Диффузия односторонняя

Развитие подобных взглядов представляется весьма полезным, хотя и несколько односторонним, так как при этом учитывается лишь один из факторов, влияющих на диффузию, а именно сила междуатомных взаимодействий. Несомненно, такое толкование может помочь при качественной оценке величины коэффициента диффузии. [c.26]

Задачи диффузии и фильтрации при изучении вопросов прочности встречаются реже, однако и к ним приходится обращаться, особенно при объяснении причин снижения долговечности элементов конструкций, работающих при теплосменах в агрессивном газовом потоке. Повреждение поверхностных слоев происходит обычно с участием диффузионных процессов. Вопросы фильтрации газов сказываются на прочности односторонне нагреваемых материалов из коксующихся стеклопластиков типа стеклотекстолитов. [c.111]

В гидрофильных полимерах в большинстве случаев просматривается четкая граница диффузии при любых концентрациях раствора, К моменту подхода границы диффузии к противоположной стороне образца при одностороннем переносе устанавливается стационарный поток электролита, В этот момент резко падает электрическое сопротивление полимера. Все это говорит о том, что перенос летучих электролитов в гидрофильных полимерах осуществляется в ионном виде, В этом случае возникновение видимой границы диффузии и ее перемещение связано не только с диссоциацией электролита в полимере, но и с переносом ионов электролита, Поэтому по глубине проникновения или параметру переноса можно оценить величину коэффициента диффузии ионов электролита в полимере [99]. [c.55]

Развиваемая в настоящее время теория односторонней диффузии [15] (см. далее), не разрешая вопроса о природе начальных зародышей, позволяет понять механизм перехода от чрезвычайно маленьких воздушных пузырьков, которые, как следует из теории газовой кавитации, не участвуют в кавитации из-за большой величины давл.ения, создаваемого поверхностным натяжением, к большим, которые уже могут рассматриваться как центры кавитации. Согласно теории односторонней диффузии колебания пузырьков очень малого размера в звуковом поле приводят к быстрому перекачиванию растворенного в жидкости воздуха в пузырек, который в результате этого быстро [c.258]

Характеристикой процесса односторонней диффузии является время т, за которое радиус пузырька удваивается [c.282]

Наложение барьерных слоев. Встречная, а также односторонняя диффузия элементов через границу покрытие —субстрат — основной процесс, приводящий к разрушению (рассасыванию) диффузионных покрытий при службе в условиях высоких температур. Как уже указывалось на нескольких примерах (см. стр. 245), замедлить этот процесс можно с помощью барьерных слоев. Поиск эффективных барьерных слоев — одно из ведущих направлений дальнейших исследований. Правила синтеза барьерных слоев еще мало выяснены. Помимо тугоплавких металлов, таких как тантал, или инертных металлов, таких как медь и серебро, перспективны комбинации элементов, которые образуют между собой жаростойкие соединения. Лучший эффект должны обеспечивать слои, имеющие другую природу химических связей, чем покрытие и защищаемый материал 410]. [c.271]

Вторая стадия является стадией химического взаимодействия между расплавом припоя и твердым металлом, в результате которого устанавливаются прочные связи между атомами соединяемых веществ. Для протекания реакций химического взаимодействия необходима активация поверхности основного металла до энергетического уровня, обеспечивающего это взаимодействие. Решающую роль на этой стадии играют квантовые процессы электронного взаимодействия. Происходит обмен внешними электронами, а также либо односторонний переход атомов из твердого тела в жидкое (случай, когда жидкий припой нерастворим в твердом), либо при взаимной растворимости переход (диффузия) атомов жидкого тела в твердое до насыщения (предела растворимости). [c.173]

Проникновение низкомолекулярных веществ в пленки может рассматриваться как односторонняя или двухсторонняя диффузия. [c.114]

При умеренных амплитудах звука можно теоретически объяснить интересное и имеющее достаточно общий характер явление — рост радиуса пузырька в звуковом поле. В случае газового пузырька этот рост обусловлен так называемой выпрямленной, или односторонней диффузией газа в пузырек. Кратко это явление можно описать следующим образом. Как известно, скорость диффузии растворенного в воде газа пропорциональна градиенту концентрации (закон Фика, аналогичный закону Фурье для теплопроводности) [c.146]

Односторонняя диффузия 146 Оптические ветви колебаний 243 Отражательные решетки ПАВ 320 [c.400]

Таким образом, движущийся активированный комплекс действует как своего рода поршневой насос с односторонне пропускающим клапаном на поршне и обеспечивает перенос вещества в ходе реакционной диффузии, осуществляемой перемещением активированных комплексов. Поскольку активированный комплекс пересыщен точечными дефектами, при его перемещении неизбежно постепенное затухание упругого импульса путем рассеяния комплекса на отдельные, разрозненные точечные дефекты, в дальнейшем принимающие участие в общем процессе диффузии вполне автономно, но уже без участия фактора упругого взаимодействия, стимулировавшего их перемещение в состав комплекса. Кроме того, в ходе своего перемещения активированный комплекс испытывает тормозящее влияние встречающихся на его пути дефектов структуры, мешающих правильной эстафетной передаче искажений. Однако в целом скорость процесса реакционной диффузии с участием активированных комплексов существенно больше, чем в случае участия только автономных точечных дефектов, поскольку участие активированных комплексов означает высокую степень коллективности элементарных актов. [c.9]

Приложение к жидкости переменного по знаку давления (как это имеет место при распространении волны мощного ультразвука) приводит к разрыву жидкости. Образующиеся в местах разрыва маленькие полости под действием звукового поля ведут себя по-разному. Одни из них пульсируют, не меняя содержания парогазовой смеси внутри своего объема, другие интенсивно растут под действием растягивающих напряжений звуковой волны и односторонней диффузии газа КЗ жидкости в полость, третьи начинают смыкаться (захлопываться) под действием сжимающих напряжений звуковой волны с образованием мельчайших осколков пузырьков и развитием больших локальных давлений вблизи мест захлопывания. [c.449]

Колебания пузырька в звуковом поле приводят к особому виду конвекции (называемому односторонней диффузией), вследствие чего перенос массы газа из кидкости в пузырек оказывается возможным и при относительной концентрации [c.263]

Концентрация газа при сжатии пузырька увеличивается, и газ диффундирует из пузырька в жидкость, а при расширении пузырька таким же способом возникает диффузионный поток в обратном направлении. Явление односторонней диффузии объясняется тем, что при расширении пузырька поверхность его больше, чем при сжатии, так что газ входит в пузырек при расширении в большем количестве, чем выходит при сжатии кроме того, скорость диффузии газа от стенки пузырька при расширении [c.263]

Односторонняя диффузия в том виде, как она определена выше, — не единственный механизм массообмена в звуковом поле. Следует учесть еще стационарные акустические течения, возникающие у поверхности пузырька (микропотоки) в результате образования у границы пузырька сдвиговой волны вследствие торможения, вызванного вязкостью в акустическом пограничном слое, толщина которого зависит от частоты колебаний и вязкости среды [c.263]

Рис. 15. Зависимость величины критического звукового давления при односторонней диффузии от радиуса пузырька / = 24,5 кгч i o = 1 атм. С /Ср = 0,85

Рассмотренные закономерности показывают, что при рещешвд задачи, относящейся к диффузионному взаимодействию материала подложки с материалом покрытия, необходимо рассмотреть по крайней мере два случая линейного и параболического законов роста толщйны покрытия. Основным допущением, которое обычно делается при решении этих задач, является предположение, что диффузия односторонняя и испарение вещества с поверхности покрытия отсутствует. Это допущение вполне правомерно, так как оно отражает существо задачи и в какой-то мере упрощает ее решение. [c.134]

Мровец и Бербер выдвинули гипотезу, объясняющую формирование двухслойной однофазной окалины только путем односторонней диффузии ионов металла к наружной поверхности окалины при непременном условии образования микропустот на границе раздела металл—окалина. При этом следует различать две стадии Б образовании окалины. [c.74]

В силу этого одним из основных требований, предъявляемых к принятой методике исследования механизма одностороннего вытеснения из пористых сред смешивающихся жидкостей, являлась возможность установления динамики изменения объема оторочки во времени в результате диффузии и конвекционного перемешивания двух соприкасающихся между собой взаимораствори-мых фаз и на базе этого выявление зависимости между объемом оторочки и коэффициентом отдачи. [c.37]

В ряде процессов (релаксация полимеров, процессы диффузии и т. п.) необходимо оценить изменение подвижности и средний размер частей, составляющих среду, в различные моменты времени. Если эти процессы протекают медленно (1 — 10 с), то единственным способом контроля является метод голографической коррелометрии (МГК), который основан на получении с помощью двулучевой схемы голограммы рассеивающей среды в отраженном свете (при одностороннем доступе). Направление освещения между экспозициями меняется на угол 0, что вызывает регулярный фазовый сдвиг Дфо на элементах рассеивателя и появление в изображении системы эквидистантных интерференционных полос. Так как состояние среды за время т между экспозициями изменится, уменьшится контраст полос. Случайный сдвиг фазы отдельной частицы Дф (G, т) = к Дг (т), где О — угол между направлениями падающей и рассеянной волн Дг — вектор сме-, 2я [c.114]

Отсутствие строгой стехиометричности окислов в кристаллическом состоянии приводит к появлению катионных или кислородных вакансий, и окисные пленки приобретают полупроводниковый характер. В таких поверхностных слоях процессы диффузии получают направленный, часто односторонний характер. Так, например, в окисных пленках на меди доминируют кислородные вакансии, и рост окисной пленки на меди происходит при диффузии атомов меди на ее поверхность. У цинка наблюдается обратное явление. [c.22]

Плавление твердых кристаллических тел в контакте о жидкими (контактное твердожидкое плавление) часто условно называют растворением. Между тем под растюрением понимают переход, односторонний или взаимный, атомов (ионов) от одного тела к другому. Такой переход между веществами в одном агрегатном состоянии происходит путем диффузии и конвекции. Переход атомов (ионов) между твердыми телами и другими телами, находящимися в ином агрегатном состоянии, включает бездиффузион-ную стадию процесса. [c.7]

Эта задача будет рассмотрена для случая, когда на подложку из материала А при температуре Т подается вещество Вив результате односторонней диффузии вещества А в растущее покрытие в последнем образуются две фазы с б< льшим содержанием вещества А (фаза /) и с меньшим содержанием - фаза II. В отличие от задачи однофазной диффузии здесь необходимо определить закон роста слоя фазы I и концентрацию Сд вещества А на поверхности растущего покрытия. [c.127]

Процессы подобного рода иногда называют истинной кавитацией . Когда пузырек велик и его резонансная частота ниже частоты звука, он в звуковом поле совершает интенсивные колебания (при этом могут возбуждаться различные моды колебаний). Такие пузыръкп не захлопываются, во всяком случае за несколько периодов волны. Не захлопываются также пузырьки очень малого размера. Эти большие и очень малые пузырьки взаимодействуют между собой и со звуковым полем таким образом, что возможна медленная односторонняя диффузия газа в пузырек для малых пузырьков и коагуляция больших пузырьков. Последнее приводит к бурному выделению газа из жидкости. Этот процесс иногда также называют газовой кавитацией, хотя он существенно отличается от истинной кавитации . Чаще в отличие от истинной газовой кавитации этот процесс называют дегазацией. В экспериментальных условиях явление осложняется еще и тем, что истинная кавитация и дегазация, как правило, протекают в звуковом поле одновременно. В насыщенной газом жидкости, по-видимому, нет способов (за исключением анализа кавитационных шумов и вторичных эффектов см. далее) отличить дегазацию от истинной кавитации совершенно не ясны процессы влияния истинной кавитации на дегазацию. [c.251]

Временная зависимость порога кавитации определяется различного рода случайными явлениями. В некоторой мере она может быть объяснена односторонней диффузией газа в колеблющийся воздушный пузырек-зародыш, размеры которого значительно меньше резонансного (согласно теории газовой кавитации эти пузырьки не кавитируют при амплитудах звукового давления, меньших давления, создаваемого поверхностным натяжением). В результате односторонней диффузии такой пузырек растет и превращается в зародыш, способный кавитировать. [c.273]

Наряду с истинной кавитацией в недегазированной воде иод действием интенсивного ультраз1вука происходит дегазация. Основными причинами дегазации, по-видимому, являются коагуляция воздушных пузырьков и в меньшей мере односторонняя диффузия газа в колеблющийся пузырек. [c.281]

Из этого соотношения, в частности, следует важный вывод о том, что нузырьки малого радиуса растут довольно быстро, в то время как удвоение радиуса больших пузырьков требует значительного времени. Например в воде, насыщенной воздухом, удвоение радиусов относительно больших пузырьков с Ro = 10 10 см происходит за время от нескольких минут до нескольких часов. Таким образом, односторонняя диффузия приводит к тому, что в звуковом поле начальное распределение пузырьков по размерам быстро меняется в области малых размеров и остается почти стабильным в [c.282]

В соответствии с представлениями о доминирующей роли водорода, внедренного в металл, в качестве количественного показателя воздействия среды применяется концентрация диффузионно-подвижного водорода (ДПВ). В производственной и лабораторной практике нефтегазодобывающих отраслей распространены два основных способа определения наводороживания. При первом в среду одновременно с объектом помещают образец-свидетель, по содержанию водорода в котором после обусловленной экспозиции оценивают наводороженность самого объекта. Во втором — регистрируют поток ДПВ через участок объекта с односторонним наводороживанием и с помощью расчета, принимая во внимание диффузионную проницаемость металла, судят о содержании ДПВ. В обоих случаях точность оценок связана со знанием закономерностей распределения ДПВ в металле и информацией о коэффициенте диффузии ). Имеются сведения, что распределение ДПВ отличается от распределения при концентрационной диффузии по закону Фика [130, 134], а коэффициенты диффузии по разным источникам могут различаться на три порядка [4, 9, 130]. Такое положение сдерживает использование количественных показателей наводороживания в исследовательской практике. [c.45]

Согласно законам Фика для концентрационной диффузии при реализации стационарного процесса наводороживания, когда dHjdt = Q для любого х, количество ДПВ, входящего в элементарный объем, равно количеству выходящего из него ДПВ, если пренебречь скоростью процесса молизации водорода и перехода его в связанное состояние. В случае гомогенного состава пластинь , где коэффициент диффузии D одинаков во всех точках, стационарный поток ЙПВ Ф, через плоскую пластину толщиной t с односторонним НЕВОДОрОЖИВа-нием будет пропорционален градиенту его концентрации [c.46]

Визуальное исследование поверхности образцов после борирования позволило установить, что риски и царапины, нанесенные на поверхность образцов до насыщения, оставались без изменения, не залечивались . На острых гранях и углах диффузионный слой растрескивался после достижения критической толщины, определенной для каждого конкретного случая. Эти признаки свидетельствуют о том, что происходит односторонняя диффузия атомов бора через решетку образующихся боридных фаз к металлу и диффузионные слои растут в результате реакции на границе раздела металл—боридиый слой. Это подтверждается также отсутствием пористости и рыхлости в зоне металла, непосредственно прилегающей к диффузионному слою. [c.191]

А. А. Попов справедливо критиковал В. 3. Бугакова [65] за односторонние взгляды на химическое взаимодействие металла со средой при реактивной диффузии, утверждая при этом, что при химическом взаимодействии скорость роста новых фаз и соотношение их толщин после определенного отрезка времени зависит от интенсивности диффузионных процессов в этих фазах аналогично тому, как это должно было наблюдаться при постепенном насыщении поверхностного слоя внедряемым элементом. Он считает, что попытка В. 3. Бугакова, Д. Я. Глускина и других исследователей доказать возможность образования новых фаз за счет химического взаимодействия поверхности с окружающей средой путем наблюдения (микроскопического и рентгеноструктурного) за последовательностью образования новых фаз в диффузионном слое является заведомо неверной. Следовательно, обычное изучение последовательности образования новых фаз на поверхности изделий в процессе химико-термической обработки не может дать ответа о механизме образования новых фаз, т. е. о том, возникают ли они в результате химического взаимодействия или в результате насыщения поверхности внедряемым элементом [65]. [c.60]

Особенное значение получила в электротехнике односторонняя электропроводность пластинки, состоящей из половинок с разными типами электропроводности (р и п). На этом принципе, иллюстрированном на рис. 7-4, основано действие полупроводниковых вентильных выпрямителей. На рис. 7-4 электроды, на которые может быть подана определенная разность потенциалов, наложены на торцы пластинки (показаны штриховкой). Без создания электрического поля за счет поданных на электроды потенциалов на границе мёжду пластинками с разными типами электропроводности в так называемом р — п-переходе образуется тонкий запорный слой, порядка см, через который не проходят ни электроны, ни дырки . А1еханизм образования этого запорного слоя сводится к следующему физическому процессу. В пластинке с электропроводностью типа р концентрация дырок больше, чем в зоне с электропроводностью п в последней имеется повышенная концентрация электронов. Благодаря этому происходит диффузия 21 ю. в. Корицкий 331 [c.321]

Последний пример является особенно поучительным. Среди многочисленных формулировок второго закона имеется такая самопризвольные процессы необратимы. Из этой формул 1ровки следует, что протекающие сами по себе процессы, к числу которых можно отнести диффузию газов, переход тепла от тела более нагретого к телу менее нагретому при конечной разности температур, расширение газа без производства внешней работы и др., являются процессами односторонними. Действительно, хорошо известно, что процесс разделения газовой смеси (процесс, обратный диффузии) никогда ие протекает сам по себе , т. е. никогда не протекает без дополнительных, компенсирующих процессов совершенно невероятным представляется, например, случай, в результате которого заключенный в каком-либо сосуде воздух вдруг самопроизвольно разделится на азот и кислород. Столь же невероятными представляются и случаи самопроизвольного перехода тепла от тела менее нагретого к телу более нагретому или самопроизвольного сжатия газа. [c.136]

Адгезия полимера с полимером (оба находятся в твердом состоянии или один в вязкотекучем состоянии) часто рассматривается как процесс взаимной или односторонней диффузии молекул. Движущей силой диффузии является разность термодинамических потенциалов молекул вещества. Выравнивание термодинамических потенциалов и приближение к их равновесию достигается благодаря тепловому движению макромолекул. Коэффициент диффузии адгезива (пенитрата) зависит от относительной молекулярной массы, формы молекул и их концентрации. Диффузия пенитрата в субстрат и обратно тесно связана с гибкостью их макромолекул и облегчается со снижением их относительной молекулярной массы. [c.92]

При отвердевании пленки (переходе в стеклообразное состояние) вязкость пленкообразователей достигает 10 —10 Па-с. В этих условиях коэффициент диффузии растворителей крайне мал, обычно не превышает 10 см7с. Это затрудняет диффузионный перенос растворителей особенно на последних стадиях (Армирования покрытий. Вследствие односторонней диффузии в пленке всегда имеет место определенный градиент концентрации растворителя по толщине его содержание возрастает от периферии к подложке. [c.46]

На переднем краю зоны, где температура ниже Тк, излучение по-прежнему неравновесно и справедливо решение типа (7.54), (7,55), в котором Т, S ж и экспоненциально спадают с оптической толщиной. В точке, где температура достигает величины Тк, плотность излучения становится порядка равновесной и поток S порядка стефан-больцма-новского потока аГ. При дальнейшем продвижении по направлению к разрыву поток излучения растет в силу закона сохранения (7.50) пропорционально температуре S Т), т. е. становится меньше стефан-больцмановского потока Это означает, что в области температур, где Т > Тк, односторонние потоки противоположного направления (которые порядка аГ ) в значительной степени компенсируют друг друга, генерация излучения в каждой точке сравнима с поглощением и, следовательно, плотность излучения близка к термодинамически равновесной. Другими словами, в указанной области зоны прогревания излучение находится в локальном равновесии с веществом и перенос излучения имеет характер лучистой теплопроводности. Поток S теперь определяется градиентом температуры и малость его по сравнению со стефан-больцмановским соответствует тому, что температура мало меняется на расстоянии порядка длины пробега света. Чтобы получить решение в зоне лучистой теплопроводности, следует заменить в уравнении диффузии (7.43) плотность [c.417]

Способ ТРФ-гр реализуем и при односторонней диффузии ионов, например, из стекла жилы в оболочку или наоборот. Наименьшие светопотери в ВС при использовании способа ТРФ-гр достигнуты при использовании натриево-боросиликатных стекол [12, 27]. [c.61]

С частотой звука, поэтому в зависимости от выбора частоты и от характера распределения пузырьков по размерам в процессе перекачки в пузырьки растворённого в жидкости газа участвует большее или меньшее их число. Т. о., на этой стадии Д. действует механизм односторонней , или направленной , диффузии, обусловленный колебаниями пузырька. Акустич. микропотокп ускоряют такой массообмен. При кавитации этот процесс ограничивает рост числа пузырьков, тормозя их захлопывание и уменьшая этим формирование новых осколочных пузырьков. Так, при кавитации в расплавленном алюминии за 2,5 периода звуковой волны направленная диффузия водорода повышает давление газа в пузырьке более чем на четыре порядка. Наряду с диффузией увеличение размеров пузырьков может быть обусловлено коалесцен-цией, т. е. слиянием пар или групп пузырьков под действием сил акусто-гидродинамич. происхождения, т. н. сил Бьеркнеса (см. Пондеромоторные силы в звуковом поле). На второй стадии УЗ-вой Д. пузырьки газа, достигнувшие определённого размера. [c.101]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...