Диэлектрик совершенный

Многие пластмассы, являясь диэлектриками, совершенно не подвергаются электрохимической коррозии и очень стойки при воздействии различных химических агрессивных сред. Некоторые из них (политетрафторэтилен) по химической стойкости превосходят золото и платину. Поэтому пластики являются незаменимыми коррозионностойкими материалами. [c.141]

Теория когезии в хороших ковалентных диэлектриках совершенно аналогична теории химической связи в молекулах ) и выходит за рамки настоящей книги ). Способ, посредством которого электростатическим силам удается скрепить воедино ковалентные кристаллы, оказывается значительно более тонким, чем простое электростатическое притяжение между точечными ионами, столь [c.39]

Совершенно очевидно, что специалисты, заканчивающие университеты по специальности Физика , Полупроводники и диэлектрики и некоторым другим, а также технические вузы по специальности Технология материалов электронной техники , Полупроводниковые и микроэлектронные приборы и т. п., должны обладать глубокими знаниями в области физики твердого тела. [c.6]

Ом см . Последний пример, в частности, показывает, что при переходе от одной группы веществ к другой значения электропроводности могут перекрываться. Поэтому классификация твердых тел по электропроводности не является совершенно однозначной. Различие между металлами, с одно стороны, и диэлектриками и полупроводниками—с другой, проявляется достаточно четко в ходе температурных зависимостей удельной электропроводности. Для полупроводников и диэлектриков эта зависимость (в некотором интервале температур) описывается выражением вида [c.209]

Задача отыскания результирующего магнитного момента в магнитном поле совершенно аналогична задаче о нахождении электрического дипольного момента диэлектрика, содержащего диполи в электрическом поле. Энергия магнитного диполя М в магнитном поле с индукцией В [c.325]

При низких температурах теплопроводность твердого тела существенно зависит от количества и типа примесей, дефектов решетки. Это обусловлено тем, что при низких температурах электроны в металлах сильно рассеиваются на дефектах атомного масштаба, а фононы в диэлектриках — на дефектах с размерами несколько сотен межатомных расстояний. В совершенных диэлектрических кристаллах при температурах около 1 К длина свободного пробега фононов сравнима с размерами образца (обычно равна примерно 5 мм). В этом случае теплопроводность зависит от характера процессов рассеяния фононов на границах образца и его размеров. [c.339]

Естественные полупроводники. Полупроводниками называются кристаллы, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью проводников и диэлектриков и имеет совершенно другую, чем у обычных проводников, зависимость от температуры. [c.341]

Туннелирование электронов через диэлектрический слой. Если два обычных проводника или сверхпроводника разделены тонким слоем диэлектрика толщиной 1- 2 нм (рис. 141), то через такой слой под влиянием сторонней ЭДС протекает электрический ток, вольт-амперная характеристика которого совершенно различна для нормальных проводников (сплошная линия) и сверхпроводников (штриховая линия) (рис. 142). По причинам, которые сейчас станут ясными, тонкий слой диэлектрика, разделяющий два проводника, называется туннельным контактом. [c.375]

В жидких диэлектриках механизм пробоя очень сильно зависит от чистоты жидкости. С этой точки зрения можно говорить о трех степенях чистоты 1-я — диэлектрики загрязненные, содержащие эмульсионную воду и твердые механические загрязнения 2-я — диэлектрики технически чистые, практически не содержащие эмульсионной воды и механических загрязнений (последние могут попасть в жидкость чисто случайно) 3-я — диэлектрики особо тщательно очищенные, совершенно не содержащие воды и механических загрязнений и хорошо дегазированные. [c.68]

В то время как к пассивным диэлектрикам предъявляются требования сохранения стабильности свойств при различных внешних воздействиях, к диэлектрикам, выполняющим активные функции управления энергией или преобразования поступающей информации, предъявляются требования совершенно противоположные. Чем сильнее изменяются свойства материала при внешних возмущениях, тем лучше такой элемент выполняет свои функции. [c.242]

Этим методом в настоящее время сваривают материалы толщиной до 5 мм. Однако такие наиболее совершенные диэлектрики, как фторопласт (тефлон), полиэтилен, полистирол и некоторые 202 [c.202]

Рассмотрим в этом параграфе термодинамические свойства поляризующихся сред (диэлектриков), помещенных во внешнее электрическое поле Е. Как известно из электродинамики, полная элементарная работа, совершенная источниками электрического поля при изменении вектора индукции на Я), отнесенная к одному молю для [c.79]

Пластики — прекрасные диэлектрики в условиях использования постоянного и переменного тока. Они широко применяются как высокочастотные диэлектрики и в этом отношении являются единственными совершенными материалами, используемыми в радиосвязи, телевидении, локации и т. д. [c.141]

В заключение отметим, что совершенно аналогичный механизм поверхностного разрушения (шелушения) вследствие местных тепловых напряжений имеет место в ряде других физических явлений, например, при воздействии интенсивных электромагнитных полей высокой частоты на хрупкие диэлектрики. Разрушение метеоритов в земной атмосфере в некоторых случаях, несомненно, также относится к этому классу явлений. [c.486]

Ковалентные кристаллы полупроводников (типа кремния) в отличие от ионных кристаллов — диэлектриков —прозрачны в инфракрасной области спектра, так как энергия квантов этой частоты недостаточна для возбуждения свободных электронов. Поэтому кремний и германий па частотах 10"—10 Гц используются как весьма совершенные и прозрачные материалы оптических элементов инфракрасной техники. Следовательно, эти типичные полупроводники в определенном частотном диапазоне играют роль весьма совершенных диэлектриков, в то время как обычно применяемые в оптике стекла и ионные кристаллы в инфракрасной области сильно отражают и поглощают электромагнитные волны (в этом диапазоне находятся собственные частоты колебаний кристаллической решетки). [c.17]

Любой способ передачи энергии, связанный с изменением внешних параметров системы, называется работой. Например, расширение газа происходит при изменении объема. При этом на преодоление сопротивления внешних тел расходуется часть энергии системы. В данном случае понятие работы совпадает с аналогичным механическим понятием Или при изменении напряженности электрического поля изменяется поляризация веш,ества. О передаче энергии свидетельствует охлаждение или нагревание диэлектрика. Количество энергии, переданной при совершении работы, также называется работой. [c.63]

Пусть внешние заряды размещены в пространстве с плотностью р, а диэлектрик находится между ними, возможно, в каком-нибудь сосуде. В состоянии термодинамического равновесия диэлектрик должен распределиться в пространстве и поляризоваться совершенно определенным образом, зависящим от расположения внешних зарядов, стенок сосуда и от величины энергии всей системы. Температура при этом будет везде одинаковой, ее можно задать заранее (вместо энергии), что всегда и делают на практике. [c.155]

Магнетик в чисто магнитном поле можно рассмотреть совершенно так же, как диэлектрик. Тем не менее проведем все исследование заново, учтя одно явление, на которое мы намеренно не обратили внимания в случае диэлектриков, хотя оно встречается и у них. [c.165]

Диэлектриками называют вещества, не пропускающие электрический ток. Однако, строго говоря, веществ, которые совершенно не пропускали бы электрический ток, нет. Даже в слабых полях практически во всех диэлектриках имеется хотя бы небольшая электрическая проводимость, обусловленная наличием заряженных примесей, дефектов строения и пр. Электрическое удельное сопротивление диэлектриков очень велико и составляет 1010—10 ом-см проводимость же очень мала, (10 — —10 ом -см ).С повышением напряженности электрического поля до десятков и сотен киловатт на 1 см длины даже в хороших диэлектриках проводимость возрастает, и они пробиваются. [c.7]

Большие успехи оптики в изучении широкого диапазона ультрафиолетовых, видимых и инфракрасных излучений и их взаимодействия с веществом, достигнутые в последнее десятилетие, позволяют разработать совершенно новые способы визуализации и измерения магнитных полей, обусловленных дефектами. Особых результатов можно ожидать при применении метода трансформации магнитного потока в зоне расположения дефекта с помощью синтезированных монокристаллов ферромагнитных диэлектриков иттрия [c.229]

Формулу Лорентц—Лоренца можно получить, если исходить из электромагнитной теории и рассматривать связь преломления с собственными частотами колебаний электронов в молекулах, а также совершенно независимо — на основании теории поляризации диэлектриков. [c.677]

Именно такими формулами описывается действие электрического поля Е на диэлектрик с диэлектрической проницаемостью [22]. Переход к случаю разрывного распределения или р осуществляется в обоих случаях совершенно одинаково, с добавлением сил поверхностного натяжения. Такая же аналогия имеется и между действием вибраций и действием магнитного поля на неоднородный парамагнетик. В частности, при помещении слоя магнитной жидкости в постоянное внешнее магнитное поле, нормальное к слою, на ее поверхности возникает [c.130]

Электромагнитные волны в совершенном диэлектрике [c.16]

В однородном совершенном диэлектрике при 0 и g = 0 уравнения Максвелла принимают вид [c.16]

При гармоническом изменении во времени Е ш Н уравнения Максвелла для совершенного диэлектрика принимают вид [c.17]

На рис. 5 показана плоская электромагнитная волна в совершенном диэлектрике при гармоническом изменении и Я и отсутствии волны, движущейся в отрицательном направлении оси X. [c.17]

Рис. 5. Плоская электромагнитная волна в совершенном диэлектрике.

Временные зависимости удельного объемного электросопротивления титаносодержащей керамики имеют совершенно иной характер, нежели временные зависимости удельного объемного электросопротивления многих других диэлектриков каменной соли, кальцита, стекол. Для этих диэлектриков имеет место увеличение удельного объемного электросопротивления со временем в связи с эффектом так называемой высоковольтной поляризации. [c.64]

Следует отметить, что при переменном напряжении, в отличие от постоянного, емкость диэлектрика с большими потерями становится совершенно условной величиной в зависимости от выбора той или иной эквивалентной схемы. Отсюда и диэлектрическая проницаемость материала с большими потерями при переменном напряжении также условна. [c.76]

В так называемых электролитических конденсаторах с твердым диэлектриком совершенно не используют электролит. Пленку диэлектрика получают электролитическим способом, как и в старых электролитических конденсаторах, однако вместо жидкого электролита или пасты используют твердотельные полупроводники диоксид марганца МпОг, диоксид свинца РЬОг или сульфид кадмия Сс18. Это позволило избавиться от таких недостатков старых электролитических конденсаторов, как высыхание при высокой температуре и замерзание при низкой. Новые конденсаторы обладают такими достоинствами, как стабильность диэлектрических свойств, большая долговечность, малые габаригы. [c.141]

Если время установления поляризации т значительно меньше периода изменения электрического поля 1/f и Р успевает следовать за Е, то энергия на поляризацию за период не затрачивается работа, совершаемая при подаче электрического поля, полностью отдается диэлектриком при снятии поля, и PdE = u. В случае, когда т сравнимо с 1/f, поляризация не успевает полностью установиться за период изменения поля, поляризованность Р отстает по фазе от напряженности Е, и 0 (рис.4.15). Таким образом, на поляризацию затрачивается энергия электрического поля, переходящая в диэлектрические потери. Наконец, при т>1// поляризация совершенно не успевает установиться за полупериод изменения электрического поля, меняющего знак, и Р=0, откуда PdE = 0. [c.109]

Совершенно иной подход к выводу формул смеси, не использующий понятие о коэффициенте деполяризации, был предложен Лих-тенеккером [7]. Рассмотрим его на примере смеси двух диэлектриков. [c.160]

Замечательной ос бенностью-ферритов является их высокое электрическое сопротивление, превышающее сопротивление металлических ферромагнетиков в 10 —раз. Эта особенность позволила разрешить казалось бы совершен[ю непреодолимую трудность, возникшую в технике высоких и сверхвысоких частот (ВЧ и СВЧ техника) в вопросе использования магнитных материалов. Дело в том, что в большинстве радиотехнических устройств, в которых применяются магнитные поля, для усиления этих полей в катушки с током помеш,ают сердечники (магнитопроводы) из ферромагнитных материалов. При питании катушек постоянным током сердечники можно изготовлять из сплошного ферромагнетика, например железа, пермаллоя и др. При питании же переменным током, особенно повышенной частоты, такие сердечники уже непригодны, так как при перемагничивании в них возникают сильные вихревые токи, которые не только увеличивают потери энергии и снижают к, п. д. устройств, но и могут настолько нагревать сердечник, что устройство перестает работать или даже выходит из стрэя. Поэтому сердечники изготавливают из тонких листов и мелких частиц ферромагнетиков, изолированных друг от друга. Это позволило значительно уменьшить вихревые токи, но не сняло всех трудностей, связанных с потерями, скин-эффектом и т. д., особенно сильно проявляюш,ихся на высоких и сверхвысоких частотах. Успех был достигнут лишь с разработкой ферритов, сочетающих в себе магнитные свойства ферромагнетиков с электрическими свойствами диэлектриков. [c.302]

Температурная зависимость теплопроводности всех исследованных нами жидкостей по своему характеру dkldt < 0) является продолжением нисходящей ветви кривой К = f t) для кристаллического диэлектрика и совершенно противоположна виду аналогичной функции в газах (dkldt > 0). [c.86]

Сварка токами высокой частоты отличается высокой производительностью, экономичностью и хорошим качеством соединений (табл. 19). Этим методом в настоящее время сваривают материалы толщиной до5жлг. Однако такие наиболее совершенные диэлектрики, как фторопласт-4 (тефлон), полиэтилен, полистирол и некоторые [c.167]

Изгиб плоскости с эллиптическим включением. Как известно в теории гармонического потенциала, однородное электрическое поле вызывает также однородное поле в диэлектрике, если последний по форме представляет собой эллипсоид. Это обстоятельство было использовано в работе [64] и здесь для решения аналогичной упругой проблемы, описываемой бигармоническим потенциалом. Можно показать, что для плоского включения эллиптической формы имеет место более сильный результат если на бесконечности напряжения представляют собой полиномы некоторой степени, то внутри включения напряжения также являются полиномами той же степени. Аналогичный результат справедлив в отношении электрических, магнитных, тепловых, фильтрационных и других полей, описьшае-мых теорией гармонического потенциала, а также для аналогичных пространственных задач в случае инородного эллипсоида как в теории потенциала, так и в теории анизотропной упругости. Чтобы сделать доказательство более простым и наглядным, ограничимся конкретным случаем чистого изгиба. Общий гармонический и бигармонический случаи рассматриваются совершенно аналогично. [c.117]

Первые попытки применения квантово-механической теории энергетического состояния электронов в диэлектриках и полупроводниках к интерпретации фотохимических и фотоэлектрических явлений в щелочно-галоидных кристаллах принадлежат П. С. Тар-таковскому [71]. На основе имевшихся в то время экспериментальных данных и общих соображений об энергетических уровнях в кристаллах Тартаковским впервые была построена схема энергетических уровней для ряда щелочно-галоидных соединений с учетом локальных электронных состояний различных центров окраски. Анализируя электронные переходы между различными уровнями энергии кристалла, можно было объяснить ряд оптических и фотоэлектрических свойств окрашенных кристаллов ще-лочно-галоидных соединений с единой точки зрения. Однако в отличие от полупроводников, для которых свет в области их фундаментального поглощения является фотоэлектрически активным, в щелочно-галоидных кристаллах не наблюдается внутреннего фотоэффекта под действием света в области первой полосы собственного поглощения. По этой причине попытки применения зонной теории к толкованию всей совокупности явлений, связанных с собственным поглощением, фотопроводимостью и люминесценцией щелочно-галоидных кристаллов наталкивались на существенные затруднения. Некоторые фундаментальные экспериментальные факты относительно свойств окрашенных щелочно-галоидных кристаллов не получили объяснения ни в энергетической схеме Тарта-ковского, ни в подобных более всеобъемлющих схемах, предлагавшихся позднее. В частности, оставалась совершенно непонятной сама возможность образования в кристалле столь устойчивой окраски под действием света или рентгеновых лучей, какая в действительности наблюдается у щелочно-галоидных кристаллов. В самом деле, при образовании в процессе фотохимического окрашивания свободных электронов, локализующихся затем на уровнях захвата, в верхней зоне заполненных уровней энергии должны образоваться свободные положительные дырки. Вследствие диффузии этих дырок в верхней зоне заполненных уровней вероятность их рекомбинации с электронами, локализованными в центрах окраски, должна быть достаточной, чтобы кристалл быстро обесцветился даже в темноте. Между тем, известно, что окраска кристалла весьма устойчива и сохраняется в темноте очень продолжительное время. Возможность локализации положительных дырок в предлагавшихся квантово-механических моделях не рассматривалась. [c.30]

Пробой диэлектриков иосит либо тепловой, либо электрический — лавинный характер. Механизм теплового пробоя — постепенный разогрев участка диэлектрика, падение его сопротивления и термическое разрушение. Развитие теплового пробоя в зависимости от перенапряжения изменяется от нескольких секунд до сотых долей секунды. Электрический пробой является электроннолавинным процессом и происходит за 10 —10 сек. Проводимость и пробивное напряжение диэлектриков сильно зависят от чистоты и структуры вещества. Если у металлов технической чистоты проводимость составляет 80—99% проводимости идеального монокристалла, то у диэлектриков пробивное напряжение и изоляционные свойства составляют обычно не более 10% установленных на совершенных образцах. [c.320]

График падения потенциала в функции расстояния от электрода У представлен на рис, 2.14 ломаной PQR, а график значений Е — ломаной KLMNT тангенсы углов р, и р2 пропорциональны значениям Ei и 2 соответственно. Если бы в пространстве между обкладками конденсатора У и Z находился только один диэлектрик (с совершенно произвольной 8,), то мы имели бы случай npo t eftmero плоского конденсатора с однородным полем в этом случае падение потенциала определилось б пунктирной прямой PR, а напряжённость поля — пунктирной горизонтальной прямой ST, а напряженность поля во всем объеме диэлектрика между электродами была бы одинаковой и равной E—Ulh, причем Pi[c.24]

Оксидные конденсаторы имеют при малых размерах и массе высокую емкость благодаря малой (до 1 мкм) толщине диэлектрика и значительной (порядка 10) е оксида ЛЬОц. Еще более совершенными являются танталовые (г оксида Та.зОб — около 27) и ниобиевые (е оксида НЬ-гОд — порядка 40) оксидные конденсаторы. В радиоэлектронике распространены также тонкопленс1 нь е конденсаторы, в которых диэлектриком является наносимая методами вакуумной технологии на проводящую подложку пленка 5102, ТагОд, ЫЬ./Од и других оксидов. [c.206]

Если известна зависимость Р. Е.), то при заданном В. (/) можно вычислить величину (V.S.). При положительном значении (E, dldt)P.) приток энергии излучения в элемент объема превосходит количество энергии излучения, вытекающей из этого объема. При стационарном процессе среднее по времени изменение внутренней энергии должно равняться нулю, так что в этом случае происходит постоянная отдача энергии из данного элемента объема в окружающую среду. Такая отдача может совершаться либо путем теплообмена, либо при совершении работы (см. разд. 1.23) примерами могут служить комбинационное и бриллюэновское рассеяния (см. гл. 4). С другой стороны, при некоторых процессах выражение (E. d/dt)P,) может быть пренебрежимо малым, так что эти процессы могут описываться уравнением (V.S.) = О, которое справедливо для получения высших гармоник (см. разд. 3.2) и для параметрического взаимодействия волн (см. разд. 3.3) в области прозрачности диэлектрика. Однако соотношение (V.S. ) = О означает выравнивание баланса полной входящей и выходящей энергии излучения лишь в среднем одни частотные компоненты могут энергетически усиливаться за счет других, если излучение состоит из набора частот. [c.85]

Для вакуума и совершенного диэлектрика, используя систему единиц МК5А, получают величины, сведенные в табл. 1. [c.17]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...