Парамагнитные центры

Облучение нейтронами природного и искусственных графитов вызывает заметное изменение сигнала электронного парамагнитного резонанса (ЭПР). Его интенсивность прямо пропорциональна, по крайней мере до 10 э нейтр./см2, флюенсу 204]. Большая часть возникших парамагнитных центров локализована на дефектах решетки [204] и может служить мерой повреждения материала. [c.122]

Ю. А. Осипьян [97, с. 115—135] использовал метод электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) для исследования состояния электронов, локализованных в ядрах дислокаций Si с добавками Р при концентрациях 10 —10 см . В монокристаллах чистого Si при пластической деформации обнаружены парамагнитные центры, названные Д-центрами, концентрация которых увеличивается с повышением плотности краевых дислокаций, возникающих при пластической деформации. Впервые показана связь электронов примеси сидрами краевых дислокаций в Si. [c.110]

Исследования отдельных фракций пека методом электронного парамагнитного резонанса [2-57] показали их различную способность к образованию парамагнитных центров (ПМЦ) при термообработке. Число ПМЦ в а-фракции больше, чем в р-фракции. Последнее обусловливает снижение способности к графитации коксов, полученных из пеков с повышенным содержанием гх-фрак-ции. [c.58]

Рис. 3-5. Зависимость концентрации парамагнитных центров от продолжительности размола [3-10.

Длительное измельчение печной и канальной саж (более 45 мин) приводит к агрегированию осколков сажевых частичек. Одновременно с этим наблюдается па дение концентрации парамагнитных центров хр, обусловленное уширением линии электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), которое связано с кислородным эффектом (рис. 3-5) [3-10]. [c.79]

ПРОЦЕССЫ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ПАРАМАГНИТНЫХ ЦЕНТРОВ, НАХОДЯЩИХСЯ НА ПОВЕРХНОСТИ УГЛЕРОДНЫХ ПОРОШКОВ И В СВЯЗУЮЩЕМ [c.88]

Рассмотренное выше взаимодействие функциональных групп, находящихся на поверхности углеграфитовых порошков и в связующем, не описывает все протекающие в рассматриваемых смесях процессы. Энергия активации этих реакций измеряется десятками и сотнями тысяч джоулей. В то же время эта энергия для реакции парамагнитных центров составляет в большинстве случаев несколько тысяч джоулей [4-4]. [c.88]

В соответствии с этим следует считать возможным формирование связей. между углеродными порошками и связующим при взаимодействии их парамагнитных центров, а также цепных превращений в связующем [2-1]. [c.88]

Можно также предположить и другую причину тормозящего действия водорода. Изучение прокаливания нефтяного кокса в среде водорода показало [2-1] снижение скорости рекомбинации парамагнитных центров, среди которых, по-видимо-му, важное место занимают свободные радикалы. Следовательно, водород замедляет эти реакции, препятствуя тем самым возникновению углеводородных молекул, способных к конденсации на горячих поверхностях. [c.120]

С — максимальное развитие скорости межмолекулярных сшивок, соответствующие наибольшим значениям концентрации парамагнитных центров по данным электронного парамагнитного резонанса (см. рис. 9-8), выше 800°С — замедленный рост молекулярных цепей. [c.159]

Рис. 13-9. Изменение концентрации парамагнитных центров в зависимости от температуры спекания.

Кроме отмеченного влияния снижения скорости нагревания на разложение связующего, увеличение времени выдержки при 600— 700°С способствует рекомбинации парамагнитных центров (рис. 13-13). [c.254]

Рис. 13-13. Зависимость концентрации парамагнитных центров от времени выдержки при температуре, °С [13-20].

Парамагнитные центры 40, 78, 88, 138, 171, 182, 248 Пек каменноугольный 12, 13, 14, 52 [c.315]

Ширина ДЯ и форма линии поглощения ЭПР несут информацию как о взаимодействии парамагнитных центров друг с другом, так и о их топографии на поверхности. В случае отсутствия заметной зависимости ДЯ от температуры имеет место диполь-дипольный механизм уширения линии. В этом случае теория предсказывает линейную зависимость ДЯ / от концентрации парамагнитных центров Ns в случае их однородного распределения [c.145]

Атомы доноров в кремнии. Фосфор, мышьяк и сурьма, будучи введены в кристалл кремния, играют роль доноров. Каждый из этих атомов-доноров имеет на внешней оболочке пять электронов оказавшись в кристалле кремния, четыре электрона диамагнитно входят в систему ковалентных связей кристалла, а пятый электрон играет роль парамагнитного центра со спином [c.612]

Положим его равным ро для г — г < 6. Выберем в качестве начала координат один из парамагнитных центров, например с радиус-вектором Г . Потребуем теперь выполнения равенства [c.357]

Рис. 3.24. Модель асфальтенового ассоциата с пачечной структурой матрицы и вложенной фрактальной структурой ПМЦ ф - парамагнитный центр

Авторами работы [59, с. 77] изучено влияние флюенса (вплоть до 7-1021 нейтр./см ) при температуре 100—535° С на параметры сигнала ЭПР в графите марки ГМЗ. Увеличение интенсивности сигнала ЭПР, измеренного при температуре жидкого азота, указывает на локализованность неспаренных электронов, которые могут быть захвачены дефектами решетки. В общем виде соотношение между флюенсом, температурой облучения и числом созданных в единице массы парамагнитных центров имеет вид [c.122]

Другого типа светоиндуцнрованное намагничивание прозрачной среды наблюдается при воздействии на неё мощного циркулярно поляризованного излучения. Тер-модинамич. рассмотрение этого эффекта показывает, что намагниченность среды создаётся вращающимся переменным электрич. полем, дeй твy№п им подобно эфф. магн. полю знак намагниченности определяется знаком циркулярной поляризации света. В иск-ром смысле этот эффект обратси эффекту вращения плоскости поляризации в магн. поле и поэтому его паз. о б-ратным эффектом Фарадея. Он наблюдается лишь при амплитудах эл.-магн. поля, при к-рых заметна роль нелинейной поляризуемости среды. Экспериментально этот эффект наблюдался в кристаллах с примесными парамагнитными центрами, а также в парах металлов. [c.703]

Рнс. 2. Сигнал электронного парамагнитного резонанса хаотически ориентированных парамагнитных центров. Линия поглощения (й) и её производная (й) в случае ромбической симметрии спинового гамильтониана. Характерные точки спектра связаны с параметрами спинового гамильтониана соотиошени-ем = [c.580]

Если в исследуемом образце имеются спинки двух сортов А и В, то состояние насыщения спинов ядер А вызовет исчезновение мультиплетной структуры ЯМ.Р-спектра на ядрах /i-типа. При сильном отличии резонансных частот насыщение переходов с более высокой резонансной частотой вызывает рост интенсивности наблюдаемого сигнала (эффект Оверхаузера). Этот принцип положен в основу, в частности, двойного электронно-ядерного резонанса (ДЭЯР), который как меп од физических исследований технически гораздо сложнее, но более информативен, чем методы ЭПР и ЯМР. Если электрон парамагнитного центра взаимодействует более чем с одним ядром, то расшифровка сверхтонкой структуры спектра ЭПР затруднена. Если к тому же величина сверхтонкого расщепления не превышает ширину отдельной сверхтонкой компоненты, то определение констант сверхтонкого взаимодействия (СТВ) в таких системах невозможно без применения двойных резонансных возбуждений. Метод ДЭЯР снимает трудности определения констант СТВ, позволяет определять лармо- [c.188]

При совместном виброизмельчении композиции печная сажа — каменноугольный пек снижение концентрации ПМЦ идет медленнее, чем при виброизмельчении сажи (рис. 3-5). Это свидетельствует о затруднении рекомбинации осколков сажевых частичек и, возможно, об интенсивном образовании парамагнитных центров в измельчаемом пеке. По данным анализа кривых ЭПР поглощения при совместном виброизмельчении сажи и высокотемпературного пека взаимная рекомбинация ПМЦ сажи и пека отсутствует. [c.79]

Одним из доказательств того, что любой процесс образования пироуглерода протекает через фазу, конденсированную на поверхности, является тот факт, что прн определенных условиях пиролиза различных углеводородных газов и паров получаются отложения различной толщины, но очень близкие по структурной анизотропии [2-1], плотности и микроструктуре. Известно, что первая из перечисленных характеристик структуры тесно связана со структурой соединений, возникающих до образования углеродного осадка компланарностью, системой поперечных связей, концентрацией парамагнитных центров на определенных стадиях пиролиза, возможной глубиной изменений в парогазовой фазе. [c.115]

Рассмотрение результатов измерения концентрации парамагнитных центров Ху, (ПМЦ) в процессе отверждения связующего показывает (рис. 8-3), что в связующем наблюдается значительное количество ПМЦ (10- (1/4я)г- ), по-видимому, в результате окисления краевых молекул связующего и образования нерекисных или хи-ноидных радикалов. Содержание ПМЦ со.храняется неизменным примерно до 70°С. При нагревании выше 70°С происходит рост концентрации ПМЦ, которая остается постоянной в интервале 120— 150°С, т. е. при температурах, соответствующих завершению формирования сетчатой структуры полимера. Новый резкий рост сигнала ЭПР выше 150°С свидетельствует о начале следующей стадии процесса — пиролиза. [c.138]

Наличие в коксе или введение в него до 5—7% серы способствует его трехмерному упорядочению. 3. И, Сю-няев [10-1] отмечает влияние серы на структурную перестройку кокса выше 700°С, Данное обстоятельство объясняется тем, что сера препятствует образованию парамагнитных центров и соответственно поперечных связей (рис, 10-2). Введение кислорода приводит к обратным результатам вследствие образования мостико-вых поперечных связей, которые препятствуют росту кристаллитов, В связи с этим можно предположить также и другой механизм влияния водорода на рост углеродных пачек, заключающийся в связывании кислорода при температурах до 700°С. [c.183]

Перейдем теперь к рассмотрению менее изученного класса жидкостей с высоким удельным электрическим сопротивлением. Чистый селен изучали в течение долгого времени. По сравнению с другими жидкими полупроводниками молекулярная структура селена хорошо изучена. Жидкая сера очень похожа на жидкий селен, и было показано, что обе эти жидкости состоят из смеси цепных молекул и восьмичленных колец (а возможно и больших колец). Концентрация колец увеличивается с понижением температуры, и имеется критическая температура, ниже которой существуют только кольцевые молекулы. Критическая температура экспериментально наблюдалась только для жидкой серы для селена расчетное значение этой температуры лежит ниже точки затвердевания. Теория равновесия связей для этих жидкостей разработана очень хорошо [78, 104], и эта теория является прототипом теории для сплавов Т1—Те, описанной в гл. 7, 3. Для настоящего обсуждения достаточно отметить, что средняя длина цепи уменьшается с температурой, а концентрация разрушенных связей описывается с помощью константы равновесия с энергией активации Еа, которая была определена различными способами. Эйзенберг и Тобольски [78] на основе данных по вязкости оценили d = 0,54 эВ. Разорванные связи являются парамагнитными центрами, и определение их концентрации в зависимости от температуры методом электронного спинового резонанса дало значение < = 0,63 эВ [158] исследование магнитной восприимчивости [175] привело к значению Еа==0,87 эВ. [c.210]

В тех случаях, обнаружили СТС, что позволило уточнить наши представления о строении атомарно-чистых поверхностей этих полупроводников [Р18]. когда ядра парамагнитных атомов обладают собственным магнитным моментом, в спектре ЭПР возникает сверхтонкая структура СТС) за счет дополнительного зеемановского расщепления уровней в магнитном поле ядра. Количество компонент СТС равно 2/я(4 + 1), где — спиновое число ядра. Исследования СТС парамагнитных центров в строго упорядоченном объеме кристалла дает уникальную информацию о симметрии волновых функций неспаренных электронов, о степени переноса электронной плотности между aтo laми, определяющими ковалентность химических связей, и о характеристиках ядерных магнитных полей. В неупорядоченной поверхностной фазе информативность СТС, естественно, ниже, но константы расщепления все равно позволяют более определенно судить о конфигурации парамагнитных атомов на поверхности. [c.144]

Исследования спиновых центров на атомарно-чистых поверхностях Si и Ge дали полезную информацию о гибридизации поверхностных атомов. К сожалению, они относятся только к поверхностям раскола, т.е. к граням (ill). Другие плоскости не изучались. В литературе имеются данные о парамагнитных центрах на поверхностях раскола кристаллических модификаций Si02, где также обнаружена регибридизация связей Si. Из-за больших ширин линий с размытой СТС менее информативны данные ЭПР для ряда соединений AIIIbv Этим, по-видимому, и исчерпывается на сегодняшний день перечень атомарно-чистых поверхностей полупроводников и диэлектриков, изученных методом ЭПР. Последнее в значительной степени связано с недостаточно высокой чувствительностью метода. По этой причине мало еще изучены температурные зависимости сигналов ЭПР и зависимости параметров линий от концентрации спиновых центров, что, как мы отмечали ранее, дало бы более полные данные о топографии спиновых центров и механизме их заполнения. Метод ЭПР не применим к атомарно-чистым поверхностям металлов, т.к. из-за их высокой электропроводности резко падает добротность резонатора. [c.157]

Смотреть страницы где упоминается термин Парамагнитные центры : [c.166] [c.178] [c.122] [c.181] [c.189] [c.74] [c.40] [c.40] [c.41] [c.41] [c.42] [c.93] [c.93] [c.163] [c.480] [c.162] [c.142] [c.145] [c.201] [c.372] [c.98]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...