Поверхностная температура Деба

Из измерений зависимости интенсивности дифракционных рефлексов от температуры можно оценить значения < х > и поверхностную температуру Дебая 0д. [c.159]

Поверхностная температура Дебая 159 [c.281]

Отличия атомно-электронной структуры поверхностных слоев. Они могут проявляться во влиянии поверхностного пространственного заряда и дебаевского радиуса экранирования на величину и форму барьеров Пайерлса, а также, как показали данные по дифракции медленных электронов и эффекту Мессбауэра, в различии координационных чисел, параметров решетки, характера и типа межатомных связей и, как следствие этого, в различии динамических параметров кристаллической решетки вблизи поверхности и внутри кристалла (частоты и амплитуды колебаний атомов, температуры Дебая и др.). [c.27]

Как мы отмечали в 5.2.1, температура Дебая поверхностной фазы почти вдвое меньше объемной, поэтому и <Т . В дальнейшем эта простая формула подвергалась уточнениям, которые, однако, не [c.162]

Рассмотренные выше особенности динамики решетки поверхностных слоев и как следствие этого специфика ее термодинамических функций, по-видимому, могут оказать существенное влияние на физико-механ№ ческие свойства и деформационную способность приповерхностных слоев кристалла. Например, если среднеквадратичные смещения для поверхностных атомов всегда больше, чем для объемных, а характеристические температуры Дебая всегда меньше вблизи поверхности, то, поскольку указанные факторы (в и [/ ) непосредственно связаны с упругими константами решетки и формой ее потенциального рельефа, можно предполагать, что они также являются одной из причин проявления аномальных особенностей микропластического течения вблизи поверхности твердого тела. Так, в работах [428, 436—438] показано, что в ультрамалых частицах Ли [436], Sn [437], SnOj [438], а также в пленках Sn толщиной 20-500 А [428] дебаевская температура, как правило, уменьшается по сравнению с массивными образцами именно за счет ослабления упругих связей поверхностных атомов (см. рис. 73). [c.131]

Теплопроводность твердых тел определяется вкладом электронной Хэ решеточной Хреш составляющих. Для металлов Хэ Хреш > и X вычисляется в приближении свободных электронов по формуле Видемана-Франца. Решеточная компонента Хреш сложным образом зависит от температуры Т, проходя через максимум при температуре много ниже температуры Дебая (для Се при 20 К). Такой ход температурной зависимости обусловлен двумя конкурирующими процессами при низких температурах теплоемкость растет из-за увеличения концентрации тепловых фононов, при более высоких температурах Хреш падает в результате неупругих фонон-фононных взаимодействий (процессы переброса). В теории такие процессы описываются ангармоническим членом ух . Расчет показывает, что величина решеточной составляющей теплопроводности зависит не только от упругих констант решетки (Р), но и от ангармонизма колебаний поверхностных атомов (у) [c.161]

Если резонансные ядра pa пoлaгaюi я в поверхностном слое кристалла, то можно определить средний квадрат амплитуды и средний квадрат скорости поверхностного атома с помощью эффекта Мессбауэра, а именно путем измерения сечения процессов без отдачи (фактор Дебая-Валера) и доплеровского сдвига второго порядка [380, 407-409]. Аллен [407] выполнил измерения фактора Дебая-Валера и доплеровского сдвига второго порядка для Со .нанесенного на поверхности (100) и (111) кремния напылением в вакууме 10 торр. (Зпыты проводились до и после отжига при 1000 К, т.е. для атомов Со на поверхности и в объеме кристалла Si. Вычисленная из фактора Дебая-Валера дебаевская температура составила 555 К для поверхностных атомов и 588 К для атомов в объеме образца. Аналогичные исследования, проведенные Бертоном и Годвином [409] для на поверхности монокристалла серебра, показали, что эффективная дебаевская температура на поверхности составляет 354 30 К вдоль нормали и 255 30 К параллельно поверхности, в то время как для объема она составляет 406 12 К. Из дебаевских температур найдено, что отношение между среднеквадратичным смещением атома на поверхности к аналогичной величине в объеме составляет 1,3 0,2 вдоль нормали к поверхности и 2,5 0,3 параллельно поверхности. [c.127]

Попытка оценить вклад поверхностной релаксации (изменение параметра решетки у поверхности) во взаимодействие точечт>1Х и линейных дефектов со свободной поверхностью кристалла была предпринята также в работе [429]. Естественно, что максимальное проявление подобного рода эффектов (в частности аномальные занчения и 0) следует ожидать прежде всего на ювенильно чистых поверхностях в условиях высокого вакуума. Поэтому, вероятно, именно этим обстоятельством можно объяснить обычно наблюдаемые аномальные значения физико-химических и механических свойств материалов в условиях сверхвысокого вакуума. Однако отмеченные особенности сохраняются и могуг проявляться и в обычных условиях. Это убедительно подтверждается тем обстоятельством, что в случае использования кристаллов с большой удельной долей поверхности по отношению к объему обычно четко проявляется различие деба-евских температур у таких объектов по сравнению с массивными образцами [428, 436-438], а также наблюдается существенное снижение температур плавления мелкодисперсных порошков по сравнению с макро- [c.132]

Рассмотренное выше действие красного света относится только к поверхностному скрытому изображению (глициновый проявитель без сульфита или щавелево-железный проявитель). Различные авторы исследовали также действие красного света на внутреннее скрытое изображение. Для этой цели полное скрытое изображение обрабатывалось окисляющим раствором (хромовая кислота) различной концентрации. Проявителем служил обычный метол-гидрохиноновый проявитель, к которому добавлялось 10 г/л гипосульфита. При нормальной температуре этот вопрос исследовался Дебо [4], который обнаружил, что при действии красного света на внутреннее скрытое изображение происходит восстановление поверхностного скрытого изображения при увеличении времени предварительного освещения белым светом восстановленное скрытое изображение проходит через максимум, соответствующий определенному времени предварительного освещения. Это явление объясняется следующим образом под действием красного света происходит частичное рассасывание внутреннего скрытого изображения и перенос его на поверхность эмульсионных микрокристаллов. Количество диспергированного внутреннего скрытого изображения возрастает с ростом наличного внутреннего скрытого изображения. Однако поскольку увеличение количества внутреннего скрытого изображения под действием возрастающих экспозиций белого света влечет за собой одновременное увеличение поверхностного скрытого изображения, то после разрушения последнего сохраняется все меньшее количество поверхностных центров светочувствительности. Отсюда следует, что с увеличением внутреннего скрытого изображения уменьшается число поверхностных центров светочувствительности, остающееся после обработки окислителем, и, следовательно, уменьшается также поверхностное скрытое изображение, восстановленное в результате рассасывания внутреннего скрытого изображения под действием красного света. В результате этих двух противоположных процессов возникает максимум на кривой, представляющей эффект Дебо при нормальной температуре и возрастающем времени предварительного освещения белым светом. [c.278]

Интенсивность дифракционных рефлексов в ДМЭ пропорциональна квадрату числа упорядоченных поверхностных атомов. Тепловые колебания разупорядочивают поверхность и ослабляют интенсивность рефлексов. Как показали Дебай и Уолер, при высоких температурах (Г > 0д) для зеркального отражения интенсивность / ослабляется в ехр - (3 < >1 раз (фактор Дебая-Уолера). Таким образом [c.159]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...