Рассеиватель

Полагаем, что вторичные волны, исходящие от объекта в результате рассеяния от него, обладают той же частотой, что и падающие. Отражающий объект, обладающий таким свойством, называется рассеивателем Рэлея. [c.205]

Заметим, что при таком расчете учитывается только однократное отражение от стенок канала и предполагается, что излучение покидает рассеиватель в той же области, где входит в него. Когда эти предположения недостаточно справедливы, следует уточнить расчеты учетом второго отражения и размытия источников обратно рассеянного излучения по поверхности отражателя. [c.142]

Если многократное отражение играет большую роль в процессе рассеяния (например, в случае тепловых нейтронов, у-квантов низких энергий и легких рассеивателей), для его учета [c.149]

Ламберт отвечает, очевидно, яркости идеального рассеивателя, на котором создана освещенность 10 лк = 1 лм/см . [c.54]

Кроме углового распределения в опытах по п — р)-рассеянию была получена зависимость сечения рассеяния от энергии. Величина сечения для нейтронов может быть найдена измерением убывания интенсивности нейтронного пучка, на пути которого поставлен рассеиватель. [c.502]

Согласно классической теории, рассеяние рентгеновских лучей обусловлено инициированными колебаниями электронов вещества рассеивателя. Отсюда следует вывод, что частота рассеянного излучения должна быть равна частоте падающего излучения. Однако результаты, полученные [c.73]

Хотя, как отмечалось выше, смеш,ение определяемое формулой (3.3.1), не зависит от выбора материала рассеивателя, однако важно, чтобы рассеиватель состоял из сравнительно легких атомов (например, парафин, графит, алюминий). Дело в том, что в легких атомах относительно высока доля электронов, слабо связанных с атомным ядром. Рассеяние рентгеновских лучей на этих электронах и обусловливает эффект, описываемый формулой (3.3.1). [c.75]

Это хорошо видно на экспериментальных спектрах рассеяния рентгеновских лучей, показанных на рис. 3.10. Все спектры даны для одного и того же угла рассеяния изменяются рассеиватели. Спектры представлены в порядке, отвечающем переходу от легких к более тяжелым атомам. Здесь I — несмещенная линия, 2 — смещенная линия. Видно, как постепенно увеличивается интенсивность несмещенной линии и в то же время падает интенсивность смещенной линии. Смещение АХ остается при этом неизменным. [c.78]

ВИЯ с решеткой других типов излучений (электронов и нейтронов) общая структура формулы (1.9) сохранится, но Е о и р(г, О заменятся величинами, характеризующими специфику взаимодействия излучения с рассеивателями (например, плотность р(г, t) заменится на потенциал взаимодействия среды с излучением и т. д.). [c.14]

В пределе бесконечной цепочки периодически повторяющихся рассеивателей (функций) [c.16]

При рассеянии на группе одинаковых рассеивателей после суммирования по всем положениям Е, примет вид [29, 39] [c.183]

Наблюдение индивидуальных актов столкновения. В опытах Комптона индивидуальные акты столкновения фотона с электроном не наблюдались, а изучался лишь совокупный результат столкновений фотонов с электронами. Однако уже в 1923 г. Боте и Вильсон наблюдали электроны отдачи от индивидуального акта столкновения фотона с электроном. В 1925 г. Боте и Гейгер доказали, что электрон отдачи и рассеянный фотон появляются одновременно (рис. 12). Счетчики фотонов Ф и электронов Э устанавливаются симметрично относительно рассеивателя Р, в котором под действием излучения И происходит Комптон-эффект. Счетчики Ф и Э включены в схему С совпадений, i. е. в электрическую схему, которая позволяет фиксировать лишь те случаи, когда фотон и электрон в соответствующих счетчиках появляются одновременно. Результат эксперимента показал, что [c.28]

Полное сечение О/ нередко называют сечением выбывания из пучка. Такая терминология обусловлена тем, что через о, определяется коэффициент поглощения fx для потока J пучка налетающих частиц в веществе, состоящем из ядер мишени (при отсутствии в веществе других рассеивателей этого пучка) [c.124]

Невозможность существования чисто неупругого рассеяния тесно связана с квантовомеханическим эффектом дифракционного рассеяния, уже упоминавшегося в гл. И, 6. Действительно, пусть рассеиватель поглощает все попадающие в него частицы и, следовательно, является с классической точки зрения поглотителем без рассеяния, т. е. абсолютно черным телом. При прохождении пучка частиц через такой рассеиватель за ним будет оставаться тень. Однако в область этой тени частицы будут попадать за счет дифракции. А раз частица попала в область тени, значит, она отклонилась от своего пути, т. е. претерпела упругое рассеяние. Такое упругое рассеяние называется дифракционным или теневым рассеянием. [c.126]

Рассеяние на первой мишени обладает азимутальной симметрией, т. е. симметрично относительно оси падающего пучка. Сечение может зависеть лишь от угла д между направлениями падения и рассеяния частицы. Но во втором рассеянии этой азимутальной симметрии уже не будет. Действительно, посмотрим на схематический рис. 5.6. Пусть после первого рассеяния влево пойдут только частицы со спином, направленным вверх, (Для простоты мы считаем поляризацию стопроцентной. Реально поляризация процентов 40 считается сильной.) Тогда вправо пойдет столько же частиц со спином, направленным вниз, поскольку и в исходном пучке, и в мишени равновероятны все направления спинов. Но во второй рассеиватель попадают уже поляризованные частицы со спином, направленным вверх. Они отклонятся влево. А вправо отклоняться уже нечему. Возникла азимутальная асимметрия. Реальный случай отличается от схемы рис. 5.6 лишь тем, что поляризация никогда не бывает стопроцентной, так что частицы будут рассеиваться второй мишенью [c.186]

Частицы — рассеиватели излучения — практически всегда присутствуют в потоках жидкостей или газов (аэрозоли, нерастворимые примеси или пузырьки газа в жидкости). При необходимости в поток могут быть добавлены, например, частицы полистирола размером около 0,1 мкм. Пересекая интерференционную картину в поперечном направлении со скоростью W (рис. 3.5), частицы рассеивают [c.119]

Голографирование фазовых объектов особенно удобно при использовании рассеивателя (диффузоров), помещаемого за (или перед) объектом (по ходу луча). При этом исключаются потери видности интерференционной картины при восстановлении по большому, участку голограммы. [c.53]

Применяя метод разделения переменных, можно получить выражения для рассеянного поля в виде суммы собственных функций, которая хорошо сходится лишь для рассеивателей небольших по сравнению с X размеров. Однако, применяя преобразование Ватсона для превращения суммы в контурный интеграл, из этих рядов можно получить асимптотическое разложение. Решение, как правило, получается в виде суммы двух членов, первый из которых представляет собой геометрооптический член, а второй —дифракционный, отвечающий за образование дифракционных полей одного из четырех типов. [c.35]

Длительность рассеяния каждым элементарным объемом принимали равной длительности излученного импульса, т. е. предполагали, что рассеяние от каждого рассеивателя (кристаллита) начинается в момент поступления к нему зондирующего импульса и прекращается одновременно с его окончанием. [c.290]

Для большинства производимых в настоящее время автомобилей рассеиватели задних фонарей и катафоты изготовляются формованием полиэфирных или термопластических смол, упрочненных стекловолокном. Сложность формы подобных деталей, а также необходимость достижения точной отражающей поверхности послужили причиной выбора этих материалов. Увеличение отражающей поверхности достигается вакуумным напылением металла на поверхность отражателя. [c.23]

Камеры большого объема (более 1000 м ) обычно делают прямоугольными. Для повышения диффузности поля в таких камерах иногда применяют рассеиватели — жесткие клинья, устанавливаемые на внутренних поверхностях камер. [c.447]

При взаимодействии нейтрона с ядрами происходит его поглощение или перераспределение энергии, т. е. рассеяние. Рассеяние нейтрона может быть упругим или неупругим, последний процесс сопровождается испусканием -квантов. Не-упругое рассеяние испытывают лишь быстрые нейтроны при столкновении с тяжелыми ядрами. Замедление (рассеяние) нейтрона зависит от его энергии и природы рассеивателя. Биологическая опасность нейтронов определятся двумя факторами ионизацией протонами отдачи, образующимися при столкновении нейтрона с водородом, присутствующим в живой ткани, и наведенной активностью, возникающей при поглощении нейтрона. Процесс ионизации протонами обсуждался в гл. 4, вопросы активации будут рассмотрены в последующих разделах. [c.112]

Скорость образования нейтронов меняется путем изменения массы горючего в активной зоне, что осуществляется, например, вертикальным перемещением тепловыделяющей сборки (ТВС), содержащей горючее в нижней и поглотитель (или рассеиватель) нейтронов в верхней части. При движении сборки вниз горючее выводится из зоны и коэффициент размножения падает. Расположение горючего и поглотителя в ТВС определяется соображениями безопасности — при самопроизвольном опускании ТВС горючее выводится из зоны, уменьшая тем самым реактивность. Такой способ позволяет эффективно изменять реактивность перемещением одной сборки. Однако при большой эффективности одного исполнительного органа он вносит значительный перекос в форму поля энерговыделения. Кроме того, существуют конструктивные трудности в организации надежного теплоотвода от движущихся твэлов. [c.128]

Полиметилметакрилат применяют для изготовления методами литья и прессования рассеивателей, заш,итных стекол, колпаков светильников, светящихся потолков, светопрозрачных деталей, линз, аппаратуры шахтного освещения и сигнализации, прозрачных трубопроводов и емкостей, смотровых стекол, а также облицовочных материалов и моделей оборудования. [c.168]

Как установил А. М. Зубов, в условиях термоциклирования и износа чугунных прессформ фарных рассеивателей способ отливки заготовок и размеры графитовых включений оказывают большее влияние на жаростойкость, чем низкое легирование серого чугуна. Повысить жаростойкость серых чугунов можно присадками, способствующими измельчению графитовых включений, такими как Si, Ni, Си, или отливкой чугуна в металлическую форму, что обеспечивает прочное врастание образующихся при окислении чугуна окисных пленок в металл и зарастание выходов на поверхность графитовых включений. Условиями, обеспечивающими эти процессы, являются мелкозернистость и плотность чугуна, равномерное распределение виходов графитовых включений вдоль окие-ляемой поверхности, средняя длина графитовых включений у )яб- [c.139]

Схема опыта Комптона представлена на рис. 15.5. Монохроматическое рентгеновское излучение с длиной волны I, исходящее из рентгеновской трубки, проходит через диафрагмы D и и в виде узкого пучка направляется па рассеиватель. Рассеянные лучи анализируются с помош,ью спектрографа рентгеновских лучей. С помощью этого опыта Комптоном было установлено, что при рассеянии рентге- ] l f f рааеибатель новских лучей наблюдается увеличение [c.347]

При решении задачи любой геометрии вычисляют вклад в точку детектирования Р излучения от элементарного источника дЗ, рассеянного от элементарного участка рассеивающей поверхности /5рас, затем интегрированием по всей поверхности источника, видимой из элемента дЗрас и по всей поверхности рассеивателя рас, видимой нз точки детектирования, определяют полную компоненту обратно рассеянного излучения. [c.141]

Нит есть, очевидно, просто иное название для кд/м . Стильб отвечает яркости площадки, дающей силу света 1 кд с каждого квадратного сантиметра. Физический смысл величин апостильб и ламберт связан с яркостью идеального рассеивателя, на котором создана определенная освещенность. [c.54]

Идеальным рассеивателем называется поверхность, полностью рассеивающая весь падающий на нее поток, и притом равномерно по всем направлениям, так что яркость ее не зависит от направления (соблюдается закон Ламберта). Идеальный рассеиватель, освещенность которого доведена до одного люкса, рассеивает с каждого квадратного метра во все стороны весь падающий на него поток, т. е. 1 люмен с каждого квадратного метра. Таким образом, на основании соотношения 5 = пВ (см. 7) он имеет яркость в 1/я = = 0,318 кд/м . Итак, 1 апостильб = 0,318 кд/м — это яркость идеального рассеивателя, на котором создана освещенность в один люкс. [c.54]

Голограмма диффузно рассеивающего объекта или объекта, полученного через рассеиватель (например матовое стекло), обладает всеми рассмотренными ранее свойствамш, характерными для голограмм трехмерных объектов. Главным из. этих свойств является то, что излучение от каждой точки объекта распределено по всей голограмме и, следовательно, каждый малый участок голограммы содержит информацию о всем объекте. Благодаря. этому мнимое изображение всего объекта можно наблюдать непосредственно (рис. 8, а). Если объект не рассеивает диффузно свет, то голограмма не обладает этим свойством и каждому участку объекта соответствует свой участок голограммы (рис. 8, б). Этот недостаток также устраняют, располагая на пути объектного пучка диффузор. Однако в некоторгях особых случаях, как мы увидим далее, при получении голограммы необходимо создавать направленное, а не диффузное освещение. [c.41]

Соответствующий опыт ставился неоднократно, однако до 1920 г. он не давал удовлетворительных результатов, так как N и dN сравнивались в разных опытах. В 1920 г. Чедвик впервые провел сравнение N и dN в одном и том же опыте. Схема опыта Чедвика изображена на рис. 76. Если источник а-частиц И и детектор Д (сцинтиллирующий экран) расположить на одинаковом расстоянии от рассеивателя Р, изготовленного в виде кольца, то геометрия опыта получается особенно удобной для расчета и выгодной, так как детектор собирает частицы, рассеянные под данным углом, со всей площади кольцевого рассеивателя. Количество dN рассеянных а-частиц измерялось в условиях, когда прямой пучок а-частиц (из источника в детектор) был закрыт непрозрачным для а-частиц экраном. Наоборот, при измерении N экраном закрывался рассеиватель. При этом для умень- [c.224]

Детальное изучение рассеяния электромагнитного излучения с изменением длины волны было проведено в 1923 г. Комптоном. Установка Комптона (рис. 86) состояла из рентгеновской трубки РТ с молибденовым антикатодом А, рассеивателя Р, коллиматора К, кристалла Кр и ионизационной камеры ИК-В качестве рассеивателя был выбран графит, электроны в котором слабо связаны с ядром по сравнению с энергией харак теристического излучения молибдена. [c.246]

Подобная постановка опыта является дальнейшим развитием метода кольцевого рассеивателя, примененного Чедвиком (см. 19, п. 2) она позволяет резко увеличить эффект. [c.350]

Замедленный спад -Онеупр при (г—Л/)-рассеянии наводит на мысль о точечном рассеивателе. Но им не может быть керн нуклона, так как сгупр спадает с q очень быстро. Следовательно, можно предполагать существование в нуклоне какой-то необычной точечной структуры, проявляющейся только в неупругих процессах. [c.277]

Коэ1ффициепт энергетической яркости р — отношение энергетическо 1 яркости облученной поверхности к энерге ической яркости идеального рассеивателя, находящегося в тех же условиях облучения. [c.193]

В этих выражениях г и 2 — атомные номеры падающей частицы и рассеивателя А — атомная масса рассен-вателя t — толщина рассеивателя, г/см ри — произведение импульса на скорость падающей частицы Р = и/с (с — скорость света) (ро)2= ( 2 + 2 Л ) (3 и [c.1167]

При увеличении интенсивности возбуждающего света возникает вынужденное комбинационное рассеяние света. Оно обусловлено тем, что возникшее в результате рассеяния излучение на комбинационных частотах в свою очередь становится возбуждающим излучением, которое действует на молекулы рассеивателя. Благодаря этому в молекулах происходит раскачка колебаний, приводящая к усилению пербизлучения на комбинационных частотах. Если рассмотреть этот процесс в классической модели излучения по этапам, то он развивается следующим образом. Суммарное электрическое поле падающей и рассеянной волн вызывает поляризацию молекулы, а возникающий при этом дипольный момент молекулы пропорционален суммарной напряженности электрического поля падающей и рассеянной волн, т. е. колеблется с соответствующей комбинационной частотой. Благодаря этому потенциальная энергия взаимодействия ядер в молекуле изменяется на величину, пропорциональную произведению дипольного момента на квадрат суммарного электрического поля. [c.267]

В ряде процессов (релаксация полимеров, процессы диффузии и т. п.) необходимо оценить изменение подвижности и средний размер частей, составляющих среду, в различные моменты времени. Если эти процессы протекают медленно (1 — 10 с), то единственным способом контроля является метод голографической коррелометрии (МГК), который основан на получении с помощью двулучевой схемы голограммы рассеивающей среды в отраженном свете (при одностороннем доступе). Направление освещения между экспозициями меняется на угол 0, что вызывает регулярный фазовый сдвиг Дфо на элементах рассеивателя и появление в изображении системы эквидистантных интерференционных полос. Так как состояние среды за время т между экспозициями изменится, уменьшится контраст полос. Случайный сдвиг фазы отдельной частицы Дф (G, т) = к Дг (т), где О — угол между направлениями падающей и рассеянной волн Дг — вектор сме-, 2я [c.114]

Демпфер служит для ослабления свободных кол аний пьезопластины, управления добротностью преобразователя и защиты пьезопластины от механических повреждений. Состав и форма демпфера должны обеспечивать полноз затухание и отвод колебаний, излученных пьезопластиной в материал демпфера без многократных отражений. Ослабление колебаний пьезопластины тем сильнее, чем лучше согласованы характеристические им-педансы материалов пьезопластины и демпфера. Демпферы обычно изготавливают из искусственных смол (эпоксидных) с добавками порошковых наполнителей с высокой насыпной плотностью, необходимой для получения требуемого характеристического импеданса. Для уменьшения многократных отражений демпфер выполняют в виде конуса, либо тыльную поверхность демпфера выполняют непараллельной пьезопластине, либо в материал демпфера вводят рассеиватели. [c.206]

Чаще всего демпферы изготовляют из композиционных материалов, состоящих из связующего элемента и рассеивателей. В качестве первых используют компаунды или эпоксидные смолы типа ЭД-5, ЭД-6, а в качестве вторых — порошки тяжелых металлов и их оксидов, а также измельченные кварц, карбид титана, вольфрама или свинца. В серийных прямых ПЭП используют демпферы, полученные горячим прессованием порошка вольфрама и связующего пенопласта, в качестве клеящей массы служат эпоксидные клеи. Эти демпферы обладают достаточно высоким коэффициентом затухания (до 420 м ) и большим акустическим сопротивлением (до 15-10 Па-с/м). Вследствие высокой электрической проводимости таких демпферов и электрического контакта между ними и пьезоэлементом при приклеивании к последнему исключается необходимость пайки контакта к нерабочей поверхности пьезопластины. [c.142]

В качестве пластификатора широко применяют также силикон, полиуретан, каучук, сырую резину. Демпферы с такими компонентами обладают гораздо более высоким коэффициентом затухания, чем эпоксидные смолы, при одном и том же количестве рассеивателей (порошков). Для оптимального демпфирования необходимо, чтобы акустическое сопротивление демпфера по высоте изменялось по экспоненте, причем максимальное значение должно быть со стороны пьезоэлемента. Этого можно достичь вибрационной обработкой массы компаунд — наполнитель, при которой тяжелые частицы наполнителя (порошка) опускаются к поверхности, которая в дальнейшем приклеивается к пьезопластине. Экспериментально установлено, что для поверхности, прилегающей к пьезопластине, соотношение масс между компаундом и наполнителем должно составлять 1 10. .. I 12 при этом максимальное значение = (6. .. 8) 10 Па-с/м. С целью более эффективного гашения многократных отражений демпфер выполняют в виде конуса либо срезают его тыльную [c.142]

Применение статистических методов выделения сигналов на фоне структурных шумов—второй путь решения проблемы контроля крупнозернистых материалов. Их широко используют в радио- и гидролокации. Однако помехи при локации обычно представляют собой случайные во времени процессы, т. е. шумы, поэтому накопление информации и ее статистическая обработка позволяют значительно повысить отношение сигнал—помеха. Положение рассеивателей в твердом теле не меняется во времени. При неизменных условиях излучения и приема упругих волн структурные помехи полностью скоррелированы, что исключает возможность межпериодной обработки сигналов. Чтобы воспользоваться способами обработки сигналов, предназначенными для анализа случайных временных процессов, необходимо изыскать методы создания временной зависимости эхо-сигналов в разные периоды излучения—приема. [c.295]

Стекло органическое све-тотехническое (ГОСТ 9784 — 75) к, со (МО, ф) Для изготовления рассеивателей и других светотехнических изделий. Коэффициент пропускания зависит от степени замутне-ния (90 — 20%). Толщина листов 2 — 4 мм [c.499]

Оптическая голография Том1,2 (1982) -- [ c.20 , c.194 , c.477 , c.514 , c.672 ]

Статистическая оптика (1988) -- [ c.149 , c.150 , c.187 , c.188 , c.189 , c.223 ]

Электрооборудование автомобилей (1993) -- [ c.10 , c.221 ]

Динамические системы - 2 (1985) -- [ c.0 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...