Вычисление диэлектрической проницаемости е(кв)

Для вычисления диэлектрической проницаемости е материала можно воспользоваться тем обстоятельством, что емкость конденсатора определяется его геометрическими размерами и диэлектрической проницаемостью диэлектрика. Для плоского образца (см. рис. 1-1) емкость Сх выражается следующим образом [c.49]

Б. Вычисление диэлектрической проницаемости в методе функций Грина [c.81]

Таблица 29.29. Формулы для вычисления диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь жидких материалов

В области высоких частот с некоторым приближением можно, как и прежде, представлять образец диэлектрика в виде эквивалентной схемы (последовательной или параллельной) с сосредоточенными постоянными и пользоваться соответствующими формулами (2-5), (2-6), (2-10). При вычислении диэлектрической проницаемости необходимо вводить поправку на краевую емкость, используя формулы (3-1) — (3-6). Диэлектрическую проницаемость 76 [c.76]

Определение 8г сводится к измерению емкости Сх образца данного диэлектрика и к вычислению диэлектрической проницаемости по формуле [c.6]

Из величины Сщ может быть определена геометрическая постоянная ячейки, необходимая при вычислениях диэлектрической проницаемости и удельной электропроводности растворов по данным уравнений (5) и (6). Уравнение (И) дает величину емкости, которую необходимо вычесть из измеренного значения эквивалентной параллельной емкости прежде, чем будет произведен пересчет в эквивалентные последовательные параметры и R , требующиеся для расчета свойств раствора по уравнениям (5) и (6). [c.26]

В связи с этим вычисление диэлектрической проницаемости сводится к вычислению в линейном приближении среднего дипольного электрического момента, возникающего в кристалле под влиянием (46.2). [c.356]

Вычисление диэлектрической проницаемости проведем на модели кристалла с одной молекулой в элементарной ячейке, имеющей форму параллелепипеда с базисными векторами а, Ь, с. Будем принимать во внимание только одно возбужденное состояние молекулы, поэтому индекс / далее будет опускаться. Предположим, что электрический дипольный момент перехода d направлен вдоль вектора Ь в равновесном положении. Если вектор Q направлен вдоль оси с, то компоненты тензора поперечной диэлектрической проницаемости при нулевой температуре определяются согласно (46.49) соотношением [c.381]

Для вычисления диэлектрической проницаемости (58.31) надо знать фурье-образ [c.519]

Вычисление диэлектрической проницаемости в приближении Хартри — Фока [c.181]

Для этого обратимся снова к модели Лоренца вычисления диэлектрической проницаемости среды. [c.73]

Прежде чем переходить к вычислению диэлектрической проницаемости (ксо), отметим некоторые общие соотношения, которым она должна удовлетворять. Вследствие причинного характера рассматриваемого отклика системы электронов на поперечное возмущение между вещественной и мнимой частями е (ксо) [или с, (ксо)] должны существовать соответствующие соотношения Крамерса—Кронига. Кроме того, для мнимой части 1те (ксо) выполняется правило сумм [c.259]

Вычисление диэлектрической проницаемости (ксо) [c.260]

При вычислении диэлектрической проницаемости е(ксо) пренебрежем временно влиянием /-процессов. Тогда величина е(ксо) дается просто выражением (5.36). Пользуясь дисперсионным уравнением для фононов [c.324]

Вычисление диэлектрической проницаемости с помощью теории возмущений. [c.33]

Напомним, что при вычислении диэлектрической проницаемости плазмы в 29 член с магнитным полем в этом уравнении был опущен, поскольку при малых Е и В он является малой величиной второго порядка. В рассматриваемой же здесь задаче магнитное поле В (в противоположность электрическому полю Е) отнюдь не предполагается малым. [c.296]

Отсутствие в кинетическом уравнении члена с производными по координатам означает отсутствие пространственной дисперсии. В этом смысле скин-эффект снова становится нормальным . Присутствие члена с производной по времени приводит, однако, к частотной дисперсии проводимости. Ситуация здесь такая же, как при вычислении диэлектрической проницаемости бесстолкновительной плазмы. Отличие состоит лишь в анизотропии металла и в ферми-жидкостных эффектах. Последние проявляются в том, что плотность тока выражается интегралом, зависящим не только от функции распределения Ьп, но и от функции взаимодействия квазичастиц (электронов проводимости) /(р, р ). Обратим внимание на то, что ввиду наличия в кинетическом уравнении члена дЬп д1 исключение взаимодействия квазичастиц путем введения эффективной функции распределения Ьп оказывается здесь невозможным. [c.447]

Легко показать, что при отражении электромагнитной волны от металлической поверхности должна возникать сила светового давления, совпадающая по направлению с вектором плотности потока электромагнитной энергии S (рис. 2.24). Для количественного описания этого эффекта нужно воспользоваться формулами Френеля с подстановкой в них комплексных значений диэлектрической проницаемости, характеризующих отражение от металла электромагнитной волны. Такие довольно громоздкие вычисления могут явиться полезным упражнением для закрепления понятий, введенных в 2.5. Ниже мы получим выражение для светового давления в самом общем случае. Этот простой вывод будет базироваться на элементарных представлениях электронной теории. [c.108]

Соотношения вида (7.53) были использованы в 4.7 при вычислении флуктуаций диэлектрической проницаемости, определяющих интенсивность молекулярного рассеяния, света. [c.156]

Относительная погрешность вычисленного значения диэлектрической проницаемости должна быть не более 4%, тангенса угла диэлектрических потерь — не более 7%. [c.91]

Все перечисленные в 1.1 виды поляризации относятся к твердым диэлектрикам. В неполярных твердых диэлектриках наблюдается электронная поляризация. В этом случае диэлектрическая проницаемость равна квадрату коэффициента преломления. Сюда относятся валентные кристаллы (алмаз), молекулярные кристаллы, не содержащие полярных групп (нафталин, сера), неполярные полимеры (полиэтилен, политетрафторэтилен, полипропилен, полиизобутилен, полистирол). Для неполярных диэлектриков температурный коэффициент диэлектрической проницаемости определяется изменением числа молекул в единице объема и может быть вычислен по формуле, применяемой для неполярных жидкостей [c.12]

Формулы для вычисления среднего значения диэлектрической проницаемости гетерогенных систем [c.173]

Если же диэлектрическая проницаемость изделия е > г, то вычисление е производят по более сложной формуле [c.138]

Значение е, полученное путем вычисления Т я R, является усредненной по толщине слоя й. Для однослойных конструкций это не будет иметь решающего значения, так как качество слоя будет определяться лишь фактором обнаружения разброса диэлектрической проницаемости и обнаружения дефектов по всей площади слоя. [c.140]

Для сегнетоэлектриков вычисление проводится непосредственно по уравнениям (4-63) или (4-64) с использованием данных по зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от напряженности электрического поля Е при данной температуре. [c.96]

Непосредственное вычисление показывает, что в этом случае эффективная диэлектрическая проницаемость может быть не более 200, т. е. составляет 1/5 от истинной для данного материала. Если обкладки сжать, то эффективная диэлектрическая проницаемость увеличится до истинного значения, равного 1000 ситуация улучшится. [c.202]

Мы видим, что вычисление проводимости свелось к вычислению б (к,а ). Некоторые типичные приближения для диэлектрической проницаемости рассмотрены в приложении 6Б. Например, в приближении случайных фаз [см. формулу (6Б.9)] имеем [c.40]

Очистка ячейки перед работой является делом первостепенной важности, обеспечивающим получение точных результатов при измерениях tgб, pv жидких диэлектриков [Л. 2-15]. Ячейка должна быть очищена соответствующим растворителем или рядом растворителей по методике, указанной в стандарте на метод измерения tgб данной жидкости или на жидкость. Очищенную и собранную измерительную ячейку присоединяют к измерительной схеме и производят определение электрической емкости (Со) пустой ячейки. Эти данные потребуются для вычисления величины диэлектрической проницаемости испытуемого образца жидкости. Рекомендуется производить измерения tgб жидкости по крайней мере при двух последовательных заполнениях измерительной ячейки с тем, чтобы убедиться в получении достоверных результатов. Рекомендуется производить сначала определение величины tgб, а затем жидкости. [c.39]

При решении конкретных задач какой-либо вариант обобщенного метода обычно оказывается в некоторых отношениях проще, чем метод собственных частот. Если задача сводится к трансцендентному уравнению, то уравнение это во всех методах одинаково, однако решать его не относительно частоты, а относительно какого-либо другого параметра обычно проще. В некоторых методах достаточно бывает лишь вычислить левую часть уравнения — эта величина при правильно записанном уравнении сама уже есть искомое собственное значение, т. е. полностью определяет резонансную кривую. Для систем с потерями часто удается избежать вычислений в комплексной области. Например, если диэлектрическая проницаемость тела комплексна, то целесообразно применять метод, в котором собственным значением является именно величина диэлектрической проницаемости— это собственное значение вещественно (если в задаче дифракции нет других потерь, кроме диэлектрических) и находится из вещественного уравнения. Ана- [c.8]

Вычисление диэлектрической проницаемости воздуха при различных температуре, давлении и влажности может быть выполнено по предложенной А. Р. Вольпертом формуле [c.66]

При вычислении диэлектрической проницаемости для продольных волн рассмотрим тонкую пластинку твердого тела, помещенную в плоский конденсатор, к которому приложено переменное электрическое поле = Ег ехр (—Ш). Внутреннее поле в твердом теле будет Ем -Е — АпР , где — удельный электрическц.й дипольный момент, обусловленный смещением электронов. Движение электронов под влиянием этого поля определяется уравнением [c.101]

Ответ. Электрической постоянной = 1/4тг9 10 Ф/м, при этом диэлектрическая проницаемость полагается равной единице, что обеспечивает когерентность системы единиц в формулах, определяющих производные единицы в зависимости от основных, коэффициент (диэлектрическая проницаемость) всегда равен единице. Это упрощает образование единиц и проведение вычислений с ними. [c.37]

Сопротивление кристаллов KNbOs резко меняется в зависимости от условий выращивания. Для кристаллов черного цвета р = 0,7 10 Ом см, а для желтых образцов р = 4,8 10 Ом - см [56]. В работе [57] проводились измерения температурной зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости тонких пластинчатых монокристаллов KNbOs в слабых полях. Зависимость In а от 1/Г в ромбической фазе линейна, а в тетрагональной фазе линейность нарушается. Вычисленное из наклона кривых In а = /(1/2 ) значение энергии активации в ромбической модификации близко к 0,034 эВ, а в тетрагональной фазе составляет около 0,75 эВ. [c.24]

Вуд и Ашкрофт [895] пытались связать увеличение поглощения ИК-света малыми металлическими частицами с уменьшением о а вследствие квантования электронных энергетических уровней. Они произвели расчет диэлектрической проницаемости частицы в приближении случайных фаз, предполагая электроны проводимости заключенными в прямоугольный ящик с абсолютно непроницаемыми стенками. Как и в более ранних аналогичных вычислениях Кавабаты и Кубо [912], авторы работы [895] нашли, что уже само наложение граничных условий на волновые функции электрона приводит к затуханию, которое для кубической частицы выражается формулой [c.294]

Согласно существующим представлениям, междуузельный ион серебра не может служить устойчивой внутренней ловушкой электрона при комнатной температуре. Эта предпосылка в неявном виде подразумевается в теории Герни и Мотта и подтверждается исследованиями электропроводности и других свойств хорошо отожженных кристаллов галоидного серебра при комнатной температуре [19]. Другим экспериментальным доказательством этого предположения является очевидная неспособность двухвалентных ионов кадмия в смешанных кристаллах галогенидов серебра и кадмия захватывать электроны при комнатной температуре, как это было показано Вестом ). Недавние теоретические вычисления Симпсона [20] согласуются с этими экспериментальными данными. Симпсон исходил из модели, в которой положительный точечный заряд находился в среде с диэлектрической проницаемостью галоидного серебра. Далее определялась волновая функция 1 5 электрона, связанного в кулоновском поле этого заряда. В этом приближенном вычислении не учитывается тот факт, что внутри объема междуузельпого иона поведение электрона может быть описано более точно с помощью волновой функции 5 5. Если учесть это указание, то исправленное теоретическое значение энергии связи электрона в поле междуузель-ного иона будет несколько превышать величину, полученную Симпсоном. Точное знание времени жизни электрона в этом состоянии как функции температуры имело бы большую ценность для интерпретации многих экспериментальных данных, например данных Веста по фотопроводимости галогенидов серебра. [c.118]

Как показали исследования последних лет, электролитические свойства солей в воде высоких параметров заметно изменяются. Вода высокой температуры (более 300 °С) из-за снижения диэлектрической проницаемости становится не столь сильно ионизирующим растворителем, в связи с чем степень диссоциации солей в воде высокой температуры уменьшается. На рис. 7.1 показаны расчетные кривые концентраций кальция, при которых начинается выпадение твердой фазы Са304 из раствора с разной концентрацией сульфатов и при одинаковом соотношении в них хлоридов и сульфатов (1 1) при температуре 342 °С (давление 15 МПа). Сплошная кривая рассчитана [7.1] с учетом изменения электролитических свойств солей в воде высоких параметров. Пунктирная кривая получена для условий полной диссоциации солей. Относительное расположение кривых на рис. 7.1 показывает, что вычисления допустимых концентраций кальция без учета частичной ассоциации ионов дают заметно заниженные результаты. В области небольших солесо-держаний концентрация сульфатов в силь- ной степени сказывается на допустимой концентрации кальция в котловой воде. [c.181]

С другой стороны, в е-методе, найдя одно число е , можно сразу найти всю зависимость поля от е, т. е. резонансную кривую по диэлектрической проницаемости при е, близких к е . В / -методе для этого понадобилось бы найтн кп в зависимости от е аналогично предыдущему, это потребует вычисления кп для двух значений е. [c.32]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...