Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков

Как было сказано выше (см. стр. 22), диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков велика и имеет резко выраженную зависимость от напряженности поля и от температуры. Характерной особенностью сегнетоэлектриков является наличие у них диэлектрического гистерезиса (отставание изменений электрического смещения от изменений [c.27]

Рис. 1-11. Изменение диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика во времен

Особым классом диэлектриков являются так называемые сегнетоэлектрики. Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков сильно меняется с изменением напряженности внешнего электрического поля Е, При этом диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков достигает огромных значений по сравнению с обычными диэлектриками. [c.88]

Для сегнетоэлектриков вычисление проводится непосредственно по уравнениям (4-63) или (4-64) с использованием данных по зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от напряженности электрического поля Е при данной температуре. [c.96]

Зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика ВаТЮз от размера кристаллитов показана на рис. 3.16. Очевиден немонотонный характер зависимости с максимумом при X 800 нм, причем заметно влияние методов изготовления на величину г. Наличие максимума связывается с двумя эффектами рост г с уменьшением X в микронном интервале обусловлен влиянием фактора напряжений, а дальнейшее снижение е в субмикронном интервале интерпретируется как влияние совершенства поверхностей раздела. [c.68]

Рис. 21.10. Зависимость эффективной диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков от амплитуды напряженности переменного электрического поля (а) и петли гистерезиса при различных амплитудах (б)

Рис. 21.13. Зависимость реверсивной диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков от напряженности постоянного электрического поля для двух амплитуд напряженности переменного измерительного поля О и

Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков, измеряемая в слабых полях, зависит от частоты. С повышением частоты е может понизиться в области, где частота поля близка к частоте резонансных колебаний испытуемого образца. При проходе последней частоты кристалл переходит из состояния механически свободного в состояние механически зажатого, что и должно приводить к понижению е. Как правило, понижение за счет механического зажатия имеет место на сравнительно низких частотах (единица и десятки Мгц в зависимости от геометрии образца). [c.94]

В табл. 15 приведены значения диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков. [c.41]

Фиг. 19. Изменение диэлектрической проницаемости Сегнетоэлектрика во времени

Третью подгруппу составляют материалы со сверхвысокой диэлектрической проницаемостью (сегнетоэлектрики). Диэлектрическая проницаемость их в сильной степени зависит от температуры, проходя при некотором значении последней через резко выраженный максимум, называемый точкой Кюри при температурах ниже точки Кюри диэлектрическая проницаемость этих материалов зависит от напряженности поля. Керамические сегнетоэлектрики обладают и пьезоэлектрическими свойствами. [c.239]

Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков велика и имеет резко выраженную зависимость от напряженности поля и от температуры. Характерной особенностью сегнетоэлектриков [c.33]

Рис. 1-15. Изменение диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика во времени.

Нелинейная диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика [c.147]

Рис. 19. Зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от температуры

Рис. 20. Зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от напряженности электрического поля

Материалы класса V, содержащие титанат бария, являющийся типичным сегнетоэлектриком, отличаются зависимостью диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля, а некоторые группы (с особо высоким значением е,) — большой зависимостью от температуры с максимумом при температуре точки Кюри. Чем больше содержит керамика титаната бария, тем сильней проявляются сегнетоэлектрические свойства. Свойства керамических материалов типа Б представлены на рис. 3-75. [c.240]

Для сегнетоэлектриков характерны высокая (до нескольких тысяч) диэлектрическая проницаемость и резкая ее зависимость от температуры (рис. 5.19, д). Увеличение температуры приводит к ослаб- [c.158]

Приведем значения диэлектрической проницаемости некоторых сегнетоэлектриков в слабых полях при t = 20 °С [c.28]

На рис. 3-10 представлены температурные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь и диэлектрической проницаемости двух керамических сегнетоэлектриков, имеющих разный состав и соответственно этому разные точки Кюри. [c.56]

Прибор имеет металлическую измерительную пластину / (рис. 52), покрытую пластиной 2 из сегнетоэлектрика, например из титаната бария. Напряженность Eq электростатического поля, действующего на измерительную пластину, равна Ецп = = HeI e, где Ее — проницаемость диэлектрика, а Не — напряженность измеряемого поля. Емкость и диэлектрическая проницаемость диэлектрика изменяются с помощью генератора переменного напряжения 6, подключенного к двум электродам 3, наложенным на сегнетоэлектрик. [c.144]

Значение s конденсированной среды существенно зависит от структуры вещества и от внеш. условий, обычно меняясь в пределах от неск. единиц до неск. десятков (у сегнетоэлектриков до 10 см. табл. в ст. Диэлектрическая проницаемость). Такой разброс значений е объясняется отчасти тем, что в разных веществах осн. вклад в е дают разл. механизмы поляризации. Напр., в Д. с полярными молекулами, где наблюдается ориентационная поляризация, е сравнительно велика (для воды е=81). [c.696]

Существование электрического момента связано с изменением структуры сегнетоэлектрика в точках фазового перехода. Температура фазового перехода является критической для появления или исчезновения спонтанной поляризации сегнетоэлектрика и носит название температуры Кюри. Диэлектрическая проницаемость в точке Кюри достигает наибольшего значения, а выше этой температуры сегнетоэлектрические свойства исчезают. При снижении температуры ниже точки Кюри сегнетоэлектрические свойства появляются вновь. Однако сегнетокерамика не обладает пьезоэлектрическими свойствами. Они возникают только после того, как керамика будет подвергнута воздействию сильного постоянного электрического поля, в результате чего произвольно направленные диполи ориентируются под влиянием этого поля в одном определенном направлении. Этот процесс, носящий название поляризации, является характерным в производстве пьезокерамики. [c.195]

Наименьшую диэлектрическую проницаемость имеет вакуум (е = 1), диэлектрическая проницаемость воздуха 1,00058, жидких и твердых диэлектриков — 2... 17, а сегнетоэлектриков — 1500...7500. [c.94]

Рис. 18.23. Зависимость поляризации Р (а) и диэлектрической проницаемости (б) сегнетоэлектрика от напряженности поля Е

Вследствие большой интенсивности спонтанной поляризации диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков велика (е = 1500ч-4500 и больше). Кроме того, у сегнетоэлектриков е в сильной степени зависит от температуры (рис. 19). При определенной температуре [c.26]

Тибар получают из ТЮг и ВаСОд. В результате их взаимодействия образуется титанат Ва. Тибар относят к сегнетоэлектрикам — мате-, риалам, способным превращать электрическую энергию в механи-. ческую (и наоборот). Он обладает сверхвысокой диэлектрической проницаемостью. [c.384]

Поскольку поляризуемость Р сегнетоэлектриков зависит от внешнего поля Е нелинейно, определить диэлектрическую проницаемость таких материалов нельзя так просто, как это было сделано выше для несегнетоэлектриков. В этом случае е сама является функцией напряженности поля. Поэтому для сегнетоэлектриков вводится понятие дифференциальной относительной ди- [c.300]

Сегнетоэлектрики обладают нелинейными свойствами вследствие изменения их диэлектрической проницаемости при изменениях напряженности электрического поля заряд сегнетоэлектрического конденсатора нелинейно изменяется с изменением напряжения. Эта нелинейность связана с тем, что при циклическом изменении наиряжения заряд сегне-тоэлектркческого конденсатора изменяется по закону петли гистерезиса (рис. 2-8). При увеличении напряжения от нуля происходит увеличение заряда по первоначальной кривой зарядки, достигающей насыщения при снижении напряжения уменьшение заряда происходит с большим отставанием [c.40]

Для изготовления нелинейных конденсаторов применяются другие сегнетоэлектрические материалы, обладающие резко выраженными нелинейными свойствами — сильной зависимостью диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля. Такие материалы называются варикондами. Вариконды предназначены для управления параметрами электрических цепей за счет изменения их емкости. Сегнетоэлектрики, петля гистерезиса которых по форме близка к прямоугольной, например, такие, как тригли-цинсульфат (ТГС), можно применять в запоминающих устройствах ЭВМ. [c.244]

Первым нз известных сегнетоэлектриков является сегнетова соль, т. е. двойная калиево-натриевая соль виннокаменной кислоты, NaK 4H40, -4Н20. Кристаллы, ее имеют орторомбическую систему. Она обладает резкой анизотропией свойств. Спонтанная поляризация, высокая диэлектрическая проницаемость, зависящая от температуры. [c.14]

В сегнетоэлектриках наблюдается явление электрического старения, выражающееся в уменьшении диэлектрической проницаемости со временем (рис. 1-11). Возможная причина этого явления — перегруппировка доменов. Особенно резкое изменение диэлектрической проницаемости со временем наблюдается в сегнетоэлектриках при температурах, близких к точке Кюри. Нагревание сегне-тоэлектрика до температуры выше точки Кюри и последующее охлаждение возвращает диэлектрическую проницаемость к прежнему [c.28]

Рис, 1. Температурные ааввсимости компонент параметра порядка Яг спонтанной поляризации диэлектрической проницаемости е вдоль полярного направления г, теплоёмкости Ср для собственных (а) и несобственных (б) сегнетоэлектриков. [c.478]

Сегнетоэлектриками называются вещества, которые в некотором диапазоне температур могут обладать спонтанной ноляризованностью в отсутствие внешнего поля. У них наблюдается резкое увеличение относительной диэлектрической проницаемости (например, ВаТ10з, КН2РО4 и др.). Данные по сегнетоэлектрикам приведены в [15]. [c.209]

Домены в сегнетоэлектриках существуют при температурах, не превышающих некоторой температуры б, — температуры так называемой сегнето-электрической точки Кюри. При температуре 9 в сегнетоэлектрике происходит фазовый переход второго рода — кристалл переходит из сегнетоэлек-трического состояния в обычное диэлектрическое состояние. При сегнетоэлектрик ведет себя как обычный диэлектрик, причем зависимость его диэлектрической проницаемости от температуры в этой области температур описывается соотношением [c.89]

Принцип устройства этого преобразователя основан на следующем. Рассмотрим электрический конденсатор с прокладкой из диэлектрика, у которого диэлектрическая проницаемость е существенно изменяется с температурой (такими диэлектриками являются рассмотренные в 4-1 сегнетоэлектрики). Зарядим этот конденсатор при температуре электрическим зарядом Z при этом напря- жение на конденсаторе составит Q i. Если затем отключить конденсатор от электрической цепи и путем подвода (или отвода) тепла изменить его температуру до Тц, при которой диэлектрическая проницаемость е имеет меньшую величину, чем при температуре Т ,— то емкость конденсатора уменьшится до а поскольку [c.109]

Отл ичите льной особенностью сегнетоэлектриков в отличие от обычных диэлектриков является резко выраженная зависимость диэлектрической проницаемости от напряженности электрического лоля — е=1(Е). Как правило, значение диэлектрической проницаемости е сегнетоэлектриков велико и имеет максимум температурной зависимости в некоторой области температур. Другое особенно важное свойство сегнетоэлектриков — наличие у них так называемого сегнетоэлектрического гистерезиса, т. е. явления отставания (от лат. histeresis — отставание) изменения величины поляризации от изменения напряженности поля. Графически эта зависимость может быть изображена в виде своеобразной петли, называемой петлей сегнетоэлектрического гистерезиса (рис. 49). Сегнетоэлектрики характеризуются тем, что в некоторой определенной для каждого вещества области [c.193]

В начале 60-х годов Г. А. Смоленский с сотрудниками [1—4] открыли семейство сегнетоэлектриков сложного состава со структурой перовскита. Позднее некоторые из них были получены в монокристаллическом состоянии, что позволило подробно изучить диэлектрические, оптические и электрооптические свойства этих соединений. Оказалось, что сегнетоэлектрические кристаллы PbsZnNbaOg и PbjMgNbaOg обладают значительным квадратичным электрооптическим эффектом. Отличительной особенностью этих соединений является размытый фазовый переход, который определяет релаксационный характер диэлектрической проницаемости и электрооптического эффекта. Кристалл PbaZnNbaOg и его магниевый аналог могут быть получены достаточно крупных размеров и хорошего оптического качества, что выгодно отличает их от кристаллов КТН. Последнее обстоятельство обусловливает их практическое применение в электрооптических модуляторах и дефлекторах света. [c.66]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...