Диэлектрическая проницаемость эффективная

Диэлектрическая проницаемость..... Эффективная масса 12,5 16 6 25 [c.182]

Отсюда, измеряя коэффициент отражения R, можно найти диэлектрическую проницаемость эффективного слоя, по изменению можно обнаружить различные дефекты этого слоя. [c.141]

Это тот же тензор диэлектрической проницаемости, какой был получен для изотропных масс, если только заменить в соотношении для статической диэлектрической проницаемости эффективную массу выражением [c.389]

Найдем, в качестве примера, положение локальных разрешенных уровней примесных атомов V группы таблицы Менделеева в элементарных полупроводниках IV группы. Предположим, например, что в одном из узлов кристалла германия находится атом мышьяка, имеющий пять электронов в валентной оболочке. Четыре валентных электрона участвуют в образовании ковалентных связей с четырьмя соседними атомами германия.- Поскольку ковалентная связь является насыщенной, пятый электрон новой связи образовать не может. Находясь в кристалле, он сравнительно слабо взаимодействует с большим числом окружающих мышьяк атомов германия. Вследствие этого его связь с атомом As уменьшается и он движется по орбите большого радиуса. Его поведение подобно поведению электрона в атоме водорода. Таким образом, задача сводится к отысканию уровней энергии водородоподобного атома. При ее решении необходимо учесть следующие обстоятельства. Поскольку электрон движется не только в кулоновском поле иона мышьяка, но и в периодическом поле решетки, ему необходимо приписать эффективную массу т. Кроме того, взаимодействие электрона с атомным остатком As+, имеющим заряд Ze, происходит в твердом теле, обладающем диэлектрической проницаемостью г. С учетом этого потенциальная энергия электрона примесного атома [c.237]

Основными параметрами, используемыми при неразрушающем контроле, являются скорость распространения упругих волн в различных структурных направлениях, диэлектрическая проницаемость и коэффициент теплопроводности. Поэтому в настоящем параграфе рассмотрим методику контроля указанных параметров в изделиях из композиционных материалов. Как уже указывалось, скорость упругих волн (продольных, сдвиговых, поверхностных и др.) определяется импульсным ультразвуковым методом, диэлектрическая проницаемость — емкостным или микро-радиоволновым. Более эффективным является последний, так как позволяет проводить контроль без контакта с поверхностью изделия. [c.131]

Эффективность пьезокерамических материалов определяется основными параметрами пьезомодулем ( к. диэлектрической проницаемостью е, тангенсом угла диэлектрических потерь tg б, скоростью звука модулем Юнга Ею- Помимо этого, пьезокерамика должна иметь стабильные физические параметры с малой зависимостью их от времени, температуры, давления и многих других факторов. Основными требованиями к пьезоматериалам являются также более высокий диапазон рабочих температур (точка Кюри) и способность материала работать в больших электрических полях с наименьшими диэлектрическими потерями. Керамический материал должен обладать высокими физико-механическими свойствами наибольшей плотностью и наибольшими пределами прочности при сжатии изгибе а э , растяжении о ,. [c.311]

Эффективность улавливания золы в электрофильтре зависит от многих факторов, в частности от напряженности электрического поля, диэлектрической проницаемости газа, конструкции и удельной поверхности осадительных электродов, скорости газов и равномерности распределения газа по сечению электрофильтра, фракционного состава золы и др. Установление аналитической зависимости к. п. д. электрофильтра от многочисленных факторов, влияющих на эффективность его работы, возможно лишь при упрощающих допущениях. На практике к. п. д. электрофильтров определяют по приближенной формуле [c.197]

Обычно в литературе описываются два основных подхода к анализу эффективной тепло- и электропроводности композиционных материалов, состоящих из непрерывной полимерной матрицы и волокнистого армирующего наполнителя. Первый и наиболее простой подход основан на допущении о том, что композиционный материал можно рассматривать как систему сопротивлений. Такой подход является универсальным для любого явления проводимости и буква к обозначает любой коэффициент проводимости — коэффициент теплопроводности, удельную электропроводность, коэффициент диффузии и диэлектрическую постоянную или диэлектрическую проницаемость. [c.288]

Если вещество представляет собой фотоупругую среду, то поле напряжений, индуцированное поверхностной акустической волной, приводит к периодическому изменению показателя преломления. Это периодическое изменение диэлектрической проницаемости действует как поверхностная решетка и также приводит к дифракции света. Однако в этом случае эффективная длина взаимодействия оказывается порядка длины звуковой волны Л и наблюдаемые эффекты малы [5, 6] по сравнению с эффектами, возникающими при волнообразном возмущении поверхности. [c.384]

В дальнейшем будем полагать флуктуации однородными, т.е. считать К х = К X — ). Данное предположение позволяет ввести эффективную жесткость упругого основания (аналог эффективной диэлектрической проницаемости [6.27]). Действительно, применяя к (6.73) интегральное преобразование Фурье по координате [c.274]

Расчетные зависимости Кщ от отношения волновых сопротивлений синфазного и противофазного возбуждения одинаковых СПЛ и коэффициента к показаны на рнс. 4.3, 4.4. Длина полосок была взята /==0,19 м, эффективная диэлектрическая проницаемость е =3, а приблизительное условие согласования соблюдалось тем, что полагалось [c.94]

В работах [927, 930, 933, 934] и цитируемой там литературе рассматриваются математические ограничения, налагаемые различной микроструктурой среды на ее эффективную комплексную диэлектрическую проницаемость исходя из предельных случаев Винера [944]. Эти случаи относятся к образцу, составленному из параллельно расположенных на равном расстоянии электропроводных пластин, промежутки между которыми заполнены изолятором. Диэлектрическая проницаемость такой среды различна в зависимости от направления внешнего электрического поля Е. Если Е параллельно пластинам, то из условия однородности тангенциальной составляющей поля в среднем имеем [c.300]

При низких напряженностях поля или низких плотностях фотонных потоков, характерных для обычных некогерентных источников света, диэлектрическая проницаемость, или показатель преломления большинства диэлектриков, почти постоянна и не зависит от напряженности поля. При очень высоких л е напряженностях поля или плотностях фотонных потоков, которые можно получить при помощи лазеров большой мощности, картина меняется и в поляризуемости среды приходится учитывать члены более высоких порядков. Возникающие при этом нелинейные эффекты вызвали живой интерес и большую активность ученых — теоретиков и экспериментаторов, и число публикаций по Данному вопросу возрастает колоссальными темпами [116— 120]. Исследования таких эффектов быстро прошли путь от первого слабого обнаружения второй гармоники рубинового лазера в 1961 г. до весьма эффективного (10—30%) преобразования в частоты второй гармоники, обнаружения третьих гармоник и постоянной составляющей (оптическое выпрямление), вынужденного комбинационного рассеяния и создания лазеров на основе целого ряда многочастотных параметрических эффектов [121]. [c.130]

Здесь 6 выступает в роли диэлектрической проницаемости. Если вычислить ее для равновесного состояния, то оказывается, что она представляет собой функцию от I и v, которая при v = 0 дает следующее выражение для эффективного потенциала [c.298]

Рис, 11.2. Зависимость скорости коррозии Ig (а) и эффективной анергии активации эф (<У) металлов от диэлектрической проницаемости D спиртов спиртовых растворах HGI концентрации с (H I) [c.337]

Используя полученные результаты, определить оптическую эффективную массу [34] электронов в этом материале, т. е. массу т, которая входит в выражение, определяющее вклад свободных носителей в диэлектрическую проницаемость, [c.88]

Непосредственное вычисление показывает, что в этом случае эффективная диэлектрическая проницаемость может быть не более 200, т. е. составляет 1/5 от истинной для данного материала. Если обкладки сжать, то эффективная диэлектрическая проницаемость увеличится до истинного значения, равного 1000 ситуация улучшится. [c.202]

При легировании кремния бором атомы последнего выступают в качестве акцепторов. Бор является трехв1алентным, и поэтому одна из четырехвалентных связей, направленных от атомов кремния к атому бора, останется свободной. В действительности же отсутствующая незавершенная связь может перемещаться от одного междоузлия к другому, подчиняясь только экранированному кулоновскому притяжению центрального отрицательного заряда. Ситуация сводится к представлению связанной дырки, передвигающейся в состоянии, которое зависит от диэлектрической проницаемости и тензора эффективной массы для свободных дырок. Если сообщить дырке энергию ДЕд, она будет полностью делокализована, и тогда нейтральное состояние акцептора можно представить как незаполненное электронное состояние, расположенное в запрещенной зоне над потолком валентной зоны на расстоянии, определяемом энергией ДЕа (см. рис. 35). [c.93]

Для стеклопластика АФ-10П на основе кремнеземной ткани КТ-И приведено исследование корреляционной связи между механическими и физическими характеристиками. Статистической обработке по разработанной программе на ЭВМ Минск-22 подвергались результаты испытаний на изгиб стеклопластиковых балочек, а также значения скоростей распространения ультразвука по основе Vq, утку Vgg, в диагональном направлении О45 и по толщине vs, диэлектрической проницаемости по основе Bq, утку 690, результаты определения стеклосодержания / и плотности р. Анализ полученных данных (табл. 4.9) показывает, что для случаев парной корреляции наблюдается сравнительно низкая статистическая связь между прочностью при изгибе и физическими характеристиками. Несколько более эффективной по сравнению с линейной является нелинейная парная корреляция. [c.166]

Здесь т — эффективная масса электрона, соо — частота нродольных оптич. ДВ-фовонов (при д = 0), во — статич. диэлектрическая проницаемость, е , — диэлектрич. В Ч-провицаемость (электронный вклад), [c.80]

Кварцевую керамику применяют в качестве теплоизоляционных элементов в тепловых агрегатах, в качестве труб для подач расплавленного алюминия, форм при литье металлов и др. Однако наиболее эффективно применение кварцевой керамики в ряде новых областей науки и техники. Согласно данным США, кварцевую керамику применяют для изготовления обтекателей и различных-составных элементов ракетной и космической техникй. В этом случае кроме высокой термостойкости используется еще одно ценное свойство кварцевой керамики — незначительное увеличение диэлектрической проницаемости е с ростом температур. [c.153]

Эта теория позволяет качественно объяснить обнаруженную Каррузерсом и др. сильную температурную зависимость теплопроводности одного из среднелегированных образцов р-типа. При рассматриваемых температурах число электронов, возбужденных из валентной зоны на примесные уровни, очень мало, однако благодаря малой эффективной массе носителей и большой величине диэлектрической проницаемости среды примесные уровни могут перекрыться, образовав зону. В такой зоне появляется проводимость и фононы могут испытывать рассеяние на электронах. [c.265]

Теория Максвелл-Гарнетта действует только для частиц, раэмеры которых много меньше длины А- волны света. В работе [932] эта теория пересмотрена с учетом частотно-зависящего дипольного и крадру-польного взаимодействий частиц, когда их размер составляет определенную долю от X (/ ]>100 А). Расчеты, выполненные для гранулированных пленок Ag, Au, Sn с использованием формул Чэна и Мартона [939], показали, что частотно-зависящее дипольное взаимодействие заметно влияет на эффективную комплексную диэлектрическую проницаемость , тогда как квадрупольное взаимодействие практически на нее не влияет. [c.299]

Для электронной упругой поляризации важными являются следующие особенности. Вочпервых, этот механизм поляризации является наиболее общим, так как деформация электронных оболочек атомов или ионов в электрическом, поле происходит во всех без исключения диэлектриках. Во-вторых, это наименее инерционный поляризационный механизм, поскольку масса электронов много меньше, чем эффективная масса других частиц, участвующих в процессе поляризации (ионов или молекулярных диполей). Быстрое установление электронной поляризации позволяет выделить экспериментально ее вклад из статической диэлектрической проницаемости того или иного диэлектрика. Этот вклад соответствует еэл = п , где п — коэффициент оптического преломления. [c.66]

Вторая важная особенность ионной поляризации заключается в том, что время установления этого механизма значительно больше, чем время установ,1ения электронной поляризации. Это объясняется большей ве.1Ичиной эффективной массы смещающихся в электрическом поле ионов по сравнению с массой электронов. Однако время установления ионной поляризации все же гораздо меньше, чем тепловой и объемно-зарядной поляризаций диэлектриков. Используя это обстоятельство, можно найти из эксперимента вклад ионной поляризации в диэлектрическую проницаемость того или иного диэлектрика, т. е. еион- [c.67]

Усредняя е за период, получаем эффективную диэлектрическую проницаемость еэф, зависимость которой от эффективного значения напряженности характеризуется кривой с максимумом (см. рис. 6.9,г), более пологим, чем максимум мгновенных значений е на рис. 6.9)5. На участке 1 зависимости еэф( ) в слабых электрических полях нелинейность практически отсутствует, так как этой напряженности недостаточно, чтобы вызвать доменную переполяризацию, и диэлектрическая проницаемость определяется Р ю на участке 2 еэф резко повышается, так как к Р д добавляется Pop. Когда практически все домены участвуют в переполяризации, зависимость еэф( ) достигает максимума на участке 3. Затем на участке 4 диэлектрическая проницаемость снижается, поскольку вклад Р д незначителен. Pop не изменяется, а напряженность поля Е продолжает нарастать. [c.188]

Рассчитать в ft / -приближении вариации оптической эффективной массы свободных электронов в InSb в зависимости от концентрации электронов N. Считать, что величина спин-орби-тального расщепления валентной зоны (Г з) А равна бесконечности это предположение допустимо, так как намного больше ширины запрещенной зоны Sg). Рассмотреть образец InSb -типа с N = = 10 ся . Определить длины волн Хр, соответствующие плазменному краю (R = 1 для %> кр kR < для X<Яр) и соответствующие минимуму отражательной способности. Считать концентрацию электронов неизменной. Эффективная масса электронов у дна зоны /п = 0,015. Диэлектрическая проницаемость решетки 8i = 16. Ширина запрещенной зоны = 0,24 эв. Сравнить полученные результаты с результатами задачи 15.13. [c.88]

Метод эффективной среды. Неоднородная система моделируется произвольно выбранной частицей, окруженной средой с эффективными (искомыми) свойствами. Необходимо определить Ф] или Фг в (1.9), что должно позволить найти эффективную проводимость Л. При изложшии этого раздела по возможности будем отвлекаться от математических преобразований, используемых различными авторами, разрабатывающими данный метод [8, 42]. Функцию Ф] определим из известных формул для частицы с диэлектрической проницаемостью ej, погруженной в среду с эффективной диэлектрической проницаемостью е [42] [c.13]

Смотреть страницы где упоминается термин Диэлектрическая проницаемость эффективная : [c.49] [c.211] [c.93] [c.161] [c.195] [c.197] [c.147] [c.149] [c.49] [c.20] [c.203] [c.282] [c.14] [c.187] [c.283] [c.309] [c.133] [c.134] [c.172] [c.189] [c.256] [c.317] [c.241]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...