо совпадает при температурах от 400° С и выше с соответствующей границей, приведенной М. Хансеном и К. Андерко (см. т. II [27, 35]) границы [областей (а + Р )/Р" и f 7(fi + 7) [6] в температурном интервале 350—430° С примерно на 1% (ат.) богаче 2п по сравнению с аналогичными данными М. Хансена и К. Андерко (см. т. II [27]). [c.397]

Растворимость в твердом состоянии S в Si (ретроградная вблизи точки плавления) по результатам электрического анализа [1] составляет [c.387]

Солидус со стороны Si ретроградный [2—5]. Авторы работы [2], используя микроскопический анализ и метод микротвердости, показали, что максимальная растворимость при—850° С составляет—0,2% (ат.) Sb, растворимость при эвтектической температуре—0,1% (ат.) Sb. В работе [3] рассчитано, что растворимость Sb в твердом Si максимальна при —1325° С и составляет 0,4% (ат.), в то время как построение солидуса по результатам измерения термического градиента между 800 и 1070° С [4] и изучение диффузии Sb в Si в интервале 1200—1400° С [5] дают максимальную растворимость 0,14% (ат.) при —1325° С [4]. [c.396]

Эффекты, обусловленные ретроградной растворимостью [c.318]

Перечисленные примеси, как правило, образуют в полупроводниках твёрдые растворы замещения и обладают высокой растворимостью (10 —10 ат/см ) В широком интервале темп-р. Растворимость их носит ретроградный характер и достигает максимума в Ge при 700-900 "С, в Si — при 1200—1350 "С, в GaAs — при 1100 1200 С. Эти примеси имеют малые сечения захвата носителей, являются малоэффективными центрами рекомбинации и поэтому слабо влияют па время жизни носителей. [c.579]

Растворимость Си в (бРе) определена в работах [1, 2], в (уРе) -в работах [1, 4, 8] ив (аРе) — в работах [8—11] методами металло рафического [4], рентгеновского [10], микрорентгеноспектральнс г [4, 8], химического [9] анализов, измерения термоэлектродвижуиим силы [4], магнитной проницаемости и электропроводности [1]. Хс, кривой солидуса со стороны Ре в системе Си—Ре свидетельствует i наличии ретроградного солидуса [1, 4]. [c.242]

Кривая растворимости Sn в (Си) имеет ретроградный харак-ер. Данные по растворимости Sn в (Си) приведены ниже согласно дботе [2] [c.325]

Кривая растворимости Ga в Ge имеет ретроградный характеп По данным определения параметров решетки в функции от состава максимальная растворимость Ga в Ge составляет 2,6 % (ат.) Оа при температуре 780 °С [X]. Однако, по данным работы [Э], основанным на спектрофотометрическом анализе и измерении электрофизических свойств направленно выращенных кристаллов растворимость Ga в Ge существенно ниже и составляет [c.594]

Фаза а существует во всем температурном интервале вплоть до соли-дуса. Образуется она по перитектической реакции при 1210° С и при 1204°С вступает в эвтектическую реакцию сН10а. Как предполагается в работе [1], ретроградная растворимость по границе (а + а )/а свидетельствует о существовании низкотемпературной фазы, хотя при последующем диффе-реициальном термическом анализе теплового эффекта не обнаружено. [c.22]

Теоретическое рассмотрение наиболее вероятного вида области растворимости в системе Hg—Те на основе теории регулярных растворов, а также анализ данных [86, 87 [ по давлению пара и электрофизические измерения Страусса и Бребрика [88] подтверждают ретроградный характер растворимости с максимумом растворимости при низкой температуре. [c.199]

Характерная температурная зависимость растворимости примесей с явно выраженным максимумом носит название ретроградной. Ретроградная растворимость ярко выражена для быстро диффундирующих примесей и проявляется (хотя и слабо) у некоторых медленно диффундирующих примесей (Ga, As, Sb, Zn на рис. 8.11). Отсутствие ее у остальных примесей может быть обусловлено замораживанием атомов в узлах рещетки и малыми коэффициентами диффузии. [c.316]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...