Диэлектрик примеры

Структура твердого диэлектрика Примеры диэлектриков Ь при 1 Мгц и 20° С Преобладающий вид диэлектрических потерь [c.76]

Вопрос об определении нагревостойкости электроизоляционных материалов и изделий представляется весьма сложным, так как нагревостойкость не может быть определена каким-то единым параметром. Нагревостойкость материалов с практически достаточной полнотой может быть охарактеризована лишь комплексными испытаниями, причем выбор типов этих испытаний устанавливается условиями, в которых должен эксплуатироваться данный материал. Еще сложнее определение нагревостойкости электроизоляционных материалов и изделий, представляющих собой не химически индивидуальные и однородные вещества, а композиции различных диэлектриков (пример — наполненные и пропитанные материалы, слоистая изоляция и т. п.). [c.265]

По электрическим свойствам тела можно разделить на проводники и диэлектрики. Проводниками называют тела, через которые электрические заряды могут переходить от заряженного тела к незаряженному. Способность проводников пропускать через себя электрические заряды объясняется наличием в них свободных носителей заряда. Примерами проводников могут служить металлические тела в твердом и жидком состоянии, жидкие растворы электролитов. [c.140]

Ом см . Последний пример, в частности, показывает, что при переходе от одной группы веществ к другой значения электропроводности могут перекрываться. Поэтому классификация твердых тел по электропроводности не является совершенно однозначной. Различие между металлами, с одно стороны, и диэлектриками и полупроводниками—с другой, проявляется достаточно четко в ходе температурных зависимостей удельной электропроводности. Для полупроводников и диэлектриков эта зависимость (в некотором интервале температур) описывается выражением вида [c.209]

Вероятность получения одного и того же значения наблюдения при неизменных условиях и при многократных испытаниях партии образцов определяют путем построения дифференциальной и интегральной кривых вероятности. Рассмотрим это построение на примере вероятности пробоя диэлектрика. [c.11]

При низких температурах объемная проводимость твердых диэлектриков может целиком определяться примесями и дефектами структуры. При повышенных температурах. ток утечки может определяться переносом ионов основного вещества диэлектрика. Для облегчения понимания особенностей ионной электропроводности твердых диэлектриков рассмотрим явления, наблюдающиеся при прохождении постоянного тока через кристалл каменной соли, который взят как самый простой и наглядный пример. Ионный характер электропроводности в данном случае предопределяется соотношениями энергий активации ионов и электронов потенциал активации ионов натрия равен 0,85 В, ионов хлора 2,55 В, а электронов 6 Б (при комнатных температурах). Заметная электронная электропроводность в каменной соли может быть обусловлена наличием некоторых примесей и действием ионизирующих излучений, приводящих к отрыву электронов от ионов. В обычных условиях при комнатной температуре подвижность наиболее слабо закрепленных в решетке ионов натрия еще настолько мала, что срыва их электрическим полем из узлов решетки при нормальной ее структуре не происходит. Наблюдающаяся при этом очень малая проводимость носит примесный характер. [c.50]

В качестве примера в табл. 5-2 приведены средние ТК I некоторых электроизоляционных материалов при температуре 20—100 °С. Как видно из табл. 5-2, органические диэлектрики имеют резко повышенные ТК I по сравнению с неорганическими диэлектриками. Поэтому детали, изготовленные из неорганических материалов, имеют улучшенную стабильность размеров при колебаниях температуры. [c.85]

Изучение радиационных эффектов в бумажных конденсаторах с масляной пропиткой и без нее показало, что они на 2—3 порядка более чувствительны к излучению, чем конденсаторы неорганического типа (керамические, стеклянные, слюдяные). Простая бумага является более хорошим диэлектриком, чем бумага с масляной пропиткой, так как масло под действием излучения выделяет газы, которые могут привести к повышению давления, к искажению элементов конденсатора. Примеры таких нарушений показаны на рис. 7.15. [c.375]

Если конденсатор (см. пример 10.6) полностью заряжен и удельное сопротивление диэлектрика равно 10 Ом-см, каким будет суммарный заряд и постоянная времени разряда [c.257]

Испытания с целью выявления причин отказов часто проводятся отдельно для каждого из определяющих видов нагрузок. Типичный пример показан на фиг. 5.11. Прямая линия АВ свидетельствует о наличии одной причины отказов. Излом прямой в точке В говорит о появлении новой причины — такой, например, как обугливание изолятора или пробой диэлектрика из-за ионизации. Высокое напряжение при испытаниях часто вызывает отказы из-за появления коронного разряда. До некоторой [c.244]

В этом уравнении внутренняя энергия, как характеристическая функция, имеет независимые переменные энтропию, объем и момент поляризации диэлектрика, т. е. U S, V, Энтальпия, свободная энергия, термодинамический потенциал и их дифференциалы могут быть получены из уравнения (17) таким же путем, как и для магнетика во внешнем магнитном поле, когда совершалась работа расширения (сжатия) вещества (пример 2а). [c.94]

Величина и механизм прохождения электронов через прослойку зависят от типа прослойки. Одним из типичных примеров ДК является туннельный контакт, состоящий из двух одинаковых или разл. сверхпроводников (обычно в виде тонких плёнок), разделённых очень тонким слоем диэлектрика, напр, слоем окисла материала одного из сверхпроводящих электродов. Протекание тока через прослойку в этом случае обусловлено квантовым туннелированием электронов (см. Туннельный эффект.) че- /,мА,. [c.602]

Представление Э. к. в виде суперпозиции мод с дискретным или непрерывным спектром допустимо для любой сложной системы проводников и диэлектриков, если поля, токи, заряды в них связаны между собой линейными соотношениями. В квазистационарных системах, размеры к-рых Л, области, где преобладают электрич. или магн. поля, могут быть пространственно разделены и сосредоточены в отд. элементах Е—в ёмкостях С, Н—в индуктивностях L. Типичный пример системы с сосредоточенными параметрами—колебат. контур, где происходят колебания зарядов на обкладках конденсаторов и токов в катушках самоиндукции. Э. к. в огранич. консервативных системах с распределёнными параметрами С и L имеют дискретный спектр собств. частот. [c.544]

Диэлектриками называются вещества, основным электрическим свойством которых является способность поляризоваться в электрическом поле. Электроизоляционными материалами называют диэлектрические материалы, предназначенные для создания электрической изоляции токоведущих частей электротехнических установок. Изолятором называется изделие из электроизоляционного материала, задачами которого являются крепление и изоляция друг от друга проводников, находящихся под различными потенциалами пример — изоляторы воздушных линий электропередачи. Электрической изоляцией называется электроизоляционная система определенного конкретного электротехнического изделия, выполненная из одного или нескольких электроизоляционных материалов. [c.158]

В качестве примера рассмотрим более подробно модель зарядовой деградации МДП-структур с толщиной двуокиси кремния 10... 100 нм на начальном этапе инжекции заряда в диэлектрик, разработанную для многослойных структур и анализа процессов зарядовой деградации в локальных областях зарядовых дефектов, с аномальными характеристиками зарядовой нестабильности [43]. [c.137]

В табл. 1.3.3 приведены примеры применения основных методов неразрушающего контроля для оценки выявляемости дефектов нарушения сплошности. В качестве объектов контроля выбраны наиболее массовые изделия из ферромагнитных и неферромагнитных материалов, а также из диэлектриков. Каждый метод контроля оценивается экспериментально по пятибалльной системе. [c.34]

Режимы резонансного полного отражения присущи не только решеткам волноводного типа. Ими обладают также другие периодические структуры, лежащие в (на) слоистой диэлектрической среде. В качестве примера можно привести двухслойную бесконечно тонкую ленточную решетку, разделенную слоем диэлектрика, рассматри- [c.127]

ДВУМЕРНЫЕ ПРОВОДНИКИ — искусственно созданные электропроводянлие системы на границе раздела двух плохо проводящих сред, напр, вакуум — диэлектрик, полупроводник—диэлектрик. Пример Д. п.— слой электронов, удерживаемых над поверхностью диэлектрика с отрицательным сродством к электрону (напр., жидкого Не рис.) силами электростатического изображения (электроны поляризуют диэлектрик и притягиваются к нему), а также внеш. постоянным [c.565]

Наиболее характерна для большей части электроизоляцпонных матерпалов ионная электропроводность. В ряде случаев электролизу при прохождении через диэлектрик сквозного тока утечки подвергается основное вещество диэлектрика примером может служить обычное стекло, в котором благодаря его прозрачности можно непосредственно наблюдать образование и перенос продуктов электролиза при пропускании постоянного тока через стекло, нагретое для повышения проводимостп (см. ниже), у катода образуются древовидные отложения ( дендриты ) входящих в состав молекул стекла металлов, прежде всего натрия. Еще чаще встречаются (по крайней мере, для органических электроизоляционных матерпалов) такие случаи, когда молекулы основного вещества диэлектрика не обладают способностью подвергаться диссоциации, но ионная электропроводность возникает благодаря присутствию в материале практически неизбежных загрязнений — иримесей воды, солей, кислот, щелочей и пр. Даже весьма малые, с трудом обнаруживаемые химическим анализом примеси способны заметно влиять на проводимость диэлектрика поэтому при изготовлении диэлектрических материалов и вообще в технике электрической изоляции важное значение имеет чистота исходных продуктов и чистота рабочего места. У диэлектрпков с ионным характером электропроводности строго соблюдается закон Фарадея, т. е. пропорциональность количества прошедшего через материал электричества количеству выделившегося при электролизе вещества. [c.16]

В ряде случаев электролизу подвергается основное вещество диэлектрика примером может служить стекло, в котором благодаря его прозрачности можно непосредственно наблюдать выделение продуктов электролиза — при пропускании постоянного тока через стекло, нагретое для уменьшения вязкости и повышения проводимости, у катода образуются характерные ветвистые отложения ( дендриты ) входящих в состав стекла металлов, чаще всего натрия. Образование ден-дритов наблюдается также и в щелочно-галогенидных кристаллах при длительном пропускании через них постоянного тока при повышенной температуре. [c.53]

При начальной концентрации ионов riei = 10 м и температуре 3000° К в присутствии частиц диэлектрика, заряженных первоначально, как в примере на стр. 449, 2000 дырок каждая, Пд, согласно уравнению (10.92), уменьшается до м . Если частицы первоначально нейтральны, то вследствие термоэлектронной эмиссии концентрация свободных электронов стремится увеличиться. Частицы, первоначально имеющие отрицательный заряд, способствуют повышению концентрации свободных электронов (фиг. 10.10). Время достижения нового уровня концентрации в этом примере зависит от распределения твердых частиц. Для электростатической дисперсии на длине от 1 ai до 1 л требуется 10 сек [728]. [c.463]

Электронная структура атомов, образующих твердое тело, не единственный фактор, обусловливающий различие в заполнении зон. На примере Na l мы видели, что важную роль играет природа химической связи. Характер заполнения энергетических зон зависит также и от структуры кристалла. Так, например, углерод в структуре алмаза — диэлектрик, а углерод в структуре графита обладает металлическими свойствами. [c.231]

В твердых диэлектриках, имеющих определенного рода дефекты, возможна электронная поляризация, обусловленная тепловым движением. Механизм такой поляризации рассмотрим на примере кристалла ТЮа (рутил), содержащего анионные вакансии. Двухмерная модель структуры Т1О2 с анионной вакансией изображена на рис. 8.7. [c.288]

Другим примером искусственной анизотропии является анизотропия, возникающая в веществе под влиянием внещнего электрического поля. Этот вид анизотропии был открыт в 1875 г. Керром и носит название эффекта Керра. Вначале двойное лучепреломление в электрическом поле было обнаружено в твердых диэлектриках при помещении их между пластинками заряженного конденсатора. Однако было сомнение в том, что электрическое поле в данном случае играет косвенную роль и двойное лучепреломление появляется в результате механической деформации, вызванной полем (явление электрострикции >). Непосредственное влияние электрического поля было установлено после того, как явление двойного лучепреломления было обнаружено в жидкостях, в которых статическое сжатие не вызывает оптической анизотропии. Впоследствии (1930) двойное лучепреломление под действием электрического поля было найдено в парах и газах. Хотя эти измерения гораздо сложнее, чем измерения в жидкостях, поскольку эффект мал, однако теория эффекта Керра применима к ним с меньщнми допущениями. [c.65]

В качестве примера нелинейной консервативной колебательной системы с одной степенью свободы рассмотрим электрический колебательный контур без затухания с конденсатором, в котором нет линейной зависимости напряжения от заряда. Подобными нелинейными свойствами обладают конденсаторы, в которых в качестве диэлектрика используются материалы, имеющие сег-нетоэлектрические свойства, и емкости, возникающие в р п-переходах (например, в полупроводниковых диодах) при обратном напряжении смещения. [c.29]

Совершенно иной подход к выводу формул смеси, не использующий понятие о коэффициенте деполяризации, был предложен Лих-тенеккером [7]. Рассмотрим его на примере смеси двух диэлектриков. [c.160]

Твердые диэлектрики, представляющие собой ионные кристаллы с плотной упаковкой частиц, обладаьзт электронной и ионной поляризациями и имеют диэлектрическую проницаемость, изменяющуюся в широких пределах. Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ионных кристаллов в большинстве случаев положителен. Примером одного из таких диэлектриков служит КС1 (рис. 1-6). [c.26]

М, А. Миллер, Г. В. Пермитин. ВОЛНОВОЙ КОЛЛАПС — явление самопроизвольной концентрации (обычно с последующей диссипацией) волновой энергии в малой области пространства. Может иметь место при распространении разл. типов волн в средах с достаточно высоким уровнем нелинейности. Часто происходит взрывным образом (за конечное время). Примером В. к. является образование в результате эффекта самофокусировки- света точечных фокусов, сопровождающих распространение интенсивных лазерных импульсов в прозрачном диэлектрике, открытое в 1965, В 1972 теоретически предсказан коллапс ленг-мюровских волн в плазме, обнаруженный затем экспериментально. Впоследствии были теоретически изучены коллапсы волн разл. типов в плазме (эл.-магн.,, - геликонных), а также коллапс звуковых волн и др. [c.313]

Примером 3. 1Г. может служить голограмма точечного источника особенностью голограммы как 3. н. является то, что переход от темного поля к светлому осуществляется не скачком, а плавно, приблизительно по синусоидальному закону. Аналогичные устройства могут быть созданы и в диапазоне радиоволн, где благодаря значительно большим длинам волн реализация описанного принципа упрощается и оказывается возможным создание направленных излучателей типа зонных антенн. Л. Н. Капорский. ЗОННАЯ ТЕОРИЯ — один из осн. разделов квантовой теории твёрдых тел. 3. т. описывает движение электронов в кристаллах и является основой совр. теории металлов, полупроводников и диэлектриков [1—4]. [c.89]

Примером квазистационарных систем с неразделёнными магн. и электрич. полями могут служить хорошо проводящие среды, токи проводимости в к-рых заметно преобладают лад токами смещения. Для таких систем характерны эффекты прижатия нолей к поверхностям раздела проводник — диэлектрик (скип-эффект), наличие чисто вкхревых токов, наводимых в массивных провод-ийка х внеш. полями (Фуко токи), и т. п. [c.262]

Металлическое состояние. Основанием для выделения М, в отд. класс веществ служит деление всех веществ по электрич. свойствам на проводники и изоляторы (полупроводники и полуметаллы занимают промежуточное положение). М.— проводники. Однако нек-рые элементы в зависимости от кристаллич. структуры могут быть проводниками (М.), изоляторами (ди- лектриками), полупроводниками или полуметаллами. Примеры 8п (белое олово — М., серое — полупроводник) С (графит — полуметалл, алмаз — диэлектрик, см. Полиморфизм). В результате можно говорить о металлич. состоянии вещества, понимая под этим такое состояние, при к-ром в теле есть достаточно большое кол-во коллективизиров. подвижных электронов (электронов проводимости или свободных электронов), причём их подвижность не есть результат термич. возбуждения если тело в данном состоянии существует вплоть до Г = о К, то и при Т = О К в нем есть электроны проводимости. Наличие электронов проводимости — оояэат. признак структуры М. Представление о М. как о веществе, состоящем из положит, ионов и свободных электронов, достаточно точно отражает строение реальных М. Электроны компенсируют силы отталкивания, действующие между положительно заряженными ионами, и тем самым свявывают их в твёрдое тело или жидкость. Электроны проводимости определяют не только электрич., магн., оптич. и др. типично электронные свойства, но и их теплопроводность, а при низких темп-рах — теплоёмкость. Значительна роль электронов в сжимаемости М. и др. механич. характеристиках, их наличие делает М. пластичным. [c.113]

Наличие мощности Р в законе изменения Э. э. п. (2 ) означает, что эл.-магн. поле может обмениваться энергией с материальными телами, изменяя их внутреннюю (тепловую) и механич. энергии. Примерами передачи Э. э. п. материальным телам могут служить нагрев проводников при протекании электрич. тока (джоулев нагрев) и понде-ромоторное (механическое) воздействие эл.-магн. поля на помещённые в него диэлектрики, магнетики и проводники с током (см. Пондеромоторные силы). Обратный процесс (возбуждение эл.-магн. поля) имеет место, напр., в генераторах эл.-магн. поля (в частности, в динамо-машинах). [c.615]

Величина dtjdp)E характеризует зависимость диэлектрической проницаемости от давления. Для различных диэлектриков эта зависимость имеет различный характер. В качестве примера на рис. 4-4 приведены данные по зависимости е от р для воды. [c.99]

Рассмотрим вопрос о том, каким образом связаны между собой работа конденсатора в процессе изменения его заряда Z с работой поляризации диэлектрика, используемого в этом конденсаторе это рассмотрение проведем на примере плоского кондетеатора. [c.103]

На диэлектрические потери керамики кроме ее природы, строения, температуры оказывает влияние частота поля. Так как керамика в ряде случаев работает как высокочастотный диэлектрик, то необходимо знать частотную зависимость ее диэлектрических потерь. На рис. 11 в качестве примера приведена температурная зависимость при разных частотах для двух видов керамики. Абсолютное значение диэлектрических потерь керамики весьма различно. Наименьшими диэлектрическими потерями обладает керамика с кристаллической структурой плотной упаковки и минимальным содержанием стекловидной фазы. На рис. 12 представлены кривые изменения диэлектрических потерь типичных материалов с развитой стекловидной фазой — типа фарфора, ограниченным количеством стекла — типа муллитокорундовой керамики и, наконец, корунда, почти лишенного стекловидной фазы. Сравнительно низкими диэлектрическими потерями обладает клиноэнстатитовая, форстеритовая и цельзиановая керамика. [c.24]

Иллюстрацнен происходящего преобразования энергии, запасенной в твердом теле с помощью автомобиля без тормозных колодок, разумеется, весьма примитивна. А вот другой пример недавно нам удалось, используя изоморфизм явлений и, в частности, аналогию между напряженным и электрическим состояниями, создать оригинальную теорию электрического пробоя диэлектрика (см. об этом в 32). [c.31]

Явления резонансного отражения поля присущи и другим типам дифракционных решеток, в том числе и не содержащим диэлектрика [29, 53, 64, 68, 70, 76, 223]. Для этого необходимо наличие регулярного участка связи между зоной отражения и прохождения с тем или иным количеством открытых каналов обмена энергией (например, распространяющихся волн или отдельных волноводных щелей). Условием существования этих резонансов является превышение количества каналов связи над количеством волн, распространяющихся в зонах отражения и прохождения. В волноводной электродинамике такие явления называются резонансами на запертых модах [224], частный пример иаибгклее детального исследования их характеристик дан в [225]. [c.62]

Случай Я-поляризации (рис. 124, в, г, кривые которого построены соответственно в областях 1, 1) и 1, 2) на разрезах в плоскости х, б, отмеченных на рис. 121,6 отрезками прямых) дает пример еще более явного различия между влиянием поглощения в неидеальных диэлектриках в зависимости от добротности эффекта полного незеркального отражения. В области [1,1 энергетические потери не превышают 0,7 %, достигая в области 1,2 значений порядка 33 %. Таким образом, геометрические места точек, соответствующих режиму полного незеркального отражения, в областях 1,М , М=, 2,. .., для решеток волноводного типа образуют непрерывные линии на плоскостях х, б (аналогичный вывод справедлив для любой плоскости, координатная система которой определяется произвольной парой независимо изменяющихся параметров). В областях 7V, М) с N > 2, N режимам незеркального отражения с уровнем концентрации не ниже заданного соответствуют лишь отдельные острова в плоскости изменения любых двух независимых параметров. В областях с одинаковым N при возрастании М увеличивается и количество таких островов. Существует возможность достижения практически полного незеркального отражения на одной из гармоник в отдельных точках. При практическом использовании решеток с диэлектрическим заполнением в режиме полного автоколлима- [c.180]

Взвеси малых частиц металлов в диэлектрике и гранулированные металлические пленки обладают особыми оптическими свойствами. Например, давно известно, что малые частицы металлов окрашивают кристаллы в различные цвета. Интересный пример этого дает так называемое интегральное окрашивание при анодном оксидировании алюминия, когда на его поверхности образуется рыхлая пленка AI2O3, содержащая мелкие частицы AI, причем в зависимости от концентрации и размера частиц цвет покрытия изменяется от коричне- [c.286]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...