Микроскоп, схема

Рис. 34. Безлинзовая микроскопия. Схема проекционной голографической установки, на которой была изготовлена голограмма (рис. 33).

Рис. 36. Голографическая микроскопия. Схема восстановления изображения в проекционной микроскопии.

Измерение на микроскопе — Схема [c.578]

Наиболее употребительная в микроскопии схема нормального освещения препарата в проходящем свете и светлом поле называется схемой Келера (рис. 1.10). Коллектор 2 проецирует источник света 1 в плоскость апертурной диафрагмы 4 конденсора 5. [c.20]

Микроскоп, схема 333 Минимизация 581 Минор (определение) 475 [c.775]

Отсчетный микроскоп. Схема отсчетного микроскопа показана на фиг. 25. Миллиметровая или угломерная основная шкала 1, расположенная в предметной плоскости микроскопа, освещается осветителем, состоящим из лампы накаливания 2 и конденсора.5, который дает параллельный пучок света. Объектив 4 дает увеличенное изображение шкалы 1 в плоскости изображений 0—0. В этой плоскости рас- [c.367]

ПРИМЕР ОФОРМЛЕНИЯ ЧЕРТЕЖА КОНДЕНСОРА КОН-4 ДЛЯ ПОЛЯРИЗАЦИОННЫХ МИКРОСКОПОВ (СХЕМА ОПТИЧЕСКАЯ) [c.412]

Конденсор КОН-4 для поляризационных микроскопов Схема оптическая [c.412]

Схема оптической системы микроскопа показана на рис. 14.12. Малый объект АВ помещается вблизи главного фокуса объектива 5 , дающего его увеличенное действительное изображение А В, которое рассматривают через окуляр 5., так, чтобы увеличенное мнимое изображение А"В" получалось на расстоянии наилучшего зрения от глаза или в бесконечности (наблюдение спокойным глазом). Оба способа наблюдения одинаково пригодны. [c.329]

Рис. 15.6. Схема устройства электронного микроскопа.

Для сравнения рядом изображена схема оптического микроскопа. [c.360]

К числу схем, в которых используется прямая голо-графическая запись волновых фронтов, относится и схема голографического микроскопа, приведенная на рис. 32. Объект помещается в расходящийся лазерный пучок. [c.82]

Рассмотрим один из вариантов схемы голографическою микроскопа с предварительным увеличением. Типичная для этого случая оптическая схема голографического микроскопа показана на [1ис., СЗ. Прозрачный [c.84]

Оптическая схема микроскопа Лим-ника типа МИС-11 для измерения методом светового сечения показана на рис. 15. Источник с помощью конденсора освещает щель (0,1 х 1 мм). Линзы и микрообъектив проектируют щель на изделие. Изображение щели наблюдается в микроскоп, состоящий [c.72]

Микроскопы находят применение при контроле интегральных схем и других прецизионных изделий. Наиболее широко применяют стереомикроскопы, их выпускают в двух модификациях, соответствующих схемах Грену и Аббе. [c.83]

Рис. 111. Схема измерения угла поворота Рис. 112. Торсиометр с подвижной сечения И вала относительно сечения I шкалой и микроскопом,

Рис. 3.17. Схема установки для оценки контактной выносливости при обкатке шариками (а) и расположение образцов на магнитной плите (б). 1 — электромагнитная плита 2 — образец 3 — сепаратор 4 — шарик 5 — обойма упорного подшипника 6 — шпиндель 7 — груз 8 — микроскоп 9 — электродвигатель Р — нагружающее усилие п,— частота вращения вала электродвигателя п,— частота вращения шпинделя.

Рис. 4.18. Схема установки для определения прочности соединения покрытия с основным металлом склерометрическим методом. 1 —механизм подачи индентора 2 — микроскоп 3 — покрытие 4 — .образец 5 — предметный столик 6 — кре-, нежный винт 7 — оправка.

Рис. 3.24. Последовательность (а)—(г) состояний материала в вершине усталостной трещины при монотонном растяжении пластины в колонне растрового электронного микроскопа, и схема (д), (е) образования трещины по одной из полос скольжения в результате вращения объема металла перед вершиной трещины

Подробный анализ излома на электронном микроскопе показал следующее. От шпоночной канавки первоначально произошел статический надрыв материала с образованием зоны в форме "языка" в обе стороны от канавки. От одной из таких зон произошло зарождение и последующее распространение усталостной трещины по направлению действия скручивающего момента на валик. Усталостная трещина начала развиваться не от всей зоны первоначального статического разрушения с одной стороны канавки под шпонку, а от ее угла, выходящего на поверхность валика (см. схему на рис. 13.28). Это указывает на то, что нагрузки, которые привели к образованию начальных зон статического надрыва материала по дну канавки, были ориентированы иначе, чем эксплуатацион- [c.702]

Магнитострикционные установки позволяют испытывать проволочные образцы, образцы диаметром 3—4 мм в вакуумной камере при одновременной кино- и рентгеновской съемке их поверхности. Магнитострикционные усталостные установки для асимметричных циклов растяжения-сжатия основаны на том, что если к переменным силам добавить постоянную составляющую, то симметричный цикл нагружения трансформируется в асимметричный. Блок-схема магнитострикционной установки УС-20 [10] для испытания на усталость при асимметричных цик тах показана на рис. 113. Вибратор 1 с собственной частотой 20 кГц жестка соединен с концентратором 2 с такой же собственной частотой. Образец 3 соединен с концентратором накидной гайкой и также имеет собственную частоту 20 кГц. Статическую нагрузку Р прикладывают при помощи стакана 5. Амплитуду колебаний образца измеряют с использованием микроскопа 4. Вибратор питается переменным и постоянным током от генератора 10, амплитуда которого регулируется задающим генераторам 9. [c.199]

Рис. 28. Схема высокотемпературного микроскопа.

Представленная схема хорошо согласуется со многими экспериментальными фактами, обнаруженными методами электронной микроскопии и P А в чистых металлах, подвергнутых интенсивной деформации равноосной формой зерен, значительными искажениями кристаллической решетки, наличием дислокаций высокой плотности в границах зерен и т. д. Вместе с тем закономерности структурных изменений и механизм формирования наноструктур в различных сплавах при интенсивных деформациях остаются еще мало изученными, и их выявление остается актуальной проблемой, требующей дальнейших исследований. [c.47]

На рис. 28 представлен общий вид прибора. На массивном Основании 18 корпуса прибора смонтирована стойка 3, в которой собрана оптическая схема прибора и предметный столик 15. Для перемещения предметного столика в двух взаимно перпендикулярных направлениях служат микровинты 1. Для фиксации положения предметного столика предусмотрена рукоятка 17. Грубую фокусировку на исследуемый объект можно осуществить перемещением столика по вертикали с помощью винта 2, а точную фокусировку — с помощью механизма 16. На стойке 3 смонтированы головка микроскопа 9 и осветительное устройство, содержащее источник света 6, конденсор 7 с полевой и апертурной 5 диафрагмами и фильтр монохроматического света 8. [c.104]

Устройство И схема электронного микроскопа. Схема электроошого микроскопа и схема хода лучей в нем гредставлены на фиг. 61 и 62. Сравнение этой схеь обычного оптического микроскопа значительное сходство. [c.98]

Рис. 318. Схема микропечи для нагрева образцов при наблюдении окисления. под микроскопом

БМИ — большой микроскоп инструментальный. Выпускаются также универсальные микроскопы, в которых вместо микрометрических измерителей применены миллиметровые шкалы с отсчетными спиральными микроскопами. Однако, несмотря на конструктивные различия, принципиальная схема измерения всех микроскопов является общей и заключается в визировании различных точек детален, перемещаемых для этого по взаимноперпендикулярным направлениям, и в измерении этих перемещений посредством тех или иных отсчетиых устройств. Для обеспечения лучшего визирования микроскопы снабжают сменными объективами различной степени увеличения. Рассмотрим конструкцию (рис. 10.17, б) и принцип действия БМИ (рис. 10.17, а). [c.130]

Оптическая схема микроскопа показана на рис. 10.17, . Измеряемую деталь А Б рассматривают через объектив ОБ микроскопа. Изображение детали А Б получается действительным, обратным и увеличенным. Глаз наблюдателя через окуляр ОК видит мнимое, обратное и еще раз увеличенное окуляром изобр1ажстше детали [c.132]

При электронно-лучевой сварке возможно получение швов малых размеров и эти прецизионные швы широко используют- ся в конструкциях раличных радиоэлектронных схем и устройств, где часто процесс сварки приходится вести с применением микроскопа. [c.114]

Погрешность профиля выявляют на эвольвентомерах, сопостав-л яя теоретическую эвольвенту, воспроизводимую прибором, с реальной эвольвентой контролируемого зуба. В приборе типа БВ-5062 (схема VIII табл. 13.1) теоретическая эвольвента воспроизводится образцовым сектором 1, расположенным на одной осп с контролируемым колесом. В качестве линейки обката служит каретка 3, которая связана с сектором с помощью охватывающих его g двух сторон лент 2. Радиус основной окружности меняют при настройке путем изменения положения упора 4, находящегося на измерительной каретке 5. Микроскоп 6 служит для настройки прибора на требуемый радиус основной окружности. [c.332]

Сравнивая дна описанных гол1М ра( 1ических микроскопа с прямой голографической регистрацией но схеме Лейта и с голографической регистрацией, использукпцей предварительное увеличение, можно отметить преимущества и недостатки каждого из них. [c.85]

О преимуществах схемы прямой регистрации уже говорилось, к недостаткам ее можно отнести высокие требования к разрешающей способности регистрирующей среды и сильное влияние пятнистой структуры (спек.л-структуры) на качество изображения. В голографической схеме, использующей микрообъективы для создания увеличенно1 о изображения предмета, требования к разрешающей способности минимальны, пятнистая структура мало влияет на изображение, но поле зрения и глубина регистрируемого пространства определяются свойствами применяемого микрообъектива и оказываются весьма мaJ ыми. Таким образом, обе описанные схемы [ологра-фического микроскопа обладают существенными недостатками, ограничивающими возможностг. их применения при микроскопических исследованиях. [c.85]

Для определения поверхности с параметрами шероховатости Rz = 3,2- - 80 мкм применяют оптический про-филометр Ю. В. Коломийцева, представляющий собой сочетание микро-интерферометра с двойным микроскопом. Его оптическая схема показана на рис. 10. [c.68]

Рис, 15. Оптическая схема микроскопа светового сече- ния Линннка [c.72]

Для измерения неровностей поверхности до 40 мкм разработан растровый-микроскоп ОРИМ-1. Принцип его действия заключается в образовании муаровых полос при взаимном смещении или развороте двух растров, например, в виде решеток. Оптическая схема прибора аналогична схеме двойного микроскопа. При этом вместо щели на поверхность изделия проектируется изображение растра, наблюдаемое с помощью второй ветви оптической системы микроскопа. [c.73]

Минимально обнаруживаемый дефект достигает порядка 0,1 мм в диаметре. Применение металлического вращающегося зеркала увеличивает скорость сканирования в 4 раза по сравнению со стеклянным зеркалом. Возможно контролирование поверхности ма 1ериала, двигающегося со скоростью свы1не 15 м/с. Сканирующие лазерные системы бегущего луча могут также использоваться для получения изображения объектов контроля. Схема лазерного сканирующего инфракрасного микроскопа для контроля внутренних дефектов полупроводниковых материалов с механическим сканированием объекта контроля и неподвижным лучом лазера отличается низким быстродействием, но имеет высокую разрешающую способность. Схема с системой сканирующих зеркал отличается большим быстродействием (до 50 кад/с при 200—400 строках разложения телевизионного изображения), однако наличие полевых аберраций оптической системы приводит в этом случае к снижению пространственного разрешения. [c.96]

В последнее время предложена схема лазерного сканирующего микроскопа — зонда, в котором регистрируется не прошедшее через объект или отраженное от него излучение лазера, а возбужденный им в полупроводнике фотоэлектрический эффект (фотоответ). На экране кинескопа в этом случае наблюдают изсбражения, яркость отдельных точек которого пропорциональна величине фотоответов полупроводника на световое воздействие в соответствующих зонах. Метод перспективен для контроля интегральных схем. [c.96]

Кривые контактной усталости при пульсирующем контакте строятся для партии одинаковых образцов, испытанных при одинаковых средних напряжениях цикла (агтах)т- За критерий разрушения при испытаниях по схеме пульсирующий контакт принимается интервал времени до образования микротрещин в зоне контакта. Но так как фиксация первой микротрещины затруднительна и при исследовательских испытаниях допустимы иные критерии разрушения, то нами рекомендуется использовать момент образования пит-тингов по контуру пятна контакта. Для более точного определения числа циклов нагружения, при котором образуются первые питтин-ги, в процессе испытания образца строится график Нц = /(Л ц)> где Нп — диаметр пятна контакта (мкм), измеряемый с помощью микроскопа, Мц — число циклов нагружения (рис. 3.16). В момент ускорения питтингообразования (начало третьей стадии развития разрушения) происходит резкое увеличение пятна контакта, что означает начало разрушения при заданном уровне напряжения цикла. Определив таким образом количество циклов нагружения, при которых происходит контактно-усталостное разрушение на различных уровнях напряжений, строится график контактной усталости в координатах а тах = [c.47]

Узел крепления плоских призматических образцов испытательного комплекса, установленного в Лаборатории ИГД СО АН СССР представлен на фото 16. Образцы нагружаются по схеме трехточечного изгиба (рис. 8.6). Усилие, приложенное к образцу, передается через кольцо 2 на четырехлепестковый упругий элемент i и с помощью тензодатчиков 6 преобразуется в электрический сигнал, который через тензометрический усилитель воспроизводится по координате У двухкоординатного самопишущего прибора. Показания тензодатчика нагрузки тарируются с помощью динамометра сжатия. Величина прогиба образца в точке приложений силы фиксируется тензодатчиком 4, наклеенным на упругую пластину, 5. Тарировка датчика производится микрометрическим глубиномером с точностью 0,01 мм. С помощью микроскопа 5 осуществляется визуальный контроль за процессом разрушения. [c.141]

Схема микроскопа (рис. 28) состоит из объектива 1 (МИМ-13С0), плоскопараллельной пластинки 2, систем отражательных зеркал 3 и 4, монохроматического фильтра 5 и окуляра 6. Система зеркал 3 имеет возможность перемещаться по специальным направляющим, удлиняя или укорачивая длину тубуса микроскопа. Изменение длины тубуса дает возможность плавно менять увеличение микроскопа в довольно широких пределах. [c.86]

В 10—30-х годах текущего столетия были опробованы методы микроскопического анализа изучение под микроскопом поперечного шлифа электролитически покрытой поверхности, измерение под микроскопом неровностей поверхности по репликам из желатина и т. д. Предпринимали попытки косвенной оценки неровностей поверхности по потерям энергии маятника при торможении его неровностями поверхности во время качания, по разности размеров деталей до и после доводки, по предельному углу регулярного отражения света, по теневой картине поверхности на экране с увеличенными изображениями поверхностных дефектов, по расходу воздуха через участок контакта сопла с испытуемой поверхностью, по четкости изображения растра на испытуемой поверхности или на экране после отражения от нее светового пучка, по электрической емкости контактирующей пары испытуемая поверхность — диэлектрик с нанесенным слоем серебра , по нагрузке на индентер при определенном его сближении с испытуемой поверхностью, по изображению мест плотного соприкосновения призмы с неровностями поверхности и т. д. Были опробованы методы исследования рельефа поверхности с помощью стереофотограмм и стереокомпаратора. На производстве в этот период доминировали органолептические методы контроля визуальное сравнение с образцом, сравнение с помощью луп, сравнение на ощупь ногтем, краем монеты и т. п. В 30-х годах был предложен и реализован в двойном микроскопе метод светового сечения (Линник, Шмальц), а также метод микроинтерференции и основанные на нем микроинтерферометры, сочетающие схемы микроскопа и интерферометра Майкельсона. В этот же период [c.58]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...