Диэлектрики активирование

Возможно более высокая теплопроводность активированного диэлектрика, необходимая, чтобы избежать его перегрева во время работы ОКГ технологическая возможность получения требуемой формы активных элементов. Активированный диэлектрик должен быть оптически весьма однородным с тем, чтобы рассеяние на неоднородностях было незначительным. [c.219]

Активированные диэлектрики выполняются из стекол различного состава с малыми потерями и с, высокой оптической однородностью. В качестве активаторов для стекол применяют ионы редкоземельных металлов (при комнатной температуре), Tb Yb (при температуре жидкого азота) и др. однако техническое значение по преимуществу имеют неодимовые стекла. Использование в качестве активатора неодима объясняется наличием у таких стекол узкой полосы [c.222]

Процесс активирования заключается в том, что на поверхности диэлектрика, сенсибилизированной двухвалентным оловом, про исходит реакция восстановления ионов каталитического металла (палладия) по реакции [c.39]

Отметим, что такая же температурная зависимость обычно наблюдается для времени диэлектрической релаксации (см. формулу (3.3)) и вообще характерна для термически активированных процессов. На рис. 2.7,в,г показаны температурные зависимости долговечности полимера и керамического диэлектрика, которые оказываются подобными. [c.56]

Бомбардировка полимера электронами, активированная электрическими разрядами. Электроны, ускоренные электрическим полем в области разряда (в газовом включении или в зазоре между металлическими электродами и диэлектриком), приобретают энергию, достаточную для внедрения в полимер и его химического разложения. [c.60]

Химическим методом можно покрывать никелем пластические массы и различные диэлектрики. При этом необходима предварительная обработка покрываемой поверхности растворами хлорида олова (сенсибилизация) и хлорида палладия (активирование). [c.195]

Электреты из титаната кальция и из люминофора — сульфида цинка, активированного медью, могут быть получены при воздействии на диэлектрик одного только [c.255]

Рис. 26. Частицы химически осажденного никелевого покрытия на активированном диэлектрике в начальной период формирования покрытия [2].

По результатам вышеупомянутых работ можно выделить три стадии в формировании металлического покрытия на активированной поверхности диэлектрика 1) начальный период, во время которого на частицах катализатора образуется оболочка из осаждаемого металла 2) период образования сплошного покрытия путем сливания частиц, при этом скорость осаждения имеет максимальное значение из-за большой поверхности 3) рост сплошного покрытия, протекающий с постоянной скоростью, характерной для данного раствора химической металлизации. [c.57]

Восстанавливающая способность формальдегида возрастает с увеличением щелочности среды. Каталитическая реакция на поверхности Си протекает при комнатной температуре при pH > > 10 10,5. Для начала этой реакции на активированной поверхности диэлектрика обычно необходимы более -высокие значения pH 11 — 11,5 при 1—2 моль/л СНгО и 12,0— 12,5 при 0,1 — 0,5 моль/л СНгО. [c.78]

При прямом активировании обработку поверхности диэлектрика осуществляют непосредственно раствором активатора. Превращение его в катализатор происходит в растворе акселе- [c.26]

В начале поверхности диэлектрика придают шероховатость механическим и химическим способами, затем обезжиривают, подвергают сенсибилизации и активированию. Способ придания шероховатости зависит от применяемой пластмассы. Так, пластмассу АГ-4с обычно подвергают обработке абразивными материалами, а полистиролы типа СНП-2 — травлению. [c.56]

Сенсибилизация и активирование производились в растворах обычного состава, применяемых при металлизации диэлектриков (стр. 67). [c.80]

Электролюминофоры. Люминофоры, в которых люминесценция возникает под воздействием прилагаемого электрического поля, называют электролюминофорами. Электролюминофор заключен между непрозрачным и прозрачным электродами, которые наносят на пластинку из стекла, слюды и т. п. Обычно используют либо композицию — смесь поликристаллического мелкодисперсного люминофора со связывающим диэлектриком (смолой), либо поликристаллические пленки люминофоров, получаемые осаждением газотранспортным методом или вакуумным напылением. Излучение электролюминесцентных источников света имеет высокую монохроматичность, малую инерционность и большую крутизну характеристики яркости высвечивания от напряжения. Основными составами являются соединения типа А — активированные различными примесями, в основном соединения цинка и кадмия ZnS, ZnSe, (Zn d)S и др. В качестве активирующих примесей используются Мп, А1, Ag, Си и др. Высвечивание сернистого цинка с разнообразными активаторами соответствует той или иной полосе спектра. [c.205]

Двухуровневая система. Выясним некоторые особенности активированного диэлектрика, допустив вначале, что он обладает двумя уровнями энергии 1 2 и Wi, эти уровни будем считать простыми, невырожденными в отличие от них энергетические уровни, которым может соответствовать несколько различных волновых функций, называют вырожденными. Переход 2 1 сопровождается выделением, а / - 2 — поглощением энергии. Излучение энергии будет преобладать над поглощением, если населенность > iVj (для простых невырожденных уровней), т. е. если на верхнем уровне излучательного перехода находится большее число частиц, чем на нижнем. Переходы с поглощением (/ - 2) и с выделением (2 /) энергии наблюдаются непрерывно возбужденные состояния не являются устойчивыми. Средняя продолжительность пребывания частиц в возбужденном состоянии называется временем жизни т метастаб ильного состояния. Такое состояние, когда > N , достигается особыми методами — инверсией населенности. Под этим понимают процесс образования избыточной концентрации частиц (населенности) на высоких уровнях с возможностью переходов на низшие уровни. Энергии квантов на высших уровнях, например, на уровне IFj распределены в некотором интервале значений F. Плотность распределения частиц по энергии [c.215]

Классификация материалов и требования к ним. Получение инверсии населенностей возможно при определенном сочетании энергетических уровней активиросанного вещества от его структуры зависит также возможность подбора частоты перехода, близкой к требуемой, поэтому выбор активированных материалов для квантовых приборов является серьезной проблемой. Помимо активированных для ОКГ необходимы и обычные диэлектрики (пассивные), из коюрых выполняется электрическая изоляция активного элемента и других частей квантового прибора. В качестве активированных диэлектриков используют твердые кристаллические и аморфные, жидкие и газообразные диэлектрики, содержащие активирующие примеси. В спектрах [c.218]

Рис. 16.3. Развитие фотонной лавииы в активированном диэлектрике (а), направления излучения в оптическом квантовом генераторе (б) и его основные элементы (а)

Кристаллические активированные диэлектрики для квантовых приборов получили широкое развитие. Ниже рассматриваются в основном розовый рубин, вольфрамат кальция, флюорит кальция и иттрневоалю-миниевый гранат. [c.219]

Предпробойная Э. наблюдается, напр., в порошкообразном ZnS, активированном Си, А1, и др. веществах, помещенных в диэлектрик между обкладками конденсатора, на к-рый подаётся перем. напряжение звуковой частоты. При макс. напряжении на обкладках конденсатора на краях частичек люминофора концентрируется сильное электрич. поле, к-рое ускоряет свободные электроны, и происходят процессы, близкие к электрич. пробою. Электроны ионизуют атомы образовавшиеся дырки захватываются центрами свечения, на к-рых рекомбинируют электроны при изменении направления поля. [c.537]

Сульфиды и, прежде всего, активированный ZnS, входят как профилирующие компоненты — люминофоры в состав люминесци-рующих покрытий, которые широко употребляют в осветительной технике и технике невидимых радиаций. Люминофоры должны быть равномерно распределены (диспергированы) в неорганическом Или органическом диэлектрике. Диэлектрик должен иметь высокие электросопротивление, электрическую прочность и диэлектрическую проницаемость, малые диэлектрические потери. Величине диэлектрической проницаемости придается особое значение. [c.170]

Сульфиды применяются и в качестве люминофоров. Кроме перечисленных сульфидов электролюминофором является сульфид цинка, активированный медью. Ширина запрещенной зоны 2п8 — около 3,6 эв, а потому он приближается к диэлектрикам. [c.364]

Химическое меднение элементов проводящего рисунка печатных плат включает операции активирования диэлектрика с целью создания у его поверхности каталитических свойств к реакции восстановления меди из растворов ее солей. Обычно это достигается совмещенным или раздельным сенсактивированием в растворах, содержащих соли двухвалентного олова и палладия. Для аддитивного и полуаддитивного метода изготовления печатных плат можно использовать диэлектрики с введением в их объем или в адгезионный слой мелкодисперсных частиц металла-активатора, например диоксида титана или оксида цинка. Такой диэлектрик не требует химического активирования. Активирование обычных диэлектриков (например, СТЭФ-1) может производиться также нанесением каталитической эмали № 5215 на поверхность диэлектрика, включая поверхности отверстий. [c.538]

Наряду с адсорбцией может протекать и более глубокое взаимодействие стабилизаторов с зародышами. Так, имеются данные [14], что тиосоединения реагируют с коллоидными частицами серебра, образуя на их поверхности слои соответствующей соли серебра. Очевидно, что тормозящее действие более сильно проявляется именно на малых частицах. Это приводит к стабилизации раствора при продолжающей идти основной каталитической реакции. Некоторым подтверждением такого взгляда может служить факт, что в растворах со стабилизаторами процесс металлизации значительно труднее начинается на активированном диэлектрике, поверхность которого содержит лишь отдельные каталитически активные центры (островки), чем на массивном металле. [c.87]

В формировании металлического покрытия на активированной поверхности диэлектрика можно выделить три стадии 1) начальный период, во время которого на частицах катализатора образуется оболочка из осаждаемого металла 2) период образования сплошного покрытия путем сливания частиц, при этом скорость осал- дения имеет максимальное значение нз-за большой поверх- [c.42]

Ориентировочная схема процесса получения защитно-декоративиых по-крыпш на диэлектриках химико-галь-ваннчески.м способом с использованием кол.тоидного раствора активирования следующая. [c.23]

Широкое промышленное применение пмегот коллоидные (совмещенные) растворы активирования. Их получают при смешении избытка 5пС г с Pd l2. По сравнению с ионными они обладают рядом преимуществ большой избирательностью и стабильностью в работе, более сильной активацией, возможностью активировать комбинированные из металла и диэлектрика поверхности с получением большей прочности сцепления покрытия как с металлом, так и с диэлектриком. [c.29]

Химическое никелирование возможно на активированной, преимущественно соединениями палладия, поверхности диэлектрика. Процесс продолжают до достижения толщины, обеспечивающей достаточную электропроводимость для последующего нанесения электрохими-чески.х покрытий (обычно 0,3— 0,8 мкм). [c.30]

После того, как поверхность изделия из диэлектрика или адгезионного слоя заматирована (т. е. придана шероховатость), проводят обезжиривание, сенсибилизацию и активирование. [c.269]

При меньших концентрациях примеси электроны или дырки в зонах создаются лишь путем температурного возбуждения. Однако ввиду того, что критические температуры сверхпроводников низки по сравнению с энергией возбуждения, наличием 1 ермически активированных носителей можно пренебречь. В таком случае полупроводник фактически является диэлектриком и высота потенциального барьера равна наименьшей энергии, требующейся для создания электронов в валентной зоне или дырок в зоне проводимости, иначе говоря, равна энергетической щели. Сравнивая показатели экспонент температурного возбуждения У/Т) и вероятности туннелирования й тУу/ /%, см. (22.1)), гдеУ соответствует /(дс)—ц, мы видим, что для У> 10" эВ и с1< 10 см температурным возбуждением действительно можно пренебречь. [c.480]

После того как поверхность диэлектрика или адгезионного слоя заматирована, тем или иным способом производят его обезжиривание, сенсибилизацию и активирование, как описано в п. 8. [c.60]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...