Рентгеновские эффекты

На рис. 98 показано относительное изменение удельного электросопротивления р закаленного сплава А1 + 1,9% Си при комнатной температуре вначале (/) наблюдается быстрое возрастание р, затем (2) оно происходит медленно. Между тем никаких видимых изменений в структуре не наблюдается. Такое изменение электросопротивления, равно как отмечаемые в ряде работ рентгеновские эффекты, отвечает процессу образования скоплений атомов меди во всем объеме [197]. Этот процесс обыч- [c.224]

В зависимости от характера исследуемых объектов получают различные виды рентгеновских эффектов (табл. 51). [c.157]

Остаточные напряжения (после обработки давлением, резких тепловых воздействий, фазовых превращений, сопровождающихся изменениями объема) уравновешиваются в объеме всей детали (или значительной ее части), вследствие этого детали по объему имеют зоны напряжений разного знака. Это объясняет термин зональные напряжения. Термин макронапряжения имеет смысл только в связи с представлением о микронапряжениях как напряжениях, уравновешивающихся в микрообъемах — внутри зерен как основного элемента микроструктуры. Рентгеновский эффект от этих напряжений — размытые линии, возрастающие с увеличением угла 9 по закону tg 9. Однако в последнее время стало ясно, что деформации решетки, создающие эффект рентгеновских микронапряжений, связаны с упругими полями дислокаций. В связи с этим целесообразно отказаться от термина микронапряжения (а следовательно, и от термина макронапряжения) и пользоваться термином микродеформации решетки, имея в виду поле упругих деформаций от дислокаций, или выражать эту характеристику через плотность дислокаций и их распределение. [c.138]

Указанные обстоятельства определили условия проведения опытов [Л. 89, 90, 144, 145], в которых были использованы дисперсные материалы (графит, кварцевый песок, алюмосиликатный катализатор и др.), по своим сыпучим свойствам близкие к идеальным. Влияние различных факторов на характер движения оценивалось по изменению профиля скорости окрашенного элемента слоя. Движение наблюдалось через плоскую застекленную стенку полуцилиндрического прямоугольного и других каналов либо с помощью просвечивания рентгеновскими лучами через стенку круглого стеклянного канала. В последнем случае использовался диагностический рентгеновский аппарат, а частицы слоя предварительно смачивались барием. Измерительный участок исключал влияние концевых эффектов. Проверка, произведенная радиоактивным [Л. 242] и рентгенологическим [Л. 237] методами, показала, что стеклянная стенка не искажает картину движения. Влияние углового эффекта в месте стыка стекла и стенки уменьшается при использовании каналов прямоугольного сечения. Во всех случаях результаты измерения были представлены в относительных величинах и носят в основном качественный характер. [c.292]

Рениевый эффект 532 Рентгеновские лучи 36 Решетка кристаллическая пространственная 22 [c.645]

Была сделана попытка объяснить явление Комптона с волновой точки зрения, на основе эффекта Допплера. При этом пришлось допустить, что процесс рассеяния происходит в два этапа сначала рентгеновское излучение поглощается, а потом испускается движущимся электроном. Однако подобное объяснение явления Комптона оказалось неудовлетворительным. [c.347]

Но при рассеянии под данным углом 0 величина Д . не зависит от %. Поэтому эффект Комптона не существен для длинноволнового излучения, когда (например, для света и даже мягких рентгеновских лучей), и, наоборот, играет большую роль для коротковолнового у-излучения, когда ДА, Я. Разрешая выражение (23.16) относительно v, получим формулу для энергии кванта, рассеянного на угол 0 [c.248]

Эффект Комптона состоит в изменении длины волны рентгеновских лучей, происходящем при их рассеянии в веществе. Схема опыта Комптона приведена на рис. 27.1. Выделяемый диафрагмами 1 и 1 узкий пучок рентгеновского излучения направляется на рассеивающее вещество 2. Спектральный состав рассеянного излучения исследуется с помощью рентгеновского спектрографа, со- [c.178]

Описанные особенности эффекта Комптона легко объяснить, если считать, что рентгеновское излучение имеет чисто квантовую природу, т. е. представляет собой поток фотонов. Тот факт, что все легкие атомы ведут себя одинаково, позволяет предполагать, что процесс рассеяния сводится к столкновению фотонов с электронами. Действительно, в таких атомах связь электронов с ядром слаба и под действием рентгеновских лучей электроны легко отделяются от атома. Поэтому эффект Комптона можно в первом приближении рассматривать как рассеяние рентгеновских лучей свободными электронами. [c.180]

Хотя, как отмечалось выше, смеш,ение определяемое формулой (3.3.1), не зависит от выбора материала рассеивателя, однако важно, чтобы рассеиватель состоял из сравнительно легких атомов (например, парафин, графит, алюминий). Дело в том, что в легких атомах относительно высока доля электронов, слабо связанных с атомным ядром. Рассеяние рентгеновских лучей на этих электронах и обусловливает эффект, описываемый формулой (3.3.1). [c.75]

Эффект Комптона на легких атомах можно объяснить, если рассматривать столкновения рентгеновских фотонов с электронами. В этих столкновениях фотон передает электрону часть своей энергии в результате энергия фотона, а значит, и частота излучения уменьшаются, что и объясняет появление смещенной линии в спектре рассеянного рентгеновского излучения. Электрон должен быть сравнительно слабо связан с атомным ядром, его энергия связи должна быть существенно меньше, чем та энергия, которую передает ему при столкновении рентгеновский фотон. Такой электрон можно рассматривать свободным и покоящимся до столкновения. [c.75]

Эффект Комптона на тяжелых атомах. Если электрон достаточно сильно связан с ядром, то при столкновении с фотоном рентгеновского излучения импульс отдачи получает атом как целое. [c.77]

В легких атомах доля слабо связанных с ядром электронов достаточно велика, поэтому эффект Комптона на таких атомах наблюдается. Смещенная линия в спектре рассеянных рентгеновских лучей имеет в данном случае интенсивность, превышающую интенсивность несмещенной линии, обусловленной рассеянием на сильно связанных электронах. По мере перехода ко все более тяжелым атомам уменьшается [c.77]

Рентгеновская фотоэлектронная эмиссия (РФЭ) возникает под действием рентгеновского излучения и связана с переходом фотоэлектронов с глубоких атомных уровней в вакуум. Характерной особенностью фотоэлектронных спектров РФЭ является наличие узких линий, соответствующих фотоэлектронам, которые вышли из тела без рассеяния энергии (табл. 25.18 и рис. 25.28— 25.30). При использовании длинноволнового рентгеновского излучения (/iv=l кэВ) энергия эмитированных электронов составляет несколько сот электрон-вольт. Длина свободного пробега таких электронов равна 0,5— 2 нм (рис. 25.27), так что линейчатая часть спектров РФЭ отражает свойства приповерхностного слоя толщиной до пяти монослоев. Эта особенность спектров РФЭ позволяет использовать их для анализа состава поверхности в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФС). Энергии для химических элементов в соединениях различаются на несколько электрон-вольт. Так, для углерода энергия фотоэлектронной 1 s-линии меняется от 281 (Hf , Ti ) до 292 эВ (СОг)-Этот эффект, обычно называемый химическим сдвигом, дает возможность получать с помощью РФС информацию не только о оставе поверхности, но и о химических [c.579]

ВТОРИЧНЫЕ СПЕКТРЫ И ЭФФЕКТЫ ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ В РЕНТГЕНОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ [c.968]

Переход атома в невозбужденное состояние может сопровождаться испусканием не фотона, а электрона. Этот переход называют вторичным фотоэффектом или оже-эффектом, а соответствующие электроны — оже-электронами. Так как энергетический спектр этнх электронов определяется разностью энергий разных энергетических состояний атомов, он также является паспортом данного сорта атомов, как н характеристическое рентгеновское излучение. Вероятность испускания оже-электронов для атомов с Z<33 дах<е выше, чем вероятность излучательных переходов. [c.968]

Почему эффект Комптона удается наблюдать лишь в опытах с рентгеновским излучением Почему в рассеянном излучении наблюдается несмещенная частота [c.26]

Этот эффект можно экспериментально измерить лишь для достаточно коротких длин волн, лежащих примерно в рентгеновском диапазоне. Кванты рентгеновского излучения обладают очень большими энергиями и импульсами по сравнению с энергиями и импульсами фотонов видимого света. В результате столкновения с квантами рентгеновского излучения электрон приобретает очень большие импульсы и при математическом расчете необходимо пользоваться релятивистскими формулами зависимости массы от скорости. [c.27]

Гамма-лучи (и рентгеновские лучи) передают свою энергию через фотоэффект, комптон-эффект и процесс образования пар. При взаимодействии Y-квантов с энергией 0,1—10 Мэе с материалами, состоящими из элементов с низкими атомными номерами (углерод, водород), преобладает комптон-эффект. При комптоновском рассеянии у-квант, взаимодействуя с электронами, передает им часть своей энергии. Образовавшийся свободный электрон обладает значительной кинетической энергией, которую он расходует на последующую ионизацию вещества. [c.11]

Радиационно-индуцированные изменения в органических молекулах связаны с разрывом ковалентных связей. Б простых органических соединениях радиационные эффекты невелики, но в полимерах они выражены более резко. Радиационно-индуцированные изменения в каучуках и пластиках отражаются на их внешнем виде, химическом и физическом состояниях и механических свойствах. В качестве внешних изменений можно рассматривать временные или постоянные изменения цвета, а также образование пузырей и вздутий. К химическим изменениям относятся образование двойных связей, выделение хлористого водорода, сшивание, окислительная деструкция, полимеризация, деполимеризация и газовыделение. Физические изменения — это изменения вязкости, растворимости, электропроводности, спектров ЭПР свободных радикалов, флуоресценции и кристалличности. Об изменениях кристалличности судят по измерениям плотности, теплоты плавления, по дифракции рентгеновских лучей и другим свойствам. Из механических свойств изменяются предел прочности на растяжение, модуль упругости, твердость, удлинение, гибкость и т. д. [c.49]

Опыт поставлен для оценки влияния реакции Li6 (п, а) №, после облучения рентгеновская дифракционная картина осталась четкой Теплопроводность при малых дозах пропорциональна дозе облучения, но при больших дозах константа пропорциональности уменьшается, т. е. наблюдается слабый эффект насыщения. Гамма-облучение вызывает подобные начальные изменения теплопроводности, но дает насыщение [c.145]

Отметим, что попытка разделить рентгеновские эффекты, обусловленные разными факторами, предпринятая Гордоном и Авербахом [89], оказалась неудачной. Авторы [89] предложили гауссов закон распределения интенсивности для всех рассмотренных здесь факторе . При этом квадрат полуширины, измеренный методом двойного кристалла кривой качания, равен сумме квадратов полуширин, обусловленных следующими причинами естественным уширением отра-жепня от образца и анализирующих кристаллов уширением, вызванным наклоном и равномерным изгибом решетки уширением, связанным с локальными деформациями и размерами блоков когерентного рассеяния. Результаты работы [89] нельзя использовать, как в [90], для разделения различных факторов, влияющих па распределение интенсивности рассеянных рентгеновских лучей кристаллами, содержащими различные дислокационные структуры [45], [c.234]

Очевидно, что чем больше га, тем удобнее наблюдение явления. Для рентгеновских лучей, у которых п < 1, эффект исключается. Особенностью эффекта Вавилова - Черснкова является то, что характерное свечение возникает при равномерном движении возбуждающих его частиц со скоростью и > с/п. Это бесспорный факт и простые оценки показывают, что потерей энергии этих частиц на возбуждение свечения можно пренебречь. Таким образом, свечение среды связано с возбуждением частицами постоянной скорости, что как бы противоречит фундаментальному положению (см. 1.5) о том, что для излучения электромагнитной энергии необходимо ускоренное движение частиц. Но при этих рассуждениях нужно учитывать, что в изложенной выше простейшей модели явления излучают не налетающие частицы, а атомные электроны, движение которых носило характер вынужденных колебаний, т. е. имело отличное от нуля ускорение. [c.173]

Заметим, что отличное совпадение результатов оценки светового давления с данными опыта получается лишь при строго релятивистском описании процесса. Действительно, выражение для импульса фотона /iv/ было получено использованием формул релятивистской механики. Следовате.яьно, при формулировке законов сохранения, описывающих элементарные акты, приводящие к возникновению и уничтожению фотона, нужно учитывать эффекты, предсказываемые теорией относительности. Проиллюстрируем это элементарным изложением теории рассеяния рентгеновского излучения в каком-либо веществе. [c.447]

При рассмотрении механизма рассеяния предполагалось, что фотон сталкивается со свободным электроном. Для легких атомов и периферических, слабо связанных электронов такое допущение вполне оправдано, так как энергия связи электрона ничтожно мала по сравнению с энергией фотона рентгеновских лучей. Но внутренние электроны, особенно в тяжелых атомах, связаны настолько прочно, что их уже нельзя рассматривать как свободные. Поэтому при столкновении фотон обменивается энергией и количеством движения с атомом в целом. Учет этого обстоятельства объясняет ряд особенностей эффекта Комптона и в первую очередь наличие несмещенной линии, а также соотношение интенсивностей смещенной и несмепщнной линий. [c.182]

Фотоэффект, эффект Комптона, рождение электронно-позитронных пар. Предположим, что через вещество распространяется монохроматический пучок фотонов. Энергию фотонов будем варьировать в широком интервале от оптического диапазона к рентгеновскому и далее — к -у-излу-чению. При прохождении через вещество интенсивность фотонного пучка будет уменьшаться за счет различных процессов фотон-электронного взаимодействия, приводящих к поглощению или рассеянию фотонов. Не будем принимать во внимание резонансные процессы взаимодействия излучения с веществом. Тогда остаются три процесса, приводящие к ослаблению фотонного пучка фотоэффект (фотоны поглощаются электронами), эффект Комптона (фотоны рассеиваются на электронах), рождение электроннв-позшп- [c.157]

На основании дифракционных явлений были созданы приборы, позволяющие измерить с большой точностью длины волн рентгеновского излучения. Это открыло дорогу к широкому кругу экспериментов в области физики рентгеновских лучей, приведших к открытию новых явлений, например эффекта Комптона (см. 2). Основанный на этих явлениях рентгеноструктурный анализ остался и до настояидего времени одним из очень эффективных методов изучения структуры вещества. Использование дифракции на кристаллах для управления рентгеновскими лучами лежит в основе рентгеновской оптики, получившей особенно большое развитие в последние годы. [c.52]

Звезда в состоянии коллапса называется черной дырой . Черные дыры являются нестабильными объектами (Хоукинг, 1975) и посте пенно распадаются за счет квантового туннельного эффекта (гл. VI 3). М. А. Марков выдвинул гипотезу о том, что конечным продук том распада черной дыры является максимов (гл. VII, 1, п 4) удерживаемый от дальнейшего распада влиянием сильных кванто вых гравитационных эффектов. Черные дыры могут быть обнару жены по рентгеновскому излучению, возникающему при аккреции вещества черной дырой. [c.615]

РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОПОГРАФИЯ, использующая тот же эффект дпфракциопиого контраста, что и просвечивающая электронная микроскопия, также позволяет наблюдать отдельные дислокации. Но из-за малой разрешающей способности она применима лишь к монокристаллам с плотностью дислокаций не выше 10 — 10 см . Поэтому этот метод не может сколько-нибудь широко использоваться для изучения дислокационной структуры металлов и сплавов. Основная область применения метода — анализ дислокационной структуры совершенных монокристаллов полупроводников (кремний, германий и др.). [c.99]

Явление полигонизации было установлено в 1932 г. Коно-беевским и Мирером (28] при исследовании рентгеновским методом структуры изогнутых монокристаллов каменной соли. Они обнаружили, что после отжига монокристаллов, подвергнутых изгибу, непрерывные полосы астеризма на лауэграммах (характерные для изогнутых, но не отожженных кристаллов) разбиваются на отдельные точки. Этот эффект впоследствии был объяснен (29—31] образованием в предварительно изогнутом и затем отожженном монокристалле вполне определенной субструктуры в результате выстраивания дислокаций одного знака в стенки. Образующиеся при этом субзерна получили название полигонов. Рассмотрим распределение дислокаций до и после [c.25]

Для повышения надежности СНК и быстрейшего устранения неполадок они обеспечиваются системой автоконтроля в процессе эксплуатации. В случае выхода из строя одного из элементов автоматизированные СНК останавливают операцию контроля и сигнализируют о возникшей неисправности. Наибольший экономический эффект достигается, когда СНК непосредственно управляют технологическим процессом. Например, работа системы автоматического регулирования толщины стальной полосы основана на непрерывном измерении рентгеновским толщиномером толщины прокатываемой между клетями стана полосы и обеспечении обратной регулируемой связи между показаниями толщиномера и усилием обжатия валков стана. [c.28]

Метод двух (трех) энергий непосредственно базируется на современной теории и аналитическом описании взаимодействия рентгеновского излучения с веществом в диапазоне энергий. При контроле в области до 1,022 МэВ (метод двух энергий) отдельно учитывается вклад фотоэлектрического поглощения и комптоновского рассеяния. В области более высоких энергий (метод трех энергий) дополнительно учитывается эффект образования пар электрон-позитрон. Для того чтобы дополнительной вычислительной обработкой выделить вклад каждого вида взаимодействия и в конечном счете сформировать независимые наборы проекций для отдельной реконструкции томограмм распределения электронной плотности и распределения эффективного атомного номера, необходимо каждую оценку проекции Рн ( > Ф Е) проводить при двух (трех) неперекрывающихся спектрах энергий фотонов. [c.424]

Вторым крупным исследовательским центром стал Московский физический институт имени П. Н. Лебедева, преобразованный в 1934г. из Физической лаборатории Академии наук СССР. В его отделах и лабораториях велись исследования рентгеновских лучей и космической радиации, выполнялись работы по физике нейтронов, разрабатывалась теория ускорения атомных частиц и т. д. В нем же в 1934 г. П. А. Черенковым в ходе изучения явлений люминесценции растворов солей урана под действием гамма-лучей был открыт эффект свечения веществ при прохождении быстрых заряженных частиц, использованный затем в приборах для точного измерения скорости и направления полета электронов, протонов, мезонов и гамма-квантов высоких энергий [c.151]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...