Атомная плотность

Плоскостями скольжения являются плоскости кристаллической решетки с наибольшей атомной плотностью, поскольку вдоль этих плоскостей сопротивление скольжению наименьшее. В зависимости от формы кристаллической решетки металла (сплава) таких плоскостей может быть одна или несколько. [c.80]

Титановые а-сплавы имеют гексагональную плотноупакованную кристаллическую решетку, отличающуюся высокой анизотропией упругих, пластических и прочностных свойств. Наименьшим сопротивлением сдвигу обладают плоскости с максимальной атомной плотностью. У л-титана и большинства его сплавов наибольшая атомная плотность наблюдается в плоскости призмы- ЮЮ , она составляет 1,260 аТома на ячейку. В плоскости базиса атомная плотность значительно [c.17]

В качестве иллюстрации приведем пример компактирования ИПД кручением полученного в шаровой мельнице наноструктурного порошка Ni[26]. Проведенные исследования показали, что плотность полученных образцов близка к 95% от теоретической плотности массивного крупнокристаллического Ni. При этом в образцах отсутствовала видимая в просвечивающем электронном микроскопе пористость и был очень малый средний размер зерен, равный примерно 17 нм, а, следовательно, границы зерен занимали относительно большой объем. Авторы предполагают, что данные образцы демонстрируют снижение теоретической плотности в связи с тем, что границы зерен в материалах с очень малым размером зерен и сильными искажениями кристаллической решетки обладают пониженной атомной плотностью (см. также гл. 2). [c.13]

Для снижения тепловых потерь активная зона высокотемпературного ядерного реактора имеет тепловую изоляцию, внутренняя часть которой может быть выполнена из двуокиси циркония. Внутренний слой тепловой изоляции служит одновременно и в качестве отражателя нейтронов. Ядра циркония имеют большое поперечное сечение рассеяния и малое сечение захвата, а также высокую атомную плотность — ценные свойства для отражателей нейтронов. [c.67]

Германий — Ge, химический элемент IV группы периодической системы элементов, атомный номер — 32, атомная плотность — 72,59. Серо- [c.379]

Анизотропия кристаллов. А-н изотропией называется различие свойств кристаллов в направлениях различных кристаллографических плоскостей. Вследствие правильного расположения атомов в кристаллической решетке атомная плотность или коли- [c.18]

Плоскостей скольжения и направлений сдвига в кристалле ограниченное количество, и они характеризуются большой плотностью размещения на них атомов. Сопротивление сдвигу обычно меньше на той кристаллографической плоскости, которая имеет наибольшую атомную плотность. [c.54]

РИС. 93. Функции радиальной атомной плотности р (R) на расстоянии В от произвольного исходного атома для жидких частиц РЬ диаметром 200 А при 416 и 716° С [c.214]

Предложены несколько различных теорий для расчета средней длины пути и распределения внедренных ионов [63, 112], однако подробное их рассмотрение выходит за рамки настоящей работы. Простейший анализ предполагает гауссово распределение ионов по глубине образца. При этом максимум концентрации легирующей примеси располагается на глубине от десятых долей до нескольких микрометров, определяемой соотнощением масс ионов и атомов решетки, атомной плотностью решетки, энергией ионов, выбором потенциалов взаимодействия. При энергии частиц порядка сотен килоэлектронвольт средняя длина пути в несколько микрометров достигается на легких ионах, характеризующихся малым значением ядерной компоненты торможения. Возрастающие требования к точности распределения легирующей примеси привели к созданию более точных методов расчета, позволяющих объяснить, в частности, экспериментально наблюдаемую асимметрию профилей. Дополнительные трудности в анализ пробегов вносит учет анизотропного строения твердых тел, однако большинство машиностроительных материалов представляет собой мелкозернистые поликристаллы, и с достаточной степенью точности их структуру можно считать изотропной. [c.79]

Рис. 4.2. Функция распределения атомной плотности для состаренного компактного нанокристаллического образца n -Pd (стрелками показаны пики, соответствующие первым восьми координационным сферам) [25].

Нарушение однородного распределения атомной плотности в металлах обусловлено их поликристаллическим строением и наличием областей с повышенной концентрацией дефектов. В работе [21] эффективный учет этих факторов для одномерного случая осуществлен путем введения области с более низкой (по отношению к основной части) атомной плотностью. Расчеты проводились для цепочки атомов а —Ре. Кроме того, авторами на примере вольфрама проведено исследование влияния на особенности прохождения ударной волны включения из атомов другого сорта. [c.211]

Рис. 7.6. Зависимость у(4) в цепочке с включением области пониженной атомной плотности для а — 150-го, б — 190-го, в — 210-го, г — 250-го, д — 310-го, е — 325-го, ж —350-го,

Область с меньшей атомной плотностью в цепочке с потенциалом межатомного взаимодействия Морзе (7.20) также оказывает большое влияние на процесс прохождения ударной волны. Из рис. 7.6, а—в видно, что солитонная структура фронта ударной волны при входе в неоднородную область сильно искажается, и в центре области является нерегулярной (рис. 7.6, г). При переходе [c.219]

Правильное расположение атомов кристаллического вещества в пространстве обусловливает наличие у него ряда особенностей. Одной из них является векториальность (анизотропия), т. е. различие свойств в разных направлениях. Вследствие правильного расположения атомов в кристаллическом веществе атомная плотность или число атомов в кристаллографических плоскостях разного направления различна, поэтому химические и физико-механические свойства кристаллов в разных направлениях также неодинаковы. Так, например, в искусственно полученном монокристалле (образце, состоящем из одного кристалла) меди величина предела прочности [c.101]

По современным представлениям, пластическое деформирование металла состоит в последовательном массовом перемещении атомов по определенным плоскостям и направлениям кристаллической решетки. Результатом перемещения являются процессы скольжения или двойникования атомных слоев металла относительно соседних по определенным кристаллографическим плоскостям (плоскостям скольжения) и направлениям (направлениям скольжения). Плоскостями скольжения в металлах обычно являются плоскости кристаллической решетки с наибольшей атомной плотностью. Вдоль [c.99]

При исследовании структуры жидкости наибольший интерес представляет атомная плотность р (г). Эту величину можно определить следующим образом [c.18]

Уравнение дифракции можно записать через введенную здесь атомную плотность. Предполагая отсутствие перекрытия электронных оболочек отдельных атомов, получаем [c.18]

Этот результат можно записать также через атомную плотность, если учесть равенства [c.19]

Определим теперь радиальную атомную плотность [c.19]

Выведенные выше соотношения относятся к системе N одинаковых атомов. Мы не пытались здесь написать соответствуюш ие выражения для системы, составленной из атомов различных сортов. Функции атомной плотности для такой системы были получены в работах [23, 24, 89]. [c.21]

Мы получили выражение для функции радиальной атомной плотности. Эта функция непосредственно связана с обычной парной функцией распределения тг( ) (rja) и радиальной функцией распределения g (г), используемыми в теории жидкого состояния [40] [c.21]

Совершенно аналогично случаю атомной плотности получим отсюда [c.22]

Рассматривая соответствующим образом функцию атомной плотности, получаем аналогичное выражение [c.39]

Итак, в случае атомной плотности ошибка нормировки приводит к линейному возмущению точного значения и к поправке, пропорциональной фурье-образу отношения полной интенсивности и интенсивности когерентного рассеяния на отдельных атомах. Мы не будем рассматривать ошибку нормировки для молекулярной плотности. [c.39]

Фиг. 5. Вклад рассеяния на малые углы в функцию атомной плотности для аргона [см. выражение (132)],

Ф и г. 7. Функция атомной плотности, представленная в виде зависимости 4лг рА (г) от г для аргона при = — 125° С. [c.53]

Преимущественная ориентация в эвтектической структуре возникает вследствие уменьшения до минимума несоответствия решеток в результате сопряжения плоскостей с одинаковой атомной плотностью. Как уже отмечалось, Флетчер [18] показал, что поверхностная энергия быстро увеличивается при увеличении иесо-ответствйя Для уменьшения несоответствия между фазами с различными параметрами решетки в обеих фазах должны возникать однородные поля деформации [6]. В этом случае должны были бы существовать большие поля упругих напряжений с энергией, пропорциональной модулям упругости каждой из фаз. Общая энергия такой системы может быть понижена за счет возникновения дислокаций на поверхности раздела твердых фаз, которые снимают несоответствие параметров и локализуют деформационную энергию вблизи поверхности раздела. В этом случае на поверхности раздела появляются соответствующие дислокационные сетки, которые, уменьшают упругую энергию системы. В простой модели, изображенной на рис. 6, краевая дислокация снимает несоответствие параметров двух решеток. Ясно, что при увеличении степени несоответствия решеток сопрягаемых фаз необходимо большее число дислокаций. Можно показать, что расстояние S между такими дислокациями на поверхности раздела дается выражением [6] [c.362]

Уже в первых работах, вьгаолненных Гляйтером с сотрудниками [1, 106], был установлен ряд особенностей структуры нано-кристаллических материалов, полученных газовой конденсацией атомных кластеров с последующим их компактированием. Это прежде всего пониженная плотность полученных нанокристаллов и присутствие специфической зернограничной фазы , обнаруженное по появлению дополнительных пиков при мессбауэровских исследованиях. На основании проведенных экспериментов, включая компьютерное моделирование, была предложена структурная модель нанокристаллического материала, состоящего из атомов одного сорта (рис. 2.1) [1, 107]. В согласии с этой моделью такой нанокристалл состоит из двух структурных компонент зерен-кристаллитов (атомы представлены светлыми кружками) и зернограничных областей (черные кружки). Атомная структура всех кристаллитов совершенна и определяется только их кристаллографической ориентацией. В то же время зернограничные области, где соединяются соседние кристаллиты, характеризуются пониженной атомной плотностью и измененными межатомными расстояниями. [c.60]

Нормированная функция радиального распределения атомов СТ (г) = 4яг р(г)/4лг2р (ро— средняя атомная плотность вещества) для аморфного железа [Э). [c.108]

Па рис. 4.2 показана функция радиального распределения атомной плотности в образце компактного нанокристаллическо-го n -Pd, состаренного при комнатной температуре в течение 4 [c.132]

Исследование [29] методом EXAFS ближнего порядка в нано-кристаллическом компактированном n -Pd и поликристаллическом крупнозернистом Pd показало идентичность функций радиального распределения атомной плотности р(г). Координационное число для первой координационной сферы в свежеприготовленном и отожженном при 373 К образцах n -Pd оказалось на 5-6 % ниже, чем для крупнозернистого палладия, что согласуется с данными [25] (см. рис. 4.3а, 4.3с). Согласно [29] пониженное координационное число первой координационной сферы n -Pd [c.134]

Рис. 1.19. Интерферограмма атомной де-бройлевской волны, полученная с помощью двух щелей. Интенсивный пучок атомов гелия, сформированный методом расширения сверхзвукового газа, дифрагирует на двух щелях, которые представляют собой микроструктуру для прохождения атомов. В дальней зоне результирующий профиль атомной плотности образует систему интерференционных полос. Штриховая линия — фон детектора, а линия, соединяющая экспериментальные точки, служит просто для направления взгляда. Взято из работы О. arnal et а/., Phys. Rev. Lett. 1991. V. 66. P. 2689

Правильное расположение атомов кристаллического вещества в пространстве обусловливает ряд его особенностей. Одной из них является векториальность — анизотр о пи я, т. е. различие свойств в разных направления ГЭто объясняется тем, что вследствие правильного расположения атомов в кристаллическом веществе атомная плотность, или число атомов в кристаллографических плоскостях разного направления, различна. [c.34]

ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ АТОМНАЯ ПЛОТНОСТЬ МОЛЕКУЛЯРНАЯ ПЛОТНОСТЬ ПРЯМАЯ КОРРЕЛЯЦИОННАЯ ФУНКЦИЯ КООРДИНАЦИОННОЕ ЧИСЛО Л1ШЕЙН0Е ПРИБЛИЖЕНИЕ В РАЗЛОЖЕНИЯХ ПО СТЕПЕНЯМ ПЛОТНОСТИ РАДИАЛЬНОЙ ФУНКЦИИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ, ПРЯМОЙ КОРРЕЛЯЦИОННОЙ ФУНКЦИИ И ИНТЕНСИВНОСТИ РАССЕЯНИЯ НОРМИРОВКА ДАННЫХ И ОШИБКИ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗ ДАННЫХ ОБСУЖДЕНИЕ НЕКОТОРЫХ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ [c.9]

Методы обработки данных, используемые различными авторами, рассмотрены в книге Рэнделла [74]. В настоящее время чаще всего применяют метод Уоррена и Гингрича [88]. Филипович [23, 24] предложил более общий подход, в котором тонкие математические вопросы рассматриваются весьма изящным образом. Филипович строго связал дифракционные формулы с радиальной атомной плотностью и радиальной электронной плотностью. Он установил соотношение между этими двумя функциями и количественно рассмотрел дифракционную ошибку , связанную с заменой бесконечных пределов интегрирования конечными при фурье-преобразовании интенсивности рассеянного излучения. Филипович предложил также выражения, описывающие эффект неправильной нормировки экспериментальных данных. К дифракционной ошибке как к частному случаю применим метод работы [90], в которой при отсутствии полного набора экспериментальных данных предлагается использовать функции интенсивности с определенным весом. [c.10]

Б 2 излагаются физические и математические аспекты явления рассеяния и выводятся соотношения, связывающие измеряемую интенсивност ь рассеянного излучения с электронной функцией распределения. Функция распределения атомной плотности и функция распределения молекулярной плотности рассматриваются в 3 и 4. В 5 выводятся соотношения, связывающие прямую корреляцион--ную функцию с интенсивностью рассеянного излучения и радиальной функцией распределения. В 6 обсуждается понятие координационного числа для жидкости, которое иллюстрируется на примере некоторых данных для аргона Соотношения, связывающие радиальную функцию распределения, прямую корреляционную функцию и интенсивность рассеянного излучения в области низких плотностей, освещаются в 7,а 8и9 посвящены анализу ошибок и методике эксперимента. Некоторые чисто практические задачи обработки [c.10]

Переписывая в несколько ином виде интегралы Фурье, можно связать электронную и атомную плотности, если воспользоваться методом, предложенным в обш ем виде Васером и Шомакером [90]. Соотношения (11), (28) и (44) можно записать в виде [c.21]

СМОГЛИ получить прекрасное соответствие с экспериментальной функцией атомной плотности. Однако их способ построения симметричных пиков функции rg (г) основывался на существовании слабого вторичного пика, лежащего между первой и второй координационными сферами. Финбак [251 усомнился в существовании такого дополнительного пика, а более поздние эксперименты [31] показали, что этот пик ложный. Если вычесть ложный ник из первоначальной экспериментальной кривой, то построение согласующихся с экспериментальными результатами симметричных пиков функций rg (г) становится невозможным. [c.29]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...